技術(shù)編號(hào)：7212224
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及去耦電容領(lǐng)域。IC封裝中的去耦電容對降低電壓伏動(dòng)，提供電荷以及保持能量分布的完整性通常是必要的。表面安裝技術(shù)(SMT)去耦電容器由于其高引線電感，因此在幾百兆赫茲以上不能提供去耦。片上電容器由于其低電容，因此只在千兆赫茲頻率有效。由于這些限制，存在一個(gè)稱為中頻范圍的頻率范圍，采用現(xiàn)有技術(shù)不能對其充分去耦。本發(fā)明提供了一種用于在封裝級對IC電荷供給(能量輸送)及去耦的解決方案。其克服了板去耦方法學(xué)的某些電感問題并通過減小所需片上電容的尺寸節(jié)省了芯片...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。