專利名稱：表面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面處理方法，特別涉及在靜電卡盤的表面上形成的噴鍍膜的表面處理方法。
背景技術(shù)：
對作為基板的晶片實施等離子體處理、例如蝕刻處理的基板處理裝置，包括收容晶片的收容室；和配置在該收容室內(nèi)、載置晶片的載置臺。該基板處理裝置在收容室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，利用該等離子體對晶片實施蝕刻處理。
在載置臺的上部設(shè)置有由內(nèi)部具有電極板的絕緣性部件構(gòu)成的靜電卡盤，在該靜電卡盤上載置晶片。在對晶片實施蝕刻處理的期間，對電極板施加直流電壓，利用由該直流電壓產(chǎn)生的庫侖力或約翰遜·勒比克(Johnsen-Rahbek)力，靜電卡盤吸附晶片(例如參照專利文獻1)。
另外，在載置臺的內(nèi)部設(shè)置有制冷劑室，從冷卻單元向該制冷劑室供給規(guī)定溫度的制冷劑、例如冷卻水或Galden，利用該制冷劑的溫度控制靜電卡盤的表面所吸附保持的晶片的處理溫度。
以往，靜電卡盤如圖4所示，首先，在其表面上噴鍍例如氧化鋁等陶瓷，形成噴鍍膜(圖4(A))，使固定有磨粒的圓盤狀的砂輪與圖4(B)所示的形成有噴鍍膜的表面接觸，該砂輪相對于形成有噴鍍膜的表面平行地移動并且轉(zhuǎn)動，在靜電卡盤中，以圖4(C)中的點劃線為軸旋轉(zhuǎn)(圖4(C))，由此，如圖4(D)所示，表面被磨削加工。
專利文獻1特開平5-190654號公報但是，由以往的方法加工的靜電卡盤，如圖4(D)所示，微觀地看時，其表面粗糙，另外，在其表面上產(chǎn)生有微小的彎曲。靜電卡盤的表面上所吸附保持的晶片，與靜電卡盤的表面接觸，因此，晶片的溫度依賴于晶片與靜電卡盤表面的接觸面積。在靜電卡盤的表面粗糙的情況下，晶片與靜電卡盤表面的接觸面積小，因此，該接觸部分的接觸熱阻變大，為了控制晶片的處理溫度、特別是使溫度下降，需要使用能力高的冷卻單元。另外，近年來，由于半導體器件的多樣化，要求各種各樣的蝕刻特性，例如有要求在高密度/高離子能量的等離子體條件下、在低的晶片溫度下實現(xiàn)蝕刻的情況。在該高密度/高離子能量的等離子體條件下，對晶片輸入大量的熱，因此，晶片的溫度會大幅上升。因此，為了使高密度/高離子能量的等離子體與低的晶片溫度并存，需要使用消費電力大的與極低溫對應的冷卻單元。
另外，近年來，由于蝕刻形狀的微細化和復雜化，要求將蝕刻工序分割為多個工序、并響應良好地控制工序改變時的晶片溫度。但是，在以往的靜電卡盤的情況下，因為晶片與靜電卡盤表面的接觸熱阻大，所以即使控制冷卻單元的制冷劑的溫度，也不能響應良好地控制晶片溫度。另外，作為靜電卡盤對晶片進行溫度控制的器件，例如，在使用加熱器或珀耳帖元件的情況下，同樣不能響應良好地控制晶片溫度。
另外，以往，作為提高晶片與靜電卡盤表面的傳熱效率的方法，提出了向晶片與靜電卡盤的表面之間導入傳熱氣體的方法。但是，在該方法中，為了滿足上述對蝕刻特性的要求，需要大幅提高傳熱氣體的壓力，在有些情況下，有晶片從靜電卡盤剝落的可能性。作為對于此的對策，考慮了增大靜電卡盤的電極板中流過的直流電壓、以提高晶片吸附力的方法，但是在該情況下，需要提高靜電卡盤的絕緣性部件的耐電壓，設(shè)定使晶片吸附力與絕緣性部件的耐電壓同時滿足的靜電卡盤的電極板的上層的絕緣性部件的厚度，在設(shè)計上有困難。通常，因為絕緣性部件的熱傳導率比金屬差，所以，如果為了提高耐電壓而增大絕緣性部件的厚度，就會有該部分的傳熱效率變差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種通過使靜電卡盤的表面平滑從而能夠提高其與基板的傳熱效率的表面處理方法。
為了達到上述目的，第一方面的表面處理方法是配置在對基板進行處理的基板處理裝置內(nèi)、并且載置上述基板的載置臺的基板載置面的表面處理方法，其特征在于，包括使上述基板載置面的平坦度提高的平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的帶使該平坦度已提高的面平滑化的平滑化工序。
第二方面的表面處理方法的特征在于，在第一方面所述的表面處理方法中，上述平坦化工序包括利用砂輪使上述基板載置面平坦化的砂輪平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的平板使該已平坦化的面平坦化的平板平坦化工序。
第三方面所述的表面處理方法的特征在于，在第一方面或第二方面所述的表面處理方法中，在上述基板載置面上形成有噴鍍覆膜。
為了達到上述目的，第四方面的表面處理方法是對配置在對基板進行處理的基板處理裝置內(nèi)的部件實施的噴鍍覆膜的表面處理方法，其特征在于，包括使上述噴鍍覆膜的表面的平坦度提高的平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的帶使該平坦度己提高的表面平滑化的平滑化工序。
第五方面的表面處理方法的特征在于，在第四方面所述的表面處理方法中，上述平坦化工序包括利用砂輪使上述噴鍍覆膜的表面平坦化的砂輪平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的平板使該已平坦化的表面平坦化的平板平坦化工序。
根據(jù)第一方面所述的表面處理方法，使基板載置面的平坦度提高、并利用涂敷有磨粒的帶使該平坦度已提高的面平滑化，因此，能夠使基板載置面的最表層平滑化。由此，能夠增大基板與作為基板載置面的靜電卡盤表面的接觸面積，從而能夠顯著提高基板與靜電卡盤表面的傳熱效率。由此，在控制基板的處理溫度時，不需要使用能力高的冷卻單元，能夠使冷卻單元省力化。另外，在將對基板實施的蝕刻工序分割為多個工序的情況下，也能夠響應良好地控制工序改變時的晶片溫度，從而能夠應對各種各樣的蝕刻特性的要求。另外，因為能夠顯著提高基板與靜電卡盤表面的傳熱效率，所以，在要降低基板溫度的情況下，也不需要過度地提高傳熱氣體的壓力，能夠防止基板從靜電卡盤剝落。
根據(jù)第二方面所述的表面處理方法，利用砂輪使基板載置面平坦化、并利用涂敷有磨粒的平板使已平坦化的面平坦化，因此，能夠進一步提高基板載置面的平坦度。由此，能夠進一步提高基板與靜電卡盤表面的傳熱效率，從而能夠使冷卻單元省力化，并能夠應對各種各樣的蝕刻特性的要求。
根據(jù)第三方面所述的表面處理方法，因為在基板載置面上形成有噴鍍覆膜，所以能夠容易地提高基板載置面的平坦度，并且，能夠容易地使最表層平滑化。
根據(jù)第四方面所述的表面處理方法，使噴鍍覆膜的表面的平坦度提高、并利用涂敷有磨粒的帶使平坦度已提高的表面平滑化，因此，能夠容易地使噴鍍膜的最表層平滑化。由此，在形成有噴鍍覆膜的部件中，能夠增大該部件與相鄰部件的接觸熱傳導，因此，例如能夠使該部件與相鄰部件為同一溫度，或能夠直接控制未設(shè)置使制冷劑流動的制冷劑室的部件的溫度。在這種情況下，如果至少相鄰的部件中的一個部件由該表面處理方法加工，則相鄰的兩個部件都能夠得到與第一方面～第三方面的表面處理方法同樣的效果。
根據(jù)第五方面所述的表面處理方法，利用砂輪使噴鍍覆膜的表面平坦化、并利用涂敷有磨粒的平板使已平坦化的表面平坦化，因此能夠進一步提高噴鍍膜的平坦度。由此，能夠進一步增大接觸的部件間的接觸熱傳導。


圖1是表示設(shè)置有利用本發(fā)明的第一實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是圖1中的A部的放大圖，圖2(A)表示本實施方式的靜電卡盤的情況，圖2(B)表示以往的靜電卡盤的情況。
圖3是說明本實施方式的表面處理方法的工序圖，圖3(A)表示噴鍍工序，圖3(B)表示圖3(A)中的B部的放大圖，圖3(C)表示磨削工序，圖3(D)是圖3(C)中的D部的放大圖，圖3(E)表示平板研磨工序，圖3(F)是圖3(E)中的F部的放大圖，圖3(G)表示帶研磨工序，圖3(H)是圖3(G)中的H部的放大圖。
圖4是說明以往的靜電卡盤的表面處理方法的工序圖，圖4(A)表示噴鍍工序，圖4(B)是圖4(A)中的I部的放大圖，圖4(C)表示磨削工序，圖4(D)是圖4(C)中的J部的放大圖。
符號說明S處理空間W半導體晶片1噴鍍覆膜2砂輪3研磨平板4帶研磨裝置5帶6輥9磨粒10 基板處理裝置11 室12 基座20 下部高頻電源23 電極板24 直流電源34 氣體導入噴頭36 上部高頻電源42、42a、42b靜電卡盤具體實施方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。
首先，對設(shè)置有利用本發(fā)明的第一實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤的基板處理裝置進行說明。
圖1是設(shè)置有利用本發(fā)明的第一實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。該基板處理裝置被構(gòu)成為對作為基板的半導體晶片實施蝕刻處理。
在圖1中，基板處理裝置10具有收容例如直徑300mm的半導體晶片(以下簡稱為“晶片”)W的腔室11，在該腔室11內(nèi)配置有作為載置晶片W的載置臺的圓柱狀的基座12。在基板處理裝置10中，由腔室11的內(nèi)側(cè)壁與基座12的側(cè)面，形成作為將基座12上方的氣體向腔室11外排出的流路起作用的側(cè)方排氣通路13。在該側(cè)方排氣通路13的中途配置有擋板14。腔室11的內(nèi)壁面由石英、氧化釔(Y2O3)覆蓋。
擋板14是具有多個孔的板狀部件，作為將腔室11分割為上部與下部的分割板起作用。在由擋板14分割的腔室11的上部(以下稱為“反應室”)17中，產(chǎn)生后述的等離子體。另外，在腔室11的下部(以下稱為“排氣室(歧管)”)18中，開口設(shè)置有排出腔室11內(nèi)的氣體的粗抽排氣管15和主排氣管16。DP(Dry Pump干泵)(未圖示)與粗抽排氣管15連接，TMP(Turbo Molecular Pump渦輪分子泵)(未圖示)與主排氣管16連接。另外，擋板14捕捉或反射在反應室17的后述的處理空間S中產(chǎn)生的離子和自由基，防止它們向歧管18泄漏。
粗抽排氣管15、主排氣管16、DP和TMP等構(gòu)成排氣裝置，粗抽排氣管15和主排氣管16通過歧管18將反應室17內(nèi)的氣體向腔室11的外部排出。具體地說，粗抽排氣管15將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓到低真空狀態(tài)，主排氣管16與粗抽排氣管15協(xié)作，將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓到比低真空狀態(tài)更低壓力的高真空狀態(tài)(例如133Pa(1Torr)以下)。
下部高頻電源20通過匹配器(Matcher)22與基座12連接，該下部高頻電源20向基座12施加規(guī)定的高頻電力。由此，基座12作為下部電極起作用。另外，匹配器22降低基座12對高頻電力的反射，使得高頻電力向基座12的供給效率最大。
在基座12的上部，配置有由內(nèi)部具有電極板23的絕緣性部件構(gòu)成的圓板狀的靜電卡盤42a，其表面由后述的本實施方式的表面處理方法進行加工。當基座12載置晶片W時，該晶片W配置在靜電卡盤42a上。直流電源24與電極板23電連接。當向電極板23施加負的直流電壓時，在晶片W的靜電卡盤42a側(cè)的面(以下稱為“背面”)上產(chǎn)生正電位，在與靜電卡盤42a相反一側(cè)的面(以下稱為“表面”)上產(chǎn)生負電位。這樣，在電極板23和晶片W的背面之間產(chǎn)生電位差，利用由該電位差產(chǎn)生的庫侖力或約翰遜·勒比克力，將晶片W吸附保持在靜電卡盤42a的上面。
另外，在基座12的上部，以包圍靜電卡盤42a的上面上吸附保持的晶片W的周圍的方式，配設(shè)有圓環(huán)狀的聚焦環(huán)25。該聚焦環(huán)25在處理空間S中露出，在該處理空間S中，使等離子體向晶片W的表面聚集，提高蝕刻處理的效率。
另外，在基座12的內(nèi)部，例如設(shè)置有在圓周方向上延伸的環(huán)狀的制冷劑室26。從冷卻單元(未圖示)通過制冷劑用配管27向該制冷劑室26循環(huán)供給規(guī)定溫度的制冷劑、例如冷卻水或Galden，利用該制冷劑的溫度，控制靜電卡盤42a的上面上吸附保持的晶片W的處理溫度。
在靜電卡盤42a的上面的吸附保持晶片W的部分(以下稱為“吸附面”)，開口有多個傳熱氣體供給孔28。這些多個傳熱氣體供給孔28通過傳熱氣體供給管線30與傳熱氣體供給部(未圖示)連接，該傳熱氣體供給部通過傳熱氣體供給孔28將作為傳熱氣體的氦氣(He)供給到吸附面與晶片W的背面的間隙。向吸附面與晶片W的背面的間隙供給的氦氣，將晶片W的熱傳遞到基座12。
另外，在基座12的吸附面中，配置有作為從靜電卡盤42a的上面自由突出的升降銷(lift pin)的多個推桿(pusher pin)(未圖示)。這些推桿通過滾珠絲杠與電動機(均未圖示)連接，由于通過滾珠絲杠變換為直線運動的電動機的旋轉(zhuǎn)運動，從吸附面自由突出。當為了對晶片W實施蝕刻處理而將晶片W吸附保持在吸附面上時，推桿被收容在基座12中，當將已實施蝕刻處理的晶片W從腔室11搬出時，推桿從靜電卡盤42a的上面突出，使晶片W從基座12離開，并將其向上方抬起。
在腔室11的頂部，以與基座12相對的方式配置有氣體導入噴頭34。上部高頻電源36通過匹配器35與氣體導入噴頭34連接，上部高頻電源36向氣體導入噴頭34施加規(guī)定的高頻電力，因此，氣體導入噴頭34作為上部電極起作用。此外，匹配器35的功能與上述的匹配器22的功能相同。
氣體導入噴頭34包括具有多個氣孔37的頂部電極板38；和能夠裝卸地支撐該頂部電極板38的電極支撐體39。另外，在該電極支撐體39的內(nèi)部設(shè)置有緩沖室40，處理氣體導入管41與該緩沖室40連接。氣體導入噴頭34，將從處理氣體導入管41向緩沖室40供給的處理氣體，例如在溴系氣體或氯系氣體中添加O2氣體和He等不活潑氣體而形成的混合氣體，經(jīng)由氣孔37而供給反應室17內(nèi)。
另外，在腔室11的側(cè)壁上，在與由推桿從基座12向上方抬起的晶片W的高度對應的位置，設(shè)置有晶片W的搬出搬入口43，在該搬出搬入口43上，安裝有對該搬出搬入口43進行開閉的閘閥44。
在該基板處理裝置10的反應室17內(nèi)，如上所述，向基座12和氣體導入噴頭34施加高頻電力，通過向基座12和氣體導入噴頭34之間的處理空間S施加高頻電力，在該處理空間S中，使從氣體導入噴頭34供給的處理氣體成為高密度的等離子體，產(chǎn)生離子和自由基，利用該離子等，對晶片W實施蝕刻處理。
上述的基板處理裝置10的各構(gòu)成部件的動作，由基板處理裝置10具備的控制部(未圖示)的CPU根據(jù)與蝕刻處理對應的程序而進行控制。
圖2是圖1中的A部的放大圖，圖2(A)表示本實施方式的靜電卡盤的情況，圖2(B)表示以往的靜電卡盤的情況。
如圖2(A)所示，在本實施方式的靜電卡盤42a中，吸附面被平坦化，而且，吸附面的最表面也被平滑化，與晶片W的接觸面積大。另一方面，在圖2(B)所示的以往的靜電卡盤42b中，其吸附面粗糙，而且產(chǎn)生微小的彎曲，與晶片W的接觸面積小。
接著，對本發(fā)明的實施方式的表面處理方法進行說明。如上所述，靜電卡盤的表面，由本實施方式的表面處理方法進行加工。
圖3是說明本實施方式的表面處理方法的工序圖。
圖3(B)、圖3(D)、圖3(F)和圖3(H)分別是圖3(A)中的B部、圖3(C)中的D部、圖3(E)中的F部和圖3(G)中的H部的放大圖。
在圖3中，在由本實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤42中，首先，在其表面上噴鍍例如氧化鋁等陶瓷，形成噴鍍膜1(圖3(A))(以下稱為“噴鍍工序”)。噴鍍工序后的靜電卡盤42，如圖3(B)所示，其表面粗糙，而且在其表面上產(chǎn)生彎曲。
接著，使固定有磨粒的圓盤狀的砂輪2與噴鍍工序后的靜電卡盤42的表面接觸。該砂輪2與靜電卡盤42的表面平行地移動、并且轉(zhuǎn)動，靜電卡盤42以圖3(C)中的點劃線為軸旋轉(zhuǎn)。由此，靜電卡盤42的表面被磨削(圖3(C))(以下稱為“磨削工序”)(平坦化工序)。磨削工序后的靜電卡盤42，如圖3(D)所示，微觀地看時，其表面依然粗糙，而且在其表面上依然產(chǎn)生微小的彎曲。
然后，使研磨平板3與磨削工序后的靜電卡盤42的表面接觸，該研磨平板3的表面上噴涂有將磨粒與潤滑劑混合而形成的懸濁液。對該研磨平板3施加載荷(在圖3(E)中，用中空的箭頭表示)，靜電卡盤42以圖3(E)中的點劃線為軸旋轉(zhuǎn)。由此，靜電卡盤42的表面被磨削至平坦(圖3(E))(以下稱為“平板研磨工序”)(平坦化工序)。平板研磨工序后的靜電卡盤42，如圖3(F)所示，其表面上產(chǎn)生的微小彎曲被除去，其表面被平坦化，但微觀地看時，在其表面的最表層，形成有微細的突起1f。
對具有涂敷固著有磨粒9的帶5和由彈性體構(gòu)成的輥6的帶研磨裝置4施加壓力(在圖3(G)中，用中空的箭頭表示)，使該帶研磨裝置4的該帶5與平板研磨工序后的靜電卡盤42的表面接觸。該帶5由帶研磨裝置4卷取并且卷出，該帶研磨裝置4也與靜電卡盤42的表面平行地移動，靜電卡盤42以圖3(G)中的點劃線為軸旋轉(zhuǎn)。由此，靜電卡盤42的表面被磨削至平滑(圖3(G))(以下稱為“帶研磨工序”)(平滑化工序)。特別地，在帶研磨工序中，利用由彈性體構(gòu)成的輥6將帶5按壓在靜電卡盤42的表面上，因此，能夠利用輥6的彈性，控制帶5的按壓壓力，從而能夠使靜電卡盤42表面的最表層微細地平滑化。帶研磨工序后的靜電卡盤42，如圖3(H)所示，其表面的最表層也被平滑化，形成為與上述的圖2(A)所示的靜電卡盤42a同樣的形狀。
本實施方式中的噴鍍工序以后的各工序中使用的磨粒，優(yōu)選與前一工序大致相同、或比前一工序小。為了使形成有噴鍍膜的表面即使在最表層也有效地完全平滑化，優(yōu)選越進入后面的工序，使磨粒的大小越小。但是，在本實施方式中，加工方法本身就能夠使最表層更為平滑化，具體地說，與平板研磨工序相比，帶研磨工序能夠使最表層更為平滑化，或者，與磨削工序相比，帶研磨工序能夠使最表層更為平滑化，因此，即使使用與前一工序大致相同大小的磨粒，也能夠使最表層完全平滑化。
根據(jù)本實施方式的表面處理方法，使形成有噴鍍覆膜1的靜電卡盤42的表面平坦化(平板研磨工序)，進而使其表面的最表層平滑化(帶研磨工序)，因此，能夠增大晶片W與靜電卡盤42的表面的接觸面積，從而能夠顯著提高晶片W與靜電卡盤42的表面的傳熱效率。因此，在控制晶片W的處理溫度時，不需要使用能力高的冷卻單元，能夠使冷卻單元省力化。另外，即使在將對晶片W實施的蝕刻工序分割為多個工序的情況下，也能夠響應良好地控制工序改變時的晶片W溫度，從而能夠應對各種各樣的蝕刻特性的要求。另外，因為能夠顯著提高晶片W與靜電卡盤42的表面的傳熱效率，所以，在要降低晶片W的溫度的情況下，也不需要過度地提高傳熱氣體的壓力，能夠防止晶片W從靜電卡盤42剝落。
接著，對本發(fā)明的第二實施方式的表面處理方法進行說明。
本實施方式的結(jié)構(gòu)和作用與上述的第一實施方式基本相同，與第一實施方式的不同點僅在于將平板研磨工序省略。因此，對于重復的結(jié)構(gòu)、作用，省略其說明，以下，參照圖3對不同的結(jié)構(gòu)、作用進行說明。
利用本實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤，在實施圖3(A)所示的噴鍍工序、并實施同圖(C)所示的磨削工序之后，實施同圖(G)所示的帶研磨工序。
本實施方式的帶研磨工序后的靜電卡盤，雖然其表面上產(chǎn)生了微小的彎曲，但是與彎曲的狀態(tài)無關(guān)，其表面的最表層被平滑化。
根據(jù)本實施方式的表面處理方法，使形成有噴鍍覆膜的靜電卡盤的表面的最表層平滑化(帶研磨工序)，因此，能夠得到與上述的第一實施方式的效果同樣的效果。進而，因為將上述的第一實施方式中的靜電卡盤的平板研磨工序省略，所以能夠減少工序數(shù)。
接著，對本發(fā)明的第三實施方式的表面處理方法進行說明。
本實施方式的結(jié)構(gòu)和作用與上述的第一實施方式基本相同，與第一實施方式的不同點僅在于將磨削工序省略。因此，對于重復的結(jié)構(gòu)、作用，省略其說明，以下，參照圖3，對不同的結(jié)構(gòu)、作用進行說明。
利用本實施方式的表面處理方法加工的靜電卡盤，在實施圖3(A)所示的噴鍍工序后，實施同圖(E)所示的平板研磨工序，然后實施同圖(G)所示的帶研磨工序。
本實施方式的帶研磨工序后的靜電卡盤，其表面被平坦化，而且，其表面的最表層也被平滑化。
根據(jù)本實施方式的表面處理方法，使形成有噴鍍覆膜的靜電卡盤的表面平坦化(平板研磨工序)，進而使其表面的最表層平滑化(帶研磨工序)，因此，能夠得到與上述的第一實施方式的效果同樣的效果。另外，因為將上述的第一實施方式的靜電卡盤的磨削工序省略，所以能夠減少工序數(shù)。
在上述各實施方式中，加工對象是形成有噴鍍覆膜的靜電卡盤，但加工對象不限于此，只要是形成有噴鍍覆膜的部件，什么樣的加工對象都可以。另外，根據(jù)本實施方式的表面處理方法中的帶研磨工序，即使是由通過燒制等形成的陶瓷構(gòu)成的靜電卡盤，也能夠使該靜電卡盤表面的最表層平滑化，因此，作為加工對象的靜電卡盤不限于形成有噴鍍覆膜的靜電卡盤，也可以是由通過燒制等形成的陶瓷構(gòu)成的靜電卡盤。
另外，根據(jù)本實施方式的表面處理方法中的帶研磨工序，使靜電卡盤表面的最表層平滑化，并且將其表面的破碎層除去，因此，通過晶片W與靜電卡盤表面的接觸，也能夠抑制在晶片W的背面產(chǎn)生的顆粒。
另外，根據(jù)本實施方式的表面處理方法中的帶研磨工序，使部件表面的最表層平滑化，并且將其表面的破碎層除去，因此，能夠抑制腔室內(nèi)的顆粒的產(chǎn)生。
另外，僅根據(jù)本實施方式的表面處理方法中的帶研磨工序，其加工對象不限于平面，也能夠?qū)η孢M行加工，因此，例如也能夠?qū)η皇业膬?nèi)周進行加工。
權(quán)利要求
1.一種表面處理方法，是配置在對基板進行處理的基板處理裝置內(nèi)、并且載置所述基板的載置臺的基板載置面的表面處理方法，其特征在于，包括使所述基板載置面的平坦度提高的平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的帶使該平坦度已提高的面平滑化的平滑化工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理方法，其特征在于所述平坦化工序包括利用砂輪使所述基板載置面平坦化的砂輪平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的平板使該已平坦化的面平坦化的平板平坦化工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面處理方法，其特征在于在所述基板載置面上形成有噴鍍覆膜。
4.一種表面處理方法，是對配置在對基板進行處理的基板處理裝置內(nèi)的部件實施的噴鍍覆膜的表面處理方法，其特征在于，包括使所述噴鍍覆膜的表面的平坦度提高的平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的帶使該平坦度已提高的表面平滑化的平滑化工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面處理方法，其特征在于所述平坦化工序包括利用砂輪使所述噴鍍覆膜的表面平坦化的砂輪平坦化工序；和利用涂敷有磨粒的平板使該已平坦化的表面平坦化的平板平坦化工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過使靜電卡盤的表面平滑從而能夠提高其與基板的傳熱效率的表面處理方法。基板處理裝置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，該腔室(11)內(nèi)配置有作為載置晶片(W)的載置臺的基座(12)，該基座(12)的上部配置有靜電卡盤(42a)。在靜電卡盤(42a)中，首先，在其表面上形成噴鍍膜(1)，接著，通過與固定有磨粒的圓盤狀的砂輪(2)接觸，對表面進行磨削，然后，通過與表面上噴涂有將磨粒和潤滑劑混合而形成的懸濁液的研磨平板(3)接觸，將表面磨削至平坦，通過對具有涂敷固著有磨粒(9)的帶(5)和由彈性體構(gòu)成的輥(6)的帶研磨裝置(4)施加壓力，與帶研磨裝置(4)的帶(5)接觸，將表面磨削至平滑。
文檔編號H01L21/304GK101041231SQ20071008914
公開日2007年9月26日 申請日期2007年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者佐佐木康晴, 樋熊政一, 青砥雅, 菊池英一郎 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社