專利名稱：一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及高密度電極陣列技術(shù)領域，特別是一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電極陣列是在一塊基片集成多個微電極形成陣列，植入腦皮層的多電極陣列，可以讀取腦中神經(jīng)元群體活動的細節(jié)信息。在神經(jīng)科學基礎研究方面，多電極陣列開始成為一種重要的神經(jīng)信息探測手段，在醫(yī)學應用方面，多電極陣列成為神經(jīng)科學面向醫(yī)學應用的接口。
1981年，美國科學家Kruger等人在間距250微米的網(wǎng)格上，用陶瓷材料固定多個微電極成為多電極陣列，這種方法效率低，電極長度及平行度不易控制。以后出現(xiàn)了多種改進多電極陣列制造方法，如尤他大學的電極陣列是在硅基片上用劃片刀直接刻出多個電極尖，再經(jīng)絕緣、焊線等工藝制成成品，這類方法問題在于電極尖的尺寸不可能做得太細，而太粗的電極對腦組織的損傷是較大的，同時也很難制造密度高的多電極陣列。另外還有采用光刻蝕、離子濺射等平面集成電路制造工藝制成片狀的多電極，再疊合形成多電極陣列，如美國密歇根大學的電極陣列，但這類電極陣列在綜合性能方面仍需改進，目前也還未產(chǎn)品化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)。提供一種電極直徑很細、易于實現(xiàn)高密度的多電極陣列結(jié)構(gòu)。
為達到上述目的，本發(fā)明的解決方案是提供一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)，由微孔陣列、單電極、引線、固定樹脂和接口組成，其單電極為直角形，置于微孔陣列的垂直孔中；單電極的尾部較頭部長，水平延伸，單電極的頭部呈尖狀，伸出微孔陣列的垂直孔；在單電極的部分水平尾部與微孔陣列的上表面上方有固定樹脂。
本發(fā)明是將極細的電極絲制成的單個電極，在電極尾部預先焊接上引線，然后插入到微孔陣列中，形成多電極陣列。這種方法所組裝出電極陣列背面已經(jīng)有引線，省去了難度較高的在陣列背面焊引線的工藝。一種高密度電極陣列，由微孔陣列、單電極、引線、固定樹脂和接口板組成，其特征在于，單電極為直角形，置于微孔陣列的垂直孔中；單電極的尾部焊接有引線，單電極的頭部呈尖狀，伸出微孔陣列的垂直孔；在單電極的尾部與微孔陣列的上表面上方有固定樹脂；引線末端焊接在接口板上。
所述引線為0.01毫米~0.03毫米直徑的漆包銅線或漆包銀線或漆包金線。
本發(fā)明使用預先焊接有引線的單電極，可以組裝出電極數(shù)很多陣列，電極間距也可以很小，易于制造出高密度電極陣列。


圖1為本發(fā)明的高密度電極陣列的單個電極示意圖。
圖2為本發(fā)明的高密度電極陣列的微孔陣列示意圖。
圖3為本發(fā)明的高密度電極陣列的微孔陣列安裝示意圖。
具體實施方式
見圖1，備孔徑25微米左右、孔深1毫米、孔間距150微米、15×15的微孔陣列2。備直徑為20微米的單電極1共225根，在電極1端2.5毫米處焊接上引線3，操作將單個電極1入微孔陣列2孔，全部電極1入后，在微孔陣列2面滴上樹脂4，固定電極1及引線焊點，引線3末端焊接至接口板5。
圖2，高密度電極陣列的微孔陣列結(jié)構(gòu)，在微孔陣列2中有多個孔，以備電極1的插入。
圖3，高密度電極陣列的微孔陣列2中插入電極1后的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。
權(quán)利要求1.一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)，由微孔陣列、單電極、引線、固定樹脂和接口板組成，其特征在于，單電極為直角形，置于微孔陣列的垂直孔中；單電極的尾部焊接有引線，單電極的頭部呈尖狀，伸出微孔陣列的垂直孔；在單電極的尾部與微孔陣列的上表面上方有固定樹脂；引線末端焊接在接口板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度電極陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線為0.01毫米~0.03毫米直徑的漆包銅線或漆包銀線或漆包金線。
專利摘要本實用新型涉及高密度電極陣列技術(shù)領域，特別是一種高密度電極陣列結(jié)構(gòu)。高密度電極陣列，由微孔陣列、單電極、固定樹脂、接口板組成，其單電極置于微孔陣列的垂直孔中；單電極的尾部焊有引線，單電極的頭部呈尖狀，伸出微孔陣列的垂直孔；在單電極的尾部與微孔陣列的上表面上方有固定樹脂，引線末端焊接至接口板。
文檔編號A61N1/05GK2815273SQ200520023080
公開日2006年9月13日 申請日期2005年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月7日
發(fā)明者唐世明 申請人:中國科學院生物物理研究所