技術(shù)編號：7538185
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明通常涉及絕熱CMOS設計，更具體地，涉及用于減小泄漏電流和功耗的CMOS電路設計。背景技術(shù) CMOS(互補金屬氧化物半導體)邏輯使用p型和n型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的組合來實現(xiàn)在計算機、電信和信號處理裝備中可見到的邏輯門和其他數(shù)字電路。CMOS電路的主要優(yōu)勢在于除了當至邏輯門的輸入被切換時，它們理想地不允許電流流過，并且因此不會消耗功率。CMOS通過用p型MOSFET補償每一個n型MOSFET、并且將相同的輸入按照以下方式布線成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。