技術(shù)編號：7227927
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于氮化鎵外延生長的超薄襯底材料及其制備方法，屬于GaN外延生長領(lǐng)域。 背景技術(shù)氮化鎵是一種具有寬帶隙(3.4到6.2電子伏特)的半導(dǎo)體材料。利用 GaN半導(dǎo)體材料寬禁帶、激發(fā)藍(lán)光的獨(dú)特性質(zhì)可以開發(fā)許多新的光電應(yīng)用產(chǎn) 品。其中高亮度LED、藍(lán)光激光器和功率晶體管是當(dāng)前半導(dǎo)體器件制造行業(yè) 最為感興趣和關(guān)注的三個(gè)GaN器件市場。目前器件量級的GaN基材料通常 都是生長在藍(lán)寶石或SiC襯底上，但是藍(lán)寶石是絕緣的，硬度高且導(dǎo)電導(dǎo)熱 性差，使其器件使用...
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