陣列基板結(jié)構(gòu)及接觸結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置，且特別是涉及用于顯示裝置的一種陣列基板結(jié)構(gòu)及接觸結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實現(xiàn)高速影像處理以及高品質(zhì)顯示影像，近年來如彩色液晶顯示裝置的平面顯示器已廣泛地使用。在液晶顯示裝置中，通常包括兩個上、下基板，以黏合或是封合材料接合在一起。而液晶材料被填入兩個基板之間，為了保持兩板之間固定的距離，具有一定粒徑的顆粒被散布于上述兩板之間。
[0003]通常，下基板表面形成有用來當(dāng)作開關(guān)元件的薄膜晶體管，此薄膜晶體管具有連接于掃描線(scanning line)的柵極電極(gate electrode)、連接于信號線(signalline)的漏極電極(drain electrode)、與連接于像素電極(pixel electrode)的源極電極(source electrode)。而上基板置于下基板上方，此上基板表面形成有一濾光片與多個遮光材料(如由樹脂黑矩陣(Resin BM)構(gòu)成)。此兩基板的周邊具有封合材料黏合固定住，而兩基板之間具有液晶材料。下基板亦稱之為陣列基板(array substrate),而形成于其上的如薄膜晶體管、接觸物等數(shù)個元件則通常通過數(shù)道光刻制作工藝所制作而成。
[0004]然而，隨著顯示裝置的影像的分辨率的提升趨勢，便需要于下基板上形成如薄膜晶體管、接觸物等尺寸更為縮減的數(shù)個元件時，提供可維持或提升顯示裝置的電性表現(xiàn)的如基板結(jié)構(gòu)與接觸物結(jié)構(gòu)等元件結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問題，依據(jù)一實施例，本發(fā)明提供了一種接觸結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一主動層，位于該基板上；一絕緣層，位于該主動層上；一層間介電層，位于該絕緣層上；一接觸物開口，穿透該層間介電層與該絕緣層的一部，露出該主動層的一部，其中該接觸物開口包括一第一凹口部，而該第一凹口部由該層間介電層的一底面、該絕緣層的一側(cè)壁以及該主動層的一頂面所定義而成；以及一導(dǎo)電層，填入該接觸開口，并與該主動層電連接。
[0006]依據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供了一種接觸結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一絕緣層，位于該基板上；一主動層，位于該絕緣層的一部上；一第一層間介電層，位于該主動層上;一第二層間介電層，位于該第一層間介電層與該絕緣層上；一接觸開口，穿透該第二層間介電層與該第一層間介電層的一部，露出該主動層的一部，其中該接觸開口包括一第一凹口部，而該第一凹口部由該層間介電層的一底面、該絕緣層的一側(cè)壁以及該主動層的一頂面所定義而成；以及一導(dǎo)電層，填入該接觸開口，并與該主動層電連接。
[0007]依據(jù)又一實施例，本發(fā)明提供了一種陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一主動層，位于該基板的一部上；一絕緣層，位于該主動層與該緩沖層上；一第一導(dǎo)電層，位于該絕緣層上且位于該主動層的一部上；一層間介電層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電層與該絕緣層上；一接觸開口，穿透該層間介電層與該絕緣層的一部，露出該主動層的一部，其中該接觸開口包括一第一凹口部，而該第一凹口部由該層間介電層的一底面、該絕緣層的一側(cè)壁以及該主動層的一頂面所定義而成；以及一第二導(dǎo)電層，填入該接觸開口，并與該主動層電連接。
[0008]依據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供了一種陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:一基板；一第一導(dǎo)電層，位于該基板的一部上；一絕緣層，位于該第一導(dǎo)電層上；一主動層，位于該絕緣層的一部上并位于該第一導(dǎo)電層之上；一第一層間介電層，設(shè)置于該主動層上；一第二層間介電層，設(shè)置于該第一層間介電層與該絕緣層上；一接觸開口，穿透第二該層間介電層與該第一層間介電層的一部，露出該主動層的一部，其中該接觸開口包括一主體部與一第一凹口部，而該第一凹口部由該第二層間介電層的一底面、該第一層間介電層的一側(cè)壁以及該主動層的一頂面所定義而成；以及一第二導(dǎo)電層，填入該接觸開口，并與該主動層電連接。
[0009]為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1為一剖面7K意圖，顯7K了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)；
[0011]圖2A-圖2D為一系列剖面τκ意圖，顯τκ了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法；
[0012]圖3A-圖3C為一系列剖面7K意圖，顯7K了依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法；
[0013]圖4A-圖4D為一系列剖面7K意圖，顯7K了依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法；以及
[0014]圖5A-圖5C為一系列剖面7K意圖，顯7K了依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法。
[0015]符號說明
[0016]100?基板
[0017]102?緩沖層
[0018]104?主動層(有源層)
[0019]104A?源極/漏極區(qū)
[0020]104B?通道區(qū)
[0021]106?絕緣層
[0022]108?第一導(dǎo)電層
[0023]110?層間介電層
[0024]112?接觸開口
[0025]114?第二導(dǎo)電層
[0026]200、300 ?基板
[0027]202、302 ?緩沖層
[0028]204、308 ?主動層
[0029]204A、308A?源極/漏極區(qū)
[0030]204B、308B ?通道區(qū)
[0031]206、306 ?絕緣層
[0032]208、304 ?導(dǎo)電層
[0033]210、310、312?層間介電層
[0034]212、314 ?開口
[0035]212，、314，?開口
[0036]214、316?蝕刻制作工藝
[0037]216、318 ?凹口
[0038]217、330 ?凹口
[0039]218、218，、320、320，?接觸開口
[0040]220、322 ?導(dǎo)電層
[0041]A、B、C、D、E?陣列基板結(jié)構(gòu)
[0042]X1、X3?第一距離
[0043]X2、X4 ?第二距離。
【具體實施方式】
[0044]請參照圖1，顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的陣列基板結(jié)構(gòu)A的剖視圖，其適用于如彩色液晶顯示裝置的平面型顯示裝置的應(yīng)用。在此，圖1所示的陣列基板結(jié)構(gòu)A為本案發(fā)明人所知悉的一種陣列基板結(jié)構(gòu)，并通過其說明隨著形成于陣列基板結(jié)構(gòu)上的如薄膜晶體管、接觸物等元件的尺寸縮減趨勢時，發(fā)明人所發(fā)現(xiàn)的如接觸電阻值增加的不期望的電性表現(xiàn)的產(chǎn)生情形。
[0045]請參照圖1,陣列基板結(jié)構(gòu)A主要包括:一基板100 緩沖層102,設(shè)置于基板100上；一主動層104，設(shè)置于緩沖層102的一部上；一絕緣層106，設(shè)置于主動層104與緩沖層102上；一導(dǎo)電層108，設(shè)置于絕緣層106上且位于主動層104的一部上；一層間介電層110，設(shè)置于第一導(dǎo)電層108與絕緣層106上；一接觸開口 112，穿透層間介電層110與絕緣層106的一部，露出主動層104的一部；以及另一導(dǎo)電層114，順應(yīng)地設(shè)置于層間介電層110的一部上以及為接觸開口 112所露出的層間介電層110、絕緣層102與主動層104之上。于本實施例中，導(dǎo)電層108、絕緣層106與主動層104形成了一薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)，而主動層104可包括如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物的半導(dǎo)體材料，且其內(nèi)包括了摻雜有適當(dāng)摻質(zhì)的一對源極/漏極區(qū)104A以及設(shè)置于其間的未經(jīng)摻雜的一通道區(qū)104B。
[0046]如圖1所示，接觸開口 112通過如干蝕刻的一蝕刻制作工藝所形成，而形成于接觸開口 112內(nèi)的導(dǎo)電層114則作為電性連接此薄膜晶體管元件內(nèi)的一源極/漏極區(qū)104A與后續(xù)形成的一導(dǎo)電元件(未顯示)的一導(dǎo)電接觸物(conductive contact)之用。
[0047]然而，隨著形成于此陣列基板結(jié)構(gòu)