專利名稱：縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有半導(dǎo)體晶圓高壓工藝，通常要求有較大的有源區(qū)與有源區(qū)的 場隔離空間，以減少在高壓應(yīng)用時器件與器件的串通。甚至對于上述 場區(qū)上方的多晶硅或金屬布線方法也有一定限制，以防止寄生場晶體 管的開啟。
如圖1所示，它是現(xiàn)有技術(shù)中對場區(qū)上面的金屬布線限制示意
圖。其中圖l.a是禁止橫向交叉布線的標示，圖l.b和圖l.c是在縱 向布線時對于間隔設(shè)計尺寸的要求。器件的有源區(qū)(Active area, 簡稱"ACT") 10、 11的Ll和L2有特定的設(shè)計尺寸要求，高壓工藝 設(shè)計規(guī)則中會禁止金屬線(Metel) ll橫跨不同器件的有源區(qū)10，而 且對于金屬布線11縱向穿越場區(qū)也有類似于Ll和L2的間隔要求， 比如附圖中要求間隔不小于Ll或L2。
上述的這些規(guī)則的要求，必然要加大器件的橫向隔離尺寸，加大 了器件的整體尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種縮小高壓工藝中場區(qū)隔 離尺寸的方法，它可以有效縮小場區(qū)隔離尺寸，改善場區(qū)上面的金屬布線對于器件的影響。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了縮小高壓工藝中場區(qū)隔離 尺寸的方法，其中，在場區(qū)的金屬線與襯底之間加入一層多晶硅，并 且將多晶硅與襯底短接。
因為本發(fā)明在場區(qū)的金屬線與襯底之間加入一層多晶硅，并且將 多晶硅與襯底短接，那么多晶硅和襯底處于同電位，而且通常襯底接 地，當(dāng)有高電壓在金屬線上通過的時候，多晶硅相當(dāng)于起了一個屏蔽 保護的作用，使場區(qū)下的襯底沒有電場感應(yīng)，不會出現(xiàn)反型，從而防 止了寄生場晶體管開啟的可能性。這樣和現(xiàn)有技術(shù)相比，就可以實現(xiàn) 橫向布線，并且打破了諸多限制，進而有效縮小了場區(qū)隔離尺寸。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1是一般常見設(shè)計規(guī)則場區(qū)上面的金屬布線限制示意圖 1. a是禁止橫向交叉布線的標示，圖1. b和圖1. c是縱向布線時間隔 尺寸的要求標示；
圖2是本發(fā)明方法下的場區(qū)金屬布線平面示意圖3是本發(fā)明方法下的場區(qū)金屬布線截面示意圖4是在有無鋪設(shè)多晶硅的測試結(jié)果示意圖。
具體實施例方式
如圖2、 3所示，它們分別是本發(fā)明方法下的場區(qū)金屬布線平面 和截面示意圖。本發(fā)明在金屬線2與襯底(sub)3之間加入一層多晶 硅(poly) 1，同時在設(shè)計上將多晶硅1與襯底3短結(jié)在一起。那么在
實際應(yīng)用中，由于多晶硅1與襯底3同電位，而且通常襯底3接地， 當(dāng)有高電壓在金屬線2上通過的時候，多晶硅1相當(dāng)于起了一個屏蔽 保護的作用。使場區(qū)下的襯底3沒有電場感應(yīng)，不會出現(xiàn)反型，從而 防止了寄生場晶體管開啟的可能性。當(dāng)然，如圖2所示，在縱向布線 時，對于金屬線2也有小于L的隔離要求。
如圖4所示，它是在有無鋪設(shè)多晶硅的測試結(jié)果示意圖。其中曲 線a是在金屬線2和襯底3之間鋪設(shè)有一層多晶硅1的情況下的晶體 管開啟電壓的情況(也就是本發(fā)明技術(shù))，曲線b是沒有鋪設(shè)多晶硅 1情況下的晶體管開啟電壓的情況(也就是現(xiàn)有技術(shù))。從曲線a可 以看到，寄生晶體管的開啟電壓要達到20V以上，場隔離要求大于 1.6um，而從曲線b可以看到，寄生晶體管的開啟電壓要達到20V以 上，場隔離宴求大于2. Oum。這里的20V只是在特定某個工藝上的應(yīng) 用。由此可以看出有無多晶硅l對淺溝槽寬度，也就是隔離尺寸有較 大影響，也就是說采用本發(fā)明后的隔離尺寸可以大大減小，同時場區(qū) 上金屬布線對于器件的影響也大為減小。
權(quán)利要求
1、一種縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法，其特征在于，在場區(qū)的金屬線與襯底之間加入一層多晶硅，并且將多晶硅與襯底短接。
2、 如權(quán)利要求1所述的縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法， 其特征在于，所述多晶硅與金屬線橫行排列。
3、 如權(quán)利要求1所述的縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法， 其特征在于，所述多晶硅與金屬線縱向排列。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種縮小高壓工藝中場區(qū)隔離尺寸的方法，它可以有效縮小場區(qū)隔離尺寸，改善場區(qū)上面的金屬布線對于器件的影響。本發(fā)明的方法在于在場區(qū)的金屬線與襯底之間加入一層多晶硅，并且將多晶硅與襯底短接。
文檔編號H01L21/70GK101197303SQ20061011909
公開日2008年6月11日 申請日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日
發(fā)明者胡曉明 申請人:上海華虹Nec電子有限公司