技術(shù)編號:9454490
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。對于銅通孔(via)的側(cè)壁阻擋層的觀察,一般通過FIB的聚焦離子束制備透射電鏡樣品,然后將其放置銅柵上,最后將銅柵放置于透射電鏡中對透射樣品進行觀察和分析,所以銅柵是傳統(tǒng)的TEM分析樣品的承載裝置。因為某些產(chǎn)品的阻擋層厚度非常薄,通常只有幾個納米,且由于通孔是圓孔狀以及銅的影響,制備出來的透射樣品在TEM里面很難清晰的觀察出阻擋層的厚度。因此要將銅去除后才能得到非常清晰的阻擋層圖片,但是傳統(tǒng)的承載樣品的銅柵是不能放入硝酸進行銅的去除,導致無法清晰的觀察阻擋...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。