技術編號：7535784
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。 具體地，本發(fā)明涉及具有如下構造的半導體器件，其中，將外部供給的電源電壓降壓至內部電源電壓，并且內部電源被提供給在半導體器件中設置的各個電路。背景技術作為半導體器件的示例，存在已知的使用DRAM存儲器單元的半導體存儲器。為了增強每個半導體存儲器的集成度，組成存儲器件的外圍晶體管和外圍電路已經(jīng)被小型化。隨著存儲器器件和外圍晶體管的進一步小型化，能夠被施加給這些器件的電壓被限制為低壓，從而確保高的操作可靠性。另一方面，對作為產(chǎn)品的各個半導體存儲器來...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。