專利名稱：一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽能電池是把光能轉(zhuǎn)換為電能的光電子器件。它的光電轉(zhuǎn)換效率定義為總輸出功率與入射到太陽電池表面的太陽光總功率的比值。低成本、高效率是晶體硅太陽能電池的發(fā)展方向。由于晶體硅表面的太陽光的反射率較高，不能充分吸收太陽光，造成能源浪費(fèi)。目前人們常用的做法是在硅片表面鍍減反射膜，例如，二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、二氧化鈦膜是常用的鍍膜材料，顯然，單層膜的減反射效果并不好，雙層膜及多層膜也開始應(yīng)用。當(dāng)前選擇在硅片表面熱氧化生長一層二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜表面再生長其他的膜層，高溫生長制備二氧化硅掩膜使用生產(chǎn)周期長，二氧化硅結(jié)構(gòu)質(zhì)量不高，起到阻擋層的作用低；第二層減反射膜在二次擴(kuò)散時(shí)由于高溫造成表面結(jié)構(gòu)損傷，一定程度降低了阻擋作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，該制備方法依次經(jīng)過下述常規(guī)工序清洗、制絨、制結(jié)和刻蝕，其特征在于它還包括以下步驟
(1)將處理后的硅片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；
(2)清洗、烘干步驟(I)得到的帶有二氧化硅膜的電池片；
(3)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化硅膜上沉積一層氮化硅薄膜。步驟(I)所述的鹽酸的濃度為75%，所述的鹽酸的濃度為80%，所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1，浸泡時(shí)間10分鐘。步驟⑵所述的烘干溫度為90°C，烘干時(shí)間10分鐘。步驟(3)的工藝條件為通入氮?dú)饬髁繛?L/min，氧氣流量為5. 3L/min,溫度為800°C，反應(yīng)時(shí)間30min。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的二氧化硅膜是通過浸泡在硝酸和鹽酸的混合液中來生成的，縮短了制備二氧化硅膜的周期，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在二氧化硅膜上沉積氮化硅膜，制得的雙層減反射膜結(jié)構(gòu)均勻。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，該制備方法依次經(jīng)過下述常規(guī)工序清洗、制絨、制結(jié)和刻蝕，其特征在于它還包括以下步驟
(I)將處理后的硅片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅，鹽酸的濃度為75%，所述的鹽酸的濃度為80%，所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1，浸泡時(shí)間10分鐘；
(2)清洗、烘干步驟(I)得到的帶有二氧化硅膜的電池片，烘干溫度為90°C，烘干時(shí)間10分鐘；(3)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化硅膜上沉積一層氮化硅薄膜，工藝條件為通入氮?dú)饬髁繛?L/min，氧氣流量為5. 3L/min，溫度為800°C，反應(yīng)時(shí)間30mino·
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，該制備方法依次經(jīng)過下述常規(guī)工序清洗、制絨、制結(jié)和刻蝕，其特征在于它還包括以下步驟 (1)將處理后的硅片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅； (2)清洗、烘干步驟(I)得到的帶有二氧化硅膜的電池片； (3)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化硅膜上沉積一層氮化硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于步驟(I)所述的鹽酸的濃度為75%，所述的鹽酸的濃度為80%，所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1，浸泡時(shí)間10分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于步驟(2)所述的烘干溫度為90°C，烘干時(shí)間10分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，其特征在于步驟(3)的工藝條件為通入氮?dú)饬髁繛?L/min，氧氣流量為5. 3L/min，溫度為800°C，反應(yīng)時(shí)間 30min。
全文摘要
本發(fā)明公開一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制備方法，該制備方法依次經(jīng)過下述常規(guī)工序清洗、制絨、制結(jié)和刻蝕，其特征在于它還包括以下步驟(1)將處理后的硅片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步驟(1)得到的帶有二氧化硅膜的電池片；(3)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化硅膜上沉積一層氮化硅薄膜。本發(fā)明的二氧化硅膜是通過浸泡在硝酸和鹽酸的混合液中來生成的，縮短了制備二氧化硅膜的周期，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在二氧化硅膜上沉積氮化硅膜，制得的雙層減反射膜結(jié)構(gòu)均勻。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102916080SQ201210401660
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
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