技術編號：9490568
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體技術的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實現(xiàn)的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導體工業(yè)已經(jīng)進步到納米技術工藝節(jié)點，半導體器件的制備受到各種物理極限的限制。隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小，來自制造和設計方面的挑戰(zhàn)促使了三維設計如鰭片場效應晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對于現(xiàn)有的平面晶體管，F(xiàn)inFET是用于22nm及以下工藝節(jié)點的先進半導體器件，其可以有效控制器件按比例縮小所導致的難以...
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