技術(shù)編號(hào):7230055
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,特別涉及在靜電卡盤(pán)的表面上形成的噴鍍膜的。背景技術(shù) 對(duì)作為基板的晶片實(shí)施等離子體處理、例如蝕刻處理的基板處理裝置,包括收容晶片的收容室;和配置在該收容室內(nèi)、載置晶片的載置臺(tái)。該基板處理裝置在收容室內(nèi)產(chǎn)生等離子體,利用該等離子體對(duì)晶片實(shí)施蝕刻處理。在載置臺(tái)的上部設(shè)置有由內(nèi)部具有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤(pán),在該靜電卡盤(pán)上載置晶片。在對(duì)晶片實(shí)施蝕刻處理的期間,對(duì)電極板施加直流電壓,利用由該直流電壓產(chǎn)生的庫(kù)侖力或約翰遜·勒比克(Johnsen-R...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。