技術(shù)編號(hào)：9305550
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 將電子器件縮小為納米級(jí)（尺寸小于100納米（nm))的挑戰(zhàn)之一是在小于10納米 的尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料的受控?fù)诫s。例如，由于晶體管柵極長(zhǎng)度快速接近小于IOnm 尺寸范圍，納米長(zhǎng)度規(guī)格上的高度傳導(dǎo)性超淺結(jié)用于縮小晶體管尺寸，以實(shí)現(xiàn)更快的晶體 管速度和更高的堆積密度。此外，已提出的寬范圍的小型化電子應(yīng)用結(jié)合了利用摻雜的納 米線結(jié)構(gòu)模塊或其他非平面?zhèn)鲗?dǎo)性納米結(jié)構(gòu)。 現(xiàn)有的方法不適用于摻雜至小于IOnm的深度。離子注入涉及用高能摻雜劑離子 轟擊硅基材，這替代...
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