專利名稱:容器消毒裝置、系統(tǒng)和方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種容器消毒裝置,更具體地說,在容器被填充之前對容器進 行消毒。具體地,本發(fā)明的裝置意在對將被填充的容器的內壁進行消毒,特別 是具有瓶口的瓶子。
背景技術:
當將食物裝入容器時,對容器本身進行消毒是有必要的。例如,使用蒸汽 或過氧化氫對容器的內壁進行消毒是眾所周知的。然而,因為使用過氧化氫的 處理可能會導致材料的軟化,所以這種方法存在一定的缺陷。因而,在長時間 的現有技術基礎上可以知道,對容器進行消毒是依靠電荷載體,例如,特別地 是電子束。
JP2002-255125公開了一種容器消毒裝置。在所述的文件中,在容器外面 設有輻射源,其將輻射放射到容器的內部。JP2001-225814也公開了一種用于 對容器的內壁進行消毒的相應裝置,其中輻射源將輻射從外面放射到容器中。
FR 2 815 769公開了一種放射兩條電子束的電子束源。
DE 198 82 252 Tl描述了一種通過電子對容器內部進行消毒的技術。在此 再次提供了 一種將輻射從外面放射到容器內部的電子束源。
這些前述的裝置都存在輻射總是從外面穿過容器口進入容器的缺陷,因而 只能在容器內部很困難地改變它的電子束方向。
EP0 885 142 Bl公開了一種對流體物質的包裝進行消毒的方法,特別是對 帶有一個開口端的包裝進行消毒的方法。按照這種方法,既然X光是作為高 加速電壓的不良副作用產生的,而且所述X光必須要由鉛屏來進行屏蔽,所 以要避免高加速電壓。為了達到均勻的內部清潔效果,EP0885 142Bl提出使 用與電子束接觸的氣流,按照這種方式有利于使電子到達容器的內壁。然而,EP 0 885 142 Bl中描述的方法并不適合清潔具有開口直徑的瓶子或普通容器 的內部,這是因為EP 0 885 142 B1中描述的電子束源不能通過這個開口,無 論如何也不能與EP 0 885 142 Bl中描述的氣管一起進入這個容器,其中氣管 用于在容器的內部產生氣流。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種清洗開口橫截面小于容器橫截面的容器的內部 的有效裝置和方法。
依照本發(fā)明的容器消毒裝置包括具有供電荷載體通過的出射窗(exit window)的處理頭。同時還設有產生電荷載體的電荷載體產生源,以及在出 射窗的方向上加速電荷載體的加速設備。
依照本發(fā)明,所述處理頭的橫截面具有一定的尺寸,以便所述處理頭穿過 容器口,所述加速設備加速電荷載體以使從出射窗射出的電荷載體最好直接射 到容器的內壁上。
所述電荷載體具體是電子,但是也可以使用其它電荷載體,如離子。 與引用的現有技術對比,使用足夠高而使射出的電子束直接撞擊容器內壁 的加速電壓,就不需要為消毒作用而插入由電子束激活的氣流。出射窗指的是 一種以密封方式隔離裝置內部(即電荷載體產生源和出射窗之間的區(qū)域)的設 備,但是電荷載體特別地是電子仍然可以通過。應注意,從出射窗射出的電子 是相當慢的,與EP 0 885 142 Bl公開的裝置相比,本發(fā)明使用了明顯更高的 能量和加速電壓。
為了產生電子束,優(yōu)選地使用具有放射針(emitting finger)的緊密電子束單 元,如上所述,放射針具有一定尺寸以便其可以伸入瓶子中,從而將具有最低 可能能量的電子云應用至J(PET)瓶子的內表面上。在旋轉排列的情況下,可以 使該裝置的各操作單元,例如電子束產生器的變壓器或電源單元,也在傳送帶 上旋轉,因此同時簡化了高壓電源的供給。在一個優(yōu)選的實施例中,出射窗和 加速設備設置在外殼中,該外殼具有一定尺寸以便其可以穿過容器口。所述處 理頭設置在該外殼的下端,同樣還可以將處理頭與外殼一體成形。優(yōu)選地,包括處理頭的整個外殼具有能夠穿過容器口的橫截面。所述處理頭的橫截面可以
是任何形狀的。由于特殊的選擇,所述裝置具有直徑小于40mm的圓形橫截面, 優(yōu)選地是小于30mm,更優(yōu)選地是小于25mm。
優(yōu)選地,為了防止任何X光射線的逃逸,從而防止對用戶產生有害作用, 整個裝置由屏蔽設備包圍,特別地是通過鉛屏包圍。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述裝置包括內殼,其中設置有加速設備,所 述外殼將該內殼包圍。由于特殊的選擇,在這個內殼中使用真空,其中優(yōu)選地 設有電荷載體產生源和加速設備。特別優(yōu)選地,在外殼和內殼之間形成有延伸 到處理頭的腔室,該腔室中導有介質,特別地是氣體介質。這種氣體介質特別 用于冷卻出射窗,為了這個目的,氣體介質沿內殼一直導到處理頭處,同樣也 通過出射窗。優(yōu)選地,因而,在外殼和內殼之間形成有一個通道或多個通道形 式的腔室,特別優(yōu)選地是外殼的下端部分的形成使得氣流被引導到裝置的徑向 上并從而也經過出射窗。還要指出,氣體介質的氣流不或至少不直接到達容器 的內壁,而是如己經提到的,用于傳送通過出射窗。
優(yōu)選地,所述氣體介質從一組氣體介質中選出,包括氦氣、氮氣、氬氣、 二氧化碳及其混合物或類似物。
基于特殊的選擇,所述出射窗由從一組物質中選出的物質做成,包括鈦、 石英玻璃、鉆石及其化合物和類似物。
在此實施例中,因而,裝置的至少一部分是雙層設計的,其中為了冷卻鋼 管,即內殼和出射窗,在外殼和內殼之間設有氣體或空氣。如已經提到的,內 殼的內部被抽空,并優(yōu)選地在末端具有鈦窗口作為出射窗。在進一步的優(yōu)選實 施例中,所述出射窗具有3^im到3(^m之間的厚度,優(yōu)選地是4nm到25pm 之間,更優(yōu)選地是5|Lim到20inm之間。因而出射窗可以使用由具有8pm、10nm、 13pm或15^im厚度的鈦做成的窗口薄膜。然而,還可以使用其它合適的材料。 該出射窗或窗口薄膜是以真空密封的方式焊接到內殼上的,內殼同樣由合適的 材料(例如,鈦)做成。在這種情況下可以以無支撐的方式將出射窗放置在內殼 的開口上,但是也可以使用支撐結構,如承載出射窗的多孔盤。在為出射窗使 用支撐結構的情況下,還可以由合適的液體來冷卻支撐結構,其中液體是通過內殼和外殼之間的一個或多個通道被傳送向或遠離支撐結構的。
在一個優(yōu)選的實施例中,出射窗在其整個表面上具有統(tǒng)一的厚度。然而, 根據具體的應用,厚度也可以變化,例如,從外到內增大。例如,出射窗薄膜
在其表面上可以具有不同的厚度,例如在4到13pm之間變化,或以線或點的 厚度穿孔的形式。按照這種方式,可以獲得以不同速度到達大氣(即出射窗的 外側)的電子,因而獲得與傳統(tǒng)散射場(scattered field)不同的散射場。
如上所述,可以使用不同的氣體作為冷卻氣體。這樣便可以改善氣體的熱 傳導,特別是使用氦氣。然而,這還會影響電子在大氣中即從出射窗出來之后 的條件。例如,使用氦氣作為大氣,會導致電子的更大范圍,這是因為氦氣具 有比空氣更低的密度。此外,所述處理腔,即容器的內部區(qū)域,可以通過提供 該氣體變?yōu)槎栊缘?,這也會減少臭氧的產生。
在此可以使用開口或封閉的電子束單元作為電子束產生器,例如眾所周知 的X光管等等。電子源本身可以由點型或面型電子源形成,內殼或放射針可 以直接附在其上面。
依照本發(fā)明的裝置以下也被稱為放射針。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述裝置包括用于使電荷載體偏轉的偏轉設 備?;谔厥獾倪x擇,該偏轉設備設置在電荷載體產生源和出射窗之間。另外 為了促使電子的優(yōu)選方向位于瓶壁的方向上,可以在出射窗之前對電子進行電 磁偏轉。按照這種方式,可以將放射線的量更均勻地分布在容器的內表面上。 按照這種方式還可以將電子束更均勻地引導到出射窗的整個出射面上,以作為 整體在出射窗上獲得更均勻的負載,從而防止在出射窗上出現所謂的熱點 (hotspot)。然而,同樣還可以將偏轉單元設置在出射窗之后的電子束的方向上。
優(yōu)選地,為了利于電荷載體的上述偏轉,內殼在處理頭的區(qū)域具有增大的 內徑。
此外,基于特殊的選擇,所述處理頭可以相對容器在容器的軸向上移動。 按照這種方式,可以一次對容器的內壁更大的表面積進行消毒。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述處理頭可以相對容器旋轉。當電荷載體在 優(yōu)選的徑向上相對處理頭射出時,這是特別有好處的。在進一步的優(yōu)選實施例中,所述處理頭可以在容器的徑向上相對容器移動。因而可以在消毒處理過程 中使處理頭本身或所述裝置圍繞預先確定的旋轉軸進行旋轉,或者使所述容器 本身相對處理頭進行旋轉?;谔厥獾倪x擇,在這種情形下,旋轉軸處于容器 口的區(qū)域內或者稍微在容器口之上。按照這種方式,所述處理頭可以被帶入容 器的內壁的附近。
本發(fā)明還涉及一種通過上述類型的至少一種裝置處理容器的系統(tǒng)。優(yōu)選 地,為了能夠對多個容器同時消毒,多個上述裝置設置為一個挨一個或一個接 一個。例如,可以將整個系統(tǒng)做成旋轉單元或直線單元,其中處理腔設置為用 于通過電子束對飲料瓶的內部進行消毒。因而還可以將依照本發(fā)明的裝置整合 到拉伸吹塑機或填充設備中,或者將其設置為單機單元,以便能夠翻新現有的 生產線或系統(tǒng)。
優(yōu)選地,所述系統(tǒng)包括用于填充容器的設備,所述依照本發(fā)明的裝置設置 在該填充容器的設備的上游。
此外,所述系統(tǒng)可以包括在所述容器的軸向上相對所述裝置轉移所述容器 的轉移設備。原則上,還可以維持容器的高度位置,并且僅在所述容器的軸向 上移動所述裝置。然而,因為所述裝置或所述放射針具有相對復雜的設計,通 常使用高壓來對其供電,所以優(yōu)選地將所述裝置保持固定并相對所述裝置移動 容器。
此外,所述裝置優(yōu)選設置在容器膨脹設備和填充容器的設備之間。這種系 統(tǒng)的消毒是在容器的膨脹或容器的吹塑之后進行的。
優(yōu)選地,所述系統(tǒng)包括多個上述類型的裝置,其中這些裝置特別優(yōu)選地是 以圓形軌道設置的。然而,還可以沿直線路徑設置多個裝置,例如平行于在直 線方向上運行的傳送帶。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述系統(tǒng)包括用于對容器的外壁進行消毒的進 一步的消毒裝置。按照這種方式,不僅可以進行內部消毒,還可以進行容器的 外部消毒。
按照這種方式,基于特殊的選擇,所述進一步的消毒裝置在容器的傳送方 向上設置在上述裝置的上游。這就是說,優(yōu)選地,首先進行容器的外部消毒,然后再是內部消毒。優(yōu)選地,所述進一步的消毒裝置是使用電荷載體輻照容器 的裝置。然而,其它原理的消毒也是可行的。
優(yōu)選地,所述進一步的消毒裝置設置為固定的方式。這就是說,容器移動 通過這個固定的消毒裝置。優(yōu)選地,所述容器的外壁及頸部區(qū)域是由所述進一 步的消毒裝置進行消毒的。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述進一步的消毒裝置設置在消毒腔中。
在進一步的優(yōu)選實施例中,所述系統(tǒng)包括將所述容器傳送經過該進一步的 消毒裝置的傳送帶。所述容器沿圓形軌道移動。更具體地說,優(yōu)選地設有相互 傳送所述容器的多個傳送帶。優(yōu)選地,所述傳送帶包括旋轉設備,使容器圍繞 其縱向軸旋轉。通過提供這些旋轉設備,可以對容器的更大外圍面積進行消毒。
本發(fā)明還涉及一種容器消毒方法,其中在裝置中產生用于容器消毒的電荷 載體,并在出射窗的方向上加速該電荷載體,其中該出射窗設置在處理頭中。 依照本發(fā)明,所述裝置的處理頭通過容器口進入容器的內部,來自處理頭的加 速電荷載體直接放射在容器的內壁上,并且優(yōu)選地相對于處理頭移動容器。
優(yōu)選地,在電荷載體到達出射窗之前,在容器的徑向上或該所述裝置的徑 向上偏轉電荷載體轉。對于這種偏轉,可以使用線圈或類似物。
下面將結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明,附圖中
圖la是依照本發(fā)明的容器消毒裝置的局部視圖lb是圖la的裝置的外殼的示意圖lc是圖la的裝置的內殼的示意圖ld是圖la的裝置的出射窗和支撐體的示意圖le是圖ld的支撐窗的平面圖lf是圖la的出射窗的平面圖lg是支撐窗的進一步實施例的示意圖2是依照本發(fā)明的裝置的進一步實施例的示意圖3是依照本發(fā)明的裝置的進一步實施例的示意圖;圖4是依照本發(fā)明的容器處理系統(tǒng)的示意圖5是依照本發(fā)明的容器處理系統(tǒng)的進一步實施例的示意圖;
圖6是依照本發(fā)明的容器處理系統(tǒng)的細節(jié)示意圖7是容器處理系統(tǒng)的局部側視圖8是依照本發(fā)明的裝置的進一步實施例的示意圖9是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的立體圖10是圖9的系統(tǒng)的平面圖11是圖9的裝置的細節(jié)示意圖12是圖9的裝置的進一步的細節(jié)示意圖13是圖9的裝置的立體圖14是圖13帶有外殼的裝置的示意圖15是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的進一步實施例的示意圖16是圖15的裝置的立體圖。
具體實施例方式
圖la是依照本發(fā)明的容器消毒裝置的局部視圖。該裝置包括在其下端的 處理頭5,處理頭5上設有供電子束射出的出射窗8。在此,如現有技術中常 用的,例如,電子首先是通過鎢陰極產生的,然后通過加速設備6(未詳細示出) 使這些電子加速。作為電子產生源,可以使用點型或面型電子源。
容器消毒裝置1包括外殼16和內殼20,如此形成雙層設計。在外殼16 和內殼20之間存在縫隙22,沿該縫隙可引導有空氣、另一氣體介質或甚至液 體介質。該空氣縫隙22可設計為沿圓周方向形成,但是也可以是多個通道22。 原則上,在裝置1的操作過程中可以使導入的噴射氣體沿徑向R通過出射窗, 但是也可以使導入的氣流在裝置1不活動和/或輻射源不活動的期間通過出射 窗8。按照這種方式,可以防止射出的電子束受氣流影響。還要指出,氣流僅 用于冷卻出射窗,而不用于引導電子束。
原則上,最佳選擇的加速電壓情形下的輻射流是在最短可能時間內產生容 器內各自所需量的關鍵因素。然而,在出射窗8中,該輻射流會產生損耗,這取決于出射窗8的設計,遲早還會限制電子束單元或裝置1的電子輻射功率。 然而,使用所述的空氣、氣體或液體冷卻,也可以保證出射窗的必要冷卻。換 言之,為了獲得最大可能的輻射流,即最大可能的吞吐量,應該減少輻射單元 的數量和/或增加周期時間。此外,還可以提高大氣中的散射幾何條件,即在 出射窗外面。
電子被加速到100keV (千電子伏)-200keV范圍內的能量,優(yōu)選的是 120keV到180keV,更優(yōu)選的是130keV到170keV。
圖lb是依照本發(fā)明的裝置l的外殼20的示意圖??梢钥闯?,在外殼20 的下端設有徑向向內突出的檔板ll。這些擋板ll用于引導空氣或氣體,即它 們引導至少部分氣體通過出射窗8。這些擋板ll還形成了開口 15,產生的電 子束可以通過開口 15射到外面。
然而,在內殼20的一側上也可以提供氣體,并且可將所述氣體再傳送到 內殼20的另一側。
圖lc是內殼20的示意圖。該內殼20具有在其下端或在處理頭5上的凹 槽24,用于接收出射窗8或出射窗8的支撐體26。
圖ld是用于支撐圖lf所示的實際出射窗8的支撐體26的示意圖。在該 實施例中,該支撐體26形成多個通道26a,電子束可以通過其中。另外,支 撐體26可以具有引導冷卻液體或冷卻氣體通過的通道。
圖lf所示的實際出射窗8是被焊接到支撐體26上的。
在不同的實施例中,可以將內殼20和裝置1當作一個整體。例如,可以 用石英玻璃制造該裝置,即特別地用石英玻璃制造內殼20。在這種情況下, 例如,可將薄石英玻璃薄膜熔合為出射窗8。這種具有20nm厚度的薄膜是現 有技術中公知的。這種出射窗的密度在2.2g/ci^附近,對應于44g/cm2。這符 合具有10pm厚度的鈦薄膜的表面密度。
這種石英玻璃薄膜允許操作溫度高達IOO(TC,即高溫梯度也可用于冷卻 目的。這種由石英玻璃制造的玻璃薄膜的另一優(yōu)點是這個厚度的石英玻璃薄膜 是柔性的。
另一種可能性是用石英玻璃制造裝置1或內殼20,用鉆石制造出射窗8。在此,具有I0pm厚度的薄膜也已經是眾所周知的。這種薄膜具有3.5 g/cm3 或35g/cr^左右的密度。這種由鉆石制造的薄膜的優(yōu)點是進一步提高了導熱性, 例如,超出銅的熱導性5倍。
此外,還可以用金屬(例如鈦)制造裝置1特別是內管或內殼20,用具有上 述屬性的鉆石制造出射窗8。在這種情況下,可以通過焊接或熔合來設置出射 窗8。如果使用玻璃管,最好鍍上金屬,因為放電可以在相對長的距離下發(fā)生。
圖2是依照本發(fā)明的裝置1的進一步實施例的示意圖。在這種情況下,內 殼20或內管在上部區(qū)域具有相對小的內橫截面,其在處理頭5的附近加寬。 按照這種方式,在內殼20和外殼16之間形成了相對大的腔22。在處理頭5 的附近,內殼具有以圓錐形加寬的端部21。依靠這個端部21,可以使電子束 相對大角度的偏轉。為了使電子束偏轉,可以使用偏轉線圈7。除圖2所示的 線圈對之外,還進一步提供了垂直線圈對,因此原則上可以在所有空間方向上 發(fā)射電子束。在圖2所示的實施例中,僅提供了鈦薄膜形式的出射窗8。然而, 在此也可提供如圖la和le所示的支撐體26。
然而,端部21也可以是球形的,而不是圖2所示的圓錐形加寬。然而, 還可以將偏轉線圈設置在外殼16之外。另外,還可以將偏轉線圈設置在裝置 l下面。在圖2所示的實施例中,內殼20也是由鈦制成的。
圖3是依照本發(fā)明的裝置的進一步實施例的示意圖。在該裝置中,在內殼 20和外殼16之間具有相對薄的縫隙22。為了阻止內殼20和外殼16之間的接 觸,可以在兩個殼16、 20之間設置隔離件17,其中隔離件17優(yōu)選是電絕緣 的。如圖2所示的實施例,同樣在圖3所示的實施例中也可以提供使電子束偏 轉的偏轉線圈7。
圖4是依照本發(fā)明的容器處理系統(tǒng)的示意圖。該系統(tǒng)包括預制件的分類設 備40,優(yōu)選地是設計為轉盤的分類設備40,還包括加熱預制件的加熱通道或 烤箱35。該加熱通道與將預制件吹塑成形為容器的吹塑設備38連接。位于該 吹塑設備之后的是多個依照本發(fā)明的對吹塑成型的容器消毒的裝置1。在此, 附圖標記18表示屏蔽設備,如鉛屏,用于包圍整個裝置l以防止任何X光的 泄露。附圖標記19表示將容器從吹塑設備38傳送到填充設備32的傳送件。如 圖中容器行進方向所示,首先是吹塑設備38,然后是填充設備32,再然后可 能是標簽機。然而,還可以在吹塑設備38后緊跟著是標簽機,然后再是填充 設備32。在依照本發(fā)明的系統(tǒng)中,裝置1在每種情況下都是直接安排在吹塑 設備38之后。
除了依照本發(fā)明的裝置1之外,還可以提供其它用于外部清潔的相似類型 的消毒裝置,即用于對容器外圍進行消毒。對于內部消毒,各個容器可以放置 在旋轉單元上,然后可以將依照本發(fā)明的裝置插入容器。在這種情況下,如上 所述,最好保持各個裝置或放射針在恒定高度并相對其移動容器。
換言之,用于內部消毒的放射針l被放入容器中?;谔厥獾倪x擇,各個 容器在旋轉時被引導通過各個依照本發(fā)明的裝置。然而,也可以引導各個容器 通過一簾電子束以便完成外部消毒,。
圖5是依照本發(fā)明的消毒裝置的進一步排列的細節(jié)示意圖。
原則上,可以通過鏈條來傳輸容器或由鏈條來將容器引入處理腔,并通過 提升運動使放射指伸入瓶中。然而,還可以通過用頸狀物來處理所述容器的鏈 輪(star wheel)將容器傳送到消毒設備,并通過提升運動將容器移動通過所述消 毒設備中的放射針。
在圖5所示的實施例中,首先依靠放射設備lb進行容器的外部輻射,優(yōu) 選地在容器旋轉的情況下進行。在這種情況下,加速到約150keV的電子束用 于對容器外部進行輻射。然后由裝置la以上述方式進行容器的內部輻射。
圖6是依照本發(fā)明的容器10的內部消毒方法的示意圖。通過傳送帶19 沿箭頭P方式傳送容器10,并通過引入鏈輪27將容器10傳送到消毒系統(tǒng)。 在第一部分I中,首先以135度的徑向跳動(run-out)角度降低放射針,放入容 器10的內部,或者提升容器IO。在進一步的部分II中,再縮回放射針,或者 再降低容器IO。當放射針從容器10縮回時,裝置l是活動的,這樣便完成了 容器10的內部消毒。
然后通過引出鏈輪28將容器傳送出去。
圖7是轉輪31的結構示意圖。該轉輪31包括多個依照本發(fā)明的裝置1,這些裝置1均處于相同的高度,但是可以看出各個容器10均被提升到最高位
置,從而裝置1或放射針被放入容器10內并基于旋轉的位置具有不同的深度。 在整個處理過程中,依照本發(fā)明的裝置1被激活,并按照這種方式在容器1 的整個高度上對容器10的內壁進行消毒。在此,選擇放射針的長度,使得即 便是容器10底部的有效殺毒也是可行的。
圖8是依照本發(fā)明的裝置的進一步實施例的示意圖。在這種裝置中,內殼 20和外殼16之間的區(qū)域被設計形成兩個氣體通道22a和22b。通過兩個通道 其中之一提供氣流,氣流會以均勻的方式從側面通過出射窗8。然后再將氣流 通過另一通道22b傳送走。
圖9是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的立體圖。依照本發(fā)明的多個裝置1的上游是進 一步的傳送容器的傳送帶42。在此,容器被引入進一步的容器消毒裝置lb, 它們的外壁由該消毒裝置lb進行消毒。然后,如上所述,對容器10的內部進 行消毒。
附圖標記44表示旋轉設備,如旋轉盤,通過旋轉設備使容器在它們的軸 向(縱向軸)上進行旋轉。依靠這種旋轉,可以對容器10外圍的更大面積進行 消毒。同樣,在容器10的傳送方向上一個接一個地設置多個消毒裝置lb也是 可行的。
圖10是圖9的系統(tǒng)的平面圖。傳送輪3(其上提供了多個用于內部消毒的 裝置1)的下游是兩個將容器傳送出該系統(tǒng)的傳送輪49a、 49b。
圖11是依照本發(fā)明的裝置的細節(jié)示意圖。在此可以看到多個運送器52, 容器10放置在每個運送器上。這些運送器52依次設置在引導桿62上,通過 這種方式使容器10可在其軸向上移動。當容器10被提升后,設置為固定方式 的裝置1進一步插入容器中。附圖標記63表示引導運送器52移動的引導桿。 這些引導桿63預選固定設置。
圖12是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的進一步的細節(jié)示意圖。在此可以看到設置在 容器下方的進一步的消毒裝置54,用于對容器的底部消毒。在這種情況中, 該消毒裝置54也具有桿狀件56,電荷載體束可以從其末端射出。當容器經過 該消毒裝置54輻射之后,再將容器IO沿它們的軸向降下。圖13是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的立體圖。在此可以看出上述底部消毒是在內 部消毒之后進行的。附圖標記45表示放置整個系統(tǒng)的支撐體。
圖14是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的進一步示意圖。在此可以看到,各個傳送和 消毒裝置設置在外殼中或三個外殼部件65、 66、 67中。按照這種方式,可以 將整個裝置放于消毒腔內。千擾的輻射可以由外殼部件65-67屏蔽。
圖15是依照本發(fā)明的系統(tǒng)的進一步實施例的示意圖。在此可以看到兩個 執(zhí)行容器內部消毒的消毒裝置lb。與以上所示的實施例不同,兩個消毒裝置 lb(容器的內部消毒在此進行)并不是設置在傳送設備3的上游,而是圍繞所述 傳送設備3設置。
更具體地說,在圖15所示的實施例中,外壁的消毒(立即)會在內壁的消 毒之前和之后進行。附圖標記41a和41b表示將容器10提供到傳送設備3的 傳送鏈輪,附圖標記49a和49b表示將容器10傳送出去的傳送鏈輪。
圖16是圖15所示的裝置的立體圖??梢钥闯?,首先由左邊的消毒裝置 lb執(zhí)行容器的外表面的消毒,優(yōu)選地在該區(qū)域以約180度旋轉容器。然后為 了執(zhí)行內部消毒將容器提升。之后,再降低容器,右邊的消毒裝置再次對外圍 進行消毒,優(yōu)選地以進一步180度旋轉容器。在內部消毒時也可以旋轉容器 10。
優(yōu)選地,因此,相應的旋轉設備以這種方式彼此配合,這樣兩個消毒裝置 lb可以執(zhí)行容器10的完整外部消毒。所以,在此僅使用一個用于外部/內部消 毒的傳送帶。通過提供兩個消毒裝置lb,可以減小外部消毒所需的容器10的 旋轉速度。因而圖15和16所示的設備節(jié)省了更大的空間。
至于與現有技術區(qū)別的具有新穎性的所有特征,在申請文件中公開的都將 作為本發(fā)明的本質要求被保護。
權利要求
1、 一種容器(10)消毒裝置(1),包括具有供電荷載體通過的出射窗(8)的處 理頭(5)、產生電荷載體的電荷載體產生源以及在出射窗(8)的方向上加速電荷 載體的加速設備(6),其特征在于,所述處理頭(5)的橫截面具有使處理頭(5)能 穿過容器(10)的容器口的尺寸,加速設備(6)以從出射窗(8)射出的電荷載體能射 到容器(10)的內壁上的方式加速電荷載體。
2、 根據權利要求1所述的裝置(l),其特征在于,所述出射窗(8)和加速設 備(6)設置在外殼(16)中,該外殼(16)具有使其能穿過容器(10)的容器口的尺寸。
3、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述裝置 (1)由屏蔽設備(18)包圍。
4、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述裝置 (1)包括內殼(20),其中設置有所述加速設備(6),所述外殼(16)將該內殼(20)包 圍。
5、 根據權利要求4所述的裝置(l),其特征在于,在外殼(16)和內殼(20) 之間形成有延伸到處理頭(5)的腔室(22),其中可導入介質特別是氣體介質。
6、 根據權利要求5所述的裝置(l),其特征在于,所述腔室(22)包括一個 或多個通道(22a、 22b),氣體或液體介質可通過每個通道。
7、 根據權利要求5至6中至少一項所述的裝置(1),其特征在于,所述氣 體介質從一組氣體介質中選出,包括氦氣、氮氣、氬氣、二氧化碳及其混合物 或類似物。
8、 根據權利要求6所述的裝置(1),其特征在于,所述液體介質從一組液 體介質中選出,包括水、油、液氮或類似物。
9、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述出射 窗(8)由從一組物質中選出的物質做成,包括鈦、石英玻璃、鉆石及其化合物 和類似物。
10、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述出 射窗(8)具有3pm到30pm之間的厚度,優(yōu)選地是4jum到25pm之間,更優(yōu)選地是5nm到20nm之間。
11、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置,其特征在于,所述裝置(l) 包括用于使電荷載體偏轉的偏轉設備(7)。
12、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述處 理頭(5)可以相對容器(10)在容器(10)的軸向(L)上移動。
13、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述處 理頭(5)可以相對容器(10)旋轉。
14、 根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l),其特征在于,所述處 理頭(5)可以在容器(10)的徑向上移動。
15、 一種利用根據前述權利要求中至少一條所述的裝置(l)處理容器的系 統(tǒng)(30)。
16、 根據權利要求15所述的系統(tǒng)(30),其特征在于,所述系統(tǒng)(30)包括用 于填充容器(10)的設備(32),且所述裝置(1)設置在該填充容器的設備(32)的上 游。
17、 根據權利要求15所述的系統(tǒng)(30),其特征在于,所述系統(tǒng)包括在容 器(10)的軸向上相對所述裝置(1僻移容器的轉移設備(36)。
18、 根據權利要求15 — 17中至少一條所述的系統(tǒng)(30),其特征在于,所 述裝置(1)設置在容器膨脹設備(38)和填充容器的設備(32)之間。
19、 根據權利要求15 — 18中至少一項所述的系統(tǒng)(30),其特征在于,所 述系統(tǒng)(30)包括多個依照權利要求1至14中至少一項所述的容器消毒裝置(l), 其中這些裝置(l )沿圓形軌道設置。
20、 根據權利要求15至19中至少一項所述的系統(tǒng),其特征在于,所述系 統(tǒng)包括用于對容器(10)的外壁進行消毒的進一步消毒裝置(lb)。
21、 根據權利要求20所述的系統(tǒng),其特征在于,所述進一步消毒裝置(lb)設置在所述裝置(l)的上游。
22、 根據前述權利要求20—22中至少一條所述的系統(tǒng),其特征在于,所 述進一步消毒裝置(lb)固定設置。
23、 根據前述權利要求20—23中至少一條所述的系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括將容器(10)傳送經過所述進一步消毒裝置(lb)的傳送帶(42)。
24、 根據權利要求23所述的系統(tǒng),其特征在于,所述傳送帶包括旋轉設 備(44),用于使容器(10)圍繞它們的縱向軸進行旋轉。
25、 一種容器(10)消毒方法,其中在裝置(1)中產生用于容器(10)消毒的電 荷載體,并在設置在處理頭(5)中的出射窗的方向上加速電荷載體,其特征在 于,弓l導所述裝置(l)的處理頭(5灘過容器(10)的容器口進入容器(10)的內部, 來自處理頭(5)的加速電荷載體直接輻射在容器(10)的內壁上,并且相對于處理 頭(5)移動容器(10)。
26、 根據權利要求20所述的方法,其特征在于,在電荷載體到達出射窗 (8)之前,在容器(10)的徑向上偏轉電荷載體。
27、 根據權利要求20所述的方法,其特征在于,在電荷載體從出射窗(8) 射出后,在容器(10)的徑向偏轉電荷載體。
28、 根據權利要求20所述的方法,其特征在于,還包括冷卻所述出射窗(8)。
29、 根據權利要求28所述的方法,其特征在于,使用氣體和/或液體介質 作為冷卻介質。
全文摘要
一種容器(10)消毒裝置(1),包括具有供電荷載體通過的出射窗(8)的處理頭(5)、產生電荷載體的電荷載體產生源以及在出射窗(8)的方向上加速電荷載體的加速設備(6)。根據本發(fā)明,處理頭(5)的橫截面具有一定尺寸,以便處理頭(5)能夠穿過容器(10)的容器口,加速設備(6)以從出射窗(8)射出的電荷載體最好直接放射到容器(10)的內壁上的方式加速電荷載體。
文檔編號A61L2/08GK101310773SQ200810096018
公開日2008年11月26日 申請日期2008年4月21日 優(yōu)先權日2007年4月19日
發(fā)明者休謨里·海因茨, 克魯格·約恩, 福爾·埃伯哈德, 門茲·漢斯約根 申請人:克朗斯股份有限公司