技術(shù)編號(hào):7159335
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法。更具體地,涉及使用各種傳統(tǒng)微電子方法的組合方法在不同基底上制造亞光刻尺寸線和間隔圖案的方法,包括光刻圖案化和蝕刻、多晶硅蝕刻、多晶硅氧化,以及多晶硅沉積。背景技術(shù) 納米壓印光刻是用于獲得納米級(jí)尺寸(小到幾十納米)的圖案的一項(xiàng)有前途的技術(shù)。形成納米級(jí)尺寸的圖案的關(guān)鍵步驟是首先形成一個(gè)壓印模,其包括與納米級(jí)尺寸的圖案互補(bǔ)的圖案。典型地,該壓印模包括由一個(gè)基底材料攜帶的亞光刻尺寸線和間隔圖案。壓印模被促使和另一...
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