技術(shù)編號(hào)：8300374
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著技術(shù)的發(fā)展，顯示裝置的尺寸、分辨率、刷新率都不斷提高，這就要求其陣列 基板中的薄膜晶體管具有更低的電阻和更高的迀移率，以降低信號(hào)的延遲。金屬氧化物薄 膜晶體管迀移率高、均一性好、透明、制作工藝簡(jiǎn)單，故獲得了廣泛應(yīng)用。 為減化工藝，薄膜晶體管優(yōu)選采用背溝道（Back Channel)結(jié)構(gòu)，即源漏極形成在 有源區(qū)上方。但是，金屬氧化物薄膜晶體管的有源區(qū)是金屬氧化物，其耐腐蝕性與金屬源漏 極類(lèi)似，故若其采用背溝道結(jié)構(gòu)，則在刻蝕形成源漏極時(shí)容易損傷有源區(qū)。 ...
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