Flash芯片及flash芯片的擦除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種FLA甜芯片及應(yīng)用此FLA甜芯片的擦 除方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中閃存（FlashMemory)擦除時(shí)，預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元所在阱區(qū)及預(yù)擦 除存儲(chǔ)單元的源極（S)施加正高壓，控制柵極（CG)施加負(fù)高壓，并息空漏極（D);W此，所施 加的正高壓和負(fù)高壓在存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O（FG)和源極之間形成電壓差，產(chǎn)生隧道效應(yīng)， 使得浮動(dòng)?xùn)艠O中電荷流向源極，進(jìn)而改變存儲(chǔ)單元的闊值電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)預(yù)擦除存儲(chǔ)單元的 擦除。同時(shí)，在擦除時(shí)，同一阱區(qū)中的非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元，源極也施加相同的正高壓，控 制柵極施加正低壓，并息空漏極；W此，在非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元的控制柵極施加的正低壓和 源極施加的正高壓不會(huì)使浮動(dòng)?xùn)艠O和源極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)。
[0003] 在控制柵極和源極產(chǎn)生電壓差的方式進(jìn)行擦除時(shí)，雖對(duì)閃存中電介質(zhì)要求較少， 但該種方式會(huì)對(duì)同一阱區(qū)中非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元有較強(qiáng)的擦除干擾。擦除干擾是指擦除 時(shí)，預(yù)擦除區(qū)域預(yù)擦除存儲(chǔ)單元控制柵極施加的正高壓和阱區(qū)所施加的正高壓對(duì)非擦除區(qū) 域存儲(chǔ)單元闊值電壓產(chǎn)生的影響。例如，因在擦除時(shí)阱區(qū)施加了正高壓，同時(shí)因非擦除區(qū)域 存儲(chǔ)單元控制柵極施加的是正低壓，會(huì)使得非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極和阱區(qū)存在 一個(gè)應(yīng)力作用，引起非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O中電荷的變化，進(jìn)而改變非擦除區(qū)域 中存儲(chǔ)單元的闊值電壓，影響存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)讀取時(shí)的正確性等。
[0004] 為了消除擦除時(shí)擦除干擾的影響，現(xiàn)有技術(shù)中在擦除結(jié)束后需對(duì)非擦除區(qū)域中存 儲(chǔ)單元進(jìn)行一次擦除修復(fù)操作，即對(duì)非擦除區(qū)進(jìn)行驗(yàn)證和寫(xiě)(編程)，也即是通過(guò)驗(yàn)證操作 確定受擦除干擾影響的存儲(chǔ)單元，通過(guò)編程操作消除受擦除干擾影響存儲(chǔ)單元的闊值電壓 變化，W消除擦除干擾所引起的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的闊值電壓的變化。但現(xiàn)有技術(shù)中， 為消除擦除干擾而進(jìn)行的擦除修復(fù)操作，延長(zhǎng)了擦除時(shí)間，增大了擦除操作的時(shí)間開(kāi)銷，進(jìn) 而降低了擦除效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引本發(fā)明的目的在于提出一種化A甜芯片及應(yīng)用此化A甜芯片的擦除方法，W提高 擦除性能，進(jìn)而提高FLA甜芯片的擦除效率。
[0006] 在第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種FLA甜芯片，包括：
[0007] 存儲(chǔ)陣列，所述存儲(chǔ)陣列包括m個(gè)子存儲(chǔ)陣列和兀余單元區(qū)域；
[0008] 所述m個(gè)子存儲(chǔ)陣列形成于同一阱區(qū)；
[0009] 所述兀余單元區(qū)域形成于相鄰兩個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間；擦除時(shí)，所述兀余單元區(qū)域 中存儲(chǔ)單元的漏極息空；
[0010] m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路，所述m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路分別連接于所述m個(gè)子存儲(chǔ)陣列； 所述每一子字線驅(qū)動(dòng)電路對(duì)與其相連接的子存儲(chǔ)陣列提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
[0011] 位線選擇電路，所述位線選擇電路提供多根位線，連接于所述存儲(chǔ)陣列每列中子 存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)單元的漏極，用于選擇子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元；
[001引其中，m為正整數(shù)，2《m。
[0013] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，所述FLA甜芯片擦除時(shí)，所述FLA甜芯片配置為：
[0014] 息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至所述阱區(qū)；
[0015] 施加所述正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源 極；
[0016] 施加所述正高壓至兀余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至兀余單元 區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極；
[0017] 施加所述正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加 所述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；
[0018] 施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所 述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的 差值W使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。
[0019] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，當(dāng)FLA細(xì)芯片擦除完成后，執(zhí)行：
[0020] 對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域進(jìn)行擦除修復(fù)操作；所述擦除修復(fù)操作W修復(fù)擦 除子存儲(chǔ)陣列中非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元因擦除干擾造成的闊值電壓的變化。
[0021] 進(jìn)一步的，所述的FLA服芯片，所述兀余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極電連接于所 述阱區(qū)。
[0022] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，所述兀余單元區(qū)域，包括一行存儲(chǔ)單元。
[0023] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，所述阱區(qū)為P阱。
[0024] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片，還包括邏輯控制單元；
[00巧]所述邏輯控制單元電連接于所述m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路和所述位線選擇電路；W提 供邏輯控制。
[0026] 在第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種FLA甜芯片的擦除方法，所述方法應(yīng)用 于第一方面的FLA甜芯片，包括：
[0027] FLA甜芯片接收擦除指令；
[0028] 息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)；
[0029] 施加所述正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極；
[0030] 施加所述正高壓至兀余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至兀余單元 區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極；
[0031] 施加所述正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加 所述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；
[0032] 施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所 述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的 差值W使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。
[0033] 進(jìn)一步的，所述的FLA甜芯片擦除方法，還包括：
[0034] 對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域進(jìn)行擦除修復(fù)操作；所述擦除修復(fù)操作W修復(fù)擦 除子存儲(chǔ)陣列中非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元因擦除干擾造成的闊值電壓的變化。
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例提供的FLA甜芯片及FLA甜芯片的擦除方法，擦除時(shí)，對(duì)非擦除子存 儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極施加正高壓，進(jìn)而使非擦除子存儲(chǔ)陣列的控制柵極、 源極和阱區(qū)之間保持一個(gè)電壓平衡。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，因非擦除子存儲(chǔ) 陣列的控制柵極、源極和阱區(qū)電壓處于平衡狀態(tài)，非擦除子存儲(chǔ)陣列受擦除干擾影響很小， 提升了FLASH芯片擦除操作的擦除性能；同時(shí)因非擦除子存儲(chǔ)陣列受擦除干擾影響很小， 在擦除完成后也無(wú)需對(duì)非擦除子存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除修復(fù)操作；并只需對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列中 的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除后的擦除修復(fù)操作，進(jìn)而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中擦除后對(duì)整 個(gè)存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除修復(fù)操作，提升了擦除速度，減少了擦除時(shí)間的開(kāi)銷。
【附圖說(shuō)明】
[0036] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不 構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。在附圖中：
[0037] 圖1示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA細(xì)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038] 圖la示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片的存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布結(jié)構(gòu)示 意圖；
[0039] 圖化示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布的截面結(jié) 構(gòu)W意圖；
[0040] 圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例二中FLA細(xì)芯片擦除方法流程示意圖；
[0041] 圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例H中FLA細(xì)芯片擦除方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說(shuō)明。可W理解的 是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的 是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[004引圖1示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA細(xì)芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044] 圖la示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0045] 圖化示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中FLA甜芯片存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元分布的截面結(jié) 構(gòu)示意圖。
[004引參考圖1、圖la和圖化，本實(shí)施例中，化A甜芯片包括：
[0047] 存儲(chǔ)陣列11，存儲(chǔ)陣列11包括m個(gè)子存儲(chǔ)陣列111 (子存儲(chǔ)陣列1至子存儲(chǔ)陣列 m)和兀余單元區(qū)域12,m個(gè)子存儲(chǔ)陣列111和兀余單元區(qū)域12形成于同一阱區(qū)10 ;其中，m為正整數(shù)，2《m。本實(shí)施例中存儲(chǔ)陣列11的劃分并不用于限制本發(fā)明，在其它具體實(shí)施 方式中m可W為任意大于2的值，例如m為3或5等。進(jìn)一步的參考圖la,存儲(chǔ)陣列