5-HT3AR抑制劑Ondansetron的新用途
【專利摘要】本發(fā)明涉及5-HT3AR抑制劑Ondansetron的新用途。本發(fā)明將不同劑量的Ondansetron在BmKI注射前30分鐘注入大鼠鞘內(nèi)L5-L6骶骨間隙，研究不同劑量Ondansetron在實(shí)驗(yàn)性自發(fā)痛、陣發(fā)性痛覺大發(fā)作、雙側(cè)機(jī)械痛敏和單側(cè)熱痛敏等現(xiàn)象中的緩解作用。該項(xiàng)發(fā)明建立在實(shí)驗(yàn)性動(dòng)物炎癥痛模型上，為研究5-HT3AR信號(hào)途徑相關(guān)的鎮(zhèn)痛分子機(jī)制及研發(fā)新型鎮(zhèn)痛藥物提供了依據(jù)。
【專利說明】5-HT3AR抑制劑Ondansetron的新用途
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種5-HT3AR抑制劑Ondansetron的新用途。
【背景技術(shù)】
[0002]疼痛在廣義上可分為急性痛和慢性痛。前者是軀體不可缺少的一種保護(hù)機(jī)制，后者則由外傷、感染、炎癥和腫瘤等各種病因引起，因其病程長(zhǎng)，恢復(fù)慢，發(fā)病機(jī)制復(fù)雜等，已成為當(dāng)前危害人們健康的重要原因。由于慢性痛在臨床上缺乏有效的緩解策略，現(xiàn)有的藥物如嗎啡、非留體類抗炎藥等存在鎮(zhèn)痛效果不佳、成癮以及毒副作用等問題。因此，闡明其分子機(jī)理并尋找有效的鎮(zhèn)痛策略，已成為生命醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的重點(diǎn)。
[0003]為了模擬人類慢性痛的臨床癥狀，研究者們建立了若干不同類型的炎癥痛和神經(jīng)病理痛實(shí)驗(yàn)動(dòng)物模型。如:福爾馬林模型(Formalin Model),角叉菜膠模型(CarrageenanModel),完全弗氏佐劑模型(CFA Model)，蜂毒模型(BeeVenom Test)等。盡管慢性痛的病因非常復(fù)雜，但其臨床癥狀主要都表現(xiàn)為自發(fā)痛(spontaneous pain),痛覺過敏(hyperalgesia)和觸誘發(fā)痛(allodynia)。自發(fā)痛指無(wú)外來刺激自發(fā)產(chǎn)生痛；痛覺過敏定義為機(jī)體對(duì)傷害性刺激產(chǎn)生夸大的痛反應(yīng)；而觸誘發(fā)痛則指非傷害性輕觸刺激可產(chǎn)生疼痛感受。發(fā)生于損傷區(qū)的痛敏稱為原發(fā)性痛敏(primary hyperalgesia),包括機(jī)械和熱痛敏；機(jī)體損傷對(duì)側(cè)的痛覺過敏稱為鏡像痛敏(mirror image hyperalgesia)。可是上述模型都不能有效的模擬臨床疼痛的全部征狀，因此尋找新型天然刺激物，更加準(zhǔn)確有效模擬臨床痛征狀，建立同時(shí)呈現(xiàn)臨 床持續(xù)自發(fā)痛和痛覺過敏相關(guān)反應(yīng)的動(dòng)物模型便成為疼痛研究的緊迫需要。
[0004]5-羥色胺(5-HT)是一種具有復(fù)雜功能的神經(jīng)遞質(zhì)，其參與痛的調(diào)制備受關(guān)注。5-HT是傷害性感覺信息在脊髓水平傳遞的重要調(diào)節(jié)因子。調(diào)控外周傷害性信息向中樞傳遞的主要結(jié)構(gòu)是腦干下行抑制系統(tǒng)，該系統(tǒng)由中腦導(dǎo)水管周圍灰質(zhì)(PAG)、腦干中縫核群及與其相鄰的部分網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的核團(tuán)組成。下行抑制系統(tǒng)中的5-HT與脊髓背角向丘腦投射的神經(jīng)元、中間神經(jīng)元和初級(jí)傳入終末之間形成復(fù)雜的聯(lián)系，發(fā)揮調(diào)節(jié)傷害性信息傳遞的作用。
[0005]5-HT的作用由其眾多的受體亞型介導(dǎo)。迄今為止已發(fā)現(xiàn)7類5-HT受體，進(jìn)而可細(xì)分為16種不同的亞型。5-HT3受體是5-HT受體家族中唯一的配體門控離子通道受體，它是由487個(gè)氨基酸殘基組成的五聚體，在中樞和外周組織都有分布，在中樞集中分布在低位腦干的各個(gè)核團(tuán)和脊髓的膠狀質(zhì)，皮質(zhì)和邊緣系統(tǒng)的海馬等。5-HT3受體的激活可影響機(jī)體的多種功能，如引起血管舒張；通過激活肺和頸總動(dòng)脈的化學(xué)反射性來調(diào)節(jié)呼吸功能；參與調(diào)節(jié)胃腸道平滑肌的緊張性以及通過腺體分泌參與人類的痛覺形成等。
[0006]Ondansetron的分子式為C17H18N40，其鹽酸二水合物為白色結(jié)晶性固體，熔點(diǎn)為178.5~179.5°C。它是一種高度選擇性的5-HT3受體拮抗劑，一般認(rèn)為化療藥物和放射治療可造成小腸釋放5-HT，經(jīng)由5-HT3受體激活迷走神經(jīng)的傳入支，觸發(fā)嘔吐反射，因此其在臨床上的用途主要是抑制由化療和放療引起的惡心嘔吐。由于越來越多的證據(jù)表明5-HT3受體在痛覺的中樞調(diào)控中發(fā)揮著不可替代的作用，因此Ondansetron在各種病理進(jìn)程(炎癥痛等)中的作用正處于廣泛的分析和研究，其作為一種新型鎮(zhèn)痛的藥物的潛力非常巨大，那么在蝎蟄痛炎癥模型中，Ondansetron是否能通過抑制5-HT3受體來影響疼痛癥狀，是否能為治療蝎蟄痛提供新的藥物靶點(diǎn)，這些都有較高的研究?jī)r(jià)值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的之一在于提供一種5-HT3AR抑制劑Ondansetron在制備抑制BmK I誘導(dǎo)的雙側(cè)機(jī)械痛敏藥物中的應(yīng)用。
[0008]本發(fā)明的目的之二在于提供一種5-HT3AR抑制劑Ondansetron在制備BmK I誘導(dǎo)的單側(cè)熱痛敏藥物中的應(yīng)用。
[0009]本發(fā)明將Ondansetron在BmK I足底注射前30分鐘鞘內(nèi)注入大鼠脊髓L5-L6間隙，觀察Ondansetron對(duì)于大鼠自發(fā)痛、大發(fā)作、雙側(cè)機(jī)械痛敏及熱痛敏的緩解情況。結(jié)果證明:大鼠的自發(fā)縮足反射次數(shù)、痛覺大發(fā)作次數(shù)均可被兩種劑量的Ondansetron所抑制。誘發(fā)痛方面，兩種劑量的Ondansetron均可劑量相關(guān)性地抑制BmK I誘導(dǎo)的鏡像機(jī)械痛敏和單側(cè)熱痛敏，而不影響對(duì)側(cè)熱痛閾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為大鼠鞘內(nèi)注射不同劑量Ondansetron后緩解自發(fā)縮足反應(yīng)持續(xù)時(shí)程。
[0011]圖2為大鼠鞘內(nèi)注射不同劑量Ondansetron后緩解BmK I注射2小時(shí)內(nèi)痛覺大發(fā)作總次數(shù)。
[0012]圖3為不同劑量Ondansetron緩解注射側(cè)機(jī)械痛敏持續(xù)時(shí)程。
[0013]圖4為不同劑量Ondansetron緩解注射對(duì)側(cè)機(jī)械痛敏持續(xù)時(shí)程。
[0014]圖5為不同劑量Ondansetron緩解注射側(cè)熱痛敏持續(xù)時(shí)程。
[0015]圖6為不同劑量Ondansetron緩解注射對(duì)側(cè)熱痛敏持續(xù)時(shí)程。
【具體實(shí)施方式】
[0016]BmK I 蝎蜇痛模型建立實(shí)驗(yàn)請(qǐng)參見 Bai ZT, LiuT, JiangF, ChengM, Pang XY, HuaLMj Shi Jj Zhou JJj Shu XQj Zhang JWj Ji YH.Phenotypes and peripheral mechanismsunderlying inflammatory pain-related behaviors induced by BmK I，a modulator ofsodium channels.Exp.Neurol., 226 (2010) 159 - 172.實(shí)施例一:不同劑量Ondansetron緩解大鼠自發(fā)縮足及痛覺大發(fā)作反應(yīng)的觀察在鋪有一面玻璃鏡的桌上放一高75 cm支架，架上置一 20X20X30cm3透明有機(jī)玻璃盒子，自桌上的鏡中觀察大鼠足底給藥后的反應(yīng)。藥物注射前，將大鼠提前30分鐘置于盒中適應(yīng)實(shí)驗(yàn)環(huán)境。足底注射BmK I后，動(dòng)物放回檢測(cè)盒，持續(xù)觀測(cè)自發(fā)痛行為。以每5分鐘自發(fā)抬足次數(shù)、撕叫等痛覺大發(fā)作次數(shù)來評(píng)價(jià)傷害性自發(fā)痛反應(yīng)。Ondansetron的給藥方式為BmK I注射前30分鐘分別在大鼠鞘內(nèi)注射濃度為5ug/ul或10ug/ul的IOul藥品。Ondansetron對(duì)大鼠自發(fā)痛及痛覺大發(fā)作行為的緩解情況詳見圖1~圖2。
[0017]結(jié)果發(fā)現(xiàn)，大鼠的自發(fā)縮足反射次數(shù)、痛覺大發(fā)作次數(shù)均可被上述兩種劑量的Ondansetron所抑制。Ondansetron對(duì)大鼠自發(fā)痛的抑制時(shí)間持續(xù)至少2 h。自發(fā)痛相關(guān)反應(yīng)可很好的模擬臨床急性痛癥狀，陣發(fā)性痛覺大發(fā)作行為可以很好的模擬臨床陣發(fā)性痛覺發(fā)作癥狀。
[0018]實(shí)施例二:不同劑量Ondansetron緩解大鼠雙側(cè)機(jī)械痛敏反應(yīng)的觀察
實(shí)例一中自發(fā)痛基本消失后，將大鼠置于在鋼絲網(wǎng)格(Icm2)上的有機(jī)玻璃盒(20 X 20 X 30 cm3)中。用一系列 Von Frey 纖維(58011, Stoelting C0., USA)(從 0.6 至Ij 26g)來測(cè)量機(jī)械縮足反射閾值。當(dāng)大鼠注射側(cè)后足接觸地面并正常負(fù)重時(shí)即可測(cè)量。從網(wǎng)格下刺激動(dòng)物注射側(cè)后肢足底中心皮膚，每根纖維彎曲至適當(dāng)程度停留2-3秒，兩次測(cè)量間隔10秒。Von Frey纖維的刺激強(qiáng)度由小到大。如果沒有縮足反射，使用更大克數(shù)的纖維繼續(xù)測(cè)量，測(cè)量最大值為26 g。取能引起50%縮足反應(yīng)的最小克數(shù)值為機(jī)械縮足反射閾值。機(jī)械痛閾值取毒素注射后4小時(shí)、8小時(shí)的時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行采集。Ondansetron對(duì)大鼠雙側(cè)機(jī)械痛敏的緩解情況詳見圖3~圖4。
[0019]結(jié)果發(fā)現(xiàn),兩種劑量的Ondansetron均可劑量依賴性地抑制BmK I誘導(dǎo)的雙側(cè)機(jī)械痛敏。誘發(fā)的雙側(cè)機(jī)械痛敏可很好的模擬臨床鏡像痛的癥狀。
[0020]實(shí)施例三:不同劑量Ondansetron緩解大鼠熱痛敏反應(yīng)的觀察
將一個(gè)20X20X30 cm3的有機(jī)玻璃罩放置在一塊厚度為2毫米的玻璃板上,大鼠置于其中，玻璃下方是熱痛刺激儀的鹵素?zé)粽丈漕^(150 W，24 V，西安風(fēng)嵐器械廠出品，RTY-3型)。照射頭距玻璃板的下表面調(diào)至3 cm，照射光圈直徑調(diào)至3 mm照射在玻璃板下方。熱刺激直接施加在大鼠后足足心。測(cè)量自動(dòng)切斷時(shí)間為20秒，以免損傷組織。同一位點(diǎn)重復(fù)測(cè)量5次。同一位點(diǎn)測(cè)量每?jī)纱伍g隔至少10分鐘，不同位點(diǎn)測(cè)量每?jī)纱伍g隔5分鐘。測(cè)三次，取平均值作為熱縮足反射閾值。熱痛閾值取毒素注射后4小時(shí)、8小時(shí)的時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行采集。Ondansetron對(duì)大鼠熱痛敏的緩解情況詳見圖5~圖6。
[0021]結(jié)果發(fā)現(xiàn)，兩種劑量的Ondansetron均可劑量相關(guān)性地抑制BmK I誘導(dǎo)的單側(cè)熱痛敏，而不影響對(duì)側(cè)熱痛閾。誘發(fā)的熱痛敏可以很好的模擬臨床熱痛覺過敏癥狀。
【權(quán)利要求】
1.5-HT3AR抑制劑Ondansetron在制備抑制BmK I誘導(dǎo)的雙側(cè)機(jī)械痛敏藥物中的應(yīng)用。
2.5-HT3AR抑制 劑Ondansetron在制備BmK I誘導(dǎo)的單側(cè)熱痛敏藥物中的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】A61P29/00GK103989674SQ201410193628
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月9日
【發(fā)明者】吉永華, 傅晉, 焦云露, 李正威, 楊清湖 申請(qǐng)人:上海大學(xué)