一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法
【專利摘要】一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，屬于電子工藝領(lǐng)域，包括如下步驟：（1）將高濃度的N2氣體注入反應(yīng)裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應(yīng)，使孔壁清潔，同時(shí)對(duì)于印制板進(jìn)行預(yù)熱，使得高分子材料處于一定的活化狀態(tài)；（2）以O(shè)2和CF4為原始?xì)怏w，將其混合反應(yīng)后得到O、F等離子體，使其與樹(shù)脂反應(yīng)，使得孔壁凹蝕反應(yīng)；（3）以O(shè)2為原始?xì)怏w，產(chǎn)生的等離子體與反應(yīng)殘余物反應(yīng)使孔壁達(dá)到清潔。所提供的基于等離子體的方法，對(duì)不同樹(shù)脂都具有均勻一致的蝕刻速度，在孔壁很容易形成優(yōu)良的凹蝕效果，有效提高了復(fù)合基板中各類導(dǎo)通孔的孔壁金屬化質(zhì)量及可靠性，為復(fù)合基板的電氣性提供了必要的保證，本發(fā)明所述方法操作簡(jiǎn)單，易于推廣。
【專利說(shuō)明】一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在復(fù)合基板的制作過(guò)程中，金屬化孔的可靠性是保證天線電性能指標(biāo)的關(guān)鍵，孔金屬化工藝是解決如何在孔截面上覆蓋一層均勻的和耐熱沖擊的金屬銅，而在進(jìn)行孔金屬化前需首先都孔壁進(jìn)行改性處理，通過(guò)凹蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)，凹蝕能夠?qū)妆赑TFE樹(shù)脂改性的同時(shí)，增加孔內(nèi)化學(xué)鍍銅層與內(nèi)層銅環(huán)連接面積，從而增加金屬化孔的可靠性，目前同常的做法是采用化學(xué)方法處理，化學(xué)凹蝕由于受到孔徑和板材對(duì)水表面張力的影響，對(duì)孔厚徑比有一定的限制，尤其是盲孔的凹蝕；現(xiàn)有的工藝中多采用混合材料的高頻層壓板，實(shí)用的材料樹(shù)脂不盡相同，化學(xué)處理不能夠?qū)λ械臉?shù)脂同時(shí)起到很好的凹蝕作用，難以對(duì)不同樹(shù)脂同樣提供均勻良好的附著力，在金屬化后經(jīng)常出現(xiàn)孔壁空洞，嚴(yán)重時(shí)甚至出現(xiàn)開(kāi)路短路現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在解決上述問(wèn)題，提供一種有效對(duì)復(fù)合基板孔壁進(jìn)行處理的方法。
[0004]一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于包括如下步驟:
(1)將高濃度的N2氣體注入反應(yīng)裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應(yīng)，使孔壁清潔，同時(shí)對(duì)于印制板進(jìn)行預(yù)熱，使得高分子材料處于一定的活化狀態(tài)；
(2)以O(shè)2和CF4為原始?xì)怏w，將其混合反應(yīng)后得到O、F等離子體，使其與樹(shù)脂反應(yīng)，使得孔壁凹蝕反應(yīng)；
(3)以O(shè)2為原始?xì)怏w，產(chǎn)生的等離子體與反應(yīng)殘余物反應(yīng)使孔壁達(dá)到清潔。
[0005]本發(fā)明所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于所述步驟(2)中O2的含量為85%?90% ；CF4的含量為15%?10%。
[0006]本發(fā)明所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于所述步驟(2)中凹蝕反應(yīng)后，孔壁的凹蝕深度為5μπΓ80μηι。
[0007]本發(fā)明所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于步驟(I)中對(duì)印制板的預(yù)熱溫度為90°C?130°C。
[0008]本發(fā)明所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，所提供的基于等離子體的方法，對(duì)不同樹(shù)脂都具有均勻一致的蝕刻速度，在孔壁很容易形成優(yōu)良的凹蝕效果，有效提高了復(fù)合基板中各類導(dǎo)通孔的孔壁金屬化質(zhì)量及可靠性，為復(fù)合基板的電氣性提供了必要的保證，本發(fā)明所述方法操作簡(jiǎn)單，易于推廣。

【具體實(shí)施方式】
[0009]一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，包括如下步驟:
(I)將高濃度的N2氣體注入反應(yīng)裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應(yīng)，使孔壁清潔，同時(shí)對(duì)于印制板進(jìn)行預(yù)熱，使得高分子材料處于一定的活化狀態(tài)；
(2)以O(shè)2和CF4為原始?xì)怏w，將其混合反應(yīng)后得到O、F等離子體，使其與樹(shù)脂反應(yīng)，使得孔壁凹蝕反應(yīng)；
(3)以O(shè)2為原始?xì)怏w，產(chǎn)生的等離子體與反應(yīng)殘余物反應(yīng)使孔壁達(dá)到清潔。
[0010] 本發(fā)明所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，所述步驟(2)中O2的含量為85°/Γ90% ；CF4的含量為15°/Γ10%。所述步驟(2)中凹蝕反應(yīng)后，孔壁的凹蝕深度為5 μ m^80 μ m0步驟(I)中對(duì)印制板的預(yù)熱溫度為90°C?130°C。在整個(gè)的反應(yīng)過(guò)程中，N2提供了良好的反應(yīng)條件，起到表面活化的作用；02作為反應(yīng)氣體，進(jìn)行氧化處理，主要用于高分子材料表面活化和有機(jī)污染物的去除；CF4的作用是用于有機(jī)物的蝕刻和清除，真正起到蝕刻作用的是O原子，加入CF4氣體是為了引入F原子。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于包括如下步驟: (1)將高濃度的N2氣體注入反應(yīng)裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應(yīng)，使孔壁清潔，同時(shí)對(duì)于印制板進(jìn)行預(yù)熱，使得高分子材料處于一定的活化狀態(tài)； (2)以O(shè)2和CF4為原始?xì)怏w，將其混合反應(yīng)后得到O、F等離子體，使其與樹(shù)脂反應(yīng)，使得孔壁凹蝕反應(yīng)； (3)以O(shè)2為原始?xì)怏w，產(chǎn)生的等離子體與反應(yīng)殘余物反應(yīng)使孔壁達(dá)到清潔。
2.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于所述步驟(2)中O2的含量為85%?90% ；CF4的含量為15%" 10%ο
3.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于所述步驟(2)中凹蝕反應(yīng)后,孔壁的凹蝕深度為5μπΓ80μηι。
4.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特征在于步驟(I)中對(duì)印制板的預(yù)熱溫度為90°C?130°C。
【文檔編號(hào)】H05K3/42GK104244611SQ201410408202
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月19日
【發(fā)明者】賈衛(wèi)東, 魏軍鋒 申請(qǐng)人:西安三威安防科技有限公司