像素結(jié)構(gòu)及像素陣列的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其像 素陣列。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，低溫多晶娃（Low Temperature Poly-Silicon，以下簡稱為LTPS)液晶顯 示器是目前消費(fèi)性產(chǎn)品開發(fā)的設(shè)計(jì)主流，其主要應(yīng)用為高整合度與高分辨率之中小尺寸液 晶顯示器。然而，高分辨率的顯示器具有較高像素密度，因此，其儲存電容的設(shè)計(jì)也會相對 變小。而在較小的儲存電容設(shè)計(jì)中，因?yàn)槁╇娏饕约榜詈闲?yīng)的影響，其會造成串音噪聲 (cross-talk)并帶來不良的顯示效果。為了使顯示面板具有更良好的顯示質(zhì)量，如何改善 現(xiàn)有的串音噪聲的缺點(diǎn)是目前極須克服的一個(gè)重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及像素陣列，可用以改善串音噪聲的缺點(diǎn)帶來更良好的 顯示質(zhì)量。
[0004] 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包括掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、主動元件、覆蓋層、共享 電極層、絕緣層以及像素電極。特別是，第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線所傳遞的信號極性不相 同，且第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線兩兩相鄰。主動元件的元件極與掃描線連接，且主動元件 的源極與第一數(shù)據(jù)線連接。覆蓋層覆蓋掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及主動元件。共 享電極層位于覆蓋層上，其中，共享電極層具有第一開口以及第二開口。所述第一開口與主 動元件至少一部分于垂直方向上重迭。所述第二開口與第二數(shù)據(jù)線至少一部分在垂直方向 上重迭。絕緣層位于共享電極層上，其中，絕緣層與覆蓋層具有一接觸窗。所述接觸窗經(jīng)由 共享電極的第一開口暴露出主動元件的漏極。像素電極位于絕緣層上，且經(jīng)由接觸窗與主 動元件的漏極電性連接。所述像素電極延伸覆蓋第二開口，且像素電極經(jīng)由第二開口與第 二數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容。
[0005] 其中，該第一開口與該第二開口彼此分離開來。
[0006] 其中，該第一開口與該第二開口連接在一起。
[0007] 其中，該像素電極與該第二數(shù)據(jù)線之間的該耦合電容為A，該像素結(jié)構(gòu)的總電容為 為B，其中A/B大于0%且小于或等于5%。
[0008] 其中，該第一數(shù)據(jù)線為第I條數(shù)據(jù)線，且該第二數(shù)據(jù)線為第1+1條數(shù)據(jù)線，其中I 為正整數(shù)，以使得該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線之間不存在其它數(shù)據(jù)線。
[0009] 其中，該像素電極的一邊緣與該第二數(shù)據(jù)線在該垂直方向上重迭，且該像素電極 的另一邊緣與該第一數(shù)據(jù)線不重迭。
[0010] 本發(fā)明的種像素陣列包括掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及第三數(shù)據(jù)線、第一 主動元件、第二主動元件、覆蓋層、第一共享電極、第二共享電極、絕緣層、第一像素電極以 及第二像素電極。特別是，第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線所傳遞的信號極性不相同，第一數(shù)據(jù) 線的極性與第三數(shù)據(jù)線所傳遞的信號極性相同，且該第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù) 線兩兩相鄰。第一主動元件的元件極與掃描線連接，且第一主動元件的源極與第一數(shù)據(jù)線 連接。第二主動元件的元件極與掃描線連接，且第二主動元件的源極與第二數(shù)據(jù)線連接。覆 蓋層覆蓋掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第一主動元件以及第二主動元件。第一共享電 極位于覆蓋層上，其中，第一共享電極具有第一開口以及第二開口。所述第一開口與第一主 動元件至少一部分于垂直方向上重迭。所述第二開口與第二數(shù)據(jù)線至少一部分于垂直方向 上重迭。第二共享電極位于覆蓋層上，其中，第二共享電極具有第三開口以及第四開口。所 述第三開口與第二主動元件至少一部分于垂直方向上重迭。所述第四開口與第三數(shù)據(jù)線至 少一部分于垂直方向上重迭。絕緣層位于第一共享電極以及第二共享電極上，其中，絕緣層 與覆蓋層具有第一接觸窗與第二接觸窗。第一接觸窗經(jīng)由第一共享電極的第一開口以暴露 出第一主動元件的漏極。第二接觸窗經(jīng)由第二共享電極的第三開口以暴露出第二主動元件 的漏極。第一像素電極位于絕緣層上，且經(jīng)由第一接觸窗與第一主動元件的漏極電性連接。 所述第一像素電極延伸覆蓋第二開口，且第一像素電極經(jīng)由第二開口而與第二數(shù)據(jù)線之間 形成第一耦合電容。第二像素電極位于絕緣層上，且經(jīng)由第二接觸窗與第二主動元件的漏 極電性連接。所述第二像素電極延伸覆蓋第四開口，且第二像素電極經(jīng)由該第四開口而與 第三數(shù)據(jù)線之間形成第二耦合電容。
[0011] 其中，該第一開口與該第二開口彼此分離開來，且該第三開口與該第四開口彼此 分咼開來。
[0012] 其中，該第一開口與該第二開口連接在一起，且該第三開口與該第四開口連接在 一起。
[0013] 其中，該第一共享電極與該第二共享電極彼此連接在一起。
[0014] 其中，該第一共享電極與該第二共享電極之間通過一共享電極線而連接在一起。
[0015] 其中，該第一數(shù)據(jù)線為第I條數(shù)據(jù)線，該第二數(shù)據(jù)線為第1+1條數(shù)據(jù)線，且該第三 數(shù)據(jù)線為第1+2條數(shù)據(jù)線，其中I為正整數(shù)，以使得該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線之間不 存在其它數(shù)據(jù)線，且該第二數(shù)據(jù)線以及該第三數(shù)據(jù)線之間不存在其它數(shù)據(jù)線。
[0016] 其中，該第一像素電極的一邊緣與該第二數(shù)據(jù)線在該垂直方向上重迭，且該第一 像素電極的另一邊緣與該第一數(shù)據(jù)線不重迭。
[0017] 其中，該第二像素電極的一邊緣與該第三數(shù)據(jù)線在該垂直方向上重迭且該第二像 素電極的另一邊緣與該第二數(shù)據(jù)線不重迭。
[0018] 其中，該第一數(shù)據(jù)線、該第二數(shù)據(jù)線以及該第三數(shù)據(jù)線為該像素陣列的前三條數(shù) 據(jù)線，則該第一像素電極以及該第二像素電極分別為該像素陣列的一第一子像素以及一第 二子像素的像素電極。
[0019] 其中，該第一像素電極與該第二數(shù)據(jù)線之間的該耦合電容為A，該第一子像素的總 電容為B，其中A/B大于0%且小于或等于5%，且該第二像素電極與該第三數(shù)據(jù)線之間的該 耦合電容為A'，該第二子像素的總電容為B'，其中A' /B'大于0%且小于或等于5%。
[0020] 基于上述，于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線所傳遞的信號極 性不相同。另外，像素電極是經(jīng)由第二開口與第二數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容，因此，可借由 增加相反極性的親合來降低串音噪聲（cross-talk)的不良效果。
[0021] 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
【附圖說明】
[0022] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列示意圖。
[0023] 圖2A為本發(fā)明一實(shí)施例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0024] 圖2B為圖2A的A-A'線的剖面圖。
[0025] 圖3A為本發(fā)明另一實(shí)施例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0026] 圖3B為圖3A的B-B'線的剖面圖。
[0027] 圖4A為本發(fā)明另一實(shí)施例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0028] 圖4B為圖4A的C-C'線的剖面圖。
[0029] 圖5A為本發(fā)明另一實(shí)施例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0030] 圖5B為圖5A的D-D'線的剖面圖。
[0031] 圖6為本發(fā)明一比較例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0032] 圖7為本發(fā)明另一比較例的單一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0033] 其中，附圖標(biāo)記：
[0034] DLl :第一數(shù)據(jù)線
[0035] DL2 :第二數(shù)據(jù)線
[0036] DL3 :第三數(shù)據(jù)線
[0037] SL :掃描線
[0038] TFT :主動元件
[0039] TFTl :第一主動元件
[0040] TFT2 :第二主動元件
[0041] SE、SE1、SE2 :源極
[0042] DE、DE1、DE2 :漏極
[0043] G、G1、G2:元件極
[0044] PE:像素電極
[0045] PEl :第一像素電極
[0046] PE2:第二像素電極
[0047] Sub :基板
[0048] SM :半導(dǎo)體層
[0049] SR :源極區(qū)
[0050] GR :漏極區(qū)
[0051] CH:通道
[0052] GI :元件極絕緣層
[0053] IL:介電層
[0054] PL :覆蓋層
[0055] CEl :第一共享電極
[0056] CE2 :第二共享電極
[0057] CE :共享電極層
[0058] OPl :第一開口
[0059] 0P2:第二開口
[0060] 0P3:第三開口
[0061] 0P4:第四開口
[0062] BP :絕緣層
[0063] CWNl :第一接觸窗
[0064] CWN2 :第二接觸窗
[0065] CWl、CW2、CW3 :接觸窗
[0066] Cl :第一親合電容
[0067] C2 :第二耦合電容
[0068] E1、E2:邊緣
【具體實(shí)施方式】
[0069] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列示意圖。于本實(shí)施例中，像素陣列包括掃描線 SL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3、第一共享電極CE1、第二共享電 極CE2、由第一主動元件TFTl與第一像素電極PEl所形成的像素結(jié)構(gòu)，以及由第二主動元 件TFT2與第二像素電極PE2所形成的像素結(jié)構(gòu)。參考圖1，第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù) 線DL2所傳遞的信號極性不相同，第一數(shù)據(jù)線DLl的極性與第三數(shù)據(jù)線DL3所傳遞的信號 極性相同，且第一數(shù)據(jù)線DLl、第二數(shù)據(jù)線DL2與第三數(shù)據(jù)線DL3兩兩相鄰，例如：第一數(shù)據(jù) 線DLl、第二數(shù)據(jù)線