技術(shù)編號(hào):9434509
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體集成電路中,靜電釋放(ESD)會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生破壞作用,所以在集成電路的輸入輸出端需要設(shè)置ESD防護(hù)電路進(jìn)行靜電保護(hù),可控制(SCR)具有較強(qiáng)的靜電泄放能力,能夠作為靜電保護(hù)器件。如圖1所示,現(xiàn)有低觸發(fā)電壓可控硅(LVTSCR)的結(jié)構(gòu)示意圖;由圖1可以看出LVTSCR為橫向結(jié)構(gòu),P型襯底101如硅襯底上通過場氧102如淺溝槽場氧或局部場氧隔離出有源區(qū),P阱103和N阱104形成于襯底101中,P阱103和N阱104橫向接觸,在LVTSCR形成區(qū)域中包括了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。