專利名稱：制造用于納米壓印光刻的亞光刻尺寸線和間隔圖案的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明總體涉及一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法。更具體地，涉及使用各種傳統(tǒng)微電子方法的組合方法在不同基底上制造亞光刻尺寸線和間隔圖案的方法，包括光刻圖案化和蝕刻、多晶硅蝕刻、多晶硅氧化，以及多晶硅沉積。
背景技術(shù)：
納米壓印光刻是用于獲得納米級尺寸(小到幾十納米)的圖案的一項有前途的技術(shù)。形成納米級尺寸的圖案的關(guān)鍵步驟是首先形成一個壓印模，其包括與納米級尺寸的圖案互補的圖案。典型地，該壓印模包括由一個基底材料攜帶的亞光刻尺寸線和間隔圖案。壓印模被促使和另一個具有掩模層的基底相接觸。掩模層可以為一個聚合體，例如光致抗蝕劑材料。亞光刻尺寸線和間隔圖案被轉(zhuǎn)移至掩模層并被復制在其中。典型地，可以利用隨后的微電子處理步驟將亞光刻圖案由掩模層轉(zhuǎn)移至位于掩模層下面的一個層。
微電子工業(yè)中，用于在基底上圖案化特征的標準方法是眾所周知的光刻方法。典型地，當通過一個掩模將光致抗蝕劑在一個光源下曝光后，光致抗蝕劑層被覆在基底材料上。所述掩模包括圖案化的特征，如線和間隔，它們將被轉(zhuǎn)移至光致抗蝕劑。當光致抗蝕劑被曝光后，光致抗蝕劑就被蝕刻或浸入一溶劑中，以確定轉(zhuǎn)移至光致抗蝕劑的圖案。通過該方法得到的圖案，其線寬被典型地限制為大于光刻準直工具的光刻極限λ，所述極限是由使光致抗蝕劑曝光的光源的光的波長最終限定的。目前，現(xiàn)有技術(shù)的光刻準直工具能達到的最小印刷線寬為λ＝100.0nm。
利用眾所周知的微電子處理方法，例如離子研磨、等離子體蝕刻或化學蝕刻等，可將光致抗蝕劑中的圖案化的特征轉(zhuǎn)移至基底材料中。應用常用的微電子處理方法，可以產(chǎn)生線和間隔，其特征尺寸(即寬度)大于或等于λ，或者柵格(線和間隔序列)周期大于或等于2λ。
然而，許多應用場合線和間隔特征盡量小是有利的。較小的寬度或周期可以帶來較高的性能和/或較高密度的線路。因此，微電子工業(yè)一直尋求減少光刻系統(tǒng)內(nèi)的最小分辨率，進而減少圖案化基底的線寬或周期。性能的提高和/或密度的增加可以帶來很大的經(jīng)濟上的便利，這是因為電子工業(yè)要求更快、更小的電子器件。納米壓印光刻中使用的壓印模僅為一個應用實例，其需要具有的線和間隔圖案應盡可能小，且具有小于光刻極限λ的特征尺寸。
因此，需要一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法，其通過使用傳統(tǒng)的微電子方法(包括傳統(tǒng)的光刻系統(tǒng))來制造特征尺寸小于光刻系統(tǒng)的光刻極限λ的亞光刻尺寸線和間隔圖案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述的亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法針對使用傳統(tǒng)微電子方法制造亞光刻尺寸線和間隔圖案的需要。
若干個亞光刻尺寸線和間隔圖案可應用于(但并不受此限制)納米壓印光刻方法、微機電系統(tǒng)中的壓印模，應用傳統(tǒng)微電子方法可以制造亞光刻光學系統(tǒng)，所述傳統(tǒng)微電子方法包括光刻圖案化和蝕刻、多晶硅沉積、多晶硅氧化、多晶硅氧化蝕刻、多晶硅濕和等離子體蝕刻，以及化學機械平面化化。
下面通過實例對本發(fā)明的原理進行了說明，根據(jù)下面結(jié)合附圖的更具體的描述可以使本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點顯而易見。


圖1a和圖1b是描述根據(jù)本發(fā)明的光刻圖案化和蝕刻方法的橫截面圖。
圖2是描述根據(jù)本發(fā)明的線和間隔圖案的橫截面圖，其特征尺寸大于或等于光刻極限。
圖3a是描述根據(jù)本發(fā)明應用多晶硅氧化形成亞光刻線和間隔特征的橫截面圖。
圖3b是更加詳細地描述了圖3a中亞光刻線特征的形成的橫截面圖。
圖3c是描述了根據(jù)本發(fā)明在氧化罩層和光刻極限之間的不同維度關(guān)系)的橫截面圖。
圖4是描述圖3a中沉積在亞光刻線和間隔特征之上的多晶硅層的橫截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明描述的平面化化方法的橫截面圖。
圖6和圖7是根據(jù)本發(fā)明描述的選擇性蝕刻方法的橫截面圖。
圖8是描述根據(jù)本發(fā)明的通過多晶硅氧化形成亞光刻線和間隔特征的橫截面圖。
圖9是沉積在圖8中亞光刻線和間隔特征之上的多晶硅層的沉積的橫截面圖。
圖10是描述根據(jù)本發(fā)明的平坦化方法的橫截面圖。
圖11和圖12是描述根據(jù)本發(fā)明的選擇性蝕刻方法的橫截面圖。
具體實施例方式
在下面的細節(jié)描述和附圖中，相似的元件通過相似的標號加以表示。
如圖中所示，本發(fā)明體現(xiàn)為一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法。本方法包括在基層的表面上沉積一個第一多晶硅層，然后再在第一多晶硅層上沉積一個光致抗蝕劑層。該光致抗蝕劑層在圖案化后被蝕刻，以確定一個線和間隔圖案，其最小特征尺寸大于或等于用于圖案化的光刻系統(tǒng)的光刻極限。線和間隔圖案被轉(zhuǎn)移至第一多晶硅層，其方式是通過對第一多晶硅層進行蝕刻，以確定位于第一多晶硅層內(nèi)的若干多晶硅線特征和間隔特征。
多晶硅線特征和間隔特征同樣包括最小特征尺寸，其大于或等于用于圖案化的光刻系統(tǒng)的光刻極限。然后光致抗蝕劑層被除去，多晶硅線特征在包含氧氣的等離子體中被氧化。
多晶硅線特征的氧化過程繼續(xù)，直到多晶硅線特征的尺寸減小至一個亞光刻特征尺寸，和多晶硅線特征的一個氧化罩層得到擴展。擴展的結(jié)果是，間隔特征減小至亞光刻特征尺寸。因此，在多晶硅線特征氧化后，多晶硅線特征和間隔特征都具有了亞光刻特征尺寸。
第二多晶硅層沉積在多晶硅線特征和間隔特征之上，并且完全覆蓋了多晶硅線特征和完全充滿了間隔特征。第二多晶硅層被平面化以形成一個間隔平面層和亞光刻尺寸多晶硅線特征和氧化多晶硅線特征。
然后平面層被蝕刻以選擇性地除去多晶硅線特征或氧化多晶硅線特征。在選擇性的蝕刻后，基層包含若干亞光刻線特征和亞光刻尺寸間隔特征，或若干亞光刻尺寸氧化多晶硅線特征和亞光刻尺寸間隔特征。
在圖1a中，亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法包括在基層13的表面6上沉積一個第一多晶硅層17(α-Si)?；鶎?3可由多種材料制成，包括但不限于絕緣體。例如，基層13的適宜材料包括但不限于二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)。沉積第一多晶硅層17所用的方法包括但不限于濺射和化學汽相淀積(CVD)。
選擇性地，基層13可以和基底11相連接。基底11可以為半導體材料。例如，基底11可以為硅(Si)，如單晶硅晶片(wafer)。如果基底為硅，則基層13可通過在硅表面上沉積或生長一個二氧化硅(SiO2)層加以形成。
光致抗蝕劑層15沉積在第一多晶硅層17的表面12上。然后，光致抗蝕劑層15通過一個光刻系統(tǒng)(圖中未示出)被圖案化。例如，使用一個深紫外光刻系統(tǒng)。光源(未示出)發(fā)出的光(41，43)照射一個具有圖案的掩模21，所述圖案通過不可透光的線特征34和可選擇透光的間隔特征35加以形成。光41通過掩模21，在光致抗蝕劑層15被光41射到的部分發(fā)生光敏反應。相反在其它部分，光線43被線特征34擋住。結(jié)果，光致抗蝕劑層15被曝光有圖案(34，35)的圖像。線特征34和間隔特征35具有一個最小特征尺寸，其大于或等于圖案化時使用的光刻系統(tǒng)的光刻極限λ(即≥λ)。
在圖1b中，光致抗蝕劑層15然后被刻蝕以在其中形成線23和間隔24圖案。線和間隔圖案(23，24)同樣具有一個最小特征尺寸，其大于或等于光刻極限λ(即≥λ)。光致抗蝕劑層15的蝕刻方法包括但不限于濕蝕刻、等離子體蝕刻以及在溶劑中使光致抗蝕劑層15被顯影。
在圖2中，線和間隔圖案(23，24)轉(zhuǎn)移至第一多晶硅層17，其方式是通過對第一多晶硅層17進行蝕刻，以確定若干多晶硅線特征21和間隔特征20。線圖案23被用作第一多晶硅層17下面的層的蝕刻掩模。多晶硅線特征21和間隔特征20同樣包括一個最小特征尺寸，其大于或等于前述圖案化時使用的光刻系統(tǒng)的光刻極限λ(即≥λ)。對第一多晶硅層17進行蝕刻的方法包括等離子體蝕刻和濕蝕刻。
在圖3a中，光致抗蝕劑層(即線圖案23)從多晶硅線特征21處除去。除去光致抗蝕劑層23的方法包括但不限于濕蝕刻方法、使用有機溶劑的濕清潔方法以及在包括氧氣(O2)的等離子體中的灰化方法。
隨后，多晶硅線特征就在包括氧氣(O2)的等離子體中氧化。氧氣使多晶硅線特征21的多晶硅材料發(fā)生氧化。氧化過程一直持續(xù)到多晶硅線特征21被減小G2到小于λ的亞光刻特征尺寸(即＜λ)，以及由多晶硅線特征21的氧化罩層22擴展G1到使間隔特征20減小至亞光刻特征尺寸，這是因為當氧化罩層22如圖中箭頭e所示擴展時，間隔特征20的寬度就減小。
氧化過程的結(jié)果是，多晶硅線特征21由原來大于或等于λ(即≥λ)的尺寸21’減小為亞光刻特征尺寸小于λ(即＜λ)的最終尺寸21。
相似地，擴展e使間隔特征20的最初大于λ的寬度20′減小為亞光刻特征尺寸小于λ(即＜λ)的最終寬度20。
在圖3b中，圖3a中一個圓形部分aa更具體地描述了由于在包括氧氣(O2)的等離子體中進行氧化過程中多晶硅線特征21的減少和間隔特征20的擴展造成的氧化罩層22的形成。當氧化進行時，多晶硅線特征21部分轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸嗑Ч?；因此，在如圖中箭頭G2所示的最初平面12之下的平面內(nèi)，多晶硅線特征21的尺寸減小。該尺寸減小一直持續(xù)到多晶硅線特征21的亞光刻特征尺寸小于λ。
相比之下，如圖中箭頭G1所示，當一部分多晶硅線特征21轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸嗑Ч钑r，多晶硅線特征21部分在最初表面12之上擴展。因此，間隔特征20的最初寬度20’由大于或等于λ減小為小于λ，這樣可使間隔特征同樣具有亞光刻特征尺寸。
而且，在圖3c中，當氧化步驟完成后，氧化罩層22的寬度大于λ(即＞λ)。然而，與多晶硅線特征21的垂直側(cè)壁表面21s相鄰的那些氧化罩層部分22的寬度就小于λ(即＜λ)。
在圖4中，一個將多晶硅線特征21的氧化罩層22完全覆蓋并完全充滿間隔特征20的第二多晶硅層25(α-Si)被沉積。沉積第二多晶硅層25的方法包括但不限于等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、化學氣相沉積(CVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)。
在圖5中，第二多晶硅層25被平面化以形成一個間隔平面層，和亞光刻尺寸多晶硅線特征(21，25)和氧化多晶硅線特征22。第二多晶硅25沿著預定平面被平面化(參見圖4中的灰化線和標號p)。
圖3c對氧化多晶硅線特征22進行了描述，其是與多晶硅線特征21的垂直側(cè)壁表面21s相鄰的那些氧化罩層部分。多晶硅線特征(21，25)和氧化多晶硅線特征22都具有小于λ的亞光刻特征尺寸。使第二多晶硅層25平面化的方法如化學機械平面化(CMP)。
然后，平面層被蝕刻以選擇性地除去多晶硅線特征(21，25)或氧化多晶硅線特征22。使用的蝕刻方法包括但不限于濕蝕刻方法和等離子體蝕刻方法。優(yōu)選地，使用濕蝕刻方法對氧化多晶硅線特征22進行蝕刻，使用濕蝕刻或等離子體蝕刻方法對多晶硅線特征(21，25)進行蝕刻。更優(yōu)選地，用于多晶硅線特征(21，25)的等離子體蝕刻方法應當是不同于反應離子蝕刻的方法。
例如，對多晶硅具有選擇性(即蝕刻劑除去氧化多晶硅)的濕蝕刻方法可用來選擇性地除去氧化多晶硅線特征22(參見圖6)，在選擇性蝕刻后，多晶硅線特征(21，25)仍位于基層13上。結(jié)果，一個具有多晶硅線特征(21，25)的亞光刻線和間隔圖案就形成在基層13上，所述多晶硅線特征的亞光刻尺寸小于λ，間隔(S1，S2)同樣具有小于λ的亞光刻尺寸。當氧化多晶硅線特征22通過蝕刻方法被除去時，間隔(S1，S2)就被產(chǎn)生。
相反地，如圖7所示對氧化的多晶硅具有選擇性(即蝕刻劑除去多晶硅)可以被用來有選擇地除去多晶硅線特征(21，25)，如圖7所示，其中在選擇性蝕刻之后，氧化多晶硅線特征22保留在基層13上。結(jié)果，具有氧化多晶硅線特征22的亞光刻線和間隔圖案形成在基層13上，所述多晶硅線特征的亞光刻尺寸小于λ，間隔(S3，S4)同樣具有小于λ的亞光刻尺寸。當氧化多晶硅線特征(21，25)通過蝕刻方法被除去時，就產(chǎn)生間隔(S3，S4)。
如前所述，圖6和圖7所示的光刻線和間隔特征圖案的一個可能的用途是用作納米壓印光刻的壓印模。此處描述的與光刻極限λ相關(guān)的亞光刻線和間隔圖形的尺寸取決于應用，且部分由用于圖案化的光刻系統(tǒng)以及光刻系統(tǒng)具有的光源的光波長決定，這里僅僅列舉一些。然而，在本領域深紫外光刻系統(tǒng)的現(xiàn)有狀態(tài)的基礎上，光刻極限λ大于或等于約100.0納米(即λ≥100.0nm)。
λ的實際值不局限于此處列出的任何值，如上所述λ的實際值可以變化。當光刻系統(tǒng)中的技術(shù)狀態(tài)提高時，λ的實際值還可以降低。
再次參考圖2和圖3a，在本發(fā)明描述的一個實施例中，除去光致抗蝕劑層23和多晶硅線特征21的氧化的步驟可作為同時程序的一部分發(fā)生(即灰化和氧化大致在同一時間進行)，其包括在包括氧氣(O2)的等離子體中對光致抗蝕劑層23的灰化以除去光致抗蝕劑層23，以及在相同的等離子體中同時進行的多晶硅線特征21的氧化。如前所述，氧化持續(xù)到多晶硅線特征21減小到亞光刻特征尺寸和多晶硅線特征21的氧化罩層22擴展以使間隔特征20減小到亞光刻特征尺寸。
或許需要進一步減少線和間隔圖案的亞光刻特征尺寸和/或在給定的線性距離內(nèi)增加線和間隔圖案的亞光刻特征尺寸的密度(即每單位距離的線和間隔圖案數(shù)目增加)。
在本發(fā)明所描述的另一個實施方式中，如圖6和圖8所示，在如前面圖6所示的對平面層進行選擇性蝕刻以選擇性除去氧化多晶硅線特征22后，如圖3a、圖3b和圖3c所示，剩余的多晶硅線特征(21，25)在包括氧氣(O2)的等離子體中被氧化。在圖8中，氧化持續(xù)到多晶硅線特征(21，25)被減小(見圖3a和圖3b中的標號G2)到小于λ(即＜λ)的亞光刻特征尺寸，光刻線特征(21，25)的氧化罩層27擴展(見圖3a和圖3b中參考數(shù)字G1)進而使間隔特征30減小至亞光刻特征尺寸，這是因為當氧化罩層27擴展時，間隔特征30減小到前述的寬度。
在圖9中，通過與前述圖4中相似的方式，沉積了一個多晶硅第三層29，其完全覆蓋了多晶硅線特征(21，25)的氧化罩層27，并完全填充了間隔特征30。沉積多晶硅第三層29使用的方法包括但不限于PECVD，CVD和LPCVD。
在圖10中，第三多晶硅層29被平面化以形成一個間隔平面層及亞光刻尺寸多晶硅線特征(21，25，29)和氧化多晶硅線特征27。第三多晶硅層29沿著一個預定的平面(見圖9中的虛線和標號p)被平面化。同前一樣，對平面層進行平面化使用的方法如CMP。
如圖11和圖12所示，平面層被選擇性蝕刻，以除去多晶硅線特征(21，25，29)或氧化多晶硅線特征27。對多晶硅線特征(21，25，29)或氧化多晶硅線特征27的選擇性蝕刻使用的方法包括但不限于濕蝕刻方法和等離子體蝕刻方法。優(yōu)選地，濕蝕刻方法用于對氧化多晶硅線特征27進行蝕刻，濕蝕刻或等離子體蝕刻方法用于對多晶硅線特征(21，25，29)進行蝕刻。更優(yōu)選地，用于多晶硅線特征(21，25，29)的等離子體蝕刻方法應當是不同于反應離子蝕刻(RIE)方法的方法。
例如，對多晶硅具有選擇性(即蝕刻劑除去氧化的多晶硅)的濕蝕刻方法可被用來有選擇性地除去氧化多晶硅線特征27(如圖12所示)，其中在選擇性蝕刻后，多晶硅線特征(21，25，29)保留在基層13上。結(jié)果，一個亞光刻線和間隔圖案就被形成在基層13上，其多晶硅線特征(21，25，29)具有的亞光刻尺寸小于λ，間隔特征(S7，S8)的亞光刻尺寸同樣小于λ。當氧化多晶硅線特征27通過蝕刻方法被除去時，就產(chǎn)生間隔(S7，S8)。
相反，如圖11所示，可使用對氧化多晶硅有選擇性(即蝕刻劑除去多晶硅)的等離子體蝕刻方法有選擇地去除多晶硅線特征(21，25，29)，其中當選擇性蝕刻后，氧化多晶硅線特征27保留在基層13上。結(jié)果，一個亞光刻線和間隔圖案被形成在基層13上，其氧化多晶硅線特征27具有的亞光刻尺寸小于λ，間隔特征(S5，S6)的亞光刻尺寸同樣小于λ。當多晶硅線特征(21，25，29)通過蝕刻方法被除去時，就產(chǎn)生間隔(S5，S6)。
如果必要的話，圖8至圖12中所示的方法可以被重復，以進一步減小線和間隔圖案的亞光刻特征尺寸，和/或增大那些線和間隔圖案的密度(即每單位長度的線和間隔圖案數(shù)目)。
盡管本發(fā)明批露和說明幾個實施例，本發(fā)明不限于所披露和說明部分的具體形式或方案。本發(fā)明僅通過權(quán)利要求書加以限制。
權(quán)利要求
1.一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法，包括在基層(13)的表面(6)上沉積第一多晶硅層(17)；在第一多晶硅層(17)的表面(12)上沉積光致抗蝕劑層(15)；對光致抗蝕劑層(15)進行圖案化并且之后進行蝕刻，以在其中形成線和間隔圖案(23，24)；通過對第一多晶硅層(17)進行蝕刻以形成多個多晶硅線特征(21)和間隔特征(20)，將線和間隔圖案(23，24)轉(zhuǎn)移至第一多晶硅層(17)，多晶硅線特征(21)和間隔特征(20)具有一最小特征尺寸，其大于或等于圖案化所使用的光刻系統(tǒng)的光刻極限λ；將光致抗蝕劑層(23)從多晶硅線特征(21)除去；將多晶硅線特征(21)在包括氧氣的等離子體中氧化，氧化過程繼續(xù)直到多晶硅線特征(21)的尺寸減小至亞光刻特征尺寸并且多晶硅線特征(21)的氧化罩層(22)擴展(e)，從而使間隔特征(20)減小至亞光刻特征尺寸；沉積一個完全覆蓋多晶硅線特征(21)的氧化罩層(22)并完全填充間隔特征(20)的第二多晶硅層(25)；將第二多晶硅層(25)平面化以形成一間隔平面層和亞光刻尺寸多晶硅(21，25)以及氧化多晶硅線特征(22)；以及對平面層進行蝕刻以選擇性地除去多晶硅線特征(21，25)或氧化多晶硅線特征(22)之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，平面層的蝕刻包括從濕蝕刻方法、等離子體蝕刻方法構(gòu)成的組中選擇的方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，除去光致抗蝕劑層包括從濕蝕刻方法、使用有機溶劑的濕清潔方法以及在包括氧氣的等離子體中進行的灰化方法構(gòu)成的組中選擇的方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，除去光致抗蝕劑層的步驟和氧化多晶硅線特征的步驟都可作為同時程序的一部分發(fā)生，包括在包括氧氣的等離子體中對光致抗蝕劑層(23)進行灰化以除去光致抗蝕劑層(23)，同時在包括氧氣的等離子體中對多晶硅線特征(21)進行氧化，氧化持續(xù)到多晶硅線特征(21)減小到亞光刻特征尺寸并且多晶硅線特征(21)的氧化罩層(22)擴展(e)從而使間隔特征(20)減小到亞光刻特征尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基層(13)包括絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基層(13)與基底(11)相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，基底(11)是從由半導體基底和硅基底構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，光刻極限λ大于或等于約100.0納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，平面化步驟包括化學機械拋光。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對平面層進行蝕刻的步驟包括選擇性地除去氧化多晶硅線特征，還包括在包括氧氣的等離子體中對多晶硅線特征(21)進行氧化，氧化持續(xù)到多晶硅線特征(21)的亞光刻特征尺寸被進一步減小，并且多晶硅線特征(21)的氧化罩層(22)擴展(e)從而使間隔特征(20)的亞光刻特征尺寸減??；沉積一完全覆蓋多晶硅線特征(21)的氧化罩層(22)并完全填充間隔特征(20)的第三多晶硅層(29)；將第三多晶硅層(29)平面化，以形成間隔平面層及亞光刻尺寸多晶硅線特征(21，25，29)和氧化多晶硅線特征(27)；以及對所述平面層進行蝕刻以有選擇性地除去多晶硅線特征(21，25，29)或氧化多晶硅線特征(27)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，平面層的蝕刻包括從有濕蝕刻方法、等離子體蝕刻方法構(gòu)成的組中選擇的方法。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，光刻極限λ大于或等于約100.0納米。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，平面化步驟包括化學機械拋光。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種亞光刻尺寸線和間隔圖案的制造方法。本方法包括對傳統(tǒng)微電子處理技術(shù)的應用，如光刻圖案化和蝕刻、多晶硅沉積、多晶硅氧化、多晶硅氧化蝕刻、多晶硅濕蝕刻和等離子體蝕刻，以及化學機械平面化。特征尺寸大于或等于光刻極限的多晶硅線特征在包括氧氣的等離子體中被氧化。氧化形成了一個亞光刻尺寸多晶硅核和一個氧化多晶硅罩層，氧化硅多晶罩層包括同樣具有亞光刻特征尺寸的沿著亞光刻尺寸多晶硅核的側(cè)壁表面的一部分。當平面化和對多晶硅或氧化多晶硅進行選擇性蝕刻后，就形成了若干亞光刻尺寸線和間隔圖案。這些線和間隔圖案可應用于納米壓印光刻的壓印模。
文檔編號H01L21/3205GK1453638SQ03122450
公開日2003年11月5日 申請日期2003年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月23日
發(fā)明者H·李 申請人:惠普公司