技術(shù)編號：7224531
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及從微電子器件上至少部分除去柵極隔片氧化物(gate spacer oxide)材料的無水組合物和方法，其中相對于多晶硅、氮化硅和 硅化互連材料，所述無水組合物對于柵極隔片氧化物材料具有高度選 擇性。相關(guān)技術(shù)描述隨著對改進器件性能的不斷要求，持續(xù)強調(diào)要減小器件尺寸，這 為大大提高器件密度以及改進器件性能提供了雙重優(yōu)點。器件性能由 于器件尺寸降低而得到改善，這導(dǎo)致電荷載體如電子所需的旅行路途 更短。例如，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET...
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