技術(shù)編號：8432437
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件，特別涉及一種抗總劑量輻照的65nm MOS場效應(yīng) 晶體管，可用于大規(guī)模集成電路的制備。背景技術(shù) 自從1964年首次發(fā)現(xiàn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET的電離輻射效應(yīng)以 來，對于空間應(yīng)用的電子系統(tǒng)器件和電路來說，電離輻射的總劑量效應(yīng)都是導(dǎo)致功能衰退 的最重要因素之一?？倓┝啃?yīng)是指，能量大于半導(dǎo)體禁帶寬度的致電離輻射粒子照射半 導(dǎo)體時，半導(dǎo)體內(nèi)部部分束縛態(tài)電子吸收輻射粒子能量，被激發(fā)到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對的 效應(yīng)。研宄表明，總...
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