技術(shù)編號(hào):7175615
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存的制造方法,且特別是有關(guān)于一種。背景技術(shù) 在可編程且可抹除的非揮發(fā)性內(nèi)存中,其中的閃存除了具有可編程、可抹除、以及斷電后仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)之外,更具有能夠在電路內(nèi)(in-circuit)進(jìn)行電編程以及電移除的優(yōu)勢(shì),因此已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非揮發(fā)性內(nèi)存組件。閃存的形式例如是以摻雜復(fù)晶硅制作浮柵極的只讀存儲(chǔ)器與具有氮化硅電荷陷入層的氮化硅只讀存儲(chǔ)器等,其中氮化硅只讀存儲(chǔ)器具有注入于氮化硅電荷陷入層的電子僅集中于局部的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。