技術編號：7223897
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及改進型場效應晶體管(FET),并且更具體地涉及具有 倒置源極/漏極金屬觸點的改進型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管 (MOSFET),以及制備這種FET器件的方法。背景技術在半導體產業(yè)中， 一直需要增大集成電路(IC)的運行速度。諸如 計算機的電子設備需要以日益加快的速度進行操作也推動了這種增長 的需求。反過來，需要增大速度已導致了半導體器件尺寸的持續(xù)減小。 具體地，場效應晶體管(FET)的溝道長度、接合深度和/或柵極電介質 厚度都減小了，使得可...
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