技術(shù)編號(hào)：7157804
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造，尤其涉及一種絕緣體上寬禁帶材料CMOS結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種MOSFET中又有耗盡型MOSFET和增強(qiáng)型 MOSFET兩類，由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補(bǔ)MOS或CMOS電路。CMOS 反相器是由一個(gè)P溝道增強(qiáng)型MOS管和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管串聯(lián)組成，通常P溝道管作為負(fù)載管，N溝道管作為輸入管，這種配置可以大幅降低功耗，因?yàn)樵趦煞N邏輯狀態(tài)中，兩個(gè)晶體管中的一個(gè)總是截止...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。