技術(shù)編號：8906501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 現(xiàn)有技術(shù)中閃存（FlashMemory)擦除時，預(yù)擦除區(qū)域中存儲單元所在阱區(qū)及預(yù)擦 除存儲單元的源極（S)施加正高壓，控制柵極（CG)施加負(fù)高壓，并息空漏極（D);W此，所施 加的正高壓和負(fù)高壓在存儲單元的浮動?xùn)艠O（FG)和源極之間形成電壓差，產(chǎn)生隧道效應(yīng)， 使得浮動?xùn)艠O中電荷流向源極，進而改變存儲單元的闊值電壓，實現(xiàn)對預(yù)擦除存儲單元的 擦除。同時，在擦除時，同一阱區(qū)中的非擦除區(qū)域的存儲單元，源極也施加相同的正高壓，控 制柵極施加正低壓，并息空漏極；W此...
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