觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對于銅通孔(via)的側(cè)壁阻擋層的觀察，一般通過FIB的聚焦離子束制備透射電鏡樣品，然后將其放置銅柵上，最后將銅柵放置于透射電鏡中對透射樣品進(jìn)行觀察和分析，所以銅柵是傳統(tǒng)的TEM分析樣品的承載裝置。
[0003]因為某些產(chǎn)品的阻擋層厚度非常薄，通常只有幾個納米，且由于通孔是圓孔狀以及銅的影響，制備出來的透射樣品在TEM里面很難清晰的觀察出阻擋層的厚度。因此要將銅去除后才能得到非常清晰的阻擋層圖片，但是傳統(tǒng)的承載樣品的銅柵是不能放入硝酸進(jìn)行銅的去除，導(dǎo)致無法清晰的觀察阻擋層的形貌，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不愿意看到的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述存在的問題，本發(fā)明公開一種觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述銅通孔結(jié)構(gòu)包括銅通孔和設(shè)置于所述銅通孔側(cè)壁的阻擋層，所述方法包括如下步驟:
[0005]提供所述銅通孔結(jié)構(gòu)的TEM樣品；
[0006]提供一硅基載體，所述硅基載體中設(shè)置有具有預(yù)定尺寸的通孔；
[0007]將所述TEM樣品放置于所述通孔上并予以固定；
[0008]將固定有所述TEM樣品的所述硅基載體放入透射電鏡機(jī)臺中觀察所述銅通孔的形貌；
[0009]繼續(xù)將固定有所述TEM樣品的所硅基載體放入硝酸中去除銅后放入透射電鏡機(jī)臺中觀察所述阻擋層的形貌。
[0010]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，形成所述硅基載體的方法包括如下步驟:
[0011]提供一芯片載體，所述芯片載體包括硅襯底和位于所述硅襯底之上的第一金屬層；
[0012]于所述芯片載體上制備孔洞；
[0013]繼續(xù)對所述芯片載體進(jìn)行拋光并對所述孔洞進(jìn)行處理以得到具有所述預(yù)定尺寸的通孔，形成所述硅基載體。
[0014]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，通過激光器于所述芯片載體上制備所述孔洞。
[0015]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述拋光為化學(xué)拋光。
[0016]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，采用聚焦離子束對所述孔洞進(jìn)行處理得到具有所述預(yù)定尺寸的通孔。
[0017]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述阻擋層的材質(zhì)為鉭或者氮化鉭。
[0018]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，根據(jù)所述TEM樣品的尺寸確定所述通孔的尺寸。
[0019]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述將所述TEM樣品放置于所述通孔上并予以固定的步驟具體為:
[0020]通過拾取系統(tǒng)將所述TEM樣品放置于所述通孔上；
[0021]將所述TEM樣品固定于所述娃基載體上。
[0022]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，通過金屬將所述TEM樣品固定于所述硅基載體上。
[0023]上述的觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述金屬為鉑金。
[0024]上述發(fā)明具有如下優(yōu)點或者有益效果:
[0025]本發(fā)明公開了一種觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，通過制作一定大小尺寸并包含特定尺寸通孔的硅基載體作為TEM(透射電鏡)樣品承載裝置，并將需要觀察的銅通孔結(jié)構(gòu)的TEM樣品放置于硅基載體的通孔之上并予以固定，可以對銅通孔結(jié)構(gòu)的TEM樣品進(jìn)行多次拍攝，第一次拍攝可以得到銅通孔的整體形貌，去除銅后再次進(jìn)行拍攝可以去除銅對阻擋層拍攝的干擾，得到清晰的阻擋層圖片，從而可以清晰的觀察到銅通孔結(jié)構(gòu)的形貌。且該方法也適用于TEM樣品的化學(xué)染色劑(stain)最佳時間的探索實驗。
【附圖說明】
[0026]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
[0027]圖1是本發(fā)明實施例中觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；
[0028]圖2?9是本發(fā)明實施例中觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法的流程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖8b是圖8aAA處的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0031]本發(fā)明公開了一種觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，該銅通孔結(jié)構(gòu)包括銅通孔和設(shè)置于銅通孔側(cè)壁的阻擋層，具體的，該方法包括如下步驟:
[0032]提供銅通孔結(jié)構(gòu)的TEM樣品；
[0033]提供一硅基載體，硅基載體中設(shè)置有具有預(yù)定尺寸的通孔；
[0034]將TEM樣品放置于通孔上并予以固定；
[0035]將固定有TEM樣品的硅基載體放入透射電鏡機(jī)臺中觀察銅通孔的形貌；
[0036]繼續(xù)將固定有TEM樣品的所硅基載體放入硝酸中去除銅后放入透射電鏡機(jī)臺中觀察阻擋層的形貌。
[0037]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述形成硅基載體的方法包括如下步驟:
[0038]提供一芯片載體，芯片載體包括娃襯底和位于娃襯底之上的第一金屬層；
[0039]于芯片載體上制備孔洞；
[0040]繼續(xù)對芯片載體進(jìn)行拋光并對孔洞進(jìn)行處理以得到具有預(yù)定尺寸的通孔，形成硅基載體。[0041 ] 在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，通過激光器于芯片載體上制備孔洞。
[0042]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述拋光為化學(xué)拋光。
[0043]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，采用聚焦離子束對孔洞進(jìn)行處理得到具有預(yù)定尺寸的通孔。
[0044]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述阻擋層的材質(zhì)為鉭或者氮化鉭。
[0045]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，根據(jù)TEM樣品的尺寸確定通孔的尺寸。
[0046]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，將TEM樣品放置于通孔上并予以固定的步驟具體為:
[0047]通過拾取系統(tǒng)將TEM樣品放置于通孔上；
[0048]將TEM樣品固定于硅基載體上。
[0049]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，通過金屬將TEM樣品固定于硅基載體上。
[0050]在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述金屬為鉑金。
[0051]下面結(jié)合附圖以具體的實施例來對本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述:
[0052]如圖1所示，本發(fā)明公開了一種觀察銅通孔結(jié)構(gòu)的方法，該銅通孔結(jié)構(gòu)包括銅通孔和設(shè)置于銅通孔側(cè)壁的阻擋層，該