技術(shù)編號(hào)：8382426
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，集成電路的集成度不斷增加，集成電路的特征尺 寸也不斷減小，而對于集成電路中各電器元件的質(zhì)量要求也越發(fā)嚴(yán)格。為此，集成電路制備 工藝也不斷革新，W提高制得的集成電路電器元件的質(zhì)量。 如在C0MS制備工藝中，后柵（gatelast)工藝已逐漸取代前柵（gatefirst)工 藝W提高柵極的質(zhì)量。所謂前柵工藝是指，在半導(dǎo)體襯底的介質(zhì)層內(nèi)形成柵極開口后，直接 于柵極開口內(nèi)填充柵極材料，形成柵極，之后進(jìn)行源漏注入，并進(jìn)行退火工藝W激活源...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。