專利名稱：一種完全遏制惡性雜草薇甘菊新個(gè)體生長的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及植物領(lǐng)域，具體是涉及一種遏制薇甘菊生長的方法。
背景技術(shù)：
薇甘菊原產(chǎn)中、南美洲，傳播到印度次大陸、東南亞等地及我國香港、廣東南部成為惡性害草。薇甘菊喜光，很易向植物群落上層生長、擴(kuò)展，其莖、葉和花序在被覆蓋植物的頂部形成厚覆蓋層，導(dǎo)致被覆蓋植物缺少陽光，光合作用不能正常進(jìn)行，再加上覆蓋層的重壓，使被覆蓋的植物生長不良直至死亡，造成極大的危害，是世界上公認(rèn)的害草。目前采用的防除措施包括人工鏟除、化學(xué)除莠、生物防治、生態(tài)防除和群落改造等多種方法。人工鏟除不能根本遏制薇甘菊及新個(gè)體生長；化學(xué)除莠劑降解后也不再能遏制薇甘菊新個(gè)體的生長，且對(duì)周邊生態(tài)環(huán)境的造成負(fù)面影響；使用天敵的生物防治因涉及被釋放的天敵的生態(tài)安全和能否建立自然種群而未有野外成功實(shí)例。生態(tài)防除的探索是根據(jù)薇甘菊不耐陰的特性而營造一個(gè)不利于薇甘菊生長的環(huán)境來抑制薇甘菊的危害，主要是混合種植喬木，如米老排(Mytilaria laosensis Lec.)、樟(Cinnamomum camphora(L.)Presl)、紅荷木(Schima wallichii(DC.)Korth)、幌傘楓(Heteropanax fragrans(Roxb.)Seem.)、大葉桃花心木(Swietenia macrophylla King)、紅千層(Callistemon rigidus R.Br.)、木菠蘿(Artocarpus heterophyllus Lam.)等，但均未能完全遏制薇甘菊新個(gè)體生長。由于群落改造有利于被入侵種破壞的生態(tài)系統(tǒng)的重建和恢復(fù)，因此，群落改造方法越來越受到重視，但尚未有只用二個(gè)生長季的撫育就能使新的薇甘菊個(gè)體不再出現(xiàn)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述現(xiàn)有薇甘菊防治存在的問題，提供一種在種植并撫育幌傘楓(Heteropanax fragrans(Roxb.)Seem.)2年后便能完全遏制薇甘菊新個(gè)體生長的群落改造方法。
本群落改造方法通過采用種植五加科的幌傘楓(Heteropanaxfragrans(Roxb.)Seem.)以抑制惡性雜草薇甘菊(Mikania micranthaH.B.K.)的生長。本方法是在適宜造林的季節(jié)，在要遏制薇甘菊生長的范圍種植純林的幌傘楓。
上述種植幌傘楓所采用的幌傘楓是幌傘楓當(dāng)年或1年實(shí)生苗，幌傘楓種植的株行距為1.45m×1.45m至1.55m×1.55m之間。
上述用幌傘楓種植的范圍，所圍成的面積不少于56.25平方米，邊緣的幌傘楓植株至少與另一個(gè)幌傘楓植株的距離不少于7.5m。
上述種植的幌傘楓，種植時(shí)間不少于2年，在2年內(nèi)撫育幌傘楓，使幌傘楓植株不被其它植物遮蓋，正常生長無死亡，2年后幌傘楓高度在2.5m以上，成熟復(fù)葉的長度在1m以上。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明通過在要遏制薇甘菊生長的范圍內(nèi)種植幌傘楓純林，種植2年后，在外圍幌傘楓的莖干所圍成的范圍內(nèi)，春、夏薇甘菊種子萌發(fā)的適宜季節(jié)已極少有薇甘菊種子幼苗出現(xiàn)，當(dāng)年冬季到來時(shí)(12月)所有新生幼苗已全部死亡，林下無當(dāng)年長成的薇甘菊個(gè)體。達(dá)到了幌傘楓種植后撫育2個(gè)生長季就完全遏制薇甘菊新個(gè)體生長的目的。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例12001年4月在深圳內(nèi)伶仃福田國家自然保護(hù)區(qū)內(nèi)伶仃島東灣10公頃人工種植群落改造樣地中，選取3個(gè)樣地，面積大小和形狀分別為56.25M2(橢圓形)、108M2(長方形)、225M2(正方形)，以1.5±0.2M×1.5±0.2M的種植密度種植一年生幌傘楓實(shí)生苗，種植當(dāng)年對(duì)樹苗隔月施加復(fù)合肥，共2次。種植后兩年內(nèi)對(duì)幼苗進(jìn)行人工撫育，清除周邊雜草，使得植被不被其他植物遮蓋；每年兩次，分別在春末和秋末。2年后幌傘楓高度在2.5M以上，復(fù)葉長度在1M以上。2003年12月、2004年6月、2004年12月對(duì)幌傘楓純林林下調(diào)查，發(fā)現(xiàn)無薇甘菊幼苗存活，其他植被的幼苗也較少見。
2004年3月在深圳內(nèi)伶仃福田國家自然保護(hù)區(qū)內(nèi)伶仃島東灣已長成林的幌傘楓林下種植薇甘菊幼苗70棵，成活前澆水保持水分，成活率為90％，作為對(duì)照，在相同光照強(qiáng)度附近的雜草林中種植薇甘菊30棵，同樣成活前澆水，成活率93.4％，隨后每月觀察林內(nèi)、林外薇甘菊存活率及長勢(shì)。2004年7月林內(nèi)薇甘菊幼苗全部死亡，林外存活率為67％。
權(quán)利要求
1.一種完全遏制惡性雜草薇甘菊新個(gè)體生長的方法，其特征在于采用種植五加科的幌傘楓以抑制薇甘菊的生長。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的種植幌傘楓是在適宜造林的季節(jié)，在要遏制薇甘菊生長的范圍內(nèi)種植純林的幌傘楓。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述的種植幌傘楓是采用幌傘楓當(dāng)年或1年實(shí)生苗種植，幌傘楓的株行距為1.45m×1.45m至1.55m×1.55m之間。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所種植的幌傘楓所圍成的面積不少于56.25平方米，邊緣的幌傘楓植株至少與另一個(gè)幌傘楓植株的距離不少于7.5m。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于所述的種植幌傘楓的種植時(shí)間不少于2年，在2年內(nèi)撫育幌傘楓，使幌傘楓植株不被其它植物遮蓋，正常生長無死亡，2年后幌傘楓高度在2.5m以上，成熟復(fù)葉的長度在1m以上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種完全遏制惡性雜草薇甘菊新個(gè)體生長的方法。本發(fā)明是一種建造人工植物群落的方法，通過采用種植面積不小于56.25m
文檔編號(hào)A01G7/00GK1826864SQ20051003330
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2005年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月28日
發(fā)明者李鳴光, 劉斌, 余萍, 王伯蓀, 昝啟杰, 王勇軍, 成秀媛, 余華 申請(qǐng)人:中山大學(xué), 廣東內(nèi)伶仃福田國家級(jí)自然保護(hù)區(qū)管理局