專利名稱：增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存的制造方法，且特別是有關(guān)于一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法。
背景技術(shù)：
在可編程且可抹除的非揮發(fā)性內(nèi)存中，其中的閃存除了具有可編程、可抹除、以及斷電后仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)之外，更具有能夠在電路內(nèi)(in-circuit)進(jìn)行電編程以及電移除的優(yōu)勢(shì)，因此已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非揮發(fā)性內(nèi)存組件。
閃存的形式例如是以摻雜復(fù)晶硅制作浮柵極的只讀存儲(chǔ)器與具有氮化硅電荷陷入層的氮化硅只讀存儲(chǔ)器等，其中氮化硅只讀存儲(chǔ)器具有注入于氮化硅電荷陷入層的電子僅集中于局部的區(qū)域，對(duì)于穿隧氧化層其缺陷的敏感度較小，較不容易產(chǎn)生漏電流，并且氮化硅只讀存儲(chǔ)器能夠在一個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)儲(chǔ)存二位(1cell 2bit)數(shù)據(jù)等優(yōu)點(diǎn)，因此，能夠通過使用氮化硅只讀存儲(chǔ)器以求取更佳的組件效能。
對(duì)于氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件而言，除了對(duì)于內(nèi)存組件的一般可靠度(reliability)要求之外，更要求其數(shù)據(jù)能夠儲(chǔ)存長(zhǎng)達(dá)10年以上，并且在經(jīng)過重復(fù)的編程與抹除操作后還能夠正常作動(dòng)，因此，必須在進(jìn)行可靠度測(cè)試時(shí)，就對(duì)氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件進(jìn)行數(shù)據(jù)保持力(data retention)的測(cè)試。此存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試(cell retention check)在晶圓分類測(cè)試(wafer sort test)的階段進(jìn)行，其作法例如是將晶圓成品(finished product)加熱至攝氏250度并維持24小時(shí)，期間并施加高電壓以進(jìn)行程序化。
在上述的氮化硅只讀存儲(chǔ)器的制造過程中，位于存儲(chǔ)單元數(shù)組最外側(cè)的兩條字符線(Wordline)將會(huì)相當(dāng)容易受到各種工藝的破壞，從而造成其中穿隧氧化層亦被破壞，而且，在工藝中有若干步驟必須使用電漿進(jìn)行處理，而此些電漿工藝將會(huì)使得電洞(hole)陷入于受損的穿隧氧化層中。在公知的工藝中，當(dāng)此氮化硅只讀存儲(chǔ)器的晶圓在進(jìn)行晶圓被接受測(cè)試(Wafer Acceptance Test，WAT)、品質(zhì)控制(QC)目檢之后，接著就是進(jìn)入晶圓分類測(cè)試階段，然而，當(dāng)此晶圓因受損而于穿隧氧化層中陷入有電洞，且對(duì)此晶圓進(jìn)行存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試時(shí)，此電洞將會(huì)引發(fā)電荷陷入層中的電荷經(jīng)過穿隧氧化層穿隧進(jìn)入基底中，因而造成了電荷的流失、內(nèi)存保持力的下降，并進(jìn)而使得啟始電壓狀態(tài)的降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在提供一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，能夠避免電荷陷入層中的電荷的流失與電荷保持能力的降低，進(jìn)而避免啟始電壓的降低。
本發(fā)明提出一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其中此氮化硅只讀存儲(chǔ)器已形成于一晶圓上，此方法對(duì)晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，其中此烘烤工藝于進(jìn)行此晶圓的最后電漿工藝之后且于此晶圓進(jìn)行一晶圓分類測(cè)試之前進(jìn)行。
由上述可知，由于本發(fā)明在進(jìn)行此晶圓的最后電漿工藝之后且在晶圓進(jìn)行晶圓分類測(cè)試之前，對(duì)此晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，因此，在經(jīng)過烘烤工藝之后，就能夠?qū)⑾萑胗诖┧硌趸瘜又械碾姸慈コ?br> 而且，由于此晶圓中的陷入于穿隧氧化層中的電洞已被去除，因此，即使此晶圓在進(jìn)行后續(xù)的存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試之后，亦不會(huì)產(chǎn)生電洞引發(fā)的電荷大量流失的問題，從而能夠有效的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件的電荷保持能力。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1所繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
圖2所繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
圖3所繪示為本發(fā)明第三實(shí)施例的一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
圖4所繪示為預(yù)先烘烤8小時(shí)的晶圓成品與依照一般保持力測(cè)試的晶圓成品的偏壓的特性示意圖。
標(biāo)示說(shuō)明S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S200、S202、S204、S206、S208、S210、S212、S300、S302、S304、S306、S308、S310、S312步驟
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例圖1所繪示為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S100，于具有氮化硅只讀存儲(chǔ)器的晶圓上形成圖案化的保護(hù)層(Passivation layer)。其中形成圖案化保護(hù)層的步驟包括于整個(gè)晶圓上形成保護(hù)層，再形成圖案化的光阻層，接著以光阻層為罩幕蝕刻去除部分的保護(hù)層以形成圖案化的保護(hù)層，然后再去除光阻層。而且，其中蝕刻去除部分保護(hù)層的方法例如是使用電漿的干式蝕刻法，而去除光阻層的方法例如是使用電漿的干式剝除法以及使用溶液的濕式剝除法。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S102，對(duì)形成有圖案化保護(hù)層的晶圓進(jìn)行保護(hù)層的蝕刻后檢視(After Etch Inspection，AEI)步驟，用以檢視通過蝕刻法所形成的圖案化保護(hù)層的圖案是否正確。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S104，在對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻后檢視步驟后，接著對(duì)此晶圓進(jìn)行一烘烤(bake)工藝，以去除在晶圓的氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件中陷入于穿隧氧化層中的電洞。其中此烘烤工藝?yán)缡菍⒕A成品置于加熱裝置中，通入氮?dú)庾鳛榄h(huán)境氣體，以一預(yù)定的適當(dāng)溫度并經(jīng)一預(yù)定的適當(dāng)時(shí)間加以烘烤。其中此烘烤工藝的溫度例如是攝氏170度至300度左右，并且其烘烤時(shí)間例如是8小時(shí)至24小時(shí)左右。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S106，對(duì)晶圓進(jìn)行一合金(Alloy)步驟，以使氮化硅只讀存儲(chǔ)器中的金屬材質(zhì)之間具有較佳的界面，并修補(bǔ)穿隧氧化層的界面缺陷以提升穿隧氧化層的品質(zhì)。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S108，對(duì)晶圓進(jìn)行一晶圓被接受測(cè)試(WaferAcceptance Test，WAT)，以確認(rèn)此晶圓在由晶圓制造廠(Fab)所制造出來(lái)時(shí)的良率(yield)。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S110，對(duì)晶圓進(jìn)行品質(zhì)管制(QC)目檢，以檢測(cè)此晶圓的外觀是否有缺陷或污損。一般而言，通過品質(zhì)管制的晶圓即成為晶圓成品而能夠送出晶圓制造廠。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1的步驟S112，對(duì)此晶圓成品進(jìn)行一連串的晶圓分類測(cè)試(wafer sort test)，其中晶圓分類測(cè)試?yán)缡窃跍y(cè)試廠進(jìn)行，而且，于晶圓分類測(cè)試中，包括進(jìn)行測(cè)試此晶圓成品的存儲(chǔ)單元保持能力的存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試。其中此存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試?yán)缡菍⒕A成品加熱至攝氏250度維持24小時(shí)，期間并施加高電壓以進(jìn)行程序化。
第二實(shí)施例而且，本發(fā)明除了上述第一實(shí)施例之外，尚具有其它實(shí)施例，圖2所繪示為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于烘烤工藝在合金步驟之后以及晶圓被接受測(cè)試步驟之前進(jìn)行，因此，本實(shí)施例的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的施行步驟如下所述首先，于具有氮化硅只讀存儲(chǔ)器的晶圓上形成圖案化的保護(hù)層(步驟S200)，再對(duì)形成有圖案化保護(hù)層的晶圓進(jìn)行保護(hù)層的蝕刻后檢視步驟(步驟S202)，接著對(duì)晶圓進(jìn)行一合金步驟(步驟S204)，再對(duì)此晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，以去除在晶圓的氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件中陷入于穿隧氧化層中的電洞(步驟S206)。然后，對(duì)晶圓進(jìn)行一晶圓被接受測(cè)試(步驟S208)，再對(duì)此晶圓進(jìn)行一品質(zhì)控制目檢步驟(步驟S210)，其后對(duì)晶圓成品進(jìn)行一連串的晶圓分類測(cè)試(步驟S212)。
第三實(shí)施例而且，本發(fā)明除了上述第一、第二實(shí)施例之外，尚具有其它實(shí)施例，圖3所繪示為本發(fā)明第三實(shí)施例的一種氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法的流程示意圖。
本實(shí)施例與第一、第二實(shí)施例不同之處，在于本實(shí)施例中，烘烤工藝在晶圓被接受測(cè)試步驟之后以及晶圓分類測(cè)試之前進(jìn)行，因此，本實(shí)施例的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的施行步驟如下所述首先，于具有氮化硅只讀存儲(chǔ)器的晶圓上形成圖案化的保護(hù)層(步驟S300)，再對(duì)形成有圖案化保護(hù)層的晶圓進(jìn)行保護(hù)層的蝕刻后檢視步驟(步驟S302)，接著對(duì)晶圓進(jìn)行一合金步驟(步驟S304)，再對(duì)晶圓進(jìn)行一晶圓被接受測(cè)試(步驟S306)，然后對(duì)此晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，以去除在晶圓的氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件中陷入于穿隧氧化層中的電洞(步驟S308)，再對(duì)此晶圓進(jìn)行一品質(zhì)控制目檢步驟(步驟S310)，其后再對(duì)此晶圓成品進(jìn)行一連串的晶圓分類測(cè)試(步驟S312)。
而且，在第三實(shí)施例中，烘烤工藝亦可以在品質(zhì)控制目檢步驟之后與晶圓分類測(cè)試之前進(jìn)行。
在上述的步驟S104、S206、S308中，一般而言，只要溫度高達(dá)攝氏170度以上與烘烤8小時(shí)左右，就能夠?qū)⑾萑朐诖┧硌趸瘜又械碾姸慈コ?detrap)，因此，本發(fā)明的烘烤工藝并不需作特別的限定，可以視實(shí)際工藝上的需要以設(shè)定適當(dāng)?shù)暮婵緶囟扰c烘烤時(shí)間。而且，此烘烤工藝所使用的加熱裝置亦可以是各種的形式，例如可以是熱爐管(furnace)，或是老化測(cè)試爐(burn-in oven)，或是使用紫外光進(jìn)行加熱的裝置，亦或是使用與后續(xù)進(jìn)行的存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試(cell retention check)相同的加熱裝置。
在上述較佳實(shí)施例中，烘烤工藝個(gè)別在蝕刻后檢視步驟之后與合金步驟之前、合金步驟之后與晶圓被接受測(cè)試之前、晶圓被接受測(cè)試之后與品質(zhì)控制目檢之前或是品質(zhì)控制目檢之后與晶圓分類測(cè)試之前施行，然而本發(fā)明并不限定于此。事實(shí)上，在穿隧氧化層中陷入電洞的主因由于電漿工藝所致，由此可知，只要在晶圓的最后一道電漿工藝(于本發(fā)明較佳實(shí)施例中為步驟100、200、300之干式光阻剝除工藝)之后，且在晶圓分類測(cè)試前進(jìn)行本發(fā)明的烘烤工藝，即包括于本發(fā)明的技術(shù)特征中，而能夠達(dá)成本發(fā)明的目的以將陷入于穿隧氧化層中的電荷去除。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4所繪示為預(yù)先烘烤8小時(shí)的晶圓成品與依照一般測(cè)試程序的晶圓成品的存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試前后所量測(cè)的偏壓差值的示意圖。其中于圖2中所示的結(jié)果，在預(yù)先烘烤8小時(shí)的晶圓成品(8HRWafer)與依照一般測(cè)試程序(未經(jīng)烘烤)的晶圓成品(STD Wafer)的存儲(chǔ)單元數(shù)組中，對(duì)其中最外側(cè)的兩條字符線(L1、L32)與中間位置的字符線(L16)進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果示意圖，并且縱軸以累積機(jī)率(cumulative probability)表示，其中A表示烘烤8小時(shí)的晶圓成品的中間位置字符線、B表示未經(jīng)烘烤的晶圓成品的中間位置字符線、C、E表示烘烤8小時(shí)的晶圓成品的兩側(cè)位置字符線，而D、F表示未經(jīng)過烘烤的晶圓成品的兩側(cè)位置字符線。由圖2可知，對(duì)于未經(jīng)本發(fā)明烘烤工藝的晶圓而言，尤其是位于數(shù)組外側(cè)的字符線D、F，其字符線在經(jīng)存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試前后，其量測(cè)所得的偏壓具有較大的差值，然而，對(duì)于烘烤8小時(shí)的晶圓而言，尤其是位于數(shù)組外側(cè)的字符線C、E，其字符線在經(jīng)存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試前后，其量測(cè)所得的偏壓差值會(huì)相當(dāng)?shù)男　?br> 因此，由上述圖4的結(jié)果可知，經(jīng)過本發(fā)明較佳實(shí)施例的烘烤工藝的晶圓成品，使得晶圓成品的存儲(chǔ)單元數(shù)組中位于兩側(cè)位置的字符線的啟始電壓，能夠維持與位于中間位置的字符線的啟始電壓幾乎一致，亦即是本發(fā)明的烘烤工藝能夠使電荷的流失降到極低，從而有效的增進(jìn)此晶圓成品(氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件)的電荷保持能力。
綜上所述，本發(fā)明的特征在于在已形成氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件的晶圓的測(cè)試流程中，在晶圓進(jìn)行最后的電漿工藝之后且在晶圓進(jìn)行晶圓分類測(cè)試之前，對(duì)此晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，因此，在以適當(dāng)?shù)暮婵緶囟扰c烘烤時(shí)間進(jìn)行本發(fā)明較佳實(shí)施例的烘烤工藝之后，就能夠?qū)⑾萑胗诖┧硌趸瘜又械碾姸慈コ?br> 而且，由于此晶圓中的陷入于穿隧氧化層中的電洞已被去除，因此，即使此晶圓在進(jìn)行后續(xù)的存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試之后，亦不會(huì)產(chǎn)生電洞引發(fā)的電荷大量流失的問題，并且啟始電壓的狀態(tài)亦僅為輕微的下降而能夠維持良好的狀態(tài)，從而有效的增進(jìn)此晶圓成品(氮化硅只讀存儲(chǔ)器組件)的電荷保持能力。
雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該氮化硅只讀存儲(chǔ)器已形成于一晶圓上，該增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法包括下列步驟對(duì)該晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，其中該烘烤工藝于進(jìn)行該晶圓的一最后電漿工藝之后且于該晶圓進(jìn)行一晶圓分類測(cè)試之前進(jìn)行。
2.如權(quán)利要求1所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，于進(jìn)行該晶圓的該最后電漿工藝之后，該晶圓分類測(cè)試步驟之前，還包括進(jìn)行一蝕刻后檢視步驟、一合金步驟、一晶圓被接受測(cè)試步驟以及一品質(zhì)控制目檢步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該蝕刻后檢視步驟之后，且于該合金步驟之前施行。
4.如權(quán)利要求2所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該合金步驟之后，且于該晶圓被接受測(cè)試步驟之前施行。
5.如權(quán)利要求2所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該晶圓被接受測(cè)試步驟之后，且于該品質(zhì)控制目檢步驟之前施行。
6.如權(quán)利要求2所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該品質(zhì)控制目檢步驟之后，且于該晶圓分類測(cè)試之前施行。
7.如權(quán)利要求1所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該晶圓分類測(cè)試包括一存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試。
8.如權(quán)利要求7所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝使用與該存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試相同的加熱裝置以進(jìn)行。
9.一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，該氮化硅只讀存儲(chǔ)器已形成于一晶圓上，該增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法包括下列步驟于該晶圓上依序形成一保護(hù)層與圖案化的一光阻層；以該光阻層為罩幕，蝕刻去除部分該保護(hù)層；移除該光阻層；對(duì)該晶圓進(jìn)行一蝕刻后檢視步驟；對(duì)該晶圓進(jìn)行一合金步驟；對(duì)該晶圓進(jìn)行一晶圓被接受測(cè)試步驟；對(duì)該晶圓進(jìn)行一品質(zhì)控制目檢步驟；以及對(duì)該晶圓進(jìn)行一晶圓分類測(cè)試；其特征在于還包括進(jìn)行一烘烤工藝，其中該烘烤工藝在移除該光阻層的步驟之后，且在對(duì)該晶圓進(jìn)行該晶圓分類測(cè)試的步驟之前施行。
10.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，移除該光阻層的步驟包括使用電漿的干式剝除法。
11.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該蝕刻后檢視步驟之后，且于該合金步驟之前施行。
12.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該合金步驟之后，且于該晶圓被接受測(cè)試步驟之前施行。
13.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該晶圓被接受測(cè)試步驟之后，且于該品質(zhì)控制目檢步驟之前施行。
14.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝于該品質(zhì)控制目檢步驟之后，且于該晶圓分類測(cè)試之前施行。
15.如權(quán)利要求9所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該晶圓分類測(cè)試包括一存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試。
16.如權(quán)利要求15所述的增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其特征在于，該烘烤工藝使用與該存儲(chǔ)單元保持力測(cè)試相同的加熱裝置以進(jìn)行。
全文摘要
一種增進(jìn)氮化硅只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元保持力的方法，其中此氮化硅只讀存儲(chǔ)器已形成于一晶圓上，此方法對(duì)晶圓進(jìn)行一烘烤工藝，其中此烘烤工藝于進(jìn)行此晶圓的最后電漿工藝之后且于此晶圓進(jìn)行一晶圓分類測(cè)試之前進(jìn)行。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1567573SQ0314635
公開日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月10日
發(fā)明者莊焜吉, 劉振欽, 陳炯中 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司