技術(shù)編號：7211278
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法。背景技術(shù)現(xiàn)有半導(dǎo)體晶圓高壓工藝，通常要求有較大的有源區(qū)與有源區(qū)的 場隔離空間，以減少在高壓應(yīng)用時器件與器件的串通。甚至對于上述 場區(qū)上方的多晶硅或金屬布線方法也有一定限制，以防止寄生場晶體 管的開啟。如圖1所示，它是現(xiàn)有技術(shù)中對場區(qū)上面的金屬布線限制示意圖。其中圖l.a是禁止橫向交叉布線的標(biāo)示，圖l.b和圖l.c是在縱 向布線時對于間隔設(shè)計尺寸的要求。器件的有源區(qū)(Active area, 簡稱"ACT") ...
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