技術(shù)編號：8095943
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要，屬于電子工藝領(lǐng)域，包括如下步驟（1）將高濃度的N2氣體注入反應(yīng)裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應(yīng)，使孔壁清潔，同時對于印制板進行預(yù)熱，使得高分子材料處于一定的活化狀態(tài)；（2）以O(shè)2和CF4為原始氣體，將其混合反應(yīng)后得到O、F等離子體，使其與樹脂反應(yīng)，使得孔壁凹蝕反應(yīng)；（3）以O(shè)2為原始氣體，產(chǎn)生的等離子體與反應(yīng)殘余物反應(yīng)使孔壁達到清潔。所提供的基于等離子體的方法，對不同樹脂都具有均勻一致的蝕刻速度，在孔壁很容易形成優(yōu)良的凹蝕效果，有效提高了復(fù)合基板中各類導(dǎo)通孔的孔壁金屬化質(zhì)量及可靠性，為復(fù)合基...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。