技術(shù)編號(hào)：8499323
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。背景技術(shù) 取EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）為例來說明W往的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。 圖8是W往的邸PROM的概念圖，是專利文獻(xiàn)1所揭示的一般性構(gòu)造。圖8的（A)為俯視圖， 圖8的做為沿（A)中的線段A-A'的剖視圖，圖8的似為立體圖。 該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置由存儲(chǔ)器主體部02和選擇存儲(chǔ)器主體部02的選擇柵晶體管 部01構(gòu)成。在存儲(chǔ)器主體部02中存在被稱為浮柵12的積蓄電荷的電極，存儲(chǔ)器的狀態(tài)根 據(jù)電荷量發(fā)生變化。該里，當(dāng)在該浮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。