技術編號：7182651
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導體元件，且更具體地涉及具有槽(trench)的半導體元件。 背景技術金屬氧化物半導體場效應晶體管(“M0SFET”)是一種常見的功率開關器件。 MOSFET器件包括源區(qū)、漏區(qū)、在源區(qū)和漏區(qū)之間延伸的溝道區(qū)，以及鄰近溝道區(qū)設置的柵結 構。柵結構包括鄰近溝道區(qū)設置并靠薄的電介質層與溝道區(qū)分隔開的導電柵電極層。當向 柵結構施加足夠強度的電壓以將MOSFET器件置于開態(tài)時，在源區(qū)和漏區(qū)之間形成導電溝 道區(qū)，從而允許電流流過該器件。當向柵施加的電壓...
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