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      放射線成像設(shè)備及其暗電流校正方法

      文檔序號(hào):1182713閱讀:301來源:國知局
      專利名稱:放射線成像設(shè)備及其暗電流校正方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種獲得放射線圖像的放射線成像設(shè)備和用于該設(shè)備的暗電流(dark current)校正方法。
      背景技術(shù)
      在獲得放射線圖像(例如,X射線圖像)時(shí),通過使用具有保持膠片和增感屏 (intensifying screen)的暗盒(cassette)的膠片/屏幕或者用于計(jì)算機(jī)放射線成像 (computed radiography)的暗盒中的成像板,來獲取被攝體的X射線圖像。近年來,提出了實(shí)時(shí)將X射線圖像直接轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的X射線檢測(cè)器。這類X 射線檢測(cè)器包括例如將固態(tài)光檢測(cè)器和閃爍體相互層疊而成的X射線檢測(cè)器。固態(tài)光檢測(cè) 器使均由透明導(dǎo)電膜和導(dǎo)電膜形成的固態(tài)光檢測(cè)元件以矩陣形式排列在由石英玻璃制成 的基板上的非晶態(tài)半導(dǎo)體上。閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換成可見光。還有各種已知的在不使用閃爍體的情況下利用固態(tài)光檢測(cè)器直接獲取X射線的X 射線檢測(cè)器。與使用閃爍體的X射線檢測(cè)器不同,這類X射線檢測(cè)器不受由閃爍體引起的 光散射的影響,因此通常被認(rèn)為具有高的分辨率。還已知一種包括(XD或CMOS檢測(cè)器和閃 爍體的組合以增加每單位時(shí)間拍攝的圖像數(shù)量的X射線檢測(cè)器。通常,這些X射線檢測(cè)器將X射線的強(qiáng)度檢測(cè)為電荷量。由于該原因,為了獲取X 射線圖像,需要復(fù)位像素中的電荷,積累電荷,傳送像素中的電荷,并且進(jìn)行預(yù)定周期的驅(qū) 動(dòng)。在X射線檢測(cè)器中,與由X射線產(chǎn)生的信號(hào)電荷一起積累與該信號(hào)電荷的積累時(shí) 間成比例的暗電流成分的電荷。由于該原因,獲取的X射線圖像包含X射線信號(hào)成分和暗 電流成分,因此在X射線成像中進(jìn)行暗電流校正處理。在暗電流校正處理中,在沒有X射線 照射的情況下,獲取僅包含暗電流成分的暗電流圖像。然后從X射線圖像減去獲取的暗電 流圖像,以從X射線圖像去除暗電流成分。在這種情況下,如上所述,在沒有X射線照射的情況下獲取暗電流圖像。由于該原 因,通常,在獲得靜止圖像時(shí),X射線檢測(cè)器在緊挨著X射線照射之前或之后獲取圖像。在 獲得以X射線熒光圖像為代表的運(yùn)動(dòng)圖像時(shí),由于通常需要實(shí)時(shí)觀察X射線圖像,因而X射 線檢測(cè)器在X射線照射之前或者在數(shù)次X射線照射之間獲取圖像。在每單位時(shí)間獲取較大 量圖像(例如,60fps)的IVR、血管造影術(shù)或CT等高速成像中,難以獲取數(shù)次X射線照射之 間的暗電流圖像。由于該原因,在這類情況下,X射線檢測(cè)器經(jīng)常使用在X射線照射之前獲 取的暗電流圖像。然而,通常,在這類X射線檢測(cè)器中,暗電流成分在驅(qū)動(dòng)剛開始之后常常是不穩(wěn)定 的。因此,為了提高獲得的圖像的質(zhì)量,需要保證從開始驅(qū)動(dòng)到X射線照射有一定時(shí)間段。 另一方面,為了提高X射線成像設(shè)備的可操作性,優(yōu)選在操作者按下開始開關(guān)(例如,X射 線照射開關(guān))時(shí)迅速開始X射線照射。為了解決該權(quán)衡問題,日本特開平07-236093號(hào)公報(bào)公開了一種用于根據(jù)成像時(shí)間、固態(tài)成像裝置的溫度、像素值和像素位置等改變和使用預(yù)先存儲(chǔ)的暗電流成分的技術(shù)。 日本特開2007-222501號(hào)公報(bào)還公開了一種用于將驅(qū)動(dòng)開始(供應(yīng)電力)和像素特性變得 穩(wěn)定之間的時(shí)間分割成多個(gè)間隔并且預(yù)先測(cè)量并存儲(chǔ)各間隔中的暗電流成分的技術(shù)。該技 術(shù)在成像時(shí)通過減去與各間隔相對(duì)應(yīng)的暗電流成分來進(jìn)行校正。在日本特開平07-236093號(hào)公報(bào)所公開的技術(shù)的情況下,當(dāng)要根據(jù)成像時(shí)的狀況 來改變和使用預(yù)先存儲(chǔ)的暗電流成分時(shí),需要監(jiān)視成像時(shí)的狀況。這使得需要設(shè)置新的結(jié) 構(gòu)。另外,難以根據(jù)可能發(fā)生的所有狀況精確地改變暗電流成分。在日本特開2007-222501號(hào)公報(bào)所公開的技術(shù)的情況下,當(dāng)要在各間隔中存儲(chǔ)開 始驅(qū)動(dòng)之后的暗電流成分時(shí),不可能充分考慮到由于成像時(shí)的實(shí)際狀況例如成像幀頻和固 態(tài)成像裝置的溫度而引起的誤差。用以解決上述權(quán)衡問題的簡(jiǎn)單對(duì)策是通過始終驅(qū)動(dòng)X射線檢測(cè)器,即始終向X射 線檢測(cè)器通電來穩(wěn)定暗電流成分。然而,在這種情況下,恐怕例如電力消耗將會(huì)增加并且該 設(shè)備的使用壽命將會(huì)縮短。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種通過使用基于在發(fā)出成像開始指示和開始X射線照射之間的間 隔中檢測(cè)到的多個(gè)暗電流圖像所生成的校正數(shù)據(jù)來執(zhí)行暗電流校正處理的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供一種放射線成像設(shè)備,用于獲得被攝體的放射線圖 像,所述放射線成像設(shè)備包括照射單元;放射線檢測(cè)單元,用于檢測(cè)放射線;指示單元,用 于發(fā)出放射線成像開始指示;設(shè)置單元,用于設(shè)置所述指示單元發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻 和開始所述照射單元的照射的時(shí)刻之間的照射延遲時(shí)間;第一獲取單元,用于在所述設(shè)置 單元所設(shè)置的照射延遲時(shí)間期間,從所述放射線檢測(cè)單元獲取多個(gè)暗電流圖像;第二獲取 單元,用于在所述設(shè)置單元所設(shè)置的照射延遲時(shí)間結(jié)束之后,從所述放射線檢測(cè)單元獲取 所述被攝體的放射線圖像;校正數(shù)據(jù)生成單元,用于基于所述第一獲取單元所獲取的多個(gè) 暗電流圖像,生成對(duì)于所述第二獲取單元所獲取的放射線圖像的校正數(shù)據(jù);以及校正單元, 用于通過使用所述校正數(shù)據(jù)生成單元所生成的校正數(shù)據(jù),對(duì)所述第二獲取單元所獲取的放 射線圖像執(zhí)行暗電流校正處理。根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供一種放射線成像設(shè)備的暗電流校正方法,所述放射 線成像設(shè)備包括照射單元和放射線檢測(cè)單元,所述暗電流校正方法包括以下步驟發(fā)出放 射線成像開始指示;設(shè)置發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始所述照射單元的照射的時(shí)刻之間 的照射延遲時(shí)間;在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間期間,從所述放射線檢測(cè)單元獲取多個(gè)暗電流 圖像;在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間結(jié)束之后,獲取被攝體的、基于所述放射線檢測(cè)單元檢測(cè)到 的放射線的放射線圖像;基于所獲取的多個(gè)暗電流圖像,生成對(duì)于所獲取的被攝體的放射 線圖像的校正數(shù)據(jù);以及使用所生成的校正數(shù)據(jù),對(duì)所述被攝體的所述放射線圖像執(zhí)行暗 電流校正處理。通過以下參考附圖對(duì)典型實(shí)施例的說明,本發(fā)明的其它特征將顯而易見。


      圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100的結(jié)構(gòu)的框圖2是示出圖1所示的X射線成像設(shè)備100中的處理過程的例子的流程圖;圖3是示出暗電流圖像的概況的例子的圖;圖4是示出暗電流圖像中給定像素的像素值如何改變的概況的例子的圖;圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100的結(jié)構(gòu)的例子的框圖;圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100中的處理過程的例子的流程 圖;以及圖7是示出成像區(qū)域和照射延遲時(shí)間之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的例子的圖。
      具體實(shí)施例方式下面參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的典型實(shí)施例。應(yīng)該注意,除非特別說明,否則這些 實(shí)施例中所述的組件的相對(duì)配置、數(shù)值表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。盡管下面的實(shí)施例將舉例說明使用X射線作為放射線的情況,但是,放射線不局 限于X射線,并且可以使用包括、射線的電磁波以及還有a射線和0射線等。第一實(shí)施例圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100的結(jié)構(gòu)的例子的框圖。X射線成像設(shè)備100包括一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)包括例如CPU等主控制單元 以及ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等存儲(chǔ)單元。該計(jì)算機(jī)還可包括網(wǎng)卡等 通信單元以及鍵盤、鼠標(biāo)、顯示器和觸摸面板等輸入/輸出單元。注意,這些構(gòu)件通過總線 等相互連接,并且通過使主控制單元執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的程序來控制這些構(gòu)件。在這種情況下,X射線成像設(shè)備100包括X射線檢測(cè)單元101、成像開始指示單元 102、照射延遲設(shè)置單元103、暗電流圖像獲取單元104、X射線圖像獲取單元105、暗電流校 正數(shù)據(jù)生成單元106和暗電流校正單元107。X射線成像設(shè)備100還設(shè)置有幀頻設(shè)置單元 119、X射線照射單元120、成像控制單元121、圖像處理單元122和圖像顯示單元123。X射線照射單元120用作放射線照射單元,并且將放射線(X射線)照射(發(fā)射) 至被攝體(例如,人體)。幀頻設(shè)置單元119設(shè)置X射線成像時(shí)的幀頻。X射線檢測(cè)單元101用作放射線檢測(cè)單元,并且檢測(cè)透過被攝體的放射線。這使 得X射線成像設(shè)備100可以獲得基于被攝體的放射線圖像(在本實(shí)施例中為X射線圖像)。 成像開始指示單元102發(fā)出X射線成像開始指示。成像開始指示單元102基于例如操作者 的操作(例如,按下X射線發(fā)射開關(guān))發(fā)出成像開始指示。照射延遲設(shè)置單元103設(shè)置從成像開始指示單元102發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻起 到開始X射線照射的時(shí)刻為止的時(shí)間(以下稱為照射延遲時(shí)間),即發(fā)出成像開始指示和開 始X射線照射之間的時(shí)間段。暗電流圖像獲取單元104從X射線檢測(cè)單元101讀出并獲取 多個(gè)暗電流圖像,直到在成像開始指示單元102發(fā)出成像開始指示之后經(jīng)過了通過照射延 遲設(shè)置單元103所設(shè)置的照射延遲時(shí)間為止。X射線圖像獲取單元105用作放射線圖像獲取單元,并且基于通過X射線檢測(cè)單元 101檢測(cè)到的X射線,讀出并獲取一個(gè)或多個(gè)X射線圖像。在照射延遲時(shí)間過去之后X射線 照射單元120正在照射X射線時(shí),X射線圖像獲取單元105重復(fù)獲取X射線圖像。暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106基于由暗電流圖像獲取單元104獲取的多個(gè)暗電流 圖像,生成暗電流校正數(shù)據(jù)。暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106根據(jù)由X射線圖像獲取單元105獲取的一個(gè)或多個(gè)X射線圖像,生成暗電流校正數(shù)據(jù)。暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106設(shè)置 有分析多個(gè)暗電流圖像的分析單元110。也就是說,暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106基于通過 分析單元110獲得的分析結(jié)果,生成暗電流校正數(shù)據(jù)。暗電流校正單元107通過對(duì)X射線圖像執(zhí)行暗電流校正處理,從由X射線圖像獲 取單元105獲取的一個(gè)或多個(gè)X射線圖像去除暗電流成分。暗電流校正單元107通過從由 X射線圖像獲取單元105獲取的X射線圖像減去由暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106生成的暗 電流校正數(shù)據(jù),進(jìn)行暗電流校正處理。圖像處理單元122對(duì)暗電流校正后的X射線圖像執(zhí)行圖像處理。注意,圖像處理 包括例如增強(qiáng)處理、動(dòng)態(tài)范圍壓縮處理、降噪處理和半色調(diào)處理。圖像顯示單元123顯示通 過圖像處理單元122處理后的X射線圖像。成像控制單元121全面控制X射線成像設(shè)備100中的成像處理。盡管圖1未示出, 但是成像控制單元121與各組件連接。成像控制單元121控制例如X射線檢測(cè)單元101的 驅(qū)動(dòng)和X射線照射單元120的X射線照射等的處理。盡管至此為止說明了 X射線成像設(shè)備100的結(jié)構(gòu)的例子,但是不是必須以圖1所 示的方式實(shí)現(xiàn)該設(shè)備中設(shè)置的組件。例如,可以將上述各功能結(jié)構(gòu)配置為多個(gè)裝置,并且作 為系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)上述各功能結(jié)構(gòu)。接著參考圖2 4說明圖1所示的X射線成像設(shè)備100中的成像處理的例子。圖 2是示出圖1所示的X射線成像設(shè)備100中的處理過程的例子的流程圖。圖3是示出暗電 流圖像的概況的例子的圖。圖4是示出暗電流圖像中給定像素的像素值如何改變的概況的 例子的圖。當(dāng)開始該處理時(shí),首先,X射線成像設(shè)備100使幀頻設(shè)置單元119設(shè)置X射線成像 時(shí)的幀頻FHS201)。根據(jù)成像技術(shù)自動(dòng)設(shè)置幀頻Fr的設(shè)置值。在這種情況下,例如,將幀 頻Fr設(shè)置為60[fps]。一旦設(shè)置了幀頻,X射線成像設(shè)備100就使照射延遲設(shè)置單元103設(shè)置表示從發(fā) 出成像開始指示的時(shí)刻起到開始x射線照射的時(shí)刻為止的時(shí)間的照射延遲時(shí)間Td(S202)。 如果這種情況下設(shè)置了長的照射延遲時(shí)間,則由于可在暗電流成分穩(wěn)定的狀態(tài)下獲取暗電 流圖像,因而提高了通過成像所獲得的圖像的質(zhì)量。如果設(shè)置了短的照射延遲時(shí)間,則由于 該設(shè)備快速進(jìn)行X射線照射,因而提高了可操作性。盡管照射延遲時(shí)間的設(shè)置值和設(shè)置方 法沒有特別限制,但是在本實(shí)施例中,假定該設(shè)備自動(dòng)設(shè)置預(yù)定的固定值(Td = 0. 3 [秒])。X射線成像設(shè)備100使成像開始指示單元102發(fā)出X射線成像開始指示(S203)。 如上所述,成像開始指示單元102基于操作者的操作(例如,按下X射線發(fā)射開關(guān))發(fā)出該 指示。一旦發(fā)出了成像開始指示,X射線成像設(shè)備100就使成像控制單元121驅(qū)動(dòng)X射 線檢測(cè)單元101(S204)。X射線成像設(shè)備100使暗電流圖像獲取單元104獲取由X射線檢 測(cè)單元101檢測(cè)到的多個(gè)暗電流圖像,直到在步驟S203的處理中發(fā)出成像開始指示之后經(jīng) 過了照射延遲時(shí)間Td為止(S205)。圖3示意性示出步驟S205的暗電流圖像獲取處理。橫
      坐標(biāo)表示從發(fā)出成像開始指示起的經(jīng)過時(shí)間。附圖標(biāo)記Idl、Id2、Id3........Idn表示以
      幀頻Fr獲取的暗電流圖像。暗電流圖像保持各像素的像素值p(x,y),其中,通過坐標(biāo)(x, y)指定或表示各像素。
      然后,X射線成像設(shè)備100使分析單元110使用多個(gè)暗電流圖像生成表示各像素值 隨時(shí)間變化的暗電流函數(shù)Fxy(t) (S206)。換句話說,對(duì)于每一像素,使用多個(gè)暗電流圖像生 成表示像素值隨時(shí)間變化的函數(shù)Fxy(t)。更具體地,如圖4所示,假定各暗電流圖像Idl、
      Id2、Id3........Idn中以坐標(biāo)(x,y)表示的各像素的像素值p (x,y)是已知數(shù)據(jù),則生成
      表示像素值在時(shí)間方向上的變化的暗電流函數(shù)Fxy(t)。對(duì)于每一暗電流圖像中的所有坐標(biāo) &,7),生成暗電流函數(shù)?^(0。換句話說,對(duì)于每一暗電流圖像中的各像素生成暗電流函 數(shù) Fxy(t)。存在各種用于根據(jù)多個(gè)已知數(shù)據(jù)生成近似函數(shù)(在這種情況下為暗電流函數(shù) Fxy(t))的已知方法。要使用的方法沒有特別限制。本實(shí)施例生成下面的近似函數(shù),該 近似函數(shù)的特征在于相對(duì)于經(jīng)過時(shí)間的增加,該近似函數(shù)單調(diào)非增(還稱為單調(diào)非遞 增)或單調(diào)非減(還稱為單調(diào)非遞減),這是暗電流成分的典型特征之一;并且在經(jīng)過時(shí) 間無限大時(shí),該近似函數(shù)收斂至預(yù)定值。例如,本實(shí)施例通過指數(shù)函數(shù)模型“Fxy(t)= A*exp(B*t)+C”估計(jì)A、B和C(其中,t表示在發(fā)出成像開始指示之后的經(jīng)過時(shí)間)。利 用該運(yùn)算,本實(shí)施例生成近似函數(shù)。在這種情況下,C表示在經(jīng)過時(shí)間無限大時(shí)的收斂值。 已知,如果C是已知值,則可以通過最小二乘法估計(jì)A和B,并且可以計(jì)算出R平方值,作為 近似函數(shù)的適合指標(biāo)之一。由于該原因,向C賦予給定初始值,并且搜索在改變C的同時(shí)使 R平方值最大的A和B。這使得可以生成暗電流函數(shù)Fxy(t)。還可以通過使用多個(gè)函數(shù)模 型進(jìn)行上述估計(jì),并且基于適當(dāng)指標(biāo)選擇被設(shè)置為候選近似函數(shù)的函數(shù)模型中的一個(gè)?!┥闪嗣恳幌袼氐陌惦娏骱瘮?shù),X射線成像設(shè)備100就使X射線照射單元120 開始X射線照射(S207)。X射線照射單元120在成像控制單元121的控制下進(jìn)行該照射。 照射的X射線在衰減的同時(shí)透過被攝體(未示出),并且到達(dá)X射線檢測(cè)單元101。結(jié)果, 在X射線檢測(cè)單元101中積累表示被攝體的放射線圖像的電荷。當(dāng)開始X射線照射時(shí),X射線成像設(shè)備100重復(fù)步驟S208 S212的處理,以進(jìn) 行X射線成像處理。X射線成像設(shè)備100以與在步驟S202的處理中所設(shè)置的幀頻Fr相對(duì) 應(yīng)的頻率執(zhí)行該處理。當(dāng)開始X射線成像處理時(shí),首先,X射線成像設(shè)備100使X射線圖像 獲取單元105獲取積累在X射線檢測(cè)單元101中的被攝體的放射線圖像,作為X射線圖像
      (5208)。X射線成像設(shè)備100使暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106基于通過步驟S207的處理 所生成的暗電流函數(shù)Fxy(t)和從發(fā)出成像開始指示起的經(jīng)過時(shí)間t,生成暗電流校正數(shù)據(jù)
      (5209)。更具體地,暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106將經(jīng)過時(shí)間t輸入至對(duì)應(yīng)于暗電流圖像的 坐標(biāo)(x,y)處的各像素所生成的暗電流函數(shù)Fxy(t),并且通過各像素的函數(shù)獲得輸出值。 暗電流校正數(shù)據(jù)生成單元106可視化(或者獲得)該輸出值,作為相應(yīng)像素的像素值,從而 生成暗電流校正數(shù)據(jù)。一旦生成了暗電流校正數(shù)據(jù),X射線成像設(shè)備100就使暗電流校正單元107通過執(zhí) 行暗電流校正處理獲得校正圖像(S210)。也就是說,暗電流校正單元107從通過步驟S208 的處理所獲取的X射線圖像中的各X射線圖像減去先前與相應(yīng)X射線圖像對(duì)應(yīng)生成的相關(guān) 暗電流校正數(shù)據(jù)。在這種情況下,進(jìn)行減法就是進(jìn)行圖像間相應(yīng)坐標(biāo)處的像素的像素值之 間的運(yùn)算。換句話說,從X射線圖像的各像素值減去各像素的暗電流數(shù)據(jù)。在圖像處理單元122對(duì)校正后的各X射線圖像執(zhí)行圖像處理之后(S211),X射線 成像設(shè)備100使圖像顯示單元123顯示經(jīng)過了圖像處理的X射線圖像(S212)。
      隨后,X射線成像設(shè)備100判斷是否發(fā)出了成像結(jié)束指示。例如,基于操作者的操 作(釋放X射線發(fā)射開關(guān))發(fā)出成像結(jié)束指示。如果發(fā)出了成像結(jié)束指示(步驟S213為 “是”),那么終止該處理;否則(步驟S213為“否”),處理返回至步驟S208。注意,成像結(jié)束指示不必總是基于操作者的操作。例如,當(dāng)經(jīng)過了預(yù)定成像時(shí)間 時(shí),可以自動(dòng)發(fā)出成像結(jié)束指示。如上所述,第一實(shí)施例基于在發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始X射線照射的時(shí)刻 之間的間隔中檢測(cè)到的多個(gè)暗電流圖像,生成校正數(shù)據(jù),并且通過使用該校正數(shù)據(jù)執(zhí)行暗 電流校正處理。與不具有該結(jié)構(gòu)的設(shè)備相比,這使得可以根據(jù)成像時(shí)的狀況執(zhí)行精確的暗 電流校正。由于該原因,例如,本實(shí)施例不存在下面的問題被配置成通過始終驅(qū)動(dòng)X射線 檢測(cè)單元來校正暗電流的結(jié)構(gòu)所遇到的電力消耗的增加和產(chǎn)品的使用壽命的縮短。另外, 無需設(shè)置任何用于監(jiān)視成像時(shí)例如成像裝置的溫度等的狀況的新結(jié)構(gòu)。第二實(shí)施例接著說明第二實(shí)施例。圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100的結(jié)構(gòu) 的例子的框圖。該結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的圖1所示的結(jié)構(gòu)的不同在于設(shè)置有用于輸入 與被攝體有關(guān)的成像信息的成像信息輸入單元508。注意,其余結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的相 同,因此省略對(duì)這些結(jié)構(gòu)的說明,并且下面主要對(duì)不同之處進(jìn)行說明。接著參考圖6和7說明根據(jù)第二實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100中的成像處理的例 子。圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施例的X射線成像設(shè)備100中的處理過程的例子的流程圖。圖 7是示出成像區(qū)域和照射延遲時(shí)間之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的例子的圖。當(dāng)開始該處理時(shí),首先,X射線成像設(shè)備100使成像信息輸入單元508從該設(shè)備 的外部(或者該設(shè)備的內(nèi)部)輸入成像信息,并且將成像信息發(fā)送至照射延遲設(shè)置單元 103(S601)。成像信息可被預(yù)先存儲(chǔ)在信息輸入單元中,可被從X射線設(shè)備的內(nèi)部存儲(chǔ)部件 (例如,存儲(chǔ)器)輸入至輸入單元508,或者可被從CD、閃存存儲(chǔ)器裝置等外部存儲(chǔ)部件輸 入至輸入單元508。還可以通過LAN、WAN或因特網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)將成像信息輸入至輸入單元508。 例如,成像信息包括成像技術(shù)、成像區(qū)域、成像體位、X射線照射條件(放射線照射條件)、成 像請(qǐng)求源、被攝體(要檢查的被攝體)的大小和被攝體的年齡。本實(shí)施例將舉例說明成像 信息是成像區(qū)域(例如,胸部區(qū)域、腹部區(qū)域、四肢、兒童的胸部區(qū)域和頭部區(qū)域)的情況。 例如,基于操作者通過操作面板等的操作輸入成像信息。注意,如果成像信息是成像區(qū)域或 成像體位等,則可以通過模式匹配處理等在該設(shè)備側(cè)自動(dòng)識(shí)別該信息。然后,X射線成像設(shè)備100使幀頻設(shè)置單元119設(shè)置X射線成像時(shí)的幀頻 FHS602)。根據(jù)成像技術(shù)自動(dòng)設(shè)置幀頻Fr的設(shè)置值。在這種情況下,將幀頻Fr設(shè)置為 60[fps]。一旦設(shè)置了幀頻,X射線成像設(shè)備100就使照射延遲設(shè)置單元103設(shè)置照射延遲 時(shí)間Td(S603)。在本實(shí)施例中,基于通過步驟S601的處理輸入的成像信息(在這種情況下 為成像區(qū)域)設(shè)置照射延遲時(shí)間。這樣最佳地控制圖像質(zhì)量和可操作性。例如,通過使用 圖7所示的表等設(shè)置基于成像區(qū)域的照射延遲時(shí)間。假定將使用圖7所示的表。在這種情 況下,如果成像區(qū)域是“兒童的胸部區(qū)域”,則設(shè)置相對(duì)短的時(shí)間段Td = 0. 1 [秒]。這是因 為,在對(duì)“兒童的胸部區(qū)域”成像時(shí),重要的是開始成像的定時(shí)。然而,例如,對(duì)于頭部區(qū)域, 開始成像的定時(shí)不大重要,并且Td = 0. 6 [秒]。
      然后,X射線成像設(shè)備100使成像開始指示單元102發(fā)出X射線成像開始指示 (S604)。如上所述,例如,基于操作者的操作(例如,按下X射線發(fā)射開關(guān))發(fā)出該指示。注 意,步驟S604和隨后的步驟的處理與第一實(shí)施例所述的圖2的步驟S203和隨后的步驟的 處理相同,因此不再重復(fù)進(jìn)行說明。如上所述,第二實(shí)施例輸入成像信息,并且基于輸入的成像信息設(shè)置成像延遲時(shí) 間。這使得可以在滿足對(duì)X射線成像設(shè)備的可操作性的要求和通過成像所獲得的圖像的質(zhì) 量這兩者的同時(shí),進(jìn)行成像處理。以上是本發(fā)明的代表性實(shí)施例的例子。然而,本發(fā)明不局限于附圖示出的上述實(shí) 施例,并且在不改變本發(fā)明的精神的范圍內(nèi),可以根據(jù)需要修改并實(shí)施本發(fā)明。注意,本發(fā)明可以作為系統(tǒng)、設(shè)備、方法、程序和記錄介質(zhì)等來實(shí)施。更具體地,本 發(fā)明可應(yīng)用于包括多個(gè)裝置的系統(tǒng)或者實(shí)施為單個(gè)裝置的設(shè)備。本發(fā)明基于在發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始放射線照射的時(shí)刻之間的間隔中 檢測(cè)到的多個(gè)暗電流圖像,生成校正數(shù)據(jù),并且通過使用該校正數(shù)據(jù)執(zhí)行暗電流校正處理。 這使得與不具有該結(jié)構(gòu)的設(shè)備相比,可以根據(jù)成像時(shí)的狀況精確地執(zhí)行暗電流校正。其它實(shí)施例還可以通過讀出并執(zhí)行記錄在存儲(chǔ)裝置上的程序以執(zhí)行上述實(shí)施例的功能的系 統(tǒng)或設(shè)備的計(jì)算機(jī)(或者CPU或MPU等裝置)、以及下面的方法實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各方面,其中, 系統(tǒng)或設(shè)備的計(jì)算機(jī)通過例如讀出并執(zhí)行記錄在存儲(chǔ)裝置上的程序以執(zhí)行上述實(shí)施例的 功能,來執(zhí)行上述方法的各步驟。由于該原因,例如,通過網(wǎng)絡(luò)或者通過用作存儲(chǔ)裝置的各 種類型的記錄介質(zhì)(例如,計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)),將該程序提供至計(jì)算機(jī)。該程序可被承 載于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)等載體介質(zhì)或傳輸介質(zhì)(信號(hào))上。盡管參考典型實(shí)施例說明了本發(fā)明,但是應(yīng)該理解,本發(fā)明不局限于所公開的典 型實(shí)施例。所附權(quán)利要求書的范圍符合最寬的解釋,以包含所有這類修改、等同結(jié)構(gòu)和功 能。
      權(quán)利要求
      一種放射線成像設(shè)備,用于獲得被攝體的放射線圖像,所述放射線成像設(shè)備包括照射單元;放射線檢測(cè)單元,用于檢測(cè)放射線;指示單元,用于發(fā)出放射線成像開始指示;設(shè)置單元,用于設(shè)置所述指示單元發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始所述照射單元的照射的時(shí)刻之間的照射延遲時(shí)間;第一獲取單元,用于在所述設(shè)置單元所設(shè)置的照射延遲時(shí)間期間,從所述放射線檢測(cè)單元獲取多個(gè)暗電流圖像;第二獲取單元,用于在所述設(shè)置單元所設(shè)置的照射延遲時(shí)間結(jié)束之后,從所述放射線檢測(cè)單元獲取所述被攝體的放射線圖像;校正數(shù)據(jù)生成單元,用于基于所述第一獲取單元所獲取的多個(gè)暗電流圖像,生成對(duì)于所述第二獲取單元所獲取的放射線圖像的校正數(shù)據(jù);以及校正單元,用于通過使用所述校正數(shù)據(jù)生成單元所生成的校正數(shù)據(jù),對(duì)所述第二獲取單元所獲取的放射線圖像執(zhí)行暗電流校正處理。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,所述校正數(shù)據(jù)生成單元包括 用于分析所述多個(gè)暗電流圖像在時(shí)間方向上的變化的分析單元,并且基于所述分析單元所 獲得的分析結(jié)果,生成與所述放射線圖像相對(duì)應(yīng)的所述校正數(shù)據(jù)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,所述分析單元生成表示所述多個(gè)暗電流圖像在時(shí)間方向上的變化的函數(shù);以及 所述校正數(shù)據(jù)生成單元基于所述分析單元所生成的函數(shù)、以及從所述指示單元發(fā)出所 述成像開始指示的時(shí)刻到所述第二獲取單元獲取所述被攝體的所述放射線圖像的時(shí)刻的 經(jīng)過時(shí)間,生成所述校正數(shù)據(jù)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,表示所述多個(gè)暗電流圖像在 時(shí)間方向上的變化的所述函數(shù)的特征是相對(duì)于所述經(jīng)過時(shí)間的增加為單調(diào)非增或單調(diào)非 減函數(shù),并且在所述經(jīng)過時(shí)間無限大時(shí)變?yōu)槌?shù)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,所述設(shè)置單元基 于所述被攝體的成像信息,設(shè)置所述指示單元發(fā)出所述成像開始指示的時(shí)刻和開始所述照 射的時(shí)刻之間的所述照射延遲時(shí)間。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,所述成像信息包括成像技術(shù)、 成像區(qū)域、成像體位、X射線照射條件、成像請(qǐng)求源、被攝體的大小和被攝體的年齡中的至少 一個(gè)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線成像設(shè)備,其特征在于,還包括圖像處理單元,用于對(duì)由所述校正單元校正后的所述放射線圖像執(zhí)行圖像處理;以及 顯示單元,用于顯示由所述圖像處理單元處理后的所述放射線圖像。
      8.一種放射線成像設(shè)備的暗電流校正方法,所述放射線成像設(shè)備包括照射單元和放射 線檢測(cè)單元,所述暗電流校正方法包括以下步驟發(fā)出放射線成像開始指示;設(shè)置發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始所述照射單元的照射的時(shí)刻之間的照射延遲時(shí)間;在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間期間,從所述放射線檢測(cè)單元獲取多個(gè)暗電流圖像;在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間結(jié)束之后,獲取被攝體的、基于所述放射線檢測(cè)單元檢測(cè)到 的放射線的放射線圖像;基于所獲取的多個(gè)暗電流圖像,生成對(duì)于所獲取的被攝體的放射線圖像的校正數(shù)據(jù);以及使用所生成的校正數(shù)據(jù),對(duì)所述被攝體的所述放射線圖像執(zhí)行暗電流校正處理。
      全文摘要
      一種放射線成像設(shè)備及其暗電流校正方法,該放射線成像設(shè)備包括照射單元;放射線檢測(cè)單元,用于檢測(cè)放射線;指示單元,用于發(fā)出放射線成像開始指示;設(shè)置單元,用于設(shè)置指示單元發(fā)出成像開始指示的時(shí)刻和開始照射單元的照射的時(shí)刻之間的照射延遲時(shí)間;第一獲取單元,用于在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間期間,獲取多個(gè)暗電流圖像;第二獲取單元,用于在所設(shè)置的照射延遲時(shí)間結(jié)束之后,獲取被攝體的放射線圖像;校正數(shù)據(jù)生成單元,用于基于所述多個(gè)暗電流圖像,生成對(duì)于所獲取的放射線圖像的校正數(shù)據(jù);以及校正單元,用于通過使用該校正數(shù)據(jù),對(duì)所獲取的放射線圖像執(zhí)行暗電流校正處理。
      文檔編號(hào)A61B6/00GK101849834SQ201010141919
      公開日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2010年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
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