技術(shù)編號(hào)：9423153
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專(zhuān)利說(shuō)明低功率架構(gòu)相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)依據(jù)35 U.S.C.§ 119(e)要求于2013年3月15日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/800, 116的優(yōu)先權(quán)，其整個(gè)說(shuō)明書(shū)通過(guò)援引納入于此。背景領(lǐng)域本公開(kāi)的各方面一般涉及低功率設(shè)備，且更具體地涉及其中晶體管在閾下區(qū)域附近或閾下區(qū)域中操作以降低功耗的低功率設(shè)備。背景技術(shù)設(shè)備中的晶體管可以在閾下區(qū)域附近或閾下區(qū)域中操作以顯著降低該設(shè)備的功耗。例如，閾下操作使每周期的能耗被最小化。概述以下給出對(duì)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的簡(jiǎn)化概述...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。