技術(shù)編號：7231751
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的。背景技術(shù) 由于近些年半導(dǎo)體器件的顯著小型化，因此為了確保MOSFET的性能和可靠性需要各種創(chuàng)新。在這種情況下，為了獲得MOSFET的改進(jìn)性能，正在積極研究利用具有高介電常數(shù)的所謂高-k膜的膜作為柵絕緣膜。典型的高-k材料包括諸如鋯(Zr)、鉿(Hf)等元素的氧化物。即使柵絕緣膜的物理厚度增大一定程度，使用這種材料用于MOSFET的柵絕緣膜也能減小轉(zhuǎn)換為氧化硅的電厚度(siliconoxide-c...
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