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      一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法

      文檔序號:210362閱讀:565來源:國知局
      專利名稱:一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及殺菌消毒領域,特別涉及一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法。
      背景技術
      消毒領域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產(chǎn)的酸性氧化電位水生成機及由生成機產(chǎn)生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱E0W)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。酸性氧化電位水殺菌的機理如下首先,自然界中大多數(shù)種類的微生物生活在pH 4-9的環(huán)境中,而酸性氧化電位水的PH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養(yǎng)料的吸收、酶的活性,并改變環(huán)境中養(yǎng)料的可給性或有害物質的毒性,從而快速殺滅微生物。其次,由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內外的分布不同,使得膜內、外電位達到動態(tài)平衡時有一定的電位差,一般約為-700 +900mV。需氧細菌的生物膜內外的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細菌的生物膜內外的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質和pH等因素,使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即ORP > IlOOmV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子,干擾生物膜平衡,改變生物膜內外電位差、膜內外的滲透壓,導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及細胞代謝酶的破壞,使胞內物質溢出、溶解,從而快速殺滅微生物。最后,有效氯能使細胞的通透性發(fā)生改變,或使生物膜發(fā)生機械性破裂,促使細胞內溶物向外滲出,致使細菌死亡。并且,次氯酸為中性小分子物質,易侵入細胞內與蛋白質發(fā)生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶,使糖代謝失調致使細菌死亡,從而快速殺滅微生物。EOW系統(tǒng)的殺菌能力是以ACC為主導,低pH值及高ORP為重要促進的三者協(xié)同作用的結果。該系統(tǒng)協(xié)同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和,其ACC越高、PH值越低、ORP越高,系統(tǒng)綜合滅菌效果就越好。但是,現(xiàn)有的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明的第一目的在于提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,以解決現(xiàn)有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本發(fā)明的第二目的在于提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,以解決現(xiàn)有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本發(fā)明目的通過以下技術方案實現(xiàn)一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,包括以下步驟(I)提供pH調節(jié)劑A單元;(2)提供有效氯提供單元B單元;
      (3)將所述A單元與所述B單元混合,得到強氧化性溶液,所述強氧化性溶液的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3_5000mg/L,其總銅的含量不高于 2000mg/L。優(yōu)選地,所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。優(yōu)選地,在步驟(I)中還包括對所述A單元進行去除部分銅的預處理。優(yōu)選地,在步驟⑵中還包括對所述B單元進行去除部分銅的預處理。優(yōu)選地,在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理。 優(yōu)選地,對所述A單元進行去除部分銅的預處理的方法可選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。優(yōu)選地,對所述B單元進行去除部分銅的預處理的方法可選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。優(yōu)選地,所述對A單元與B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理的方法可選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。優(yōu)選地,所述去除部分銅的處理方式為快速處理方式,或低溫條件下處理,或將B單元離子型有效氯轉為分子型有效氯;或將離子銅轉為非離子性衍生物,使之與離子型有效成分區(qū)分,去除目的性雜質銅后,再恢復至有效氯的穩(wěn)定形態(tài)。優(yōu)選地,所述A單元為酸性或弱堿性。優(yōu)選地,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優(yōu)選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,包括使用前獨立分裝的A單元和B單元,所述A單元為PH調節(jié)劑;所述B單元為有效氯提供單元,所述A單元與所述B單元混合后得到強氧化性溶液,所述強氧化性溶液的PH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。優(yōu)選地,所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。優(yōu)選地,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優(yōu)選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,所述殺菌水的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。優(yōu)選地,所述殺菌水中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。優(yōu)選地,所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、無機堿、有機堿、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。
      優(yōu)選地,所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。與現(xiàn)有的酸性氧化電位殺菌水相比,本發(fā)明有以下優(yōu)點1、本發(fā)明的氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性,從而擴大了應用范圍;2、在使用前,本發(fā)明的氧化電位殺菌水的A單元和B單元單獨存放,當要使用時,再將A單元和B單元混合,解決了氧化電位殺菌水的儲藏問題,使用非常方便;3、在制備本發(fā)明的氧化電位殺菌水的過程中,增強了人為可調節(jié)性,可根據(jù)實際需求調節(jié)殺菌水的PH值、有效氯含量及氧化還原電位。


      圖1為PH = 2. 0-8. O的環(huán)境中,pH/ 二價銅對銅的腐蝕效果示意圖;圖2-3為pH = 2. 0-8. O的氧化性環(huán)境中,有效氯與二價銅協(xié)同作用對銅的腐蝕效果的不意圖;圖4-5為pH = 2. 0-8. O的氧化性環(huán)境中,pH與二價銅協(xié)同作用對銅的腐蝕效果的不意圖;圖6-9為pH = 2. 0-8. O的氧化性環(huán)境中,不同價態(tài)的銅對銅的腐蝕效果的示意圖;圖10-13為pH = 2. 0-8. O的氧化性環(huán)境中,不同組成的總銅對銅的腐蝕效果的示意圖;圖14為pH = 2. 0-8. O的氧化性環(huán)境中,不同的A、B單元的混合方式對銅的腐蝕性的關系示意圖。
      具體實施例方式以下對本發(fā)明進行詳細描述。目前,針對酸性氧化電位殺菌水對金屬的腐蝕性已經(jīng)展開了初步研究,已公布的結果顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對其腐蝕的機理的研究并沒有進行,其腐蝕性通常被認為是過酸酸性(PH2-3)引起的,甚至認為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕。已公布的結果顯示酸性氧化電位水,對不銹鋼基本無腐蝕至輕度腐蝕,對碳鋼、銅、鋁中度至嚴重腐蝕,其結論的差異很大。酸性氧化電位水對金屬的腐蝕主要是三方面因素造成,一是體系酸性,氫離子與活潑金屬(鐵、鎂、鋅等)的置換氫氣反應;二是體系的氧化性(有效氯);三是體系中其它離子的影響。但是酸性與氧化性是酸性氧化電位水的理化特質,也是殺菌性能的決定因素,因此,在一定意義上,殺菌性能與金屬的腐蝕性是共存的矛盾體。與電解法相比,化學法制備氧化電位溶液,通過計算即可控制溶液中的組分含量,其A、B單元的物質來源范圍更廣泛。但是也造成了溶液中引入的雜質的來源更為復雜。以下重點討論總銅及二價銅在pH = 2-8的氧化性環(huán)境中的腐蝕性。所述二價銅是指化學價態(tài)為正2價的所有形態(tài)的銅的總和。所述總銅是指各種化學價態(tài)的所有形態(tài)的銅的總和。
      化學法制備氧化電位溶液,體系中銅的引入主要有三種途徑,其一,所使用的酸堿調節(jié)劑及有效氯中本身含有或者產(chǎn)生銅元素,如氯化銅或者次氯酸銅或者氫氧化銅等;其二,所使用原料中夾帶含銅雜質;其三,含銅的其他作用的組份,如增稠劑、穩(wěn)定劑、強化劑
      坐寸ο二價銅對銅的腐蝕通過如下基本方式進行,Cu2++Cu = 2 Cu+-1Cu++[O] = Cu2++e-2
      在常溫、中性及非氧化性溶液中,反應2的進行是緩慢的,上述系列反應可以理解為單純二價銅的腐蝕效果取決于二價銅的初始含量(反應I),當二價銅消耗盡時,腐蝕過程結束。二價銅的含量相對穩(wěn)定時,其腐蝕效果變化不大,或者隨著反應2的緩慢進行腐蝕效果緩慢增強。在氧化電位水中,有效氯的引入及低pH的環(huán)境,加速了反應2的進行,促進了金屬與二價銅的直接產(chǎn)物一價銅重新轉變?yōu)槎r銅,減少了二價銅的降低,從而使體系中二價銅的含量在對銅腐蝕的過程中保持持續(xù)增加狀態(tài),進而加劇了反應I進行。由上可知,含二價銅的氧化電位水,二價銅與氫離子及有效氯相互作用,極大的影響了體系對金屬的腐蝕性。同時可知,一價銅或者零價銅(或者總銅中的一價銅、零價銅)在穩(wěn)定的環(huán)境中是沒有腐蝕性的,但是在PH = 2-8的氧化性環(huán)境中,一價銅不斷轉變?yōu)槎r銅(反應2),并與二價銅形成動態(tài)的、平衡的共存體;零價銅也同時存在被氧化為二價銅的趨勢。因此,一價銅及零價銅的腐蝕性實際取決于生成二價銅的量,即轉變的速率及轉化的量。由此也可以知道,總銅的腐蝕性實際為二價銅所決定。所以在總銅含量相同的情況下,總銅的腐蝕活性從大到小順序為,100% 二價銅組成的總銅 > 不同比例的零價銅、一價銅、二價銅組成的總銅;又由于一價銅轉化為二價銅的趨勢遠遠大于零價銅的轉化趨勢,所以100%二價銅組成的總銅> 100%—價銅組成的總銅> 100%零價銅組成的總銅;100%—價銅組成的總銅>不同比例的一價銅與零價銅組成的總銅> 100%零價銅組成的總銅。由于一價銅、零價銅本身并不具有腐蝕性,且一價銅在氧化性環(huán)境中不斷衰減,因此以二價銅的含量或者總銅的含量表示具有催化腐蝕性的銅更為方便與準確。請參閱圖1,圖中顯示pH = 2-8的體系中,氫離子濃度的上升,使體系對金屬的腐蝕性有所上升。同時可見,二價銅的加入及含量上升,增加了體系對金屬的腐蝕性。同時可見,氫離子與二價銅協(xié)同作用,增強了體系對金屬的腐蝕性。請參閱圖2-圖3,圖中顯示pH = 2-8的氧化性(含ACC)體系中,二價銅與有效氯協(xié)同作用,影響了體系對金屬的腐蝕性,使體系對金屬腐蝕性產(chǎn)生突躍。其中,不同的有效氯含量(3-5000ppm), 二價銅的濃度> 2000ppm時,均會產(chǎn)生對金屬腐蝕性的突躍。同時可知,有效氯的降低,降低了體系對金屬的腐蝕,而且降低了突躍顯著性。請參閱圖4-圖5,圖中顯示pH = 2-8的氧化性(含ACC)體系中,二價銅與氫離子協(xié)同作用,影響了體系對金屬的腐蝕性,使體系對金屬腐蝕性產(chǎn)生突躍。其中,PH2-8的范圍內,二價銅的濃度> 2000ppm時,均會產(chǎn)生對金屬腐蝕性的突躍。同時可知,酸性的降低,降低了體系對金屬的腐蝕,而且降低了突躍顯著性。比較圖1-圖5可得出結論,在pH = 2-8的范圍內,控制二價銅含量在0_2000ppm及有效氯含量在3-5000ppm,可以控制或者降低氧化電位殺菌水的金屬腐蝕性?;瘜W法配制氧化電位殺菌水,涉及銅的形態(tài)及價態(tài)有多種,如以形態(tài)分類,則包括氧化銅、游離銅離子、難溶性銅鹽,以化合價分類,則包括零價銅、一價銅、二價銅。請參閱圖6-圖9,圖中顯示pH = 2-8的氧化性(含ACC)體系中,有效氯(3-5000ppm)與不同價態(tài)的銅協(xié)同作用,對金屬的腐蝕活性產(chǎn)生相似的特性。銅含量的增大,使體系對金屬腐蝕性產(chǎn)生突躍。其腐蝕活性從大至小的順序為二價銅>一價銅>零價銅。其中,二價銅的腐蝕活性最強,其產(chǎn)生腐蝕性突躍的濃度最低(2000ppm)。其它價態(tài)的銅,隨著活性降低,腐蝕活性降低或者突躍所需的濃度增大(> 2000ppm)。
      請參閱圖10-圖13,圖中顯示pH = 2-8的氧化性(含ACC)體系中,有效氯(3-5000ppm)與不同組成的總銅協(xié)同作用,對金屬的腐蝕活性產(chǎn)生相似的特性??傘~含量的增大,使體系對金屬腐蝕性產(chǎn)生突躍。不同組成的總銅具有不同的腐蝕活性,其中,二價銅的腐蝕活性最強,因此完全由二價銅組成的總銅的腐蝕性突躍的濃度最低(2000ppm),相同含量下,其腐蝕性大于含有其他價態(tài)的銅的總銅。比較圖1-圖5可知,當控制二價銅含量(0-2000ppm)及有效氯含量(3-5000ppm)可以控制或降低氧化電位殺菌水的金屬腐蝕性時,那么比較圖6-圖13,控制總銅含量在
      0-2000ppm及有效氯含量在3-5000ppm,同樣可以控制或降低氧化電位殺菌水的金屬腐蝕性。我們知道,游離氯氣或者其衍生物可以增強體系的氧化性及殺菌性能。將A單元加入B單元,可以在一定程度上降低混合液的氧化性,同時降低了游離氯氣帶來的安全性的風險。因此,優(yōu)先采取將A單元加入B單元的添加方式。如圖14所示,通過控制A、B單元的混合方式,將A單元加入B單元,可以一定程度降低對金屬的腐蝕性。將A單元加入B單元,可采取一次性加入或者分批加入或者緩慢加入或者噴霧加入或者滴加方式。由上可知,含二價銅或者總銅的氧化電位水,二價銅(或者總銅中的二價銅和可以轉化為二價銅的一價銅和零價銅)與氫離子及有效氯相互作用,極大的影響了體系對金屬的腐蝕性。本發(fā)明提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,包括以下步驟(I)提供pH調節(jié)劑A單元; (2)提供有效氯提供單元B單元;(3)將A單元與B單元混合,得到強氧化性溶液,強氧化性溶液的pH值在2_8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L0本發(fā)明還提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,包括使用前獨立分裝的A單元和B單元,A單元為pH調節(jié)劑;B單元為有效氯提供單元,A單元與B單元混合后得到強氧化性溶液,強氧化性溶液的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。A單元為酸性或弱堿性的固體或液體,其中液體的pH值優(yōu)選為0-8間,又優(yōu)選為
      1-6間,再優(yōu)選為1-5間,還優(yōu)選為2-4間,最優(yōu)選為2-3間。A單元選自酸性物質或堿性物質或酸性物質與堿性物質的組合。其中酸性物質可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽或酸性物質的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質的強酸鹽,如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、硝酸銅或氯化銨。酸性物質的前體是指在溶液中能夠轉化為酸性物質的物質,如酸的酰氯衍生物,如琥珀酰氯。其中堿性物質可選自無機堿、有機堿、強堿弱酸鹽的一種或者幾種。無機堿可選自堿金屬的氫氧化物,如氫氧化鈉、氫氧化鉀等,也可選自堿土金屬的氫氧化物,如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等,也可以選自過渡金屬的氫氧化物,如氫氧化鋅、氫氧化鐵等。有機堿可選自含氮物質,如氨水、二乙醇胺、三乙胺、天然生物堿等。強堿弱酸鹽,如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。其中酸性物質與堿性物質的組合可選自弱酸弱堿鹽如檸檬酸銨或強酸弱堿鹽與強堿弱酸鹽的組合或弱酸與其共軛堿的組合。B單元可含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 ·1/4Ν&0α ·12Η20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質是指與酸或水反應可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質,且其在B單元中的穩(wěn)定性高于在Α、Β單元的混合液中,有效氯前體物質可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺Τ、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。B單元的有效氯為有效氯的穩(wěn)定形態(tài)。穩(wěn)定形態(tài)的有效氯是指在B單元中具有更好穩(wěn)定性,與酸或水反應可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質。B單元中有效氯含量應保證Α、B單元混合液中的有效氯含量為3-5000mg/L。A單元與B單元混合液中有效氯含量為3-5000mg/L,其中優(yōu)選為3_4000mg/L,再優(yōu)選為 3-3000mg/L,還優(yōu)選為 3_2000mg/L,又優(yōu)選為 3-1000mg/L,最優(yōu)選為 30_500mg/L。B單元為中性或者堿性的固體或液體,其中液體優(yōu)選為pH不低于8,再優(yōu)選為pH不低于9,還優(yōu)選為pH不低于10,又優(yōu)選為pH不低于11,更優(yōu)選為pH不低于12,最優(yōu)選為pH不低于13。B單元的pH控制可以是強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。B單元所含堿性物質可選自堿金屬的氫氧化物,如氫氧化鈉、氫氧化鉀等,也可選自堿土金屬的氫氧化物,如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等,也可以選自過渡金屬的氫氧化物,如氫氧化鋅、氫氧化鐵等,也可以選自含氮物質,如氨水、二乙醇胺、三乙胺等,也可選自強堿弱酸鹽,如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。A單元與B單元混合液的pH值在2-8間,其中優(yōu)選為3_8,再優(yōu)選為4_8,還優(yōu)選為5-8,最優(yōu)選為6-8。A單元與B單元混合液中總銅含量不高于2000mg/L,其中優(yōu)選為不高于1750mg/L,再優(yōu)選為不高于1500mg/L,又優(yōu)選為不高于1250mg/L,還優(yōu)選為不高于750mg/L,最優(yōu)選為不高于500mg/L??刂瓶傘~及二價銅含量的方法,其一,通過調整A、B單元的體積及內在組分控制AB單元混合液中總銅及二價銅的物質含量;其二,通過A或(及)B單元的預處理,去除部分總銅及二價銅;其三,通過AB單元混合液的后處理,去除部分總銅及二價銅。所述去除總銅及二價銅的方法可以選擇如下方法的一種或者幾種,以去除或者屏蔽部分總銅及二價銅??梢约尤肟傘~或二價銅失活劑,如沉淀劑與Cu2+形成沉淀-OH—、CO32'S2_,如螯合劑與Cu2+形成大分子螯合物-EDTA ;也可以利用膜分離法,如反滲透膜、離子選擇膜、過濾、超濾、納濾;也可以利用電化學法,如電滲析法、電解法;也可以利用層析法、吸附法或離子交換法。含有效氯的溶液在通過上述方法降低總銅或二價銅時,通常有效氯會有一定的損失,其含量需要重新測定。為了減少有效氯的損失,可以選擇快速處理方式;也可以選擇低溫條件下處理;也可以將B單元離子型有效氯轉為分子型有效氯(酸性),使之與離子性物質區(qū)分;也可以將離子銅轉為非離子性衍生物,使之與離子型有效成分(如,氫離子、次氯酸鈉)區(qū)分。去除目的性雜質(總銅或二價銅)后,再恢復至有效氯的穩(wěn)定形態(tài)或活化形態(tài)。
      本發(fā)明還提供一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,殺菌水的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅含量不高于2000mg/L。其pH值為2-8,其中優(yōu)選為3-8間,又優(yōu)選為4_8間,再優(yōu)選為5_8間,最優(yōu)選為
      5-7 間。其pH值的控制,可以單獨由酸性物質或堿性物質控制或者由酸性物質與堿性物質共同控制,使低腐蝕性的氧化電位殺菌水含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、無機堿、有機堿、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。所述酸性物質可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、弱酸弱堿鹽或酸性物質的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質的強酸鹽,如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、硝酸銅或氯化銨。酸性物質的前體是指在溶液中能夠轉化為酸性物質的物質,如酸的酰氯衍生物,如琥珀酰氯。所述堿性物質可以是無機堿、有機堿、強堿弱酸鹽或者弱酸弱堿鹽的一種或者幾種。無機堿可選自堿金屬的氫氧化物,如氫氧化鈉、氫氧化鉀等,也可選自堿土金屬的氫氧化物,如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等,也可以選自過渡金屬的氫氧化物,如氫氧化鋅、氫氧化鐵等;有機堿可選自含氮物質,如氨水、二乙醇胺、三乙胺、天然生物堿等;強堿弱酸鹽,如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。所述弱酸弱堿鹽如檸檬酸銨,或強酸弱堿鹽與強堿弱酸鹽的組合。所含有效氯可由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 ·1/4Ν&0α ·12Η20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質是指與酸或水反應可以生成活化態(tài)有效氯的含氯物質,有效氯前體物質可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺T、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。其有效氯含量3-5000mg/L,其中優(yōu)選為3_4000mg/L,再優(yōu)選為3_3000mg/L,又優(yōu)選為 3-2000mg/L,更優(yōu)選為 3-1000mg/L,最優(yōu)選為 30_500mg/L。其總銅含量不高于2000mg/L,其中優(yōu)選為不高于1750mg/L,再優(yōu)選為不高于1500mg/L,又優(yōu)選為不高于1250mg/L,還優(yōu)選為不高于1000mg/L,最優(yōu)選為不高于500mg/L0以下結合實施例詳細說明本發(fā)明。
      實施例1 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :檸檬酸-檸檬酸鈉緩沖溶液(PH2-3),量取1000L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅5g)。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g),稱取12g,分裝,得B單元(有效氯約3g)。使用時,將A單元與B單元混合,使B單元溶解,制得1000L強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3,0RP1030-1130mV,ACC3mg/L,總銅 5mg/L,其中二價銅 5mg/L)。此時,溶液中含有有機弱酸、強堿弱酸鹽。實施例2 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為30mg/L)原料A:乳酸-乳酸鈉緩沖溶液(pH3-5),量取1000L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅24g)。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g),稱取120g,分裝,得B單元(有效氯約30g,含二價銅Ig)。使用時,將B單元加入A單元,使B單元溶解,制得1000L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3-5,ORP1000-11OOmV,ACC30mg/L,總銅 25mg/L,其中二價銅 25mg/L)。此時,溶液的 pH由酸性物質與堿性物質共同控制。實施例3 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :磷酸-磷酸鈉緩沖溶液(pH5_7),量取1000L,灌裝,封口,得A單元。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g),稱取2Kg,分裝,得B單元(有效氯約500g,含二價銅 50g)。使用時,將A單元加入B單元,使B單元溶解,制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7,0RP900-1 IOOmV, ACC500mg/L,總銅 50mg/L,其中二價銅 50mg/L)。此時,溶液中含有無機酸、強堿弱酸鹽。實施例4 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :硫酸水溶液(ρΗ2· 5),量取1000L,灌裝,封口,得A單元(含一價銅75g)。原料B :氯胺T (有效氯0. 25g/g),稱取4Kg,添加120g氫氧化鈉,混合包裝,得B單元(有效氯約IKg)。使用時,將A單元緩慢加入B單元(不小于15分鐘),使B單元溶解,制得1000L弱酸性氧化電位殺菌水(PH3-4,0RP1100-1200mV, ACC1000mg/L,總銅75mg/L,其中一價銅彡75mg/L)。此時,溶液中含有強酸、強酸強堿鹽。實施例5 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH2. 5),量取500L,鹽酸水溶液(pH2. 5),量取500L,兩種酸液混合,包裝,得A單元(含一價銅90g)。原料B:三氯異氰尿酸(有效氯O. 4g/g),稱取5Kg,添加168g碳酸鈉,混合分裝,得B單元(有效氯約2Kg,含一價銅IOg)。使用時,將A單元分批加入B單元,使B單元溶解,每批添加量100L,制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(PH5-7,0RP1100-1200mV,ACC2000mg/L,總銅100mg/L,其中一價銅^ 100mg/L。實施例6 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH4.0),量取1000L,添加Imol氯化鋁,溶解后,灌裝,封口,
      得A單元。
      原料B:固體二氧化氯(有效氯O. 2g/g),稱取25Kg,添加17g碳酸鈉,混合分裝,得B單元(有效氯約5Kg,含一價銅150g)。使用時,將A單元分批加入B單元,每批添加量50L,制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7,0RP1100-1200mV,ACC5000mg/L,總銅 150mg/L,其中一價銅彡 150mg/L)。實施例7 :配置IOL強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A:鹽酸水溶液(pH2-3),量取9.99L,灌裝,封口,得A單元(含零價銅2g)。原料B :穩(wěn)定性二氧化氯溶液(有效氯3mg/ml, pH10_ll,氫氧化鈉調節(jié)),量取10ml,灌裝,封口,得B單元(有效氯30mg)。使用時,將A單元與B單元混合,制得IOL強酸性氧化電位殺菌水(pH2_3,0RP1050-1150mV, ACC3mg/L,總銅200mg/L,其中零價銅200mg/L)。此時,溶液中含有強酸、
      強酸強堿鹽。實施例8 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為250mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH3-3. 5),量取9. 9L,灌裝,封口,得A單元(含零價銅2g)。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯25mg/ml,pH= 10-11,氫氧化鈉調節(jié)),量取O. 1L,灌裝,封口,得B單元(有效氯2. 5g,含零價銅O. 5g)。使用時,將A單元與B單元混合,制得IOL弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,ORP1000-11OOmV, ACC250mg/L,總銅 250mg/L,其中零價銅 250mg/L)。實施例9 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A:鹽酸水溶液(pH5. 0-6.0),量取9L,灌裝,封口,得A單元。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯10mg/ml, pH = 7. 5,氫氧化鈉調節(jié)),量取1L,灌裝,封口,得B單元(有效氯10g,含零價銅3g)。使用時,將B單元加入A單元,制得10L微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7,ORP1000-11OOmV,ACC1000mg/L,總銅300mg/L,其中零價銅300mg/L)。此時,溶液中含有強
      酸、強酸強堿鹽。實施例10 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2-2. 5),量取9L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅3g)。原料B:次氯酸鈉溶液(有效氯15mg/ml,pH = 12. 5,氫氧化鈉-碳酸鈉調節(jié)),量取1L,灌裝,封口,得B單元(有效氯15g,含一價銅0. 5g)。使用時,將A單元加入B單元,混合均勻,制得10L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,0RP1050-1200mV,ACC1500mg/L,總銅 350mg/L,其中二價銅 300mg/L、一價銅 50mg/L)。此時,溶液中含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例11 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A:鹽酸水溶液(pH = 3-3. 5),量取9. 8L,灌裝,封口,得A單元(含一價銅3. 5g)。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml, pH = 12,氫氧化f丐調節(jié)),量取200ml,灌裝,封口,得B單元(有效氯20g,含二價銅O. 5g)。使用時,將A單元分批加入B單元,每批加入量50ml,制得IOL微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7,0RP1000-1200mV, ACC2000mg/L,總銅 400mg/L,其中二價銅 50mg/L、一價銅350mg/L)。實施例12 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2500mg/L)原料A:鹽酸水溶液(pH2-3),量取9.75L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅4g、一價銅O. 5g)。原料B:次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml, pH = 12, 二乙胺調節(jié)),量取250ml,灌裝,封口,得B單元(有效氯25g)。使用時,將A單元緩慢加入B單元(時間不小于I分鐘),制得IOL微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7,0RP1000-1200mV,ACC2500mg/L,總銅 450mg/L,其中二價銅 400mg/L、一價銅 50mg/L)。實施例13 :配置IOL強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A:鹽酸水溶液(PH2.0-3.0),量取9L,灌裝,封口,得A單元。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯30mg/ml,pH = 8. 0,碳酸氫鈉調節(jié)),量取1L,灌裝,封口,得B單元(有效氯30g,含二價銅4. 5g、一價銅O. 5g)。使用時,將A單元緩慢(不少于5分鐘)加入B單元,制得IOL強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3,0RP1200-1400mV, ACC3000mg/L,總銅 500mg/L,其中二價銅 450mg/L、一價銅50mg/L)。實施例14 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3500mg/L)原料A 乙酸水溶液(ρΗ3· 0-4. O),量取9. 65L,添加O. OOlmol氯化鋁,溶解后,包裝,得A單元(含二價銅4g、一價銅O. 5g)。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯O. lg/ml,pH = 8. 5,碳酸鈉調節(jié)),量取350ml,包裝,得B單元(有效氯35g,含二價銅Ig)。使用時,將A單元噴霧加入B單元,制得IOL弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,0RP1000-1200mV, ACC3500mg/L,總銅 550mg/L,其中二價銅 500mg/L、一價銅 50mg/L)。此時,溶液中含有弱酸-弱酸強堿鹽緩沖體系。實施例15 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為4000mg/L)原料A:乙酸-乙酸鈉溶液(pH5. 0-5. 5),量取9. 6L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅3g、一價銅2g)。原料B :次氯酸鈉發(fā)生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯O. lg/ml,pH = 9.0,氫氧化鋁調節(jié)),量取O. 4L,灌裝,封口,得B單元(有效氯40g,含二價銅O. 5g、一價銅O. 5g)。使用時,將A單元滴加入B單元,制得IOL微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7,0RP1000-1200mV, ACC4000mg/L,總銅 600mg/L,其中二價銅 350mg/L、一價銅 250mg/L)。此時,溶液中含有乙酸-乙酸鈉緩沖體系。實施例16 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)原料A:酸性溶液(O.1M乙酸,O. OlM鹽酸),量取9. 5L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅6g)。原料B :次氯酸 鈉溶液(有效氯O. lg/ml,,三乙醇胺調節(jié)pH = 14),量取500ml,灌裝封口,得B單元(有效氯50g,含零價銅O. 5g)。使用時,將A單元加入B單元,制得IOL弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,ORPl 100-1300mV, ACC5000mg/L,總銅 650mg/L,其中二價銅 600mg/L、零價銅 50mg/L)。此時,溶液中含有乙酸-乙酸鈉緩沖體系。實施例17 :配置IOL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A:檸檬酸溶液(O. 01M),量取9L,灌裝,封口,得A單元(含零價銅6. 9g)。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯30mg/L,含氫氧化鈉O. 24M),量取1L,灌裝封口,得B單元(有效氯30mg,含二價銅O.1g)。使用時,將A單元分批加入B單元,每批400ml,制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH6. 95,0RP700mV,ACC3mg/L,總銅 700mg/L,其中二價銅 10mg/L、零價銅 690mg/L)。此時,溶液含檸檬鹽緩沖溶液。實施例18 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酒石酸粉末與琥珀酸粉末,各稱取O. 5mol,混合包裝,得A單元(含二價銅7g、零價銅O. 5g)。原料B:亞氯酸鈉溶液(有效氯lmg/ml,氫氧化鋇調節(jié)至pH = 13),量取10L,灌裝封口,得B單元(有效氯IOg)。使用時,將A單元與B單元混合,制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,ORPl 100-1200mV, ACC1000mg/L,總銅 750mg/L,其中二價銅 700mg/L、零價銅 50mg/L)。此時,溶液含緩沖溶液。實施例19 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A:琥珀酸溶液(IM),量取10L,灌裝,封口,得A單元。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g),稱取80g,得B單元(有效氯約20g,含二價銅3g,零價銅5g)。使用時,將A單元與B單元混合,制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3,0RP1200-1400mV, ACC2000mg/L,總銅 800mg/L,其中二價銅 300mg/L、零價銅 500mg/L)。實施例20 :配置IL氧化電位殺菌水(有效氯含量為4500mg/L)原料A :檸檬酸粉末,稱取0. 04mol,氯化鋅粉末,稱取0. 02mol,琥珀酰氯固體,稱取0. Olmol,三者混合(含二價銅10mg、零價銅20mg)。原料B:次氯酸鈣粉末(有效氯0. 2g/g),稱取22. 5g (有效氯約4. 5g,含二價銅IOmg)。將A原料與B原料及0. 2mol氯化韓(干燥劑,含二價銅IOmg)混合一元包裝。使用時,將上述組合物溶于IL水(含二價銅0. 8g)中,待溶液的pH彡8. O后,制得 IL 氧化電位殺菌水(pH2-8,0RP1000-1400mV, ACC4500mg/L,總銅 850mg/L,其中二價銅830mg/L、零價銅 20mg/L)。
      實施例21 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)原料A :氯化鋅溶液(O. 05M),量取O. 95L,灌裝,封口,得A單元(含零價銅O. 7g)。原料B :次氯酸鈉溶液(pH = 9),量取50ml (有效氯5g),灌裝,封口,得B單元(有效氯5g,含二價銅O. lg、零價銅O.1g)。使用時,將A單元與B單元混合,制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH3_5,0RP1100-1300mV, ACC5000mg/L,總銅 900mg/L,其中二價銅 100mg/L、零價銅 800mg/L)。實施例22 :配置IL氧化電位殺菌水(有效氯含量為400mg/L)原料A :氯化鋁固體,稱取O. O ImoI,氯化鋅粉末,稱取O. OOlmol,兩者混合包裝,得A單元(含二價銅5mg、零價銅5mg)。原料B :亞氯酸鈉溶液(pH = 9),量取IL (有效氯400mg),灌裝,封口,得B單元(有效氯400mg,其中含二價銅O. 9g、零價銅40mg)。使用時,將A單元與B單元混合,待溶液的pH彡8. O后,制得IL氧化電位殺菌水(pH2-8,0RP900-1200mV,ACC400mg/L,總銅 950mg/L,其中二價銅 905mg/L、零價銅 45mg/L)。實施例23 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為600mg/L)原料A :氯化鋅溶液(O. 05M),量取1L,灌裝,封口,得A單元(含一價銅990mg)。原料B :氯化磷酸三鈉固體,稱取6g,包裝,得B單元(有效氯0.6g,含零價銅IOmg)。使用時,將A單元與B單元混合,制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2_3,0RP1100-1300mV, ACC600mg/L,總銅 1000mg/L,其中一價銅 990mg/L、零價銅 10mg/L)。實施例24 :配置IL氧化電位殺菌水(有效氯含量為700mg/L)原料A :硫酸鐵固體,稱取0. 03mol,琥珀酰氯,稱取0. 02mol,兩者混合(含二價銅IOmg)。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯O. 25g/g),稱取2. 8g (有效氯約700mg,含零價銅IOmg)。將A原料與B原料及5g乙酸鈉(含一價銅50mg)混合一元包裝。使用時,將AB組合物溶于IL水(含二價銅1.18g)中,待溶液的pH彡8. O后,制得 IL 氧化電位殺菌水(pH2-8,0RP900-1300mV, ACC700mg/L,總銅 1250mg/L,其中二價銅1190mg/L、一價銅50mg/L、零價銅10mg/L)。因為硫酸鈣的溶解性差,所以體系中有不溶物,但是不影響其有效氯、pH、ORP的特性。實施例25 :配置IL氧化電位殺菌水(有效氯含量為800mg/L)原料A:琥珀酰氯,稱取0.05mol,包裝,封口,得A單元(含二價銅10mg、一價銅IOmg)。原料B :次氯酸鈉溶液(pH = 11,氫氧化鈉-碳酸鈉調節(jié)),量取1L(有效氯800mg),灌裝,封口,得B單元(有效氯800mg,含零價銅1480mg)。使用時,將A單元加入B單元,溶解,待溶液的pH< 8. O后,制得IL氧化電位殺菌水(pH2-8,0RP900-1300mV,ACC800mg/L,總銅 1500mg/L,其中二價銅 10mg/L、一價銅 IOmg/L、零價銅 1480mg/L)。實施例26 :配置IL氧化電位殺菌水(有效氯含量為4000mg/L)原料A :琥珀酰氯粉末,稱取0. 02mol,檸檬酸粉末,稱取0. Olmol,兩者混合(含二價銅5mg、一價銅5mg、零價銅5mg)。 原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯O. 25g/g),稱取8g,氯胺T (有效氯O. 25g/g),稱取8g,混合包裝(總有效氯4g,含二價銅IOmg)。 將A、B原料及5g氯化鈣(干燥劑,含二價銅5mg)混合一元包裝。使用時,將上述組合物溶于IL水(含二價銅1. 72g)中,待溶液的pH彡8. O后,制得 IL 氧化電位殺菌水(pH2-8,0RP1000-1400mV,ACC4000mg/L,總銅 1750mg/L,其中二價銅1740mg/L、一價銅 5mg/L、零價銅 5mg/L)。實施例27 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)
      原料A 電解產(chǎn)生酸性氧化電位水(pH2_3,ACC迅速分解),量取1000L,灌裝,封口,得A單元(含二價銅800g、一價銅70g、零價銅530g)。原料B :氯化磷酸三鈉粉末(有效氯O. lg/g),稱取25Kg,二氯異氰尿酸鈉(有效氯O. 25g/g),稱取10Kg,混合,包裝,得B單元(總有效氯5000g,含二價銅300g、零價銅300g)。使用時,將A單元與B單元混合,制得1000L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3,0RP1200-1400mV,ACC5000mg/L,總銅 2000mg/L,其中二價銅 1100mg/L、一價銅 70mg/L、零價銅 830mg/L)。實施例28 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為50mg/L)原料A :鹽酸溶液(pH2_3),量取1L,獨立包裝(含總銅2g)。原料B :氯氣/氮氣混合氣,灌裝量5ml,有效氯50mg,獨立高密封包裝。使用時,密閉條件下,將A單元加入B單元混合,制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-3,0RP1100-1200mV, ACC50mg/L,總銅 2000mg/L)。實施例29 :配置IOL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :鹽酸溶液(3M),量取15ml (含總銅50mg),獨立防腐包裝。原料B :氯酸鈉溶液(2· 5M,pH = 8,碳酸鈉調節(jié)),量取IOml (含總銅50mg),獨立防腐包裝。使用時,將A單元與B單元混合后,再用9. 975L的水稀釋,制得IOL酸性氧化電位殺菌水(ρΗ2· 5-3. 5,0RP1100-1300mV, ACC500mg/L,總銅 10mg/L)。實施例30 :配置IOL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為150mg/L)原料A :鹽酸溶液(4M),量取10ml,獨立防腐包裝。原料B :高氯酸鈉溶液(O. 5M,pH = 8,碳酸鈉調節(jié)),量取IOml (含總銅O. 2g),獨
      立防腐包裝。使用時,將A單元與B單元混合后,再用9. 98L的水稀釋,制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH5-7,0RP900-1000mV, ACC150mg/L,總銅 20mg/L)。實施例31 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :鹽酸溶液(pH = O),量取IOml (含二價銅O. lg、一價銅O. lg、零價銅O.1g),獨立包裝。原料B :次氯酸鈉溶液(pH = 12. 5,氫氧化鉀調節(jié)),量取IOml (有效氯200mg,含二價銅O. lg、一價銅O. lg、零價銅O.1g),獨立包裝。使用時,將A單元與B單元置于O. 98L水(含二價銅O. 8g、一價銅O. 4g、零價銅O. 2g)中,制得 IL 酸性氧化電位殺菌水(pH2-3,0RP1100-1200mV,ACC200mg/L,總銅 2000mg/L,其中二價銅 1000mg/L、一價銅 600mg/L、零價銅 400mg/L)。實施例32 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為5000mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH = 2. 76),量取9. 5L,添加O. Olmol檸檬酸及O. 0035mol氯化鋅,溶解后,包裝,得A單元(含二價銅15g)。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml,碳酸鈉O. 11M),量取500ml,灌裝,封口,得B單元(有效氯50g,含二價銅5g)。使用時,將A單元與B單元混合,制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH5_7,0RP1000-1200mV, ACC5000mg/L,總銅 2000mg/L,其中二價銅 2000mg/L)。實施例33 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酸性水溶液2000L (pH2_3,含總銅IOOmol)。原料A預處理方法1,原料A加入EDTA (IOOmol),形成大分子絡合物,超濾,取濾液,調整pH,得到原料 Al (pH2-3,總銅< 1000mg/L)。方法2,原料A加入水溶性硫離子(IOOmol),形成沉淀,超濾,取濾液,調整pH,得到原料 A2 (pH2-3,總銅< 200mg/L)。方法3,原料A通過鈉型離子交換樹脂層析柱,去除部分離子銅;流出液加入足量水溶性硫離子,使S2+ :離子銅的摩爾比1:1 ;超濾,濾除不溶物,調整pH,得到原料A3(pH2-3,總銅< 10mg/L)。方法4,原料A通過納濾膜,控制條件,去除部分含銅大分子,調整pH,得到原料A4 (pH2-3,總銅< 1900mg/L)。方法5,原料A —定電流下通過離子選擇膜,去除部分離子銅,再通過納濾膜,去除大分子銅,調整PH,得到原料A5 (pH2-3,總銅< 400mg/L)。分別量取原料A1-A5各1000L,灌裝,封口,得A單元1-5 1000L酸性水(pH2_3,總銅 10-1900mg/L)。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯200mg/g),稱取5kg,分裝,得B單元5kg粉末(有效氯lOOOg,含總銅IOOg)。制備上述相同B單元各5份。使用時,將A單元A1-A5分別與一份B單元混合,制得如下1000L氧化電位殺菌水,見下表I。表I
      權利要求
      1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,包括以下步驟(1)提供pH調節(jié)劑A單元;(2)提供有效氯提供單元B單元;(3)將所述A單元與所述B單元混合,得到強氧化性溶液,所述強氧化性溶液的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3_5000mg/L,其總銅的含量不高于 2000mg/L。
      2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。
      3.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,在步驟(I)中還包括對所述A單元進行去除部分銅的預處理。
      4.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,在步驟(2)中還包括對所述B單元進行去除部分銅的預處理。
      5.如權利要求1或2所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理。
      6.如權利要求3所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,對所述A單元進行去除部分銅的預處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。
      7.如權利要求4所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,對所述B單元進行去除部分銅的預處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。
      8.如權利要求5所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述對A單元與B單元混合后的混合液進行去除部分銅的后處理的方法選自加入失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。
      9.如權利要求6或7或8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述去除部分銅的處理方式為快速處理方式,或低溫條件下處理,或將B單元離子型有效氯轉為分子型有效氯;或將離子銅轉為非離子性衍生物,使之與離子型有效成分區(qū)分,去除目的性雜質銅后,再恢復至有效氯的穩(wěn)定形態(tài)。
      10.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述A單元為酸性或弱堿性。
      11.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
      12.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,所述B單元為中性或者堿性。
      13.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,包括使用前獨立分裝的A單元和B單元,所述A單元為pH調節(jié)劑;所述B單元為有效氯提供單元,所述A單元與所述B單元混合后得到強氧化性溶液,所述強氧化性溶液的PH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。
      14.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述強氧化性溶液中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。
      15.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
      16.如權利要求13所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述B單元為中性或者堿性。
      17.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述殺菌水的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。
      18.如權利要求17所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述殺菌水中的總銅主要包括二價銅、一價銅和零價銅中的一種或者幾種。
      19.如權利要求17所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、無機堿、有機堿、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。
      20.如權利要求17所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水,其特征在于,所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及殺菌消毒領域,特別涉及一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法。本發(fā)明的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法,包括以下步驟(1)提供pH調節(jié)劑A單元;(2)提供有效氯提供單元B單元;(3)將所述A單元與所述B單元混合,得到強氧化性溶液,所述強氧化性溶液的pH值在2-8間,其氧化還原電位不低于600mV,其有效氯含量為3-5000mg/L,其總銅的含量不高于2000mg/L。與現(xiàn)有的酸性氧化電位水相比,本發(fā)明的氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性,從而擴大了應用范圍。
      文檔編號A01N59/00GK103004868SQ20121053327
      公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月11日 優(yōu)先權日2012年12月11日
      發(fā)明者邵鵬飛 申請人:邵鵬飛
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