本申請(qǐng)主張以下的優(yōu)先權(quán)，且是以下的部分延續(xù)案：

(a)提交于2014年6月25日的美國(guó)申請(qǐng)案第14/315,301號(hào)，其是提交于2013年12月23日的美國(guó)申請(qǐng)案第14/139,579號(hào)的部分延續(xù)案，其主張?zhí)峤挥?012年12月26日的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第61/745,851號(hào)的利益；以及

(b)提交于2014年6月24日的美國(guó)申請(qǐng)案第14/313,799號(hào)，其是提交于2013年12月23日的美國(guó)申請(qǐng)案第14/139,579號(hào)的部分延續(xù)案，其主張?zhí)峤挥?012年12月26日的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第61/745,851號(hào)的利益。本申請(qǐng)案另外地主張以下的優(yōu)先權(quán)：

(a)提交于2014年6月25日的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第62/016,919號(hào)；以及

(b)提交于2014年6月25日的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案第62/017,232號(hào)。

所有的上述申請(qǐng)案都轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人，并且以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明廣泛地涉及一種可植入的醫(yī)療裝置，特別涉及一種人工晶體。

背景技術(shù)：

調(diào)節(jié)式人工晶體(Accommodating intraocular lenses，AIOLs)允許眼睛可對(duì)焦不同距離。(Bausch&Lomb,Rochester,NY,USA)為一種通過(guò)美國(guó)食品藥品監(jiān)督管理局(FDA)認(rèn)證的調(diào)節(jié)式人工晶體。

Gross等人的美國(guó)專利申請(qǐng)公開號(hào)第2011/0071628號(hào)描述一種調(diào)節(jié)式人工晶體植入物(AIOL)，其包含至少一前浮式晶體復(fù)合體與一后晶體復(fù)合體，兩者皆包含一或多個(gè)光學(xué)元件及一包含一或多個(gè)杠桿的外框，所述杠桿連接所述外框與所述前浮式晶體復(fù)合體。相對(duì)于所述后晶體復(fù)合體，所述杠桿被配置用于推動(dòng)所述外框來(lái)移動(dòng)所述前浮式晶體復(fù)合體。其他實(shí)施例也同樣被表述。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在本發(fā)明的一些應(yīng)用中，一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物包含一前浮式晶體元件和一后晶體元件。所述晶體植入物被如此配置以至于所述晶體元件之間的距離(在所述前-后方向)對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而改變，因此來(lái)調(diào)整所述晶體植入物的焦距。所述晶體植入物包含一或多個(gè)杠桿，其用于放大由所述天然囊袋的自然形狀改變所造成的晶體植入物寬度的相對(duì)細(xì)微的改變，以便于將所述前浮式晶體元件移動(dòng)一較大的距離(相對(duì)于所述后晶體元件)。因?yàn)樗鼍嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。

所述晶體植入物還包含了一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。隨著所述天然囊袋的寬度(在所述前-后方向)改變，所述前環(huán)復(fù)合體朝所述后晶體元件移動(dòng)，因此改變了兩者之間的距離。所述多個(gè)杠桿通過(guò)各自的連桿被連接于所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件。所述多個(gè)杠桿被配置來(lái)放大所述前環(huán)復(fù)合體與所述后晶體元件之間距離中的相對(duì)微小變化，以至于使所述前浮式晶體元件移動(dòng)離所述后晶體元件時(shí)更遠(yuǎn)。所述晶體植入物特別又包含了觸動(dòng)部，所述觸動(dòng)部提供了一介于(a)一所述前環(huán)復(fù)合體的前環(huán)與(b)所述后晶體元件之間的可變前-后距離，并協(xié)助所述晶體植入物妥善的位于所述囊袋中。特別地，所述多個(gè)杠桿并不耦合至任何的所述觸動(dòng)部。如上所述，所述晶體植物入包含了多個(gè)連桿。更特別地，所述晶體植入物包含：

一或多個(gè)前晶體連桿，其包含了各自的前晶體連接元件；

一或多個(gè)后晶體連桿，其包含各自的后晶體連接元件；以及

一或多個(gè)前環(huán)連桿，其包含了各自的前環(huán)連接元件。

所述晶體植入物的所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)：

在沿著所述杠桿的第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)前晶體連桿的其中之一而被連結(jié)至所述前浮式晶體元件，

在沿著所述杠桿的第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)前環(huán)連桿的其中之一而被連結(jié)至所述前環(huán)復(fù)合體，以及

在沿著所述杠桿的第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述多個(gè)后晶體連桿的其中之一而被連結(jié)至所述后晶體元件。

每個(gè)杠桿的所述第二點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一點(diǎn)與所述第三點(diǎn)之間，使所述第二點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。特別地，相對(duì)于所述第一點(diǎn)，所述支點(diǎn)(第二點(diǎn))較靠近所述第三點(diǎn)。所述杠桿為一頭等杠桿，其是在所述支點(diǎn)上樞轉(zhuǎn)。由于所述支點(diǎn)較靠近所述第三點(diǎn)(相對(duì)于所述第一點(diǎn))，所述杠桿放大了所述第一點(diǎn)的前-后的移動(dòng)，導(dǎo)致所述前浮式晶體元件有更大的前-后移動(dòng)。所述杠桿通常相當(dāng)?shù)膱?jiān)硬，以致當(dāng)其在正常植入使用的晶體植入物的調(diào)節(jié)期間的樞轉(zhuǎn)時(shí)，也并不會(huì)改變其形狀。

所述多個(gè)連接元件的每一個(gè)連結(jié)所述晶體植入物的各對(duì)的元件，允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。特別地，所述后晶體連接元件與所述前環(huán)連接元件被配置來(lái)縮小對(duì)于其他設(shè)計(jì)限制所可能給出的程度的它們各自的連接元件之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))，同時(shí)仍允許少量的徑向運(yùn)動(dòng)。所述前晶體連接元件特別地被配置來(lái)允許所述杠桿與所述前浮式晶體元件之間的少量徑向運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用面中，所述多個(gè)后晶體連桿的每一個(gè)確切地包含一后晶體連接元件，所述多個(gè)前環(huán)連桿的每一個(gè)確切地包含了一前環(huán)連接元件，和/或所述多個(gè)前晶體連桿的每一個(gè)確切地包含了一前晶體連接元件。特別地，所述前環(huán)復(fù)合體并非自體連接，和/或所述后晶體元件并非自體連接。所述杠桿與所述連桿的設(shè)置與高水平的用于調(diào)節(jié)的杠桿效率結(jié)合，對(duì)所述晶體植入物而言，提供了穩(wěn)定度。特別地，在應(yīng)用中，其中一或多個(gè)的連桿的每一個(gè)確切地包含一連接元件，所述設(shè)置降低了所述晶體植入物的運(yùn)動(dòng)自由度(相對(duì)于另一個(gè)晶體植入物)，因此提升了所述晶體植入物的穩(wěn)定度。在構(gòu)造(在其中所述植入物包含至少三個(gè)杠桿，且所述杠桿被分布在所述植入物的圓周周圍)中穩(wěn)定度進(jìn)一步地被提升。穩(wěn)定度更進(jìn)一步地是通過(guò)減少使用于連接所述前浮式晶體元件、所述后晶體元件和所述前環(huán)復(fù)合體的連桿的數(shù)量來(lái)提升，如每一杠桿只用一連桿來(lái)連接這三個(gè)元件的每一個(gè)。

所述晶體植入物的調(diào)節(jié)性通常提供了一連續(xù)的焦距范圍，包含近、遠(yuǎn)及中間的距離。所述晶體植入物利用了眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制，其反應(yīng)使影像在視網(wǎng)膜上更清楚。因此，所述晶體植入物降低了眼鏡的需求，戴有傳統(tǒng)人工晶體的患者經(jīng)常需要眼鏡。由于白內(nèi)障，或用于屈光性晶狀體置換(Refractive Lens Exchange，RLE)，使用公知的人工晶體植入技術(shù)(包含做小切口)，而通常在移除自然晶體后，將所述晶體植入物植入于眼睛中。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物包含一前浮式晶體元件及一后晶體元件。所述晶體植入物被配置使所述多個(gè)晶體元件之間(在前-后方向)的距離可對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制來(lái)改變，進(jìn)而調(diào)整了所述晶體植入物的焦距。所述晶體植入物包含一或多個(gè)杠桿，其用于放大由所述天然囊袋的自然形狀改變所造成的晶體植入物寬度的相對(duì)細(xì)微的變化，來(lái)移動(dòng)所述前浮式晶體元件遠(yuǎn)離所述后晶體元件。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。

所述晶體植入物還包含了一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。所述前環(huán)復(fù)合體包含一前環(huán)。隨著所述囊袋的寬度(在所述前-后方向)改變，所述前環(huán)復(fù)合體朝所述后晶體元件移動(dòng)，因此改變了所述前環(huán)復(fù)合體與所述后晶體元件之間的距離。所述多個(gè)杠桿例如通過(guò)各自的前晶體連桿及前環(huán)連桿而被連接于前浮式晶體元件和前環(huán)復(fù)合體。所述杠桿還與所述后晶體元件連結(jié)。特別地，所述晶體植入物包含至少六個(gè)杠桿(比如，剛好六個(gè)杠桿)，如多于六個(gè)杠桿，比如至少八個(gè)杠桿(比如，剛好八個(gè)杠桿)，特別地是，所述前晶體連桿和前環(huán)連桿的每一個(gè)的相對(duì)應(yīng)的數(shù)量。在一些應(yīng)用上，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。所述多個(gè)杠桿被配置來(lái)放大所述前環(huán)復(fù)合體與所述后晶體元件之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使所述前浮式晶體元件移動(dòng)離所述后晶體元件時(shí)更遠(yuǎn)。在一些應(yīng)用上，所述晶體植入物不包含任何觸動(dòng)部?；蛘?，在一些應(yīng)用上，所述晶體植入物包含觸動(dòng)部，所述觸動(dòng)部不被配置來(lái)傳遞動(dòng)作給所述杠桿。

在一些應(yīng)用上，所述晶體植入物包含了兩個(gè)組件，其彼此間原先是分離的狀態(tài)，在所述晶體植入物植入過(guò)程中被原地組裝在一起：(1)所述后晶體元件及(2)一前組件。在此配置中，所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起。當(dāng)組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。特別地，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物(特別是它的前組件)還包含了一圓周環(huán)緣。所述多個(gè)杠桿：

沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)，與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)，(a)被固定在所述圓周環(huán)緣的所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上，以及(b)被連結(jié)至所述后晶體元件。

在一些應(yīng)用中，所述前組件包含了下列元件：

所述前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

所述前環(huán)復(fù)合體，其包含所述前環(huán)；

所述多個(gè)杠桿；

可選擇地，所述前晶體連桿；以及

可選擇地，所述前環(huán)連桿。

所述多個(gè)杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上被連結(jié)至所述前浮式晶體元件；在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上被連結(jié)至所述前環(huán)復(fù)合體；以及在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第三縱向點(diǎn)上被連結(jié)至所述后晶體元件。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含了多個(gè)前晶體連桿，其通常包含了各自的前晶體連接元件；以及多個(gè)前環(huán)連桿，所述多個(gè)前環(huán)連桿特別地包含了各自的前環(huán)連接元件。在一些應(yīng)用中，所述杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述各自的前晶體連桿而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述各自的前環(huán)連桿而與所述前環(huán)復(fù)合體(特別與所述前環(huán)復(fù)合體的所述前環(huán)連結(jié))連結(jié)。

此外，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)，在沿著所述杠桿的第三縱向點(diǎn)，與所述后晶體元件連結(jié)。

對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，使所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。特別地，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。特別地，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。

所述多個(gè)連接元件的每一個(gè)連結(jié)所述晶體植入物的各對(duì)的元件，允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。所述前晶體連接元件特別地被配置來(lái)允許所述杠桿與所述前浮式晶體元件之間的少量徑向運(yùn)動(dòng)。所述前晶體連接元件被成形并設(shè)計(jì)成微幅轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)吸收此旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面(比如，碗狀)且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，此界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑。特別地，所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部。所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。特別的，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用上，所述晶體植入物被成形使所述內(nèi)表面限制所述前浮式晶體元件的往后運(yùn)動(dòng)。

在一些應(yīng)用中，對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度，如介于85度至95度之間，比如90度。這些實(shí)施例允許使用最大數(shù)量的杠桿且因此更有效地使用所述小帶張力(zonular tension)，所述小帶張力被周向地分布于所述晶體囊周圍。這些實(shí)施例還提供了一種具有盡可能短的杠桿的設(shè)計(jì)，其有助于在插入期間所述晶體植入物較簡(jiǎn)易的折迭與展開。所述晶體植入物的調(diào)節(jié)性通常提供了一連續(xù)的焦距范圍，包含近、遠(yuǎn)及中間的距離。所述晶體植入物利用了眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制，其反應(yīng)使得視網(wǎng)膜上的影像更為清晰。因此，所述晶體植入物降低了眼鏡的需求，戴有傳統(tǒng)人工晶體的患者經(jīng)常需要眼鏡。由于白內(nèi)障，或用于屈光性晶狀體置換(Refractive Lens Exchange，RLE)，使用公知的人工晶體植入技術(shù)(包含做小切口)，而通常在移除自然晶體后，將所述晶體植入物植入于眼睛中。在本發(fā)明的應(yīng)用中，提供了另外所述晶體植入物的構(gòu)造，此構(gòu)造相似于如上所述的構(gòu)造，并有以下幾項(xiàng)的差異。不像先前所述的構(gòu)造中所述晶體植入物的前組件與后組件是在一所述后組件與所述杠桿的第三縱向點(diǎn)(徑向最外側(cè))之間的界面上而在原位被耦合在一起，在此構(gòu)造中所述晶體植入物的前組件與后組件是在所述前組件與所述杠桿的第一縱向點(diǎn)(徑向最內(nèi)側(cè))之間的界面上而在原位被耦合在一起。如此設(shè)計(jì)的結(jié)果，所述后組件包含了所述杠桿，而非如上述構(gòu)造包含的是所述前組件。

此設(shè)計(jì)可提供所述前組件與后組件的橫截面之間更平均的分配，在插入期間使角膜只需使用更小的切口。此設(shè)計(jì)同時(shí)幫助所述前晶體更容易地更換，因所述前晶體并不與天然囊袋接觸也不會(huì)形成任何纖維狀的連接。此外，此設(shè)計(jì)提供了一種所述前組件與后組件之間更簡(jiǎn)易執(zhí)行捕捉，因使所述捕捉在更小的半徑中被執(zhí)行(相較于以上所述的構(gòu)造中)。因所述半徑與撕囊(capsulorhexis)大約相同故此半徑很重要，所以當(dāng)有需要的時(shí)候所述捕捉是可見的且能夠被容易地操縱和/或被校正。此外，所述捕捉的過(guò)程并不需要任何精密的操作。

故此提供了，依本發(fā)明的一應(yīng)用，一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；以及

一杠桿，其：在沿著所述杠桿的第一縱向點(diǎn)上與所述前浮式晶體元件連結(jié)、在沿著所述杠桿的第二縱向點(diǎn)上與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，以及在沿著所述杠桿的第三縱向點(diǎn)上與所述后晶體元件連結(jié)，其中所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿被安排使所述第二縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物還包含了：

一前晶體連桿，其包含一前晶體連接元件；以及一前環(huán)連桿，所述前環(huán)連桿包含一前環(huán)連接元件，所述杠桿，于所述第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

所述杠桿，于所述第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一后晶體連桿，其包含一后晶體連接元件，且所述杠桿，于所述第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述后晶體連桿與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿被安排使所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含了多個(gè)杠桿，(a)所述多個(gè)杠桿(i)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)；(b)所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。在一些應(yīng)用中，對(duì)于每一個(gè)杠桿來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的所述徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊界定的平面)與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含了一后組件，所述后組件包含了所述后晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述杠桿，

所述前浮式晶體元件與所述后組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述前浮式晶體元件與所述后組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組裝在一起時(shí)，所述前浮式晶體元件與所述后組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，所述前浮式晶體元件被成形來(lái)界定一前環(huán)。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)被成形來(lái)界定一界面區(qū)域，以及，當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組合在一起時(shí)，所述杠桿在它的第一縱向點(diǎn)上被耦合到所述界面區(qū)域。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿，在其第三縱向點(diǎn)中，在一接點(diǎn)上被固定至所述后晶體元件。在一些應(yīng)用中，所述杠桿能夠繞所述接點(diǎn)樞轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用中：所述晶體植入物包含一前組件，所述前組件包含所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體及所述杠桿，

所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，以及當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面的其中之一樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含六個(gè)杠桿?？蛇x地，在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含六個(gè)以上的杠桿。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含：

一圓周環(huán)緣；以及

多個(gè)杠桿，(a)在沿著所述杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)，與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及(b)在沿著所述杠桿的第三相應(yīng)縱向點(diǎn)，(b)在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第三縱向點(diǎn)，(i)被固定在所述圓周環(huán)緣的所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上，以及(ii)被連結(jié)至所述后晶體元件。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑，且所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。

在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。

在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑是所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

在一些應(yīng)用中，所述第三縱向點(diǎn)是位在所述杠桿的最末端。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)相對(duì)于所述第一縱向點(diǎn)來(lái)說(shuō)較靠近所述第三縱向點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間的第一距離為所述第一縱向點(diǎn)與所述第二縱向點(diǎn)之間的第二距離的至少10％。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間的第一距離是少于所述第一縱向點(diǎn)與所述第二縱向點(diǎn)之間的第二距離的70％。在一些應(yīng)用中，所述第一距離較所述第二距離少30％。

在一些應(yīng)用中，在所述晶體植入物的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換期間，所述第二縱向點(diǎn)與第三縱向點(diǎn)之間的一直線線段在某些點(diǎn)與一垂直于所述前晶體的一中央視軸的平面界定了一少于15度的角度。在一些應(yīng)用中，在所述轉(zhuǎn)換過(guò)程中，所述直線線段在某些點(diǎn)與所述平面平行。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與第三縱向點(diǎn)之間的一直線線段旋轉(zhuǎn)10至35度之間。

在一些應(yīng)用中，在所述晶體植入物的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換期間，所述第二縱向點(diǎn)與第一縱向點(diǎn)之間的一直線線段在某些點(diǎn)與一垂直于所述前晶體的一中央視軸的平面界定了一少于15度的角度。在一些應(yīng)用中，在所述轉(zhuǎn)換過(guò)程中，所述直線線段在某些點(diǎn)與所述平面平行。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與第三縱向點(diǎn)之間的一直線線段與一垂直于所述前晶體的一中央視軸的平面界定了一少于15度的角度(在所述線段的旋轉(zhuǎn)的一中間點(diǎn))。在一些應(yīng)用中，所述直線線段在所述旋轉(zhuǎn)的所述中間點(diǎn)與所述平面平行。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與第一縱向點(diǎn)之間的一直線線段與一垂直于所述前晶體的一中央視軸的平面界定了一少于15度的角度(在所述線段的旋轉(zhuǎn)的一中間點(diǎn))。在一些應(yīng)用中，所述直線線段在所述旋轉(zhuǎn)的所述中間點(diǎn)與所述平面平行。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)與第三縱向點(diǎn)之間的一第一直線線段與所述第二縱向點(diǎn)與第一縱向點(diǎn)之間的一第二直線線段界定了一大于120度的角度。在一些應(yīng)用中，所述角度是大于150度。

在一些應(yīng)用中，一介于所述第二縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間的第一距離為至少500微米。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物還包含了：

一前晶體連桿，其包含一前晶體連接元件；以及一后晶體連桿，所述后晶體連桿包含一后晶體連接元件，所述杠桿，于所述第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

所述杠桿，于所述第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述后晶體連桿與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述后晶體連桿在所述后晶體元件的一后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接至所述后晶體元件。

所述前環(huán)連桿在所述前環(huán)復(fù)合體的一前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接至所述前環(huán)復(fù)合體，以及

相對(duì)于所述前晶體的一中央視軸，所述后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)與所述前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)周向地相互偏移。在一些應(yīng)用中，所述后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)與所述前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)周向地相互偏移至少15度(圍繞所述中央視軸)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)與所述前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)周向地相互偏移小于30度(圍繞所述中央視軸)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部位與所述前晶體的中央視軸之間的最大距離變化是小于500微米。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部分與所述前晶體的中央視軸之間的最大的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與所述前晶體的中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)與所述前晶體的中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，(a)所述第二縱向點(diǎn)與所述前晶體的中央視軸之間的距離變化是小于500微米，以及(b)所述第三縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一后晶體連桿，其包含一后晶體連接元件；所述杠桿，于所述第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述后晶體連桿與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述后晶體連桿的任一部位與所述前晶體的中央視軸之間的最大距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述后晶體連桿在所述后晶體元件的一后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接至所述后晶體元件；且當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)的一位置相對(duì)于所述后晶體元件的改變少于500微米。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)的所述位置相對(duì)于所述后晶體元件的改變少于200微米。當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)的一位置相對(duì)于所述前環(huán)復(fù)合體的改變少于500微米。在一些應(yīng)用中，所述后晶體連接元件的長(zhǎng)度是小于1000微米，如小于500微米，比如小于300微米。

在一些應(yīng)用中，所述后晶體連桿確切地包含了一后晶體連接元件。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一前環(huán)連桿，所述前環(huán)連桿確切地包含了一前環(huán)連接元件；且所述杠桿，于所述第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一前晶體連桿，其確切地包含了一前晶體連接元件；且所述杠桿，于所述第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿與所述前浮式晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件還包含了一附連元件，且所述杠桿通過(guò)所述后晶體連桿與所述附連元件相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件包含一后桿，且所述杠桿是通過(guò)所述后晶體連桿與所述后桿相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件包含了一后晶體環(huán)緣，且所述杠桿通過(guò)所述后晶體連桿與所述后晶體環(huán)緣相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件還包含了一連接至所述后晶體環(huán)緣的后桿，且所述杠桿是通過(guò)所述后晶體連桿與所述后桿相連。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一前環(huán)連桿，所述前環(huán)連桿包含了一前環(huán)連接元件；且所述杠桿，于所述第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)連桿確切包含了一前環(huán)連接元件。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)連桿在所述前環(huán)復(fù)合體的一前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接至所述前環(huán)復(fù)合體；當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)的一位置相對(duì)于所述前環(huán)復(fù)合體的改變少于500微米。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)的所述位置相對(duì)于所述前環(huán)復(fù)合體的改變少于200微米。

在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)連接元件的長(zhǎng)度是少于1000微米，如少于500微米，比如少于300微米。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)復(fù)合體還包含了一附連元件，且所述杠桿通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述附連元件相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件包含了一前桿，且所述杠桿通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述前桿相連。

在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)復(fù)合體包含一內(nèi)前環(huán)，且所述杠桿是通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述內(nèi)前環(huán)在所述第二縱向點(diǎn)相連。

在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)復(fù)合體還包含了一外前環(huán)；所述晶體植入物還包含了一或多個(gè)觸動(dòng)部，其耦合所述外前環(huán)至所述后晶體元件，并提供一介于所述外前環(huán)與所述后晶體元件之間的可變動(dòng)的前-后距離；且所述杠桿并不耦合至任一觸動(dòng)部。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)前環(huán)被成形來(lái)界定一或多個(gè)前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部，所述前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部在所述前內(nèi)環(huán)以外的部分向外延伸且與所述外前環(huán)接觸。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一前晶體連桿，其包含一前晶體連接元件；且所述杠桿，于所述第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿與所述前浮式晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述前晶體連桿確切包含了一前晶體連接元件。在一些應(yīng)用中，所述前晶體連桿在所述前浮式晶體元件的一前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接到所述前浮式晶體元件，且當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第一縱向點(diǎn)的一位置相對(duì)于所述前浮式晶體元件的改變少于500微米。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第一縱向點(diǎn)的所述位置相對(duì)于所述前浮式晶體元件的改變少于200微米。

在一些應(yīng)用中，所述前晶體連接元件的長(zhǎng)度是少于1000微米，如少于500微米，比如少于300微米。

在一些應(yīng)用中，所述前浮式晶體元件還包含了一附連元件，且所述杠桿通過(guò)所述前晶體連桿與所述附連元件相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件包含了一前晶體桿，且所述杠桿通過(guò)所述前晶體連桿與所述前晶體桿相連。在一些應(yīng)用中，所述附連元件包含一前晶體環(huán)緣，且所述杠桿通過(guò)所述前晶體連桿與所述前晶體環(huán)緣相連。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿，在縱向地沿著位于所述第一縱向點(diǎn)與第三縱向點(diǎn)之間的所有縱向位置的每一個(gè)上，被成形以便具有一相應(yīng)的形狀特征，其選自于由以下形狀特征所組成的群組：

所述杠桿筆直于所述縱向位置，

所述杠桿彎曲于所述縱向位置，以及

所述杠桿在所述縱向位置上界定了一至少120度的角度。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿，在所述杠桿為彎曲的每一縱向位置中，具有所述前晶體半徑的至少50％的曲率半徑。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)復(fù)合體不被連接。

在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件不被連接。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述前環(huán)復(fù)合體相對(duì)所述后晶體元件移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，所述杠桿相對(duì)于所述后晶體元件以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)所述前浮式晶體元件，其中第一距離是大于所述第二距離。在一些應(yīng)用中，所述第一距離相當(dāng)于所述第二距離的1.5倍。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述前浮式晶體元件以前-后方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離時(shí)，所述前環(huán)復(fù)合體相對(duì)于所述后晶體元件旋轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了：

一外前環(huán)，所述外前環(huán)被成形來(lái)界定一與所述前晶體大體上同中心的中央開口；以及

一或多個(gè)觸動(dòng)部，其被耦合到(a)各自的前耦合點(diǎn)上的所述外前環(huán)和(b)所述后晶體元件，并提供一介于所述外前環(huán)與所述后晶體元件之間的可變動(dòng)的前后距離，以及

所述外前環(huán)被成形來(lái)界定，除了中央開口以外，一或多個(gè)分別設(shè)置于所述前耦合點(diǎn)的500微米內(nèi)的更小開口。

在一些應(yīng)用中，所述前晶體、后晶體和前環(huán)連接元件包含相應(yīng)的非滑動(dòng)接點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述前晶體、后晶體和前環(huán)連接元件包含相應(yīng)的旋轉(zhuǎn)接點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，

所述晶體植入物還包含了：

一前晶體連桿，其包含一前晶體連接元件；

一前環(huán)連桿，其包含一前環(huán)連接元件；

一后晶體連桿，其包含一后晶體連接元件，所述杠桿，于所述第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿與所述前浮式晶體元件連結(jié)，

所述杠桿，于所述第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前環(huán)連桿與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，以及

所述杠桿，于所述第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述后晶體連桿與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述前晶體連桿為多個(gè)前晶體連桿中的第一個(gè)，其還包含了一第二前晶體連桿，所述第二前晶體連桿包含一第二前晶體連接元件；

所述后晶體連桿為多個(gè)后晶體連桿中的第一個(gè)，其還包含一第二后晶體連桿，所述第二后晶體連桿包含一第二后晶體連接元件；所述前環(huán)連桿為多個(gè)前環(huán)連桿中的第一個(gè)，其還包含一第二前環(huán)連桿，所述第二前環(huán)連桿包含一第二前環(huán)連接元件；以及

所述杠桿為多個(gè)杠桿中的第一個(gè)，其還包含了一第二杠桿，所述第二杠桿：在沿著所述第二杠桿的第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述第二前晶體連桿被連接至所述前浮式晶體元件，

在沿著所述第二杠桿的第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述第二前環(huán)連桿被連接至所述前環(huán)復(fù)合體，以及

在沿著所述第二杠桿的第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述第二后晶體連桿被連接至所述后晶體元件，

所述第二點(diǎn)是沿著所述第二杠桿縱向地位于所述第一點(diǎn)與所述第三點(diǎn)之間，使所述第二點(diǎn)作為所述第二杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成一分別縱向地位于所述第一點(diǎn)及第二點(diǎn)上的杠桿的中央縱向軸上兩點(diǎn)之間的直線線段與一垂直于所述前晶體的中央視軸的平面界定了一角度，其中當(dāng)所述晶體植入物由完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)轉(zhuǎn)換至完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)此角度隨之增加。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置用于：

當(dāng)所述晶體植入物在一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，沿著所述杠桿的所述第三縱向點(diǎn)相對(duì)于沿著所述杠桿的所述第一縱向點(diǎn)到前環(huán)復(fù)合體來(lái)說(shuō)更靠近所述前環(huán)復(fù)合體，以及

當(dāng)所述晶體植入物在一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，所述第一縱向點(diǎn)相對(duì)于所述第二縱向點(diǎn)到所述前環(huán)復(fù)合體來(lái)說(shuō)更靠近所述前環(huán)復(fù)合體。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述前浮式晶體元件以前-后方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離時(shí)，所述前環(huán)復(fù)合體相對(duì)于所述后晶體元件旋轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物由完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)轉(zhuǎn)換至完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，所述前環(huán)復(fù)合體相對(duì)于所述后晶體元件而圍繞所述前晶體的中央視軸旋轉(zhuǎn)至少1度。此外，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；以及

一杠桿，其被連接至所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件，

所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部分與所述前晶體的中央視軸之間的最大的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部位與所述中央視軸之間的所述最大距離變化是小于所述前晶體的直徑的5％。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部位與所述中央視軸之間的所述最大距離變化是小于500微米。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部位與所述中央視軸之間的所述最大距離變化是小于250微米。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物還包含了：

一前晶體連桿，其包含一前晶體連接元件；

一后晶體連桿，其包含一后晶體連接元件；以及一前環(huán)連桿，所述前環(huán)連桿包含一前環(huán)連接元件，所述杠桿，在沿著所述杠桿的第一縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前晶體連桿而被連接至所述前浮式晶體元件，

所述杠桿，在沿著所述杠桿的第二縱向點(diǎn)，通過(guò)所述前環(huán)連桿而被連接至所述前環(huán)復(fù)合體，以及

所述杠桿，在沿著所述杠桿的第三縱向點(diǎn)，通過(guò)所述后晶體連桿而被連接至所述后晶體元件，以及

所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，使所述第二縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于250微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第二縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于250微米。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述第三縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，(a)所述第二縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于500微米，以及(b)所述第三縱向點(diǎn)與所述中央視軸之間的距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述后晶體連桿的任一部位與所述中央視軸之間的最大距離變化是小于500微米。

在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)相對(duì)于所述第一縱向點(diǎn)來(lái)說(shuō)較靠近所述第三縱向點(diǎn)。

本發(fā)明的一應(yīng)用更進(jìn)一步地提供一種方法，所述方法包含：

提供一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物，其包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；以及

多個(gè)杠桿，(a)所述多個(gè)杠桿(i)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)；(b)所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離，

其中對(duì)于每一杠桿：(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度，以及所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，使所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)；以及

將所述晶體植入物植入到一患者的一天然囊袋中。

更多涉及本發(fā)明的應(yīng)用的方法包含：

提供一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物，其包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；以及

一杠桿，其被連接至所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件，

其中所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，所述杠桿的任一部分與所述前晶體的中央視軸之間的最大的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％；以及將所述晶體植入物植入到一患者的一天然囊袋中。

更多涉及本發(fā)明的應(yīng)用，即提供一種包含一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，其具有一徑向外周邊且包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體；以及

多個(gè)杠桿，(a)所述多個(gè)杠桿(i)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)；(b)所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離，其中對(duì)于每一杠桿：

(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的所述徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度，以及

所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，使所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述角度是介于85至95度之間。在一些應(yīng)用中，所述角度是90度。

在一些應(yīng)用中，所述角度為一第一角度且所述直線為一第一直線，且對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一第二直線(若投射在由所述晶體植入物的所述徑向外周邊界定的所述平面)與(b)切向至所述周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的第二角度。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物的所述徑向外周邊是通過(guò)所述后晶體元件來(lái)界定的。

在一些應(yīng)用中，

所述晶體植入物還包含：

多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

其中所述多個(gè)杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上，通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上，通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。在一些應(yīng)用中，所述第三縱向點(diǎn)在所述各自的多個(gè)杠桿的各自的最末端。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿包含至少六個(gè)杠桿。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)若被投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊所界定的一平面上將不會(huì)被彎曲。

在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述杠桿的任一部分與所述前晶體的中央視軸之間的最大的距離變化是小于所述前晶體直徑的10％。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置成當(dāng)所述晶體植入物在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述杠桿的任一部位與所述前晶體的中央視軸之間的所述最大距離變化是小于所述前晶體的直徑的5％。

在一些應(yīng)用中，

所述晶體植入物包含了一后組件，所述后組件包含了所述后晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述杠桿，

所述前浮式晶體元件與所述后組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述前浮式晶體元件與所述后組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組裝在一起時(shí)，所述前浮式晶體元件與所述后組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，所述前浮式晶體元件被成形來(lái)界定一前環(huán)。

在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)被成形來(lái)界定一界面區(qū)域，以及，當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組合在一起時(shí)，所述杠桿在它的第一縱向點(diǎn)上被耦合到所述界面區(qū)域。

在一些應(yīng)用中，所述杠桿，在其第三縱向點(diǎn)，在一結(jié)點(diǎn)上被固定在所述后晶體元件。在一些應(yīng)用中，所述杠桿能夠繞所述接點(diǎn)樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一前組件，所述前組件包含所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體及所述杠桿，

所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，以及當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含了一圓周環(huán)緣，所述杠桿被分別固定在所述圓周環(huán)緣，在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上，且所述多個(gè)杠桿在所述圓周環(huán)緣上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑，且所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑是所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。此外，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；以及

一后組件，所述后組件包含(a)一后晶體元件，所述后晶體元件包含一后晶體，以及(b)多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，

其中所述多個(gè)杠桿在相應(yīng)的接點(diǎn)上被固定在所述后晶體元件，其中所述前浮式晶體元件與所述后組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述前浮式晶體元件與所述后組件被成形而于原位組裝在一起，以及其中當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組裝在一起時(shí)：

所述前浮式晶體元件與所述后組件在一或多個(gè)界面上相互接觸，以及

所述杠桿能夠繞所述接點(diǎn)樞轉(zhuǎn)，且被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述后晶體元件移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用中，所述前浮式晶體元件被成形來(lái)界定一前環(huán)。在一些應(yīng)用中，所述前環(huán)被成形來(lái)界定一界面區(qū)域，以及，當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組合在一起時(shí)，所述杠桿在它的第一縱向點(diǎn)上被耦合到所述界面區(qū)域。

在一些應(yīng)用中，所述后組件還包含了一前環(huán)復(fù)合體，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

本發(fā)明的一應(yīng)用中，還提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一后晶體元件，所述后晶體元件包含一后晶體；以及一前組件，所述前組件包含(a)一前浮式晶體元件，所述前浮式晶體元件包含一前晶體，以及(b)多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，

其中所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)：

所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸，以及

所述多個(gè)杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)，且被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述后晶體元件移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含多個(gè)前晶體連接元件，且所述多個(gè)杠桿在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述一或多個(gè)界面包含只有一個(gè)圓周界面，且當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在所述只有一個(gè)圓周界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，所述裝置還包含：

一第一導(dǎo)引管，在其中所述后晶體元件被可拆卸地設(shè)置；以及一第二導(dǎo)引管，在其中所述前組件被可拆卸地設(shè)置，且

所述第一導(dǎo)引管與所述第二導(dǎo)引管并不相同且彼此分離。

在一些應(yīng)用中，所述裝置還包含一導(dǎo)引管，所述導(dǎo)引管具有一末端，所述后晶體元件與所述前組件是位于所述導(dǎo)引管中，且所述前組件的一最末端部分是鄰近于所述后晶體元件的一最近端部分。

在一些應(yīng)用中，多個(gè)杠桿包含至少六個(gè)杠桿。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)在所述杠桿的一最末端上與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含了一圓周環(huán)緣，所述杠桿被固定在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與前組件被組裝在一起時(shí)，所述前組件的圓周環(huán)緣在所述一或多個(gè)界面上接觸后晶體元件。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與前組件被組裝在一起時(shí)，所述圓周環(huán)緣能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用中，所述一或多個(gè)界面包含只有一個(gè)圓周界面，且當(dāng)所述后晶體元件與前組件被組裝在一起時(shí)，所述圓周環(huán)緣在所述只有一個(gè)圓周界面上接觸所述后晶體元件。在一些應(yīng)用中，所述杠桿在所述圓周環(huán)緣上與后晶體單元連結(jié)；所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑；以及所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑是所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含一前環(huán)復(fù)合體，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所前浮式晶體元件和所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿被安排使所述前浮式晶體元件以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用中：

所述前組件還包含：多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

其中所述多個(gè)杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)：

所述多個(gè)杠桿(a)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)，以及

對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊界定的平面)與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物的所述徑向外周邊是通過(guò)所述后晶體元件來(lái)界定的。在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，以致所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。此外，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體；以及

六個(gè)杠桿，所述六個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮動(dòng)式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件連結(jié)，其中所述杠桿被安排使所述前浮式晶體元件以一前-后方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含多于六個(gè)的所述杠桿。

在一些應(yīng)用中，

所述晶體植入物還包含：

多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

所述杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)在所述杠桿的一最末端上與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述多個(gè)杠桿(a)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(b)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(c)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)，以及

對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。

在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊界定的平面)與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物的所述徑向外周邊是通過(guò)所述后晶體元件來(lái)界定的。在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，以致所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一后組件，所述后組件包含所述后晶體元件和所述杠桿，所述前浮式晶體元件與所述后組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述前浮式晶體元件與所述后組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組裝在一起時(shí)，所述前浮式晶體元件與所述后組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一前組件，所述前組件包含所述前浮式晶體元件及所述杠桿，

所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，且當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一圓周環(huán)緣，所述杠桿被固定在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上；以及所述杠桿在圓周環(huán)緣上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑；以及所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑是所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

更進(jìn)一步地，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；以及

多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，其中所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述后晶體元件移動(dòng)或遠(yuǎn)離，

其中所述晶體植入物是以下列特征所組成之群組的其中之一為特征：

所述晶體植入物不包含任何觸動(dòng)部，以及

所述晶體植入物包含觸動(dòng)部，所述觸動(dòng)部不被配置來(lái)傳遞動(dòng)作給所述杠桿。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物不包含任何觸動(dòng)部。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含多個(gè)前晶體連接元件；且所述多個(gè)杠桿在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿包含至少六個(gè)杠桿。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)在所述杠桿的一最末端上與所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一前環(huán)復(fù)合體，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件和所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述杠桿被安排來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。一些應(yīng)用如下：

所述晶體植入物還包含：

多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

所述杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述多個(gè)杠桿(a)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)，以及

其中，對(duì)于每一杠桿：(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊界定的平面)與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物的所述徑向外周邊是通過(guò)所述后晶體元件來(lái)界定的。在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，以致所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一后組件，所述后組件包含所述后晶體元件和所述杠桿，所述前浮式晶體元件與所述后組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述前浮式晶體元件與所述后組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述前浮式晶體元件與所述后組件被組裝在一起時(shí)，所述前浮式晶體元件與所述后組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一前組件，所述前組件包含所述前浮式晶體元件及所述杠桿，

所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，以及當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一圓周環(huán)緣，所述杠桿被固定在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上；以及所述杠桿在圓周環(huán)緣上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑；以及所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑相當(dāng)于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物包含觸動(dòng)部，所述觸動(dòng)部不被配置來(lái)傳遞動(dòng)作給所述杠桿。在一些應(yīng)用中，所述杠桿通過(guò)一或多個(gè)所述晶體植入物的其他元件被間接地連接至所述觸動(dòng)部。更多涉及本發(fā)明的應(yīng)用的裝置包含：一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物，所述調(diào)節(jié)式人工晶體植入物包含一前組件，所述前組件包含：

一前浮式晶體元件，所述前浮式晶體元件(a)包含一前晶體和一徑向地圍繞所述前晶體的圓周環(huán)緣，且所述前浮式晶體元件(b)具有一中央縱向軸，所述中央縱向軸與所述前晶體的徑向中心相交，且所述中央縱向軸與所述圓周環(huán)緣界定的一平面垂直；以及

多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿(a)被固定在所述圓周環(huán)的各自的圓周點(diǎn)，所述多個(gè)杠桿(b)與所述前浮式晶體元件連結(jié)；以及

一導(dǎo)引管，在其中當(dāng)折迭或卷起一直線時(shí)，所述前組件可拆卸地設(shè)置，所述直線(a)與(i)所述中央縱向軸及(ii)所述圓周環(huán)上的一點(diǎn)相交，所述點(diǎn)周向地位于兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)之間，所述多個(gè)杠桿(b)平行于由所述圓周環(huán)緣界定的所述平面。

在一些應(yīng)用中，所述點(diǎn)從所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)的每一個(gè)周向地偏移至少18度。

在一些應(yīng)用中，所述圓周環(huán)上的所述點(diǎn)從所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)的每一個(gè)周向地偏移所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)之間的一周向偏移的40％至60％。在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含多個(gè)前晶體連接元件；且所述多個(gè)杠桿在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，多個(gè)杠桿包含至少六個(gè)杠桿。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一后晶體元件，其與所述前組件是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件和所述前組件被成形而于原位組裝在一起；所述后晶體元件包含一后晶體；且當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述多個(gè)杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)，且被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述后晶體元件移動(dòng)或遠(yuǎn)離。在一些應(yīng)用中，所述導(dǎo)引管是一前組件導(dǎo)引管；所述裝置還包含一后晶體元件導(dǎo)引管，在其中所述后晶體元件被可拆卸地設(shè)置；以及所述前組件導(dǎo)引管與所述后晶體元件引管并不相同且彼此分離。在一些應(yīng)用中，所述導(dǎo)引管具有一末端，其中所述后晶體元件與所述前組件是位于所述導(dǎo)引管中，且所述前組件的一最末端部分是鄰近于所述后晶體元件的一最近端部分。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一圓周環(huán)緣，所述杠桿被固定在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上；以及所述杠桿在圓周環(huán)緣上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑；以及所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑是所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含了一前環(huán)復(fù)合體，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件和所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且當(dāng)所述前組件沒有被置于所述導(dǎo)引管中時(shí)，所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物還包含：

多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

所述多個(gè)杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，以及

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。另外地，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一凹面后晶體元件，其包含一后晶體，并具有一內(nèi)表面；

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

多個(gè)杠桿，(a)所述多個(gè)杠桿與所述前浮式晶體元件及所述后晶體元件連結(jié)，(b)所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述后晶體元件移動(dòng)或遠(yuǎn)離，

所述晶體植入物被成形使所述內(nèi)表面限制所述前浮式晶體元件的往后運(yùn)動(dòng)。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿和所述后晶體元件的內(nèi)表面被成形使所述內(nèi)表面通過(guò)所述內(nèi)表面接觸所述多個(gè)杠桿來(lái)限制所述前浮式晶體元件的往后運(yùn)動(dòng)。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿包含至少六個(gè)杠桿。

在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)在所述杠桿的一最末端上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含多個(gè)前晶體連接元件；且所述多個(gè)杠桿在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中，所述前組件還包含了一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體及所述后晶體元件連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物還包含了：

多個(gè)前晶體連接元件；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件，以及

所述杠桿：

在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第一縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前晶體連接元件而與所述前浮式晶體元件連結(jié)，且在沿著所述多個(gè)杠桿的各自的第二縱向點(diǎn)上通過(guò)所述各自的前環(huán)連接元件而與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)。

在一些應(yīng)用中：

所述多個(gè)杠桿(a)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)，以及

對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的一徑向外周邊界定的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的一直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。

在一些應(yīng)用中，所述第二縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，所述第一縱向點(diǎn)被各自地設(shè)置在所述第二縱向點(diǎn)及所述第三縱向點(diǎn)的徑向向內(nèi)的位置。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，(a)所述杠桿的第一縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊界定的平面)與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的徑向外周邊的直線兩者形成了一介于75至105度之間的角度。在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物的所述徑向外周邊是通過(guò)所述后晶體元件來(lái)界定的。在一些應(yīng)用中，所述多個(gè)杠桿被均勻周向地分布在所述晶體植入物的周圍。在一些應(yīng)用中，對(duì)于所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)而言，所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，以致所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

在一些應(yīng)用中：

所述晶體植入物包含一前組件，其包含所述前浮式晶體元件及所述杠桿，所述后晶體元件與所述前組件彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，所述后晶體元件與所述前組件被成形而于原位組裝在一起，以及

當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述后晶體元件與所述前組件在一或多個(gè)界面上相互接觸。

在一些應(yīng)用中，當(dāng)所述后晶體元件與所述前組件被組裝在一起時(shí)，所述杠桿能夠繞所述一或多個(gè)界面樞轉(zhuǎn)。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物還包含一圓周環(huán)緣，所述杠桿被固定在所述環(huán)緣的各自的、不同的圓周位置上；以及所述杠桿在圓周環(huán)緣上與所述后晶體元件連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件為凹面且具有一界定成一界面區(qū)域的內(nèi)表面，所述界面區(qū)域的一部分界定了一由所述后晶體的一中央視軸的局部最大半徑；以及所述圓周環(huán)緣與所述內(nèi)表面的所述界面區(qū)域連結(jié)。在一些應(yīng)用中，所述后晶體元件被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域的部分的唇狀部，所述唇狀部被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣的往前運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用中，所述內(nèi)表面朝著所述界面區(qū)域平緩地傾斜。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣具有一外半徑，所述外半徑大于或等于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑。在一些應(yīng)用中，所述所述圓周環(huán)緣的外半徑相當(dāng)于所述后晶體元件的內(nèi)表面的局部最大半徑的100％至105％之間。

本發(fā)明的一應(yīng)用續(xù)提供一種包含一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，其具有一徑向外周邊且包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體；以及

多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件連結(jié)，其中所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離，其中所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)若被投射在由所述晶體植入物的徑向外周邊所界定的一平面上將不會(huì)被彎曲。

此外，本發(fā)明的一應(yīng)用中，提供了一種包含調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，所述裝置包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體，所述前環(huán)復(fù)合體被設(shè)置來(lái)使所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離；以及

多個(gè)杠桿，所述多個(gè)杠桿的每一個(gè)與所述前浮式晶體元件、所述前環(huán)復(fù)合體和所述后晶體元件連結(jié)，其中所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離，

其中所述晶體植入物被配置來(lái)使所述前環(huán)復(fù)合體的一最大可能的前-后行程距離為至少0.875毫米。

在一些應(yīng)用中，所述晶體植入物被配置來(lái)使所述前環(huán)復(fù)合體的所述最大可能的前-后行程距離為至少1.05毫米。

本發(fā)明的一應(yīng)用續(xù)提供一種包含一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的裝置，其具有一徑向外周邊且包含：

一前浮式晶體元件，其包含一前晶體；

一后晶體元件，其包含一后晶體；

一前環(huán)復(fù)合體；以及

多個(gè)杠桿，(a)所述多個(gè)杠桿(i)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第一縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前浮式晶體元件連結(jié)，所述多個(gè)杠桿(ii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第二縱向點(diǎn)同時(shí)與所述前環(huán)復(fù)合體連結(jié)，且所述多個(gè)杠桿(iii)沿著所述多個(gè)杠桿在各自的第三縱向點(diǎn)同時(shí)與所述后晶體元件連結(jié)；(b)所述多個(gè)杠桿被安排來(lái)將所述前浮式晶體元件以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體移動(dòng)或遠(yuǎn)離，

其中對(duì)于每一杠桿，(a)所述杠桿的第二縱向點(diǎn)及第三縱向點(diǎn)所界定的一直線(若投射在一垂直于所述前晶體的中央視軸的一平面)與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于所述杠桿的第三縱向點(diǎn)的周邊的圓周點(diǎn)上的所述晶體植入物的一徑向外周邊的一直線(若投射在垂直于所述中央視軸的所述平面)兩者形成了一介于75至105度之間的角度，如介于85度與95度之間，比如90度，以及所述第二縱向點(diǎn)是沿著所述杠桿縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)與所述第三縱向點(diǎn)之間，使所述第三縱向點(diǎn)作為所述杠桿的一支點(diǎn)。

本發(fā)明的此申請(qǐng)能夠?qū)崿F(xiàn)任何上文中所描述的特征。

結(jié)合附圖，本發(fā)明將通過(guò)以下對(duì)它們的實(shí)施例的詳細(xì)描述而更充分地被理解，其中：

附圖說(shuō)明

圖1A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物分別在于完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)的等距示意圖。

圖2A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-B的所述晶體植入物被植入于眼睛的天然囊袋中(分別于完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài))的側(cè)視圖。

圖3A與3B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-2B的所述晶體植入物分別于未組合狀態(tài)與組合后狀態(tài)的兩部份組合構(gòu)造的示意圖。

圖4A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)的示意圖。

圖5A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿復(fù)合體分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖5C-D為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿復(fù)合體在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖6為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的等距示意圖。

圖7為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿的示意圖。

圖8A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿與其和所述晶體植入物的其他組件的功能關(guān)系的示意圖。

圖9A-D為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物包含其前晶體連桿的組件的示意圖。

圖10A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中透由前方向視角所看到的圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿復(fù)合體的示意圖。

圖11為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一觸動(dòng)部復(fù)合體的示意圖。

圖12A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中透由前方向視角所看到的圖1A-3B的所述晶體植入物的示意圖。

圖13A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的示意圖。

圖14A-C為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖1A-3B的所述晶體植入物的一杠桿復(fù)合體的示意圖。

圖15A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中一單件晶體植入物的示意圖。

圖16A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中另一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物分別在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的等距示意圖。

圖17A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物分別在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)所述晶體植入物于眼睛的天然囊袋中的側(cè)視圖。

圖18A和圖18B為本發(fā)明的一應(yīng)用中所述晶體植入物分別在未組合狀態(tài)與組合狀態(tài)時(shí)兩部份組合構(gòu)造的示意圖。

圖19A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。

圖20A-D提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物的一后晶體元件在一未組合狀態(tài)時(shí)的幾個(gè)示意圖。

圖21A-C為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物的一前組件在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖22A-C為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖23A-B提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物的一前組件分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的附加的視圖。

圖24為本發(fā)明的一應(yīng)用中在一導(dǎo)引管中圖16A-B的所述晶體植入物的用于可拆卸地設(shè)置一前組件的技術(shù)的示意圖。

圖25為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖16A-B的所述晶體植入物的另一構(gòu)造的示意圖。

圖26A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中另一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物分別在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的等距示意圖。

圖27A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物分別在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)所述晶體植入物于眼睛的天然囊袋中的側(cè)視圖。

圖28A-D為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物的兩部份組合構(gòu)造的剖面示意圖。

圖29A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物分別在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。

圖30A-B提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物的后組件在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)且未組合時(shí)的幾個(gè)示意圖。

圖31A-C為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物的前浮式晶體元件在一未組合狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖32A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖26A-B的所述晶體植入物在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

圖33A-B與圖34A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中一單件調(diào)節(jié)式人工晶體植入物的示意圖。

圖35A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖33A-B與圖34A-B的所述晶體植入物分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。

圖36A-C為本發(fā)明的一應(yīng)用中圖33A-B與圖34A-B的所述晶體植入物在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1A-B與圖2A-B為本發(fā)明的一應(yīng)用中一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物10的示意圖。圖2A-B為所述晶體植入物被植入于眼睛的天然囊袋12中的側(cè)視圖。圖1A與圖2A顯示晶體植入物10于一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)，而圖1B與圖2B顯示所述晶體植入物于一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)。盡管只有這兩個(gè)狀態(tài)被顯示于這些中或是被顯示于其他圖中，晶體植入物10被配置來(lái)假設(shè)一所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的調(diào)節(jié)的連續(xù)范圍。所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)提供近視力，所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)提供遠(yuǎn)視力，在其之間的部分調(diào)節(jié)狀態(tài)提供中間視力。所述晶體植入物對(duì)應(yīng)于眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而被配置來(lái)達(dá)到所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)(無(wú)需外部電源)。

晶體植入物10包含(a)一前浮式晶體元件18，所述前浮式晶體元件18包含一前晶體20，以及(b)一后晶體元件22，所述后晶體元件22包含一后晶體24，以及典型地，一后晶體環(huán)緣23。在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)期間，相對(duì)于眼睛的天然囊袋12的后面部分，后晶體元件22通常保持不動(dòng)。所述晶體植入物被配置成前浮式晶體元件18對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而相對(duì)于后晶體元件22移動(dòng)。眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制改變了天然囊袋12的形狀，如圖2A-B所示。在顯示于圖2A的所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌被放松，因此使得懸韌帶被拉緊，導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)窄的寬度(在一前-后方向上)及相對(duì)大的直徑。如此被成形，所述囊袋在前-后方向上擠壓了所述晶體植入物。相反的，在顯示于圖2B的所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌收縮，從而釋放了所述囊袋上的懸韌帶的張力，故導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)大的寬度及相對(duì)小的直徑。所述囊袋的這種形狀允許了所述晶體植入物在所述前-后方向中的展開(如本文中所使用的，當(dāng)從它的后部來(lái)觀察時(shí)，所述囊袋的直徑意味著所述囊袋的最大直徑)。

晶體植入物10還包含一前環(huán)復(fù)合體25，所述前環(huán)復(fù)合體25被設(shè)置以致前浮式晶體元件18以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體25移動(dòng)或遠(yuǎn)離。前環(huán)復(fù)合體25包含一內(nèi)前環(huán)27和一外前環(huán)34。隨著所述囊袋的寬度(在前-后方向上)變化，前環(huán)復(fù)合體25相對(duì)于后晶體元件22移動(dòng)，因此改變了它們之間的距離。

如下面參照?qǐng)D4A-B所詳細(xì)描述的，晶體植入物10還包含一或多個(gè)杠桿50，其通過(guò)各自的連桿26、30和28被連接至前浮式晶體元件18、前環(huán)復(fù)合體25和后晶體元件22(圖4A至4B中更清楚地示出，如下所述)。例如，晶體植入物10能夠包含兩個(gè)、三個(gè)(如圖所示)、四個(gè)、五個(gè)或六個(gè)杠桿50，且通常為連桿26、連桿30和連桿28的每一個(gè)的相應(yīng)數(shù)量。

多個(gè)杠桿50被配置來(lái)放大前環(huán)復(fù)合體25與后晶體元件22之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使前浮式晶體元件18移動(dòng)離后晶體元件22時(shí)更遠(yuǎn)。換句話說(shuō)，晶體植入物10被配置成當(dāng)前環(huán)復(fù)合體25相對(duì)后晶體元件22移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，杠桿50相對(duì)于后晶體元件22以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)前浮式晶體元件18，其中第一距離是大于所述第二距離。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。典型地，所述第一距離至少為所述第二距離的1.4倍，亦即，所述杠桿提供至少1.4倍的增益。例如，所述第一距離能夠至少為所述第二距離的1.5倍(例如，至少為1.8倍，如介于1.8至3倍之間)。

前浮式晶體元件18的前與后的移動(dòng)改變所述前晶體元件和后晶體元件之間的距離，從而調(diào)整所述晶體植入物的焦距。在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了近視力，晶體植入物10是相對(duì)寬的(在所述前-后方向中)，具有一所述前晶體元件和后晶體元件之間的大間隔，在所述復(fù)合體之間創(chuàng)造了大的自由空間。在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了遠(yuǎn)視力，所述植入物是相對(duì)狹窄的，具有于前復(fù)合體和后復(fù)合體之間一小間隔。前浮式晶體元件18通常會(huì)在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間移動(dòng)至少1毫米。相對(duì)于所述后晶體的所述前晶體的典型運(yùn)動(dòng)是介于0.5至2.0毫米之間，如介于1至1.5毫米之間(當(dāng)所述晶體植入物在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí))。

前浮式晶體元件18在晶體植入物10的內(nèi)部空間中移動(dòng)，所述晶體植入物10通常是對(duì)眼睛內(nèi)的天然流體開放。在移動(dòng)期間，所述浮動(dòng)晶體元件被配置來(lái)創(chuàng)造最小阻力，同時(shí)保持組合的晶體結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。例如，所述浮動(dòng)晶體元件能夠具有一平滑的形狀，和/或能夠涂覆有一疏水性涂層(如硅樹脂)。典型地，所述前晶體元件和后晶體元件被配置來(lái)一起創(chuàng)造一具有總倍率的光學(xué)結(jié)構(gòu)，所述總倍率在+15D與+25D之間變化，如通過(guò)醫(yī)師植入所述晶體植入物來(lái)選擇。

如上所述，前浮式晶體元件18包含前晶體20，且后晶體元件22包含后晶體24。晶體元件18、22的每一個(gè)能夠包含一或多個(gè)附加的光學(xué)元件，如附加的晶體(例如，凸晶體、凹晶體、雙凸晶體、雙凹晶體、球面晶體、非球面晶體和/或散光晶體)、固定倍率光學(xué)器件、可變形光學(xué)器件、無(wú)象差光學(xué)器件、雙合透鏡、三合透鏡、過(guò)濾的光學(xué)器件或這些晶體的組合，如在光學(xué)領(lǐng)域中已知的。在一些應(yīng)用上，前晶體20是前浮式晶體元件18的唯一的光學(xué)元件，和/或后晶體24是后晶體元件22的唯一的光學(xué)元件。在一些應(yīng)用上，在制造期間，一或多個(gè)的晶體元件18、22被附設(shè)到所述植入物?？蛇x地或另外地，在植入工序之前或在植入工序期間，一或多個(gè)的所述晶體元件能夠通過(guò)醫(yī)護(hù)人員來(lái)被附加，以便提供最合適的晶體元件給特定的患者。圖3A與3B為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物10分別于未組合狀態(tài)與組合后狀態(tài)的兩部份組合構(gòu)造的示意圖。在此構(gòu)造中，晶體植入物10包含了兩個(gè)組件，其彼此間原先是分離的狀態(tài)，在所述晶體植入物植入過(guò)程中被原地組裝在一起：(1)一杠桿復(fù)合體14及(2)一觸動(dòng)部復(fù)合體16?；蛘?，晶體植入物10被制造成一單件，而非在原位被組裝，如下面參考圖15A至15B所描述的。在圖3A和3B中，兩個(gè)組件都顯示處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下。所述晶體植入物的靜止?fàn)顟B(tài)通常是所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)，或者，可選擇地，略超出所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)，使得即使當(dāng)所述晶體植入物被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，所述晶體植入物總是抵壓所述晶體囊開口，從而保持小帶的張力。

在一些應(yīng)用上，杠桿復(fù)合體14包含以下組件，它的每一個(gè)被詳細(xì)描述在下文(大概能夠在圖4A中更清楚地看到，如下所述)：

前浮式晶體元件18，其包含前晶體20；

一部分的前環(huán)復(fù)合體25，其部分包含內(nèi)前環(huán)27；

一部分的后晶體元件22，其部分通常包含后晶體環(huán)緣23；

一或多個(gè)杠桿50；

一或多個(gè)前晶體連桿26；

一或多個(gè)后晶體連桿28；以及

一或多個(gè)前環(huán)連桿30。

在一些應(yīng)用上，觸動(dòng)部復(fù)合體16包含以下組件，它的每一個(gè)被詳細(xì)描述在下文(大概能夠在圖4B中更清楚地看到，如下所述)：

一部分的后晶體元件22，其部分通常包含后晶體24；

一部分的前環(huán)復(fù)合體25，其部分包含外前環(huán)34；以及

一或多個(gè)觸動(dòng)部35，其耦合外前環(huán)34至后晶體元件22。

可選擇地，在組裝時(shí)，內(nèi)前環(huán)27和外前環(huán)34至少部分徑向地重迭，如在內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99上，如下面參照?qǐng)D13A-B所描述的。

在一些應(yīng)用上，杠桿復(fù)合體14被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一些應(yīng)用上，前晶體20和杠桿復(fù)合體14的其他組件包含相同的材料(前晶體20因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)?；蛘?，在制造期間，杠桿復(fù)合體14的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。同樣地，在一些應(yīng)用上，觸動(dòng)部復(fù)合體16被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?；蛘撸谥圃炱陂g，觸動(dòng)部復(fù)合體16的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，后晶體24和觸動(dòng)部復(fù)合體16的其他組件包含相同的材料(后晶體24因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)(盡管為透明的，為了清楚的說(shuō)明，圖中的晶體20、24被遮蔽表示；如上所述，所述晶體能夠包含如所述晶體植入物的其他組件的相同材料)。在一些應(yīng)用上，杠桿復(fù)合體14的材料具有一介于20至50之間的邵爾A型(Shore A)硬度，觸動(dòng)部復(fù)合體16的材料具有一介于20至50之間的邵爾A型硬度。因此，晶體植入物10的所有組件通常是柔性的。

如上所述，在兩階段插入工序中，杠桿復(fù)合體14和觸動(dòng)部復(fù)合體16通常被分別地插入至天然囊袋12中，且于原位被一起組裝于所述囊袋中。首先插入觸動(dòng)部復(fù)合體16，之后插入杠桿復(fù)合體14。此兩階段插入工序相較于單件植入物的一階段插入工序通常允許一較小切口的使用。在組裝時(shí)，后晶體元件22的兩個(gè)部分連接在一起以形成所述整個(gè)后晶體元件，如圖3B和4B所示。典型地，在組裝時(shí)，晶體植入物10的所有的環(huán)和晶體是同心的。

在一些應(yīng)用上，杠桿復(fù)合體14和觸動(dòng)部復(fù)合體16被預(yù)裝載于單一導(dǎo)引器中，且從所述單一導(dǎo)引器被分別地引入到所述囊袋中。在一些應(yīng)用上，觸動(dòng)部復(fù)合體16被插入且重塑天然囊袋12。然后測(cè)量患者的視力。響應(yīng)于所述測(cè)量的視力，醫(yī)護(hù)人員選擇具有對(duì)患者最適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能的多個(gè)可用的前浮式晶體元件18的其中之一。具有選擇的前浮式晶體元件18的杠桿復(fù)合體14被插入至觸動(dòng)部復(fù)合體16中。這個(gè)選擇過(guò)程能夠?yàn)榛颊咛峁└玫囊暳Α?/p>

在一些應(yīng)用上，對(duì)于治療散光，前浮式晶體元件18和后晶體元件22具有一些用于治療散光的柱體。在兩階段植入工序期間，醫(yī)護(hù)人員調(diào)整兩晶體元件的相對(duì)角定向，以便治療患者的散光。所述兩晶體元件之間的柱體的這種結(jié)合允許了以更少不同的晶體植入物來(lái)治療各種散光(相較于如果單獨(dú)的晶體植入物被提供給每一柱體倍率是必要的)。更普遍地，在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件18和/或后晶體元件22不是旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的。在一些應(yīng)用上，醫(yī)護(hù)人員是通過(guò)使所述晶體元件相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)整晶體植入物10的有效屈光度。

在一些應(yīng)用上，對(duì)于治療散光，晶體植入物10具有一些用于治療散光的柱體。因?yàn)樗鲋w，為了使所述晶體植入物適當(dāng)?shù)卣{(diào)整所述散光，所述晶體植入物必須相對(duì)于天然囊袋12被適當(dāng)旋轉(zhuǎn)地對(duì)準(zhǔn)。在一些應(yīng)用上，為了在插入之后旋轉(zhuǎn)所述晶體植入物，外科醫(yī)生相較于所述晶體植入物的正常完全未調(diào)節(jié)期間用泵送(亦即，在一后方向上推前浮式晶體元件18)至一更大的程度。因?yàn)楫?dāng)所述晶體植入物是平的時(shí)，其更容易旋轉(zhuǎn)所述晶體植入物(由于它不接觸所述前囊袋)，所以每個(gè)這樣的深抽泵動(dòng)作相對(duì)于天然囊袋12引起了晶體植入物10的輕微旋轉(zhuǎn)。施加輕微切向力來(lái)旋轉(zhuǎn)所述晶體植入物。并且，所述多個(gè)杠桿在扁平化時(shí)能夠提供爬行運(yùn)動(dòng)(當(dāng)它們沿著所述囊袋的后部滾動(dòng)時(shí))。外科醫(yī)生根據(jù)需要重復(fù)該深抽泵動(dòng)作多次，直到實(shí)現(xiàn)期望的旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)。這個(gè)技術(shù)能夠隨意地與前一段落中所描述的技術(shù)組合使用。

在所述植入工序期間，首先將觸動(dòng)部復(fù)合體16插入至天然囊袋12中。隨后，杠桿復(fù)合體14被插入至所述囊袋中。后晶體環(huán)緣23被配置來(lái)將自身居中在后晶體24上，且保持與后晶體24接觸(在杠桿復(fù)合體14插入至所述囊袋中時(shí))。所述后晶體環(huán)緣和后晶體此后相對(duì)于囊袋后部作為一部分而共同停留在原地，通常通過(guò)所述天然囊袋被保持在一起。觸動(dòng)部復(fù)合體16的外前環(huán)34被配置來(lái)接收前環(huán)復(fù)合體25的內(nèi)前環(huán)27且居中在前環(huán)復(fù)合體25的內(nèi)前環(huán)27上。在插入之后，外前環(huán)34和內(nèi)前環(huán)27響應(yīng)于天然囊袋12前部的自然運(yùn)動(dòng)而一起移動(dòng)。在一些應(yīng)用上，外前環(huán)34和內(nèi)前環(huán)27皆被配置來(lái)與所述天然囊袋接觸。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，外前環(huán)34被配置來(lái)與所述天然囊袋接觸，且外前環(huán)34和內(nèi)前環(huán)27互相抵壓(可選擇地，使用前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99，如下面參考圖13A至13B所描述的)。所述囊袋前部的運(yùn)動(dòng)移動(dòng)了外前環(huán)34，外前環(huán)34轉(zhuǎn)而移動(dòng)內(nèi)前環(huán)27。在這種后面的構(gòu)造中，與所述囊袋接觸的區(qū)域受到一較大直徑的限制，從而降低了撕裂所述囊袋(其具有一前開口)的風(fēng)險(xiǎn)。

觸動(dòng)部35提供一介于外前環(huán)34與后晶體元件22之間的可變動(dòng)的前-后距離，且有助于將晶體植入物10適當(dāng)?shù)匕仓迷谔烊荒掖?2中。當(dāng)處于其調(diào)節(jié)狀態(tài)中，所述觸動(dòng)部的標(biāo)稱形狀相似于或稍寬(在所述前-后方向上)于所述天然囊袋。所述觸動(dòng)部通常不直接影響所述前晶體。所述觸動(dòng)部通常不直接接觸前浮式晶體元件18，包含其前晶體20。所述觸動(dòng)部被配置來(lái)將后晶體元件22定位于天然囊袋12中。所述觸動(dòng)部所施加的力通常是不足的，以在調(diào)節(jié)期間抵抗天然囊袋12形狀變化。典型地，多個(gè)杠桿50沒有被耦合到任何的觸動(dòng)部35。

外前環(huán)34被成形來(lái)界定一中央開口102(如圖3A中所標(biāo)記)，所述中央開口102大體上與前晶體20同心。觸動(dòng)部35被耦合到外前環(huán)34的各自的前耦合點(diǎn)104(如圖1B中所標(biāo)記)。在一些應(yīng)用上，外前環(huán)34被成形來(lái)界定，除了中央開口102以外，一或多個(gè)分別設(shè)置于前耦合點(diǎn)104的500微米內(nèi)的更小開口106。這些更小開口弱化外前環(huán)34，從而允許其作為一鄰近于前耦合點(diǎn)104的接點(diǎn)；因此，觸動(dòng)部35能夠在某些程度上繞著這些更小開口旋轉(zhuǎn)。當(dāng)晶體植入物10在其完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，這允許了外前環(huán)34在所述前-后方向移動(dòng)。外前環(huán)34對(duì)所述隨后植入的杠桿復(fù)合體14提供了穩(wěn)定的安裝。請(qǐng)參照?qǐng)D4A至4B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物10于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)的示意圖。圖4A僅顯示杠桿復(fù)合體14，而圖4B顯示了包含杠桿復(fù)合體14和觸動(dòng)部復(fù)合體16的完全組裝的晶體植入物(圖5C-D，如下所述，其顯示了在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下的杠桿復(fù)合體14)。如上面參考圖1A-B和2A-B所描述的，晶體植入物10包含多個(gè)連桿26、28、30。更特別地，晶體植入物10包含：

一或多個(gè)前晶體連桿26，其包含了各自的前晶體連接元件32(其參考圖9A至9D而在下文中被更詳細(xì)地描述)；

一或多個(gè)后晶體連桿28，其包含各自的后晶體連接元件42；以及

一或多個(gè)前環(huán)連桿30，其包含了各自的前環(huán)連接元件44。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)后晶體連桿28的每一個(gè)確切地包含一后晶體連接元件42?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，多個(gè)前環(huán)連桿30的每一個(gè)確切地包含了一前環(huán)連接元件44。進(jìn)一步可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連桿26的每一個(gè)確切地包含了一前晶體連接元件32。典型地，前環(huán)復(fù)合體25并非自體連接，和/或后晶體元件22并非自體連接。

多個(gè)杠桿50的每一個(gè)：

在沿著杠桿50(其能夠優(yōu)選地在圖7中觀察到，如下所述)的第一縱向點(diǎn)52上，通過(guò)前晶體連桿26被連接到前浮式晶體元件18，

在沿著杠桿50的第二縱向點(diǎn)54上，通過(guò)前環(huán)連桿30被連接到前環(huán)復(fù)合體25(通常被連接到所述前環(huán)復(fù)合體的內(nèi)前環(huán)27)，以及

在沿著杠桿50的第三縱向點(diǎn)56上，通過(guò)后晶體連桿28被連接到后晶體元件22。

第二縱向點(diǎn)54是沿著杠桿50縱向地位于所述第一縱向點(diǎn)52與所述第三縱向點(diǎn)56之間，使得所述第二縱向點(diǎn)54作為所述杠桿50的一支點(diǎn)60。所述多個(gè)杠桿(包含所述支點(diǎn)的位置)通常地被配置來(lái)提供至少1.4倍的增益，如上文參照?qǐng)D1A-B及2A-B所描述的。杠桿50和支點(diǎn)60在下文中參照?qǐng)D8A-B更詳細(xì)地被描述。

多個(gè)連接元件32、42、44的每一個(gè)連結(jié)晶體植入物10的各對(duì)的元件，以允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。典型地，后晶體連接元件42與前環(huán)連接元件44被配置來(lái)縮小對(duì)于其他設(shè)計(jì)限制所可能給出的程度的它們各自的連接元件之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))，同時(shí)仍允許少量的徑向運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用上，當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(如本應(yīng)用中所使用的，包含在權(quán)利要求中，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換被理解為進(jìn)行開始處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)且持續(xù)一路到所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，反之亦然)，多個(gè)后晶體連接元件42的每一個(gè)被配置來(lái)允許沿著杠桿50的第三縱向點(diǎn)56徑向移動(dòng)不超過(guò)200微米(相對(duì)于后晶體元件22的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)80)。

前晶體連接元件32特別地被配置來(lái)允許杠桿50與前浮式晶體元件18之間的少量徑向運(yùn)動(dòng)，如下面參考圖9A至9D所描述的。在一些應(yīng)用上，當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，多個(gè)前晶體連接元件32的每一個(gè)被配置來(lái)允許沿著杠桿50的第一縱向點(diǎn)52徑向移動(dòng)介于200至500微米之間(相對(duì)于前浮式晶體元件18的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)84，標(biāo)示在圖5C-D及8A)。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含權(quán)利要求，“徑向”意味著一朝向或遠(yuǎn)離前晶體20的中央視軸90的方向(如圖4A至4B中所標(biāo)記)。

在一些構(gòu)造中，所述多個(gè)連接元件的每一個(gè)包含一小的、相對(duì)薄的桿體。對(duì)于這些構(gòu)造而言，以及對(duì)于所述連接元件的其他構(gòu)造而言，為了縮小非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，多個(gè)前晶體連接元件32的每一個(gè)的長(zhǎng)度典型地是小于1000微米，如小于500微米，比如是小于300微米?？蛇x地或另外地，多個(gè)后晶體連接元件42的每一個(gè)的長(zhǎng)度是小于1000微米，如小于500微米，比如是小于300微米。進(jìn)一步可選地或另外地，多個(gè)前環(huán)連接元件的每一個(gè)的長(zhǎng)度是小于1000微米，如小于500微米，比如是小于300微米。典型地，所述多個(gè)連接元件的每一個(gè)具有一截面積，所述截面積是沿著垂直于一所述連接元件的縱向軸的連接元件來(lái)測(cè)量的，所述截面積是小于0.04平方毫米(mm²)，如小于0.03平方毫米。典型地，前晶體、后晶體和前環(huán)連接元件32、42、44包含相對(duì)的非滑動(dòng)接點(diǎn)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，前晶體、后晶體和前環(huán)連接元件32、42、44包含相應(yīng)的旋轉(zhuǎn)接點(diǎn)。

前環(huán)連桿30在前環(huán)復(fù)合體25的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)82上被連接到前環(huán)復(fù)合體25。前晶體連桿26在前浮式晶體元件18的各自的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)84上被連接到前浮式晶體元件18(如圖5C-D和8A中所標(biāo)記)。后晶體連桿28在后晶體元件22的各自的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)80上被連接到后晶體元件22。

典型地，當(dāng)晶體植入物10在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第二縱向點(diǎn)54的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體25的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第二縱向點(diǎn)54和其相應(yīng)的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)82之間的距離的50％；當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第一縱向點(diǎn)52的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前浮式晶體元件18的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第一縱向點(diǎn)52和其相應(yīng)的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)84之間的距離的50％；和/或

當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第三縱向點(diǎn)56的每一個(gè)的一位置相對(duì)于后晶體元件22的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第三縱向點(diǎn)56和其相應(yīng)的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)80之間的距離的50％。

非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，在晶體植入物10的調(diào)節(jié)中的后晶體環(huán)緣23與前環(huán)27之間的距離變化期間：

多個(gè)第二縱向點(diǎn)54的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體25的改變是少于后晶體環(huán)緣23與前環(huán)27之間的距離變化的50％；

多個(gè)第一縱向點(diǎn)52的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前浮式晶體元件18的改變是少于后晶體環(huán)緣23與前環(huán)27之間的距離變化的50％；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)56的每一個(gè)的一位置相對(duì)于后晶體元件22的改變是少于后晶體環(huán)緣23與前環(huán)27之間的距離變化的50％。晶體植入物10一般地被配置成當(dāng)晶體植入物10在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)及完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，杠桿50徑向地朝前晶體20的中央視軸90不移動(dòng)(或僅輕微移動(dòng))或者遠(yuǎn)離。例如，晶體植入物10能夠被配置成當(dāng)晶體植入物10在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

多個(gè)杠桿50的每一個(gè)的任一部位與中央視軸90之間的最大距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體20的直徑的10％，比如小于5％；

多個(gè)第二縱向點(diǎn)54的每一個(gè)與中央視軸90之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體20的直徑的10％，比如小于5％；

多個(gè)第三縱向點(diǎn)56的每一個(gè)與中央視軸90之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體20的直徑的10％，比如小于5％；和/或多個(gè)后晶體連桿28的每一個(gè)的任一部位與中央視軸90之間的最大距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體20的直徑的10％，比如小于5％。在一些應(yīng)用上，相對(duì)于中央視軸90，每一各自的杠桿50的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)80與前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)82周向地相互偏移，如圍繞中央視軸90的至少15度(比如至少20度)。

在一些應(yīng)用上，當(dāng)晶體植入物10在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，沿著杠桿50的第三縱向點(diǎn)56相對(duì)于沿著杠桿50的第一縱向點(diǎn)52到前環(huán)復(fù)合體25來(lái)說(shuō)更靠近前環(huán)復(fù)合體25。當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，這些相對(duì)距離是顛倒的，以致第一縱向點(diǎn)52相對(duì)于第三縱向點(diǎn)56到前環(huán)復(fù)合體25來(lái)說(shuō)更靠近前環(huán)復(fù)合體25。在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件18還包含一或多個(gè)附連元件，且所述杠桿是通過(guò)各自的前晶體連桿26(構(gòu)造未示出)被連接到所述附連元件。例如，所述附連元件能夠包含各自的前晶體桿，且所述杠桿是通過(guò)各自的前晶體連桿26(構(gòu)造未示出)被連接到所述前晶體桿?；蛘?，所述一或多個(gè)附連元件能夠包含一前晶體環(huán)緣，且所述杠桿是通過(guò)所述前晶體連桿(構(gòu)造未示出)被連接到所述前晶體環(huán)緣。

在一些應(yīng)用上，前環(huán)復(fù)合體25(例如，其內(nèi)前環(huán)27)還包含一或多個(gè)附連元件92，且杠桿50是通過(guò)各自的前環(huán)連桿30被連接到所述附連元件。例如，附連元件92能夠包含各自的前桿94，且杠桿50是通過(guò)各自的前環(huán)連桿30被連接到前桿94?？蛇x擇地，多個(gè)前桿94的每一個(gè)被定向在平行于所述前-后方向的5度內(nèi)，如平行于所述前-后方向。

在一些應(yīng)用上，后晶體元件22還包含一或多個(gè)附連元件96，且杠桿50是通過(guò)各自的后晶體連桿28被連接到所述附連元件。例如，附連元件96能夠包含各自的后桿98，且杠桿50是通過(guò)各自的后晶體連桿28被連接到后桿98?？蛇x地或另外地，所述一或多個(gè)附連元件能夠包含后晶體環(huán)緣23，且杠桿50是通過(guò)后晶體連桿28被連接到后晶體環(huán)緣23。對(duì)于應(yīng)用，在其中所述一或多個(gè)附連元件96包含后桿98和后晶體環(huán)緣23兩者，后桿98被連接到后晶體環(huán)緣23，杠桿50是通過(guò)各自的后晶體連桿28被連接到后桿98。

請(qǐng)參照?qǐng)D5A至5B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中杠桿復(fù)合體14分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。為了清楚的說(shuō)明，只有單一個(gè)杠桿50被顯示，盡管在實(shí)際中杠桿復(fù)合體14通常包含至少三個(gè)杠桿50，如上所述。在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿50的第二縱向點(diǎn)54(其作為支點(diǎn)60)與沿著杠桿50的第三縱向點(diǎn)56之間的一第一直線線段100在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第一線段100是平行于一垂直于中央視軸90的平面。例如，在圖5B中第一線段100被顯示為水平的，在其中杠桿復(fù)合體14是處于所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)?；蛘?，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第一線段100在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸90的所述平面)。在一些應(yīng)用上，第一線段100旋轉(zhuǎn)至少10度、不超過(guò)35度和/或介于10至35度之間，如至少18度、不超過(guò)28度和/或介于18至28度之間(當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換)，例如24度(亦即，在所述杠桿的全行程期間)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第一線段100的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第一線段100界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸90的所述平面，例如為平行于所述平面。

可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿50的第二縱向點(diǎn)54(其作為支點(diǎn)60)與沿著杠桿50的第一縱向點(diǎn)52之間的一第二直線線段101在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第二線段101是平行于一垂直于中央視軸90的平面?；蛘?，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第二線段101在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸90的所述平面)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第二線段101的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第二線段101界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸90的所述平面，例如為平行于所述平面。

典型地，第一線段100和第二線段101之間的一角度(α)是大于120度，如大于150度，比如是180度(亦即，所述線段是彼此共線)。例如，所述角度可以是135度。換句話說(shuō)，杠桿50的功能部份通常是筆直的。

典型地，第二縱向點(diǎn)54相對(duì)于第一縱向點(diǎn)52來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)56。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)54與第三縱向點(diǎn)56之間的第一距離D1是少于第一縱向點(diǎn)52與第二縱向點(diǎn)54之間的第二距離D2的70％，如此沿著杠桿50的前環(huán)連桿30的一位置提供了至少1.4倍的增益。在一些應(yīng)用上，第一距離D1較第二距離D2少30％，其通常提供了至少3.3倍的增益。在一些應(yīng)用上，第一距離D1為至少500微米。典型地，第一距離D1是第二距離D2的至少10％，通常是至少33％。典型地，第一縱向點(diǎn)52是接近于杠桿50的一第一端53，如在杠桿50的總長(zhǎng)度(沿著所述中央縱向軸來(lái)測(cè)量的，如以下所定義的)的10％內(nèi)(從第一端53)。第一和第二距離D1、D2分別是直線線段100、101的長(zhǎng)度。應(yīng)當(dāng)理解的是，第一直線線段和第二直線線段100、101不是晶體植入物10的物理組件，而是使用于描述所述植入物的某些性質(zhì)的幾何構(gòu)造。請(qǐng)參照?qǐng)D5C至5D，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中杠桿復(fù)合體14在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖5C是一等距示意圖，而圖5D是杠桿復(fù)合體14的側(cè)視圖。圖5C-D提供了杠桿復(fù)合體14的附加的視圖，其不同于圖1A和2A，且不是通過(guò)觸動(dòng)部復(fù)合體16而被部分地阻擋。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物10在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的等距示意圖。所述示意圖相似于圖1B的示意圖，如上所述，除了圖1B以外，晶體植入物10是從前-側(cè)方向來(lái)顯示的，圖6中晶體植入物則是從后-側(cè)方向來(lái)顯示。

請(qǐng)參照?qǐng)D7，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中杠桿50的其中之一的示意圖。所述示意圖還包含多個(gè)前晶體連桿26的其中之一和前環(huán)連桿30的其中之一。如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，一杠桿的中央縱向軸是在沿著所述杠桿的所有各自的縱向位置上的所有各自的最小邊界圈的所有中心的集合。所述最小邊界圈的每一個(gè)是完全包含于它們之間的所述杠桿的橫截面的最小的圈(在所述最小邊界圈的縱向位置上)。所述橫截面的每一個(gè)是垂直于所述中央縱向軸。在一些應(yīng)用上，杠桿50的每一個(gè)界定了(a)一第一點(diǎn)70(如上文參考圖7所定義)，其在縱向地與第一縱向點(diǎn)52對(duì)齊的中央縱向軸62上；(b)一第三點(diǎn)74，其在縱向地與第三縱向點(diǎn)56對(duì)齊的中央縱向軸62上；以及(c)多個(gè)第二點(diǎn)，其在沿著中央縱向軸62的第一點(diǎn)和第三點(diǎn)70、74之間的各自的縱向位置上。杠桿50的每一個(gè)還界定多個(gè)線段對(duì)，其包括(a)第一點(diǎn)70與各個(gè)所述多個(gè)第二點(diǎn)之間各自的第一直線線段，以及(b)各個(gè)所述多個(gè)第二點(diǎn)與第三點(diǎn)74之間各自的第二直線線段。所述多個(gè)線段對(duì)的每一個(gè)的所述第一線段和所述第二線段界定了一它們之間的至少120度角度，如至少150度。舉例來(lái)說(shuō)，在圖7中，(a)所述多個(gè)第二點(diǎn)的其中之一是以參考標(biāo)號(hào)72來(lái)標(biāo)記，(b)第二點(diǎn)72的所述各自的第一和第二線段分別是以參考標(biāo)號(hào)76和78來(lái)標(biāo)記的，(c)第一線段和第二線段76、78之間的角度是以β來(lái)標(biāo)記的。應(yīng)當(dāng)注意的是，在此段落中所描述的所述點(diǎn)和線段不是杠桿50的物理特征，而是通過(guò)所述多個(gè)杠桿而在概念上定義的，以便定義所述多個(gè)杠桿的某些尺寸性能。還應(yīng)當(dāng)注意的是，圍繞著縱向軸62的杠桿50的曲率是歸因于這些角度的大部分。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿50的每一個(gè)，在縱向地沿著位于第一縱向點(diǎn)52與第三縱向點(diǎn)56之間的所有縱向位置的每一個(gè)上，被成形以便具有一相應(yīng)的形狀特征，其選自于由以下形狀特征所組成的群組：

杠桿50筆直于所述縱向位置，

杠桿50彎曲于所述縱向位置。典型地，杠桿50，在杠桿50為彎曲的每一縱向位置中，具有前晶體20半徑的至少50％的曲率半徑，且杠桿50界定了至少120度的一角度，如150度，于所述縱向位置(假設(shè)所述杠桿若是筆直的，其將具有一180度的角度)。

請(qǐng)參照?qǐng)D8A至8B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中杠桿50的其中之一與其和晶體植入物10的其他組件的功能關(guān)系的示意圖。在這些圖中，晶體植入物10的一些組件被示意性地排列，以便概念地說(shuō)明杠桿50如何起到頭等杠桿的作用。晶體植入物10的這些組件實(shí)際上不是如圖8A-B中所示的那樣配置。

圖8A-B顯示了位于第一縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)52、56之間的第二縱向點(diǎn)54上的支點(diǎn)60，相較于第一縱向點(diǎn)52更接近于第三縱向點(diǎn)56。杠桿50是一頭等杠桿，所述頭等杠桿繞著支點(diǎn)60樞轉(zhuǎn)。由于支點(diǎn)60相對(duì)于第一縱向點(diǎn)52來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)56，所以杠桿50放大了第一縱向點(diǎn)52的前-后移動(dòng)，導(dǎo)致前浮式晶體元件18的更大的前-后移動(dòng)。杠桿50通常是相當(dāng)堅(jiān)硬的，以致在正常植入使用中的晶體植入物10的調(diào)節(jié)期間，其基本上不隨著其樞轉(zhuǎn)而改變形狀。在一些應(yīng)用上，為了提供這種剛度，縱向地位于第一縱向點(diǎn)52與第三縱向點(diǎn)56之間的杠桿50的平均截面積(沿著垂直于中央縱向軸62的杠桿來(lái)測(cè)量的)等于前晶體連接元件32、后晶體連接元件42和前環(huán)連接元件44的平均截面積(沿著垂直于它們各自的縱向軸來(lái)測(cè)量的)的至少10倍、不超過(guò)20倍和/或介于10至20倍之間?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，縱向地位于第一縱向點(diǎn)52與第三縱向點(diǎn)56之間的杠桿50的所述平均截面積(沿著垂直于中央縱向軸62的杠桿來(lái)測(cè)量的)是至少0.1平方毫米(mm²)，如至少0.2平方毫米。請(qǐng)參照?qǐng)D9A至9D，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物10包含其前晶體連桿26的組件的示意圖。如上所述，前晶體連接元件32特別地被配置來(lái)允許杠桿50與前浮式晶體元件18之間的少量徑向運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用上，如圖9B所示(及其他圖，除了圖9A以外)，為了提供所述徑向移動(dòng)，多個(gè)前晶體連桿26的每一個(gè)的前晶體連接元件32是圓形的。對(duì)于其他應(yīng)用，如圖9A所示，前晶體連接元件32是L形。在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連接元件32的每一個(gè)是足夠長(zhǎng)的，相當(dāng)于在所述元件的相對(duì)端上的一具有兩個(gè)接點(diǎn)的短連桿。圖9C和9D提供了杠桿復(fù)合體14的附加的視圖。所述杠桿復(fù)合體14說(shuō)明了前浮式晶體元件18與由多個(gè)前晶體連桿26的多個(gè)前晶體連接元件32所提供的杠桿50之間的連接。為了清楚的說(shuō)明，提供了杠桿50和多個(gè)前晶體連接元件32的清楚視圖，內(nèi)前環(huán)27、前桿94和前環(huán)連桿30沒有被顯示于圖9C中。請(qǐng)參照?qǐng)D10A至10B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中透由前方向視角所看到的杠桿復(fù)合體14的示意圖。圖10A顯示了當(dāng)晶體植入物10處于所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的杠桿復(fù)合體14，圖10B顯示了當(dāng)晶體植入物10處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的杠桿復(fù)合體14。晶體連接元件32在兩個(gè)軸中提供鉸接。在晶體植入物10的調(diào)節(jié)期間，連接于前浮式晶體元件18的杠桿50的末端相對(duì)于中央視軸90微微向內(nèi)移動(dòng)(例如，介于100至200微米之間的向軸90的移動(dòng))。由多個(gè)前晶體連接元件32提供的所述鉸接啟動(dòng)了這樣的移動(dòng)。

請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D1A-2B和4A-B。當(dāng)杠桿50于晶體植入物10的調(diào)節(jié)期間樞轉(zhuǎn)時(shí)，連接元件42、44之間的圓周距離產(chǎn)生變化。因?yàn)槎鄠€(gè)杠桿50的主要的水平定向，所以此距離變化是相對(duì)小的，如上所述。

為了適應(yīng)小的距離變化，晶體植入物10被配置成當(dāng)前浮式晶體元件18以前-后方向朝所述前環(huán)復(fù)合體25移動(dòng)或遠(yuǎn)離時(shí)，前環(huán)復(fù)合體25可相對(duì)述后晶體元件22在很小的程度上旋轉(zhuǎn)。例如，當(dāng)晶體植入物10從所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)轉(zhuǎn)換至所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，且當(dāng)前浮式晶體元件18以所述前-后的方向朝前環(huán)復(fù)合體25移動(dòng)或遠(yuǎn)離時(shí)，圍繞中央視軸90，旋轉(zhuǎn)的程度能夠是介于100至200微米之間，和/或至少1度，如至少2度，和/或小于4度，如小于3度。這種最低限度的旋轉(zhuǎn)是容易地通過(guò)相對(duì)于天然囊袋12的晶體植入物10的組件的滑動(dòng)來(lái)吸收、是容易地通過(guò)晶體植入物10的組件的小變形來(lái)吸收、是容易地通過(guò)杠桿復(fù)合體14和觸動(dòng)部復(fù)合體16之間的滑動(dòng)來(lái)吸收，和/或是容易地通過(guò)天然囊袋12和/或晶體植入物10的所述連桿和接點(diǎn)中的靈活性來(lái)吸收。請(qǐng)參照?qǐng)D11，其是本發(fā)明一應(yīng)用中觸動(dòng)部復(fù)合體16的示意圖。此圖顯示觸動(dòng)部復(fù)合體16(如上文參照?qǐng)D3A-B所描述的)的原件。

圖12A-B為本發(fā)明的相應(yīng)的應(yīng)用中透由前方向視角所看到的晶體植入物10的示意圖。圖12A顯示杠桿復(fù)合體14；為了清楚的說(shuō)明，提供了一杠桿50的清楚視圖，內(nèi)前環(huán)27、前桿94和前環(huán)連桿30沒有被顯示于圖中。在此構(gòu)造中，杠桿復(fù)合體14確切地包含三個(gè)杠桿50，其圍繞前浮式晶體元件18(和其前晶體20)被周向地排列?？梢钥闯?，杠桿50圍繞杠桿復(fù)合體14的圓周而彎曲，通常在后晶體環(huán)緣23的相應(yīng)部分上方。圖12B顯示組裝后的晶體植入物10。

請(qǐng)參照?qǐng)D13A至13B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物10的示意圖。在一些應(yīng)用中，內(nèi)前環(huán)27被成形來(lái)界定一或多個(gè)前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99，所述前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99在所述前內(nèi)環(huán)以外的部分向外延伸。例如，內(nèi)前環(huán)27的前桿94能夠被成形來(lái)界定所述前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部，如圖所示，在一些應(yīng)用上，如圖所示，前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99被成形為小環(huán)或小桿。前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99提供具有一外圓周的內(nèi)前環(huán)27，其大于在至少一些圓周位置上的外前環(huán)34的外圓周。結(jié)果是，當(dāng)杠桿復(fù)合體14和觸動(dòng)部復(fù)合體16被組裝時(shí)，如上文參照?qǐng)D3A-B所描述的，內(nèi)前環(huán)27的延長(zhǎng)部99與外前環(huán)34接觸且推擠外前環(huán)34，并防止內(nèi)前環(huán)27移動(dòng)到一更前面的位置(相對(duì)于外前環(huán)34)。因此，內(nèi)前環(huán)27只推向外前環(huán)34，而不推向天然囊袋12，而外前環(huán)34推向所述天然囊袋。外前環(huán)34的較大外徑降低了撕裂所述囊袋的風(fēng)險(xiǎn)。典型地，多個(gè)前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99的每一個(gè)在內(nèi)前環(huán)27以外的部分向外延伸至少100微米，不超過(guò)500微米，和/或介于100至500微米之間。

前內(nèi)環(huán)延長(zhǎng)部99的附加的視圖被提供于許多圖中，包含圖5C-D、圖9D、圖10A-B和圖14A-C。

請(qǐng)參照?qǐng)D14A至14C，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中杠桿復(fù)合體14的示意圖。圖14A分別地顯示杠桿復(fù)合體14的組件(在實(shí)務(wù)中，這些組件通常被制造成一個(gè)單一元件，而非分別地被制造且被耦合在一起)。

請(qǐng)參照?qǐng)D15A至15B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中一單件晶體植入物110的示意圖。除下文所述，晶體植入物110相似于晶體植入物10，且具有晶體植入物10的特征，并且其功能按照與晶體植入物10相同的原則，如上文參照?qǐng)D1A-14C所描述的。晶體植入物110被植入成一單件，而非在原位被組裝。在一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)中，晶體植入物110被顯示于圖15A-B中。晶體植入物110被配置來(lái)假設(shè)所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)(未示出，但是類似于晶體植入物10的所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)，細(xì)節(jié)上作必要的修改)之間的調(diào)節(jié)的一連續(xù)范圍。

晶體植入物110包含(a)一前浮式晶體元件118，所述前浮式晶體元件118包含一前晶體120，以及(b)一后晶體元件122，所述后晶體元件122包含一后晶體24，以及典型地，一后晶體環(huán)緣123，其能夠是周向非連續(xù)的(如圖所示)，或周向連續(xù)的，像是晶體植入物10的后晶體環(huán)緣23(構(gòu)造沒有被顯示于圖15A-B中)(晶體元件118、122的每一個(gè)能夠包含一或多個(gè)附加的光學(xué)元件，如上文對(duì)于晶體元件18、22所描述的。在一些應(yīng)用上，前晶體120是前浮式晶體元件118的唯一的光學(xué)元件，和/或后晶體124是后晶體元件122的唯一的光學(xué)元件)。在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)期間，相對(duì)于眼睛的所述天然囊袋的后面部分，后晶體元件122通常保持不動(dòng)。所述晶體植入物被配置成前浮式晶體元件118對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而相對(duì)于后晶體元件122移動(dòng)，如上文關(guān)于晶體植入物10所描述的。

晶體植入物110還包含一前環(huán)復(fù)合體125，所述前環(huán)復(fù)合體125被設(shè)置以致前浮式晶體元件118以一前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體125移動(dòng)或遠(yuǎn)離。前環(huán)復(fù)合體125包含一前環(huán)129，其功能相似于晶體植入物10的內(nèi)前環(huán)和外前環(huán)27、34的組合。前環(huán)129能夠是周向非連續(xù)的(如圖所示)，或周向連續(xù)的，像是晶體植入物10的內(nèi)前環(huán)和外前環(huán)27、34(構(gòu)造沒有被顯示于圖15A-B中)。隨著所述囊袋的寬度(在前-后方向上)變化，前環(huán)復(fù)合體125相對(duì)于后晶體元件122移動(dòng)，從而改變了它們之間的距離。

晶體植入物110還包含一或多個(gè)杠桿150，其通過(guò)各自的連桿126、128和130被連接至前浮式晶體元件118、前環(huán)復(fù)合體125和后晶體元件122。例如，晶體植入物110能夠包含兩個(gè)、三個(gè)(如圖所示)、四個(gè)、五個(gè)或六個(gè)杠桿150，且通常為連桿126、連桿128和連桿130的每一個(gè)的相應(yīng)數(shù)量。典型地，多個(gè)杠桿150被主要水平地定向，例如以關(guān)于多個(gè)杠桿150的主要的水平定向的參數(shù)(如上文參照?qǐng)D1A-B和2A-B所描述的)。

多個(gè)杠桿150被配置來(lái)放大前環(huán)復(fù)合體125與后晶體元件122之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使前浮式晶體元件118移動(dòng)離后晶體元件122時(shí)更遠(yuǎn)。換句話說(shuō)，晶體植入物110被配置成當(dāng)前環(huán)復(fù)合體125相對(duì)后晶體元件122移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，杠桿150相對(duì)于后晶體元件122以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)前浮式晶體元件118，其中第一距離是大于所述第二距離。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。典型地，所述第一距離至少為所述第二距離的1.4倍，亦即，所述杠桿提供至少1.4倍的增益。例如，所述第一距離能夠至少為所述第二距離的1.5倍(例如，至少為1.8倍，如介于1.8至3倍之間)。前浮式晶體元件118通常在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間移動(dòng)至少1毫米。

在一些應(yīng)用上，晶體植入物110被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一些應(yīng)用上，晶體120、124和晶體植入物110的其他組件包含相同的材料(晶體120、124因?yàn)樗鼈兊男螤?，起了一晶體的作用)?；蛘撸谥圃炱陂g，晶體植入物110的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，晶體植入物110的材料具有一介于20至50之間的邵爾A型硬度。因此，晶體植入物110的所有組件通常是柔性的。典型地，晶體植入物110的所有的環(huán)和晶體是同心的。晶體植入物110還包含一或多個(gè)觸動(dòng)部135，其耦合前環(huán)129至后晶體元件122。觸動(dòng)部135在前環(huán)129和后晶體元件122之間提供一可變的前-后距離，且有助于將晶體植入物110適當(dāng)?shù)匕仓迷谔烊荒掖?2中。典型地，杠桿150沒有被耦合到任何的觸動(dòng)部135。如上所述，晶體植入物110包含多個(gè)連桿126、128、130。更特別地，晶體植入物110包含：一或多個(gè)前晶體連桿126，其包含了各自的前晶體連接元件132；

一或多個(gè)后晶體連桿128，其包含各自的后晶體連接元件142；以及

一或多個(gè)前環(huán)連桿130，其包含了各自的前環(huán)連接元件144。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)后晶體連桿128的每一個(gè)確切地包含一后晶體連接元件142?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，多個(gè)前環(huán)連桿130的每一個(gè)確切地包含了一前環(huán)連接元件144。進(jìn)一步可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連桿126的每一個(gè)確切地包含了一前晶體連接元件132。典型地，前環(huán)復(fù)合體125并非自體連接，和/或后晶體元件122并非自體連接。

杠桿150：

在沿著杠桿150的第一縱向點(diǎn)152上，通過(guò)前晶體連桿126被連接到前浮式晶體元件118，

在沿著杠桿150的第二縱向點(diǎn)154上，通過(guò)前環(huán)連桿130被連接到前環(huán)復(fù)合體125，以及

在沿著杠桿150的第三縱向點(diǎn)156上，通過(guò)后晶體連桿128被接到后晶體元件122。

第二縱向點(diǎn)154是沿著杠桿150縱向地位于第一縱向點(diǎn)152與第三縱向點(diǎn)156之間，使得第二縱向點(diǎn)154作為杠桿150的一支點(diǎn)160。

連接元件132、142、144運(yùn)行且以如上文關(guān)于晶體植入物10的連接元件32、42、44所描述的相同的方式來(lái)配置。連接元件132、142、144通常具有如晶體植入物10的連接元件32、42、44的相同尺寸，如上所述。

前環(huán)連桿130在前環(huán)復(fù)合體125的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接到前環(huán)復(fù)合體125。前晶體連桿126在前浮式晶體元件118的各自的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接到前浮式晶體元件118。后晶體連桿128在后晶體元件122的各自的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)上被連接到后晶體元件122。典型地，當(dāng)晶體植入物110在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

多個(gè)第二縱向點(diǎn)154的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體125的改變是少于500微米，比如少于200微米；

多個(gè)第一縱向點(diǎn)152的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前浮式晶體元件118的改變是少于500微米，比如少于200微米；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)156的每一個(gè)的一位置相對(duì)于后晶體元件122的改變是少于500微米，比如少于200微米。晶體植入物110一般地被配置成當(dāng)晶體植入物110在晶體植入物110的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)及完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，杠桿150徑向地朝前晶體120的中央視軸190不移動(dòng)(或僅輕微移動(dòng))或者遠(yuǎn)離，如上文關(guān)于晶體植入物10(包含所述描述的距離變化)所描述的。在一些應(yīng)用上，相對(duì)于所述中央視軸，每一各自的杠桿150的所述后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)與所述前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)周向地相互偏移，如圍繞所述中央視軸的至少15度(比如至少20度)。

在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件118還包含一或多個(gè)附連元件，且所述杠桿是通過(guò)各自的前晶體連桿126(構(gòu)造未示出)被連接到所述附連元件。例如，所述附連元件能夠包含各自的前晶體桿，且所述杠桿是通過(guò)各自的前晶體連桿126(構(gòu)造未示出)被連接到所述前晶體桿?；蛘撸鲆换蚨鄠€(gè)附連元件能夠包含一前晶體環(huán)緣，且所述杠桿是通過(guò)所述前晶體連桿(構(gòu)造未示出)被連接到所述前晶體環(huán)緣。

在一些應(yīng)用上，前環(huán)復(fù)合體125(例如，其前環(huán)129)還包含一或多個(gè)附連元件192，且杠桿150是通過(guò)各自的前環(huán)連桿130被連接到所述附連元件。例如，附連元件192能夠包含各自的前桿194，且杠桿150是通過(guò)各自的前環(huán)連桿130被連接到前桿194?？蛇x擇地，多個(gè)前桿194的每一個(gè)被定向在平行于所述前-后方向的5度內(nèi)，如平行于所述前-后方向。

在一些應(yīng)用上，后晶體元件122還包含一或多個(gè)附連元件196，且杠桿150是通過(guò)各自的后晶體連桿128被連接到所述附連元件。例如，附連元件196能夠包含各自的后桿198，且杠桿150是通過(guò)各自的后晶體連桿128被連接到后桿198。可選地或另外地，所述一或多個(gè)附連元件能夠包含后晶體環(huán)緣123，且杠桿150是通過(guò)后晶體連桿128被連接到后晶體環(huán)緣123。對(duì)于應(yīng)用，在其中所述一或多個(gè)附連元件196包含后桿198和后晶體環(huán)緣123兩者，后桿198被連接到后晶體環(huán)緣123，且杠桿150是通過(guò)各自的后晶體連桿128被連接到后桿198。

典型地，第二縱向點(diǎn)154相對(duì)于第一縱向點(diǎn)152來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)156。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)154與第三縱向點(diǎn)156之間的第一距離是少于第一縱向點(diǎn)152與第二縱向點(diǎn)154之間的第二距離的70％，如此沿著杠桿150的前環(huán)連桿130的一位置通常提供了至少1.4倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離較所述第二距離少30％，其通常提供了至少3.3倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離為至少500微米。典型地，所述第一距離是所述第二距離的至少10％，通常是至少33％。典型地，第一縱向點(diǎn)152是接近于杠桿150的一第一端，如在杠桿150的總長(zhǎng)度(沿著一中央縱向軸來(lái)測(cè)量的)的10％內(nèi)(從所述第一端)。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿150的每一個(gè)，在縱向地沿著其位于第一縱向點(diǎn)152與第三縱向點(diǎn)156之間的所有縱向位置的每一個(gè)上，被成形以具有杠桿50的相應(yīng)形狀特征的其中之一(如上文參照?qǐng)D7所描述的)。

請(qǐng)參照?qǐng)D16A-B和17A-B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中一調(diào)節(jié)式人工晶體植入物210的示意圖。圖16A-B為所述晶體植入物的等距示意圖。圖17A-B為所述晶體植入物被植入于眼睛的天然囊袋12中的側(cè)視圖。圖16A和17A顯示處于一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下的晶體植入物210，圖16B和17B則顯示處于一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下的所述晶體植入物。盡管只有這兩個(gè)狀態(tài)被顯示于這些中或是被顯示于其他圖中，晶體植入物210被配置來(lái)假設(shè)一所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的調(diào)節(jié)的連續(xù)范圍。所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)提供近視力，所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)提供遠(yuǎn)視力，在其之間的部分調(diào)節(jié)狀態(tài)提供中間視力。所述晶體植入物對(duì)應(yīng)于眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而被配置來(lái)達(dá)到所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)(無(wú)需外部電源)。

晶體植入物210包含(a)一前浮式晶體元件218，所述前浮式晶體元件218包含一前晶體220，以及(b)一后晶體元件222，所述后晶體元件222包含一后晶體224。在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)期間，相對(duì)于眼睛的天然囊袋12的后面部分，后晶體元件222通常保持不動(dòng)。所述晶體植入物被配置成前浮式晶體元件218對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而相對(duì)于后晶體元件222移動(dòng)，所述眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制改變了天然囊袋12的形狀，如圖17A至17B所示。在顯示于圖17A的所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌被放松，因此使得懸韌帶被拉緊，導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)窄的寬度(在一前-后方向上)及相對(duì)大的直徑。如此被成形，所述囊袋在前-后方向上擠壓了所述晶體植入物。相反的，在顯示于圖17B的所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌收縮，從而釋放了所述囊袋上的懸韌帶的張力，故導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)大的寬度及相對(duì)小的直徑。所述囊袋的這種形狀允許了所述晶體植入物在所述前-后方向中的展開(如本文中所使用的，當(dāng)從它的后部來(lái)觀察時(shí)，所述囊袋的直徑意味著所述囊袋的最大直徑)。

晶體植入物210還包含一前環(huán)復(fù)合體225，所述前環(huán)復(fù)合體225被設(shè)置以致前浮式晶體元件218以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體225移動(dòng)或遠(yuǎn)離。前環(huán)復(fù)合體225包含一前環(huán)227(可選擇地，只有前環(huán)227)。隨著所述囊袋的寬度(在前-后方向上)變化，前環(huán)復(fù)合體225相對(duì)于后晶體元件222移動(dòng)，因此改變了前環(huán)復(fù)合體225與后晶體元件222之間的距離。如下面參照?qǐng)D19A-B所詳細(xì)描述的，晶體植入物210還包含一或多個(gè)杠桿250，其例如通過(guò)各自的前晶體連桿226和前環(huán)連桿230被連接至前浮式晶體元件218和前環(huán)復(fù)合體225(圖19A至19B中更清楚地示出)。杠桿250還與后晶體元件222連結(jié)(圖19A至19B中更清楚地示出)。典型地，晶體植入物210能夠包含至少六個(gè)杠桿(例如，恰好六個(gè)杠桿)，如超過(guò)六個(gè)杠桿，例如至少八個(gè)杠桿(例如，恰好八個(gè)杠桿(如圖所示)、恰好十個(gè)杠桿或恰好十二個(gè)杠桿)，且通常為連桿226和連桿230的每一個(gè)的相應(yīng)數(shù)量。在一些應(yīng)用上，如圖所示，多個(gè)杠桿250被均勻周向地分布在晶體植入物210的周圍。

多個(gè)杠桿250被配置來(lái)放大前環(huán)復(fù)合體225與后晶體元件222之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使前浮式晶體元件218移動(dòng)離后晶體元件222時(shí)更遠(yuǎn)。換句話說(shuō)，晶體植入物210被配置成當(dāng)前環(huán)復(fù)合體225相對(duì)后晶體元件222移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，杠桿250相對(duì)于后晶體元件222以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)前浮式晶體元件218，其中第一距離是大于所述第二距離。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。典型地，所述第一距離至少為所述第二距離的1.4倍，亦即，杠桿250提供至少1.4倍的增益。例如，所述第一距離能夠至少為所述第二距離的1.5倍(例如，至少為1.8倍，如介于1.8至4倍之間，如3倍)。

前浮式晶體元件218的前與后的移動(dòng)改變了所述前晶體元件和后晶體元件之間的距離，從而調(diào)整所述晶體植入物的焦距。在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了近視力，晶體植入物210是相對(duì)寬的(在所述前-后方向中)，具有一所述前晶體元件和后晶體元件之間的大間隔，在所述復(fù)合體之間創(chuàng)造了大的自由空間。在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了遠(yuǎn)視力，所述植入物是相對(duì)狹窄的，具有于前復(fù)合體和后復(fù)合體之間一小間隔。前浮式晶體元件218通常會(huì)在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間移動(dòng)至少1毫米。相對(duì)于所述后晶體的所述前晶體的典型運(yùn)動(dòng)是介于0.5至2.0毫米之間，如介于1至1.5毫米之間(當(dāng)所述晶體植入物在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí))。

前浮式晶體元件218在晶體植入物210的內(nèi)部空間中移動(dòng)，所述晶體植入物10通常是對(duì)眼睛內(nèi)的天然流體開放。在移動(dòng)期間，所述浮動(dòng)晶體元件被配置來(lái)創(chuàng)造最小阻力，同時(shí)保持組合的晶體結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。例如，所述浮動(dòng)晶體元件能夠具有一平滑的形狀，和/或能夠涂覆有一疏水性涂層(如硅樹脂)。典型地，所述前晶體元件和后晶體元件被配置來(lái)一起創(chuàng)造一具有總倍率的光學(xué)結(jié)構(gòu)，所述總倍率在+15D與+25D之間變化，如通過(guò)醫(yī)師植入所述晶體植入物來(lái)選擇。如上所述，前浮式晶體元件218包含前晶體220，且后晶體元件222包含后晶體224。晶體元件218、222的每一個(gè)能夠包含一或多個(gè)附加的光學(xué)元件，如附加的晶體(例如，凸晶體、凹晶體、雙凸晶體、雙凹晶體、球面晶體、非球面晶體和/或散光晶體)、固定倍率光學(xué)器件、可變形光學(xué)器件、無(wú)象差光學(xué)器件、雙合透鏡、三合透鏡、過(guò)濾的光學(xué)器件或這些晶體的組合，如在光學(xué)領(lǐng)域中已知的。在一些應(yīng)用上，前晶體220是前浮式晶體元件218的唯一的光學(xué)元件，和/或后晶體224是后晶體元件222的唯一的光學(xué)元件。在一些應(yīng)用上，在制造期間，一或多個(gè)的晶體元件218、222被附設(shè)到所述植入物。可選地或另外地，在植入工序之前或在植入工序期間，一或多個(gè)的所述晶體元件能夠通過(guò)醫(yī)護(hù)人員來(lái)被附加，以便提供最合適的晶體元件給特定的患者。

請(qǐng)參照?qǐng)D18A和18B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210分別在未組合狀態(tài)與組合狀態(tài)時(shí)兩部份組合構(gòu)造的示意圖。在此構(gòu)造中，晶體植入物210包含了兩個(gè)組件，其彼此間原先是分離的狀態(tài)，在所述晶體植入物植入過(guò)程中被原地組裝在一起：(1)后晶體元件222及(2)一前組件217。在圖18A和18B中，兩個(gè)組件皆顯示處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下。在此構(gòu)造中，后晶體元件222與前組件217彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，后晶體元件222與前組件217被成形而于原位組裝在一起(例如卡扣在一起)。后晶體元件222通常具有一界定界面區(qū)域272的內(nèi)表面270，如下面參考圖20D所描述的。當(dāng)后晶體元件222和前組件217被組裝在一起時(shí)，如圖18B所示，后晶體元件222與前組件217在一或多個(gè)界面219上相互接觸(如圖19A至19B中所標(biāo)記)，通常在后晶體元件222的界面區(qū)域272上。典型地，當(dāng)后晶體元件222和前組件217被組裝在一起時(shí)，多個(gè)杠桿250能夠繞所述一或多個(gè)界面219樞轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用上，所述一或多個(gè)界面219包含只有一個(gè)圓周界面219，且當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)，后晶體元件222與前組件217在所述只有一個(gè)圓周界面219上相互接觸。

請(qǐng)參照?qǐng)D19A至19B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。在一些應(yīng)用上，晶體植入物210(特別是它的前組件217)還包含一圓周環(huán)緣260。多個(gè)杠桿250：在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第一縱向點(diǎn)252，與前浮式晶體元件218連結(jié)，以及

在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第三縱向點(diǎn)256，(a)被固定在圓周環(huán)緣260的各自的、不同的圓周位置262上(如圖21A中所標(biāo)記)，且(b)與后晶體元件222連結(jié)。

圓周環(huán)緣260維持了杠桿250的第三縱向點(diǎn)256的圓周位置，且有助于促進(jìn)前組件217和后晶體元件222組裝在一起。

在一些應(yīng)用上，當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)，圓周環(huán)緣260在所述一或多個(gè)界面219上接觸后晶體元件222。典型地，當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)，圓周環(huán)緣260能夠繞所述一或多個(gè)界面219樞轉(zhuǎn)。在一些應(yīng)用上，所述一或多個(gè)界面219包含只有一個(gè)圓周界面219，且當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)，圓周環(huán)緣260在所述一圓周界面219上接觸后晶體元件222。

或者，晶體植入物210被制造成一單件(例如，使用如下面參照?qǐng)D33A-36C所描述的技術(shù)，細(xì)節(jié)上作必要的修改)，或在植入前被立即地組裝，而非在原位被組裝。在一些應(yīng)用上，晶體植入物210的組裝的靜止?fàn)顟B(tài)(亦即，在植入至一眼睛之前(除了組裝之后以外)，沒有約束的制造狀態(tài))是晶體植入物210的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)。

或者，在一些應(yīng)用上，晶體植入物210的組裝的靜止?fàn)顟B(tài)超出了晶體植入物210的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)，亦即，是一過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)。換句話說(shuō)，當(dāng)處于所述組裝的靜止?fàn)顟B(tài)下，相較于天然囊袋12的最大前-后寬度(當(dāng)眼睛是完全地被調(diào)節(jié)時(shí))，晶體植入物210在所述前-后方向上更寬(例如，至少25％，如至少50％更寬)。結(jié)果是，即使當(dāng)所述晶體植入物被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，所述晶體植入物抵壓著所述晶體囊開口，從而當(dāng)眼睛被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，保持小帶的張力以及預(yù)拉緊所述小帶。這種預(yù)拉緊通常會(huì)導(dǎo)致晶體植入物210保持在徑向中心位置中，即使沒有觸動(dòng)部。

在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的(包括通過(guò)所述天然囊袋所沒受約束的)過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體225的一最大可能前-后行程距離是大于(例如，大于至少25％，如大于至少50％)所述天然囊袋的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的一前-后寬度的最大變化。例如，在典型的成年人眼中，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的前-后寬度的最大變化通常約為0.7毫米。因此，在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體225的最大前-后行程距離通常是大于0.7毫米，例如，至少0.875毫米，如至少1.05毫米。隨著所述天然囊袋的前-后寬度變化，前環(huán)復(fù)合體225相對(duì)于后晶體元件222移動(dòng)，因此改變了前環(huán)復(fù)合體225與后晶體元件222之間的距離。請(qǐng)參照?qǐng)D18A-B和19A-B。在一些應(yīng)用上，前組件217包含以下組件，它的每一個(gè)被詳細(xì)描述在下文(大概能夠在圖19A中更清楚地看到)：前浮式晶體元件218，其包含前晶體220；

前環(huán)復(fù)合體225，其包含前環(huán)227；

杠桿250；

可選擇地，多個(gè)前晶體連桿226；以及

可選擇地，前環(huán)連桿230。

在一些應(yīng)用上，前組件217被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一些應(yīng)用上，前晶體220和前組件217的其他組件包含了相同的材料(前晶體220因?yàn)槠湫螤睿鹆艘痪w的作用)。或者，在制造期間，前組件217的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。同樣地，在一些應(yīng)用上，后晶體元件222被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?；蛘?，在制造期間，后晶體元件222的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，后晶體224和后晶體元件222的其他組件包含相同的材料(后晶體224因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)(盡管為透明的，為了清楚的說(shuō)明，圖中的晶體220、224被遮蔽表示；如上所述，所述晶體能夠包含如所述晶體植入物的其他組件的相同材料)。

在一些應(yīng)用上，后晶體元件222的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度，前組件217的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度。因此，晶體植入物210的所有組件通常是柔性的。

如上所述，在兩階段插入工序中，后晶體元件222和前組件217通常被分別地插入至天然囊袋12中，且于原位被一起組裝于所述囊袋中。首先插入后晶體元件222，之后插入前組件217。此兩階段插入工序相較于單件植入物的一階段插入工序通常允許一較小切口的使用。典型地，在組裝時(shí)，晶體植入物210的所有的環(huán)和晶體是同心的。

在一些應(yīng)用上，后晶體元件222和前組件217被預(yù)裝載于一單一導(dǎo)引器中，且從所述單一導(dǎo)引器被分別地引入到所述囊袋中，例如使用下文所描述的技術(shù)。在其他應(yīng)用上，后晶體元件222和前組件217被預(yù)裝載于分離的第一和第二導(dǎo)引管中，所述第一導(dǎo)引管與第二導(dǎo)引管并不相同且彼此分離，如下文所述。在任何一種情況下，前組件能夠使用如下面參照?qǐng)D24所描述的技術(shù)來(lái)可選地預(yù)裝載于一導(dǎo)引管中。

在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一個(gè)別的患者，醫(yī)護(hù)人員選擇了多個(gè)具有不同相應(yīng)的光學(xué)性質(zhì)的可用的后晶體元件222的其中之一，和/或選擇了多個(gè)具有不同相應(yīng)的光學(xué)性質(zhì)的可用的前組件217的其中之一。

在一些應(yīng)用上，后晶體元件222被插入且重塑天然囊袋12。然后測(cè)量患者的視力。響應(yīng)于所述測(cè)量的視力，醫(yī)護(hù)人員選擇具有對(duì)患者最適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能的多個(gè)可用的前浮式晶體元件218的其中之一。具有選擇的前浮式晶體元件218的前組件217被插入至后晶體元件222中。這個(gè)選擇過(guò)程能夠?yàn)榛颊咛峁└玫囊暳Α?/p>

在一些應(yīng)用上，對(duì)于治療散光，前浮式晶體元件218和后晶體元件222具有一些用于治療散光的柱體。在兩階段植入工序期間，醫(yī)護(hù)人員調(diào)整兩晶體元件的相對(duì)角定向，以便治療患者的散光。所述兩晶體元件之間的柱體的這種結(jié)合允許了以更少不同的晶體植入物來(lái)治療各種散光(相較于如果單獨(dú)的晶體植入物被提供給每一柱體倍率是必要的)。更普遍地，在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件218和/或后晶體元件222不是旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的。在一些應(yīng)用上，醫(yī)護(hù)人員是通過(guò)使所述晶體元件相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)整晶體植入物210的有效屈光度。

如上所述，在所述植入工序期間，首先將后晶體元件222插入至天然囊袋12中。隨后，前組件217被插入至所述囊袋中。后晶體元件222被配置來(lái)接收前組件217且居中在前組件217上。在插入之后，前環(huán)復(fù)合體225的前環(huán)227響應(yīng)于天然囊袋12前部的自然運(yùn)動(dòng)而移動(dòng)。典型地，前環(huán)227被配置來(lái)與所述天然囊袋接觸。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖19A-B。多個(gè)杠桿250：

在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第一縱向點(diǎn)252上與前浮式晶體元件218連結(jié)；在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第二縱向點(diǎn)254上與前環(huán)復(fù)合體225連結(jié)；以及

在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第三縱向點(diǎn)256上與后晶體元件222連結(jié)。

多個(gè)杠桿250被安排來(lái)使前浮式晶體元件218以一前-后的方向朝前環(huán)復(fù)合體225移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

如上面參考圖16A-B和17A-B所描述的，在一些應(yīng)用上，晶體植入物210包含多個(gè)連桿226、230。更特別地，在一些應(yīng)用上，晶體植入物210包含：

多個(gè)前晶體連桿226，其通常包含了各自的前晶體連接元件232(其在下文中被更詳細(xì)地描述)；以及

多個(gè)前環(huán)連桿230，其通常包含了各自的前環(huán)連接元件244(其在下文中被更詳細(xì)地描述)。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)前環(huán)連桿230的每一個(gè)確切地包含了一前環(huán)連接元件244。進(jìn)一步可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連桿226的每一個(gè)確切地包含了一前晶體連接元件232。典型地，前環(huán)復(fù)合體225并非自體連接，和/或后晶體元件222并非自體連接。

在一些應(yīng)用上，杠桿250：

在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第一縱向點(diǎn)252上，通過(guò)相應(yīng)的前晶體連桿226而與前浮式晶體元件218連結(jié)，以及

在沿著多個(gè)杠桿250的各自的第二縱向點(diǎn)254上，通過(guò)相應(yīng)的前環(huán)連桿230而與前環(huán)復(fù)合體225(通常與前環(huán)復(fù)合體225的前環(huán)227)連結(jié)。此外，杠桿250的每一個(gè)，在沿著杠桿250的第三縱向點(diǎn)256上，與后晶體元件222連結(jié)(短語(yǔ)“沿著”杠桿250應(yīng)理解為包括所述杠桿的末端；例如，第三縱向點(diǎn)256能夠在所述杠桿的一端，如圖所示)。

在一些應(yīng)用上，每一第三縱向點(diǎn)是位于所述各自的杠桿250的最末端。在一些應(yīng)用上，當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)(原位緊接地于植入之前或制造期間)，多個(gè)杠桿250的每一個(gè)在所述杠桿250的最末端上與后晶體元件222連結(jié)。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，一"杠桿"是一橫梁，其是被使用于通過(guò)第二點(diǎn)上所施加的力來(lái)移動(dòng)第一點(diǎn)上的一對(duì)象，且其繞著第三點(diǎn)上的一支點(diǎn)樞轉(zhuǎn)。對(duì)于多個(gè)杠桿250的每一個(gè)而言，第二縱向點(diǎn)254是沿著杠桿250縱向地位于第一縱向點(diǎn)252與第三縱向點(diǎn)256之間，使得第三縱向點(diǎn)256作為杠桿250的一支點(diǎn)264。因此，在上面的定義中，第一縱向點(diǎn)252、第二縱向點(diǎn)254和第三縱向點(diǎn)256分別地對(duì)應(yīng)于所述第一點(diǎn)、第二點(diǎn)和第三點(diǎn)。

力是通過(guò)前環(huán)復(fù)合體225被施加到第二縱向點(diǎn)254，且，結(jié)果是，第一縱向點(diǎn)252(以及前浮式晶體元件218)相較于第二縱向點(diǎn)254(以及前環(huán)復(fù)合體225)移動(dòng)的一前-后距離來(lái)說(shuō)移動(dòng)得更多，通常是第二縱向點(diǎn)254(以及前環(huán)復(fù)合體225)移動(dòng)的前-后距離的1.5至4倍之間。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)254、256之間的距離為0.6毫米，第一縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)252、256之間的距離為1.8毫米，提供了3倍的增益。典型地，第二縱向點(diǎn)254被各自地設(shè)置在第三縱向點(diǎn)256的徑向向內(nèi)的位置。典型地，第一縱向點(diǎn)252被各自地設(shè)置在第二縱向點(diǎn)254及第三縱向點(diǎn)256的徑向向內(nèi)的位置。所述多個(gè)杠桿(包含所述支點(diǎn)的位置)通常地被配置來(lái)提供至少1.4倍的增益，如上文參照?qǐng)D16A-B和17A-B所描述的。

多個(gè)連接元件232、244的每一個(gè)連結(jié)晶體植入物210的各對(duì)的元件，以允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。多個(gè)前晶體連接元件232通常被配置(例如，是足夠長(zhǎng)的，如下所述)來(lái)允許在杠桿250和前浮式晶體元件218之間的少量徑向運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用上，當(dāng)晶體植入物210在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(如本應(yīng)用中所使用的，包含在權(quán)利要求中，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換被理解為進(jìn)行開始處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)且持續(xù)一路到所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，反之亦然)，多個(gè)前晶體連接元件232的每一個(gè)被配置來(lái)允許沿著杠桿250的第一縱向點(diǎn)252徑向移動(dòng)介于100至250微米(和/或不超過(guò)前晶體220的半徑的5％)之間(相對(duì)于前浮式晶體元件218的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)284)。

前晶體連接元件232被成形并設(shè)計(jì)成微幅轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)吸收此旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。在一些構(gòu)造中，所述多個(gè)前晶體連接元件232的每一個(gè)包含一小的、相對(duì)薄的桿體，其通常具有一介于500至1000微米之間的長(zhǎng)度。典型地，多個(gè)前連接元件232的每一個(gè)具有一截面積，所述截面積是沿著垂直于一所述連接元件的縱向軸的連接元件來(lái)測(cè)量的，所述截面積是小于0.04平方毫米(mm²)，如小于0.03平方毫米。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連接元件232圍繞從與中央視軸290平行的前晶體220(順時(shí)針或逆時(shí)針)的中央視軸290而稍微向側(cè)面地傾斜，例如，介于10至60度之間(構(gòu)造未示出)。因?yàn)樗鎏烊荒掖那?后尺寸限制，這種傾斜能夠允許多個(gè)前晶體連接元件232更長(zhǎng)于其他可能。在一些應(yīng)用上，多個(gè)前晶體連接元件232的一部分(例如，一半)順時(shí)針傾斜，剩余部分逆時(shí)針傾斜，以允許所述徑向運(yùn)動(dòng)，同時(shí)限制后晶體元件222旋轉(zhuǎn)的傾向。

典型地，多個(gè)前環(huán)連接元件244被配置來(lái)縮小對(duì)于其他設(shè)計(jì)限制所可能給出的程度的多個(gè)杠桿250的多個(gè)第二縱向點(diǎn)254與它們的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)282之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))。同樣地，所述一或多個(gè)界面被配置來(lái)縮小多個(gè)杠桿250的多個(gè)第三縱向點(diǎn)256與后晶體元件222的各自的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)280之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))。

相較于多個(gè)前晶體連接元件232和前環(huán)連接元件244，杠桿250更為剛性(即使杠桿250、多個(gè)前晶體連接元件232和前環(huán)連接元件244的全部包含了相同的材料，如上所述)。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含權(quán)利要求，“徑向”意味著一朝向或遠(yuǎn)離前晶體220的中央視軸290的方向。

前環(huán)連桿230在前環(huán)復(fù)合體225的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)282上被連接到前環(huán)復(fù)合體225。前晶體連桿226在前浮式晶體元件218的各自的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)284上被連接到前浮式晶體元件218。

典型地，當(dāng)晶體植入物210在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第二縱向點(diǎn)254的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體225的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第二縱向點(diǎn)254和其相應(yīng)的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)282之間的距離的50％；

當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第一縱向點(diǎn)252的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前浮式晶體元件218的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第一縱向點(diǎn)252和其相應(yīng)的前晶體復(fù)合體連接點(diǎn)284之間的距離的50％；和/或

當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第三縱向點(diǎn)256的每一個(gè)的一位置相對(duì)于后晶體元件222的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第三縱向點(diǎn)256和其相應(yīng)的后晶體復(fù)合體連接點(diǎn)280之間的距離的50％。

非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，在晶體植入物210的調(diào)節(jié)中的后晶體元件222與前環(huán)227之間的距離變化期間：

多個(gè)第二縱向點(diǎn)254的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體225的改變是少于后晶體元件222與前環(huán)227之間的距離變化的50％；

多個(gè)第一縱向點(diǎn)252的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前浮式晶體元件218的改變是少于后晶體元件222與前環(huán)227之間的距離變化的50％；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)256的每一個(gè)的一位置相對(duì)于后晶體元件222的改變是少于后晶體元件222與前環(huán)227之間的距離變化的50％。晶體植入物210一般地被配置成當(dāng)晶體植入物210在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)及完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，杠桿250徑向地朝前晶體220的中央視軸290不移動(dòng)(或僅輕微移動(dòng))或者遠(yuǎn)離。例如，晶體植入物210能夠被配置成當(dāng)晶體植入物210在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

多個(gè)杠桿250的每一個(gè)的任一部位與中央視軸290之間的最大距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體220的直徑的10％，比如小于5％；

多個(gè)第二縱向點(diǎn)254的每一個(gè)與中央視軸290之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體220的直徑的10％，比如小于5％；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)256的每一個(gè)與中央視軸290之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體220的直徑的10％，比如小于5％。請(qǐng)參照?qǐng)D20A至20D，其提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210的后晶體元件222在一未組合狀態(tài)時(shí)的幾個(gè)示意圖。圖20C至20D是剖面示圖。

在一些應(yīng)用上，如圖20D中所標(biāo)記，后晶體元件222為凹面(比如，碗狀)且具有一界定成一界面區(qū)域272的內(nèi)表面270，所述界面區(qū)域272的一部分界定了一由所述后晶體224的一中央視軸292的局部最大半徑R1，可選擇地，一由中央視軸292的最大半徑(當(dāng)后晶體元件222與前組件217被組裝在一起時(shí)(或者于原位緊接在植入之前或在制造期間)，后晶體224的中央視軸292是與前晶體220的中央視軸290同軸)。典型地，圓周環(huán)緣260與內(nèi)表面270的界面區(qū)域272連結(jié)。在一些應(yīng)用上，后晶體元件222被成形來(lái)界定一前鄰至所述界面區(qū)域272的部分的唇狀部274。唇狀部274被成形來(lái)抑制所述圓周環(huán)緣260的往前運(yùn)動(dòng)。典型地，內(nèi)表面270朝著界面區(qū)域272平緩地傾斜。請(qǐng)參照?qǐng)D20D至21B。在一些應(yīng)用上，圓周環(huán)緣260具有一外半徑R2(如圖21B中所標(biāo)記)，所述外半徑R2大于或等于所述后晶體元件222的內(nèi)表面270的局部最大半徑R1，如所述局部最大半徑R1的100％至105％之間。

請(qǐng)參照?qǐng)D19A-B和20D。在一些應(yīng)用上，晶體植入物210被成形使內(nèi)表面270限制前浮式晶體元件218的往后運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿250和后晶體元件222的內(nèi)表面270被成形使內(nèi)表面270通過(guò)內(nèi)表面270接觸多個(gè)杠桿250來(lái)限制前浮式晶體元件218的往后運(yùn)動(dòng)，如圖19A所示。

請(qǐng)參照?qǐng)D21A至21C，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210的前組件217在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖21A是一等距視圖，圖21B是由所述前方向視角所看到的，圖21C是一剖面示圖。在一些應(yīng)用上，圓周環(huán)緣260被成形來(lái)界定在多個(gè)杠桿250的每一個(gè)的兩圓周側(cè)(在所述桿杠被附接到所述圓周環(huán)緣上的位置)上的一對(duì)槽口276。這些槽口允許所述多個(gè)杠桿隨后晶體元件222繞著所述相對(duì)接點(diǎn)旋轉(zhuǎn)，從而避免了任何對(duì)于所述整個(gè)圓周環(huán)緣旋轉(zhuǎn)的需要?；蛘?，圓周環(huán)緣260沒有被成形來(lái)界定多個(gè)槽口276。請(qǐng)參照?qǐng)D22A至22C，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖22A顯示出從前方向的晶體植入物210，圖22B至22C是剖面示圖。請(qǐng)參照?qǐng)D21B和22B。在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿250，(a)杠桿250的第二縱向點(diǎn)254及第三縱向點(diǎn)256所界定的一直線300(若投射在由晶體植入物210的一徑向外周邊304界定的一平面302(造成一第一直線300'))與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于杠桿250的第三縱向點(diǎn)256的周邊304的圓周點(diǎn)308上的晶體植入物210的徑向外周邊304的一直線306兩者形成了一介于75至105度之間的角度(α)，如介于85度至95度之間，比如90度。在一些應(yīng)用上，如圖所示，晶體植入物210的徑向外周邊304是通過(guò)后晶體元件222來(lái)界定的?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿250，(a)第一直線300(若投射在一垂直于中央視軸290的一平面)與(b)直線306(若投射在垂直于中央視軸290的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(α)，如介于85度至95度之間，比如90度。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿250的每一個(gè)若被投射在由晶體植入物210的徑向外周邊304所界定的平面302上將不會(huì)被彎曲?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于多個(gè)杠桿250的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，若投射在由晶體植入物210的徑向外周邊304界定的平面302，第一縱向點(diǎn)252、第二縱向點(diǎn)254和第三縱向點(diǎn)256會(huì)沿著單一直線傾斜。

請(qǐng)參照?qǐng)D21B和22C。對(duì)于如前兩段所描述的構(gòu)造，非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿250，(a)杠桿250的第一縱向點(diǎn)252及第三縱向點(diǎn)256所界定的一直線310(若投射在由晶體植入物210的一徑向外周邊304界定的平面302(造成一直線310'))與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于杠桿250的第三縱向點(diǎn)256的周邊304的圓周點(diǎn)308上的晶體植入物210的徑向外周邊304的直線306兩者形成了一介于75至105度之間的角度(β)，如介于85度至95度之間，比如90度?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿250，(a)直線310(若投射在一垂直于中央視軸290的一平面)與(b)直線306(若投射在垂直于中央視軸290的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(β)，如介于85度至95度之間，比如90度。

請(qǐng)參照?qǐng)D21C。在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿250的第二縱向點(diǎn)254與沿著杠桿250的第三縱向點(diǎn)256(其作為支點(diǎn)264)之間的一第一直線300在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第一直線300是平行于一垂直于中央視軸290的平面?；蛘撸谵D(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第一直線300在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸290的所述平面)。在一些應(yīng)用上，第一直線300旋轉(zhuǎn)至少10度、不超過(guò)35度和/或介于10至35度之間，如至少18度、不超過(guò)28度和/或介于18至28度之間(當(dāng)晶體植入物210在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換)，例如24度(亦即，在所述杠桿的全行程期間)。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第一直線300的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物210在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第一直線300界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸290的所述平面，例如是平行于所述平面。

可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿250的第二縱向點(diǎn)254與沿著杠桿250的第一縱向點(diǎn)252之間的一第二直線線段301在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第二線段301是平行于一垂直于中央視軸290的平面?；蛘?，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第二線段301在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸290的所述平面)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第二線段301的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物210在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第二線段301界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸290的所述平面，例如是平行于所述平面。典型地，第一線段300和第二線段301之間的一角度是大于120度，如大于150度，比如是180度(亦即，所述線段是彼此共線)。換句話說(shuō)，杠桿250的功能部份通常是筆直的。

典型地，第二縱向點(diǎn)254相對(duì)于第一縱向點(diǎn)252來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)256。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)254與第三縱向點(diǎn)256之間的第一距離D1是少于第一縱向點(diǎn)252與第二縱向點(diǎn)254之間的第二距離D2的70％，如此沿著杠桿250的前環(huán)連桿230的一位置通常提供了至少1.4倍的增益。在一些應(yīng)用上，第一距離D1較第二距離D2少30％，其通常提供了至少3.3倍的增益。在一些應(yīng)用上，第一距離D1為至少500微米。典型地，第一距離D1是第二距離D2的至少10％，通常是至少33％。典型地，第一縱向點(diǎn)252是接近于杠桿250的一第一端，如在杠桿250的總長(zhǎng)度(沿著所述杠桿的中央縱向軸來(lái)測(cè)量的)的10％內(nèi)(從所述第一端)。典型地，第三縱向點(diǎn)256是在杠桿250的第二端(第二距離D2是第二直線線段301的長(zhǎng)度)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，第一直線300和第二直線線段301不是晶體植入物210的物理組件，而是使用于描述所述植入物的某些性質(zhì)的幾何構(gòu)造。

請(qǐng)參照?qǐng)D23A至23B，其提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物210的前組件217分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的附加的視圖。

根據(jù)本發(fā)明的一應(yīng)用，后晶體元件222和前組件217被預(yù)裝載于一單一導(dǎo)引管中，且從所述單一導(dǎo)引管被分別地引入到所述囊袋中。后晶體元件222和前組件217被可拆卸地設(shè)置于所述導(dǎo)引管中，且前組件217的一最末端部分是鄰近于后晶體元件222的一最近端部分。

根據(jù)本發(fā)明的一應(yīng)用，一雙導(dǎo)引管輸送系統(tǒng)被提供，所述雙導(dǎo)引管輸送系統(tǒng)包含：

一第一導(dǎo)引管，在其中后晶體元件222被可拆卸地設(shè)置；以及

一第二導(dǎo)引管，在其中前組件217被可拆卸地設(shè)置。

所述第一導(dǎo)引管與所述第二導(dǎo)引管并不相同且彼此分離。

請(qǐng)參照?qǐng)D24，其是本發(fā)明一應(yīng)用中一用于將晶體植入物210的前組件217可移除地設(shè)置于一導(dǎo)引管中的技術(shù)的示意圖。所述導(dǎo)引管能夠包含如上所述的導(dǎo)引管的其中之一。前浮式晶體元件218具有前晶體220的中央視軸290，所述中央視軸290相交于前晶體220的徑向中心448，且所述中央視軸290是垂直于由圓周環(huán)緣260所界定的一平面(通常還由前晶體220來(lái)界定)。杠桿250被固定在圓周環(huán)緣260的各自的圓周點(diǎn)450上，且(b)與前浮式晶體元件218連結(jié)。

當(dāng)前組件217折迭或卷起一直線452時(shí)，晶體植入物210的前組件217被可拆卸地設(shè)置于所述導(dǎo)引管中，其中所述直線452：

相交于(i)中央縱向軸290和圓周環(huán)緣260上的一點(diǎn)454，所述點(diǎn)454是周向地位于圓周點(diǎn)450的兩個(gè)周向相鄰的圓周點(diǎn)450A、450B之間，以及

平行于由圓周環(huán)緣260所界定的所述平面(直線452還相交于一所述環(huán)的相對(duì)側(cè)上的圓周環(huán)緣260上的第二點(diǎn))。

典型地，點(diǎn)454從所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)450A、450B的每一個(gè)周向地偏移至少18度(所述周向偏移被標(biāo)記于圖24中)。典型地，點(diǎn)454從所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)450A、450B的每一個(gè)周向地偏移所述兩個(gè)周向鄰近圓周點(diǎn)450A、450B之間的一周向偏移的40％至60％(亦即，等于0T的40％至60％之間，以及0B等于0T的40％至60％之間)。

請(qǐng)參照?qǐng)D16A至24。在一些應(yīng)用上，如圖所示，晶體植入物210不包含任何觸動(dòng)部。

請(qǐng)參照?qǐng)D25，其是本發(fā)明一應(yīng)用中晶體植入物210的另一構(gòu)造的示意圖。在這個(gè)構(gòu)造中，晶體植入物210(例如，后晶體元件222)包含觸動(dòng)部320，其不被配置來(lái)傳遞動(dòng)作給多個(gè)杠桿250。對(duì)于這些后者應(yīng)用的一些，多個(gè)杠桿250通過(guò)一或多個(gè)晶體植入物210的其他元件被間接地連接至所述觸動(dòng)部。

盡管晶體植入物210的兩部分設(shè)計(jì)已被描述為用于一調(diào)節(jié)式人工晶體，但所述兩部分設(shè)計(jì)還能夠被使用在非調(diào)節(jié)及單一晶體中。請(qǐng)參照?qǐng)D26A-B和27A-B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中調(diào)節(jié)式人工晶體植入物510的示意圖。圖26A-B是所述晶體植入物的等距示圖。圖27A-B為所述晶體植入物被植入于眼睛的天然囊袋12中的剖面示意圖。圖26A和27A顯示處于一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下的晶體植入物510，圖26B和27B則顯示處于一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下的所述晶體植入物。盡管只有這兩個(gè)狀態(tài)被顯示于這些中或是被顯示于其他圖中，晶體植入物510被配置來(lái)假設(shè)一所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的調(diào)節(jié)的連續(xù)范圍。所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)提供近視力，所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)提供遠(yuǎn)視力，在其之間的部分調(diào)節(jié)狀態(tài)提供中間視力。所述晶體植入物對(duì)應(yīng)于眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而被配置來(lái)達(dá)到所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)(無(wú)需外部電源)。

晶體植入物510包含(a)一前浮式晶體元件518，所述前浮式晶體元件518包含一前晶體520，以及(b)一后晶體元件522，所述后晶體元件522包含一后晶體524。在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)期間，相對(duì)于眼睛的天然囊袋12的后面部分，后晶體元件522通常保持不動(dòng)。所述晶體植入物被配置成前浮式晶體元件518對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而相對(duì)于后晶體元件522移動(dòng)，所述眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制改變了天然囊袋12的形狀，如圖27A至27B所示。在顯示于圖27A的所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌被放松，因此使得懸韌帶被拉緊，導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)窄的寬度(在一前-后方向上)及相對(duì)大的直徑。如此被成形，所述囊袋在前-后方向上擠壓了所述晶體植入物。相反的，在顯示于圖27B的所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌收縮，從而釋放了所述囊袋上的懸韌帶的張力，故導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)大的寬度及相對(duì)小的直徑。所述囊袋的這種形狀允許了所述晶體植入物在所述前-后方向中的展開(如本文中所使用的，當(dāng)從它的后部來(lái)觀察時(shí)，所述囊袋的直徑意味著所述囊袋的最大直徑)。

晶體植入物510還包含一前環(huán)復(fù)合體525，所述前環(huán)復(fù)合體525被設(shè)置以致前浮式晶體元件518以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體525移動(dòng)或遠(yuǎn)離。前環(huán)復(fù)合體525包含一前環(huán)527(可選擇地，只有前環(huán)527)。隨著所述囊袋的寬度(在前-后方向上)變化，前環(huán)復(fù)合體525相對(duì)于后晶體元件522移動(dòng)，從而改變了前環(huán)復(fù)合體525與后晶體元件522之間的距離。

如下面參照?qǐng)D29A-B所詳細(xì)描述的，晶體植入物510還包含多個(gè)杠桿550，其被連接至后晶體元件522和前環(huán)復(fù)合體525(例如，杠桿550能夠通過(guò)各自的前環(huán)連桿530被連接至前環(huán)復(fù)合體525，圖29A至29B中更清楚地示出)。杠桿550還與前浮式晶體元件518連結(jié)(圖29A至29B中更清楚地示出)。典型地，晶體植入物510包含至少六個(gè)杠桿(例如，恰好六個(gè)杠桿)，如超過(guò)六個(gè)杠桿，例如至少八個(gè)杠桿(例如，恰好八個(gè)杠桿(如圖所示)、恰好十個(gè)杠桿或恰好十二個(gè)杠桿)，且通常為多個(gè)連桿530的每一個(gè)的相應(yīng)數(shù)量，如下面參照?qǐng)D29A-B所描述的。在一些應(yīng)用上，如圖所示，多個(gè)杠桿550被均勻周向地分布在晶體植入物510的周圍。

多個(gè)杠桿550被配置來(lái)放大前環(huán)復(fù)合體525與后晶體元件522之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使前浮式晶體元件518移動(dòng)離后晶體元件522時(shí)更遠(yuǎn)。換句話說(shuō)，晶體植入物510被配置成當(dāng)前環(huán)復(fù)合體525相對(duì)后晶體元件522移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，杠桿550相對(duì)于后晶體元件522以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)前浮式晶體元件518，其中第一距離是大于所述第二距離。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。典型地，所述第一距離至少為所述第二距離的1.4倍，亦即，杠桿550提供至少1.4倍的增益。例如，所述第一距離能夠至少為所述第二距離的1.5倍(例如，至少為1.8倍，如介于1.8至4倍之間，如3倍)。

前浮式晶體元件518的前與后的移動(dòng)改變了所述前晶體元件和后晶體元件之間的距離，從而調(diào)整所述晶體植入物的焦距。在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了近視力，晶體植入物510是相對(duì)寬的(在所述前-后方向中)，具有一所述前晶體元件和后晶體元件之間的大間隔，在所述復(fù)合體之間創(chuàng)造了大的自由空間。在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了遠(yuǎn)視力，所述植入物是相對(duì)狹窄的，具有于前復(fù)合體和后復(fù)合體之間一小間隔。前浮式晶體元件518通常會(huì)在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間移動(dòng)至少1毫米。相對(duì)于所述后晶體的所述前晶體的典型運(yùn)動(dòng)是介于0.5至2.0毫米之間，如介于1至1.5毫米之間(當(dāng)所述晶體植入物在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí))。如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換應(yīng)理解為意味著進(jìn)行一從完全調(diào)節(jié)狀態(tài)開始并且一直延續(xù)到完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)(反之亦然)的轉(zhuǎn)換。

前浮式晶體元件518在晶體植入物510的內(nèi)部空間中移動(dòng)，所述晶體植入物10通常是對(duì)眼睛內(nèi)的天然流體開放。在移動(dòng)期間，所述浮動(dòng)晶體元件被配置來(lái)創(chuàng)造最小阻力，同時(shí)保持組合的晶體結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。例如，所述浮動(dòng)晶體元件能夠具有一平滑的形狀，和/或能夠涂覆有一疏水性涂層(如硅樹脂)。典型地，所述前晶體元件和后晶體元件被配置來(lái)一起創(chuàng)造一具有總倍率的光學(xué)結(jié)構(gòu)，所述總倍率在+15D與+25D之間變化，如通過(guò)醫(yī)師植入所述晶體植入物來(lái)選擇。

如上所述，前浮式晶體元件518包含前晶體520，且后晶體元件522包含后晶體524。晶體元件518、522的每一個(gè)能夠包含一或多個(gè)附加的光學(xué)元件，如附加的晶體(例如，凸晶體、凹晶體、雙凸晶體、雙凹晶體、球面晶體、非球面晶體和/或散光晶體)、固定倍率光學(xué)器件、可變形光學(xué)器件、無(wú)象差光學(xué)器件、雙合透鏡、三合透鏡、過(guò)濾的光學(xué)器件或這些晶體的組合，如在光學(xué)領(lǐng)域中已知的。在一些應(yīng)用上，前晶體520是前浮式晶體元件518的唯一的光學(xué)元件，和/或后晶體524是后晶體元件522的唯一的光學(xué)元件。在一些應(yīng)用上，在制造期間，一或多個(gè)的晶體元件518、522被附設(shè)到所述植入物?？蛇x地或另外地，在植入工序之前或在植入工序期間，一或多個(gè)的所述晶體元件能夠通過(guò)醫(yī)護(hù)人員來(lái)被附加，以便提供最合適的晶體元件給特定的患者。請(qǐng)參照?qǐng)D28A至28D，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物510的兩部份組合構(gòu)造的剖面示意圖。圖28A和28D分別地顯示晶體植入物510在分離狀態(tài)與組裝后的狀態(tài)，且圖28B和28C顯示晶體植入物510正在原位被組裝。在此構(gòu)造中，晶體植入物510包含了兩個(gè)組件，其彼此間原先是分離的狀態(tài)，在所述晶體植入物植入過(guò)程中被原地組裝在一起：(1)前浮式晶體元件518及(2)一后組件521。在圖28A-D中，兩個(gè)組件皆顯示處于所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下。在此構(gòu)造中，前浮式晶體元件518與所述后組件521彼此是不相同的且并非永久固定在一起，以人眼來(lái)看，前浮式晶體元件518與后組件521被成形而于原位組裝在一起(例如卡扣在一起)。

后組件521包含前環(huán)復(fù)合體525(其包含前環(huán)527，如上所述)，以及杠桿550。前浮式晶體元件518通常被成形來(lái)界定一前環(huán)523，所述前環(huán)523界定一界面區(qū)域572，如以下參照?qǐng)D29A所描述的。當(dāng)前浮式晶體元件518與后組件521被組裝在一起時(shí)，如圖28D所示，前浮式晶體元件518與后組件521在一或多個(gè)界面上相互接觸，通常在前環(huán)523的界面區(qū)域572上。典型地，當(dāng)前浮式晶體元件518與后組件521被組裝在一起時(shí)，多個(gè)杠桿550，在其各自的第一縱向點(diǎn)552上，被耦合到前浮式晶體元件518的前環(huán)523的界面區(qū)域572。典型地，多個(gè)杠桿550能夠繞所述多個(gè)杠桿550的各自的第三縱向點(diǎn)556上的接點(diǎn)557樞轉(zhuǎn)，所述多個(gè)杠桿550被固定在后晶體元件522，例如以下參照?qǐng)D29A至29B所描述的。

如上所述，在兩階段插入工序中，前浮式晶體元件518和后組件521通常被分別地插入至天然囊袋12中，且于原位被一起組裝于所述囊袋中。首先插入后組件521，之后插入前浮式晶體元件518。此兩階段插入工序相較于單件植入物的一階段插入工序通常允許一較小切口的使用。典型地，在組裝時(shí)，晶體植入物510的所有的環(huán)緣、環(huán)和晶體是同心的。在所述植入工序期間，首先將后組件521插入至天然囊袋12中。隨后，前浮式晶體元件518被插入至所述囊袋中。后組件521被配置來(lái)接收前浮式晶體元件518且徑向地居中在前浮式晶體元件518上。圖28A和28B中可以看出，后組件521的幾何結(jié)構(gòu)和囊袋12引導(dǎo)浮式晶體元件518到后組件521的徑向中心。特別地，后組件521的前環(huán)527引導(dǎo)前浮式晶體元件518的所述相對(duì)寬的前環(huán)緣523。典型地，隨著杠桿550靠在后組件521的內(nèi)表面570上，且受后組件521的內(nèi)表面570約束，后組件521處于所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)(即使天然囊袋112在工序中被調(diào)節(jié)，當(dāng)所述前浮式晶體元件接觸所述多個(gè)杠桿時(shí)，前浮式晶體元件518可將所述多個(gè)杠桿向后推壓于后組件521的內(nèi)表面570)。因此，所述多個(gè)杠桿提供一傾斜，所述傾斜引導(dǎo)前浮式晶體元件518到后組件521的徑向中心。

如圖28C所示，前浮式晶體元件518被向后推動(dòng)，直到前浮式晶體元件518的前環(huán)緣523的界面區(qū)域572前進(jìn)經(jīng)過(guò)(向后)杠桿550(其被設(shè)置在所述多個(gè)杠桿的徑向內(nèi)側(cè)端上，如下面參照?qǐng)D29A-B所描述的)的第一縱向點(diǎn)552，前晶體520相對(duì)于當(dāng)晶體植入物510處于所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)是更向后推進(jìn)的。杠桿550的徑向內(nèi)部，其包含第一縱向點(diǎn)552，且其相對(duì)薄的，容易以一小半徑向后彎曲，允許了界面區(qū)域572向后通過(guò)界面區(qū)域572的后突出物。當(dāng)后面的力量從前浮式晶體元件518被移除且所述前浮式晶體元件略向前返回時(shí)，如圖28D所示，第一縱向點(diǎn)552變成耦合至，如通過(guò)捕捉在界面區(qū)域572中。因?yàn)榫w植入物510的組件的靈活性，所以這個(gè)捕捉是可能的，如下所述。因?yàn)楹缶w元件522的內(nèi)表面570阻擋了所述前浮式晶體元件的進(jìn)一步的向后推進(jìn)，所以醫(yī)護(hù)人員只需要推動(dòng)前浮式晶體元件518，直到其到達(dá)由后晶體元件522的內(nèi)表面570所設(shè)置的后界線。在所述前浮式晶體元件的插入期間和在所述前浮式晶體元件向后推進(jìn)至卡扣位置內(nèi)的期間，前環(huán)緣523(前浮式晶體元件518的前環(huán)緣523)的部分(其是在界面區(qū)域572之前)防止了所述前浮式晶體元件向后通過(guò)所述多個(gè)杠桿。

在插入之后，前環(huán)復(fù)合體525的前環(huán)527響應(yīng)于天然囊袋12前部的自然運(yùn)動(dòng)而移動(dòng)。典型地，前環(huán)527被配置來(lái)與所述天然囊袋接觸。因?yàn)槿鐖D28C中所示的捕捉發(fā)生在前浮式晶體元件518的配置中(所述晶體植入物的未調(diào)節(jié)狀態(tài)中的它的正常位置以外)，所以在所述晶體植入物的正常操作期間，沒有力被施加于所述前浮式晶體元件(所述前浮式晶體元件可以從后組件521解除它)。此外，因?yàn)閮删w之間具有間隔，所以所述晶體在調(diào)節(jié)期間不會(huì)黏到另一個(gè)。在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件518和后組件521被預(yù)裝載于一單一導(dǎo)引器中，且從所述單一導(dǎo)引器被分別地引入到所述囊袋中，例如使用下文所描述的技術(shù)。在其他應(yīng)用上，前浮式晶體元件518和后組件521被預(yù)裝載于分離的第一和第二導(dǎo)引管中，所述第一導(dǎo)引管與第二導(dǎo)引管并不相同且彼此分離，如下文所述。在任何一種情況下，前組件能夠使用如下面參照?qǐng)D24所描述的技術(shù)來(lái)可選地預(yù)裝載于一導(dǎo)引管中。在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一個(gè)別的患者，醫(yī)護(hù)人員選擇了多個(gè)具有不同相應(yīng)的光學(xué)性質(zhì)的可用的前浮式晶體元件518的其中之一，和/或選擇了多個(gè)具有不同的各自的后晶體元件522的可用的后組件521的其中之一，所述不同的各自的后晶體元件522具有不同相應(yīng)的光學(xué)性質(zhì)。

在一些應(yīng)用上，后組件521被插入且重塑天然囊袋12。然后測(cè)量患者的視力。響應(yīng)于所述測(cè)量的視力，醫(yī)護(hù)人員選擇具有對(duì)患者最適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能的多個(gè)可用的前浮式晶體元件518的其中之一。所述選擇的前浮式晶體元件518被插入至后組件521中。這個(gè)選擇過(guò)程能夠?yàn)榛颊咛峁└玫囊暳Α?/p>

在一些應(yīng)用上，對(duì)于治療散光，前浮式晶體元件518和后晶體元件522具有一些用于治療散光的柱體。在兩階段植入工序期間，醫(yī)護(hù)人員調(diào)整兩晶體元件的相對(duì)角定向，以便治療患者的散光。所述兩晶體元件之間的柱體的這種結(jié)合允許了以更少不同的晶體植入物來(lái)治療各種散光(相較于如果單獨(dú)的晶體植入物被提供給每一柱體倍率是必要的)。更普遍地，在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件518和/或后晶體元件522不是旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的。在一些應(yīng)用上，醫(yī)護(hù)人員是通過(guò)使所述晶體元件相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)整晶體植入物510的有效屈光度。

請(qǐng)參照?qǐng)D29A至29B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物510分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。在一些應(yīng)用上，后組件521包含以下組件，它的每一個(gè)被詳細(xì)描述在下文(大概能夠在圖29A中更清楚地看到)：

后晶體元件522，其包含后晶體524；

前環(huán)復(fù)合體525，其包含前環(huán)527；以及

杠桿550。

在一些應(yīng)用上，后組件521被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在一些應(yīng)用上，后晶體524和后組件521的其他組件包含相同的材料(后晶體524因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)。或者，在制造期間，后組件521的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。同樣地，在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件518被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?；蛘?，在制造期間，前浮式晶體元件518的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，前晶體520和前浮式晶體元件518的其他組件包含相同的材料(前晶體520因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)。

在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件518的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度，后組件521的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度。因此，晶體植入物510的所有組件通常是柔性的。

多個(gè)杠桿550：

在沿著多個(gè)杠桿550的各自的第一縱向點(diǎn)552上與前浮式晶體元件518連結(jié)；在沿著多個(gè)杠桿550的各自的第二縱向點(diǎn)554上與前環(huán)復(fù)合體525(通常與前環(huán)復(fù)合體525的前環(huán)527)連結(jié)；以及

在沿著多個(gè)杠桿550的各自的第三縱向點(diǎn)556上與后晶體元件522連結(jié)。

短語(yǔ)“沿著”杠桿550應(yīng)理解為包括所述杠桿的末端；例如，如圖所示，第一縱向點(diǎn)552能夠在所述杠桿的一端(如徑向內(nèi)側(cè)端)，第三縱向點(diǎn)556能夠在所述杠桿的另一端(如徑向外側(cè)端)。

典型地，多個(gè)杠桿550，在其各自的第三縱向點(diǎn)556上，被固定在后晶體元件522的相應(yīng)接點(diǎn)557上，所述相應(yīng)接點(diǎn)557通常是被設(shè)置在所述后晶體元件的一徑向外周邊上，如圖所示。多個(gè)杠桿550能夠繞接點(diǎn)557樞轉(zhuǎn)。多個(gè)杠桿550被安排來(lái)使前浮式晶體元件518以一前-后的方向朝前環(huán)復(fù)合體525移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

在一些應(yīng)用上，晶體植入物510包含多個(gè)前環(huán)連桿530，其通常包含各自的前環(huán)連接元件544。在一些應(yīng)用上，多個(gè)前環(huán)連桿530的每一個(gè)確切地包含了一前環(huán)連接元件544。前環(huán)連桿530在前環(huán)復(fù)合體525的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)582上被連接到前環(huán)復(fù)合體525。在一些應(yīng)用上，杠桿550在沿著多個(gè)杠桿550的各自的第二縱向點(diǎn)554上通過(guò)相應(yīng)的前環(huán)連桿530而與前環(huán)復(fù)合體525(通常與前環(huán)復(fù)合體525的前環(huán)527)連結(jié)。典型地，前浮式晶體元件518并非自體連接。

連接元件544連結(jié)晶體植入物510的各對(duì)的元件，以允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。典型地，多個(gè)前環(huán)連接元件544被配置來(lái)縮小對(duì)于其他設(shè)計(jì)限制所可能給出的程度的多個(gè)杠桿550的多個(gè)第二縱向點(diǎn)554與它們的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)582之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))。同樣地，界面區(qū)域572被配置來(lái)縮小多個(gè)杠桿550的多個(gè)第一縱向點(diǎn)552與前浮式晶體元件518之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))。在一些應(yīng)用上，每一第一縱向點(diǎn)552是位于所述各自的杠桿550的最末端，如一徑向最內(nèi)側(cè)端。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿550的每一個(gè)在所述杠桿550的最末端上與前浮式晶體元件518連結(jié)。在一些應(yīng)用上，每一第三縱向點(diǎn)556是位于所述各自的杠桿550的最末端，如一徑向最外側(cè)端。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿550的每一個(gè)在所述杠桿550的最末端上與后晶體元件522連結(jié)，如一徑向最外側(cè)端。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，一"杠桿"是一橫梁，其是被使用于通過(guò)第二點(diǎn)上所施加的力來(lái)移動(dòng)第一點(diǎn)上的一對(duì)象，且其繞著第三點(diǎn)上的一支點(diǎn)樞轉(zhuǎn)。對(duì)于多個(gè)杠桿550的每一個(gè)而言，第二縱向點(diǎn)554是沿著杠桿550縱向地位于第一縱向點(diǎn)552與第三縱向點(diǎn)556之間，使得第三縱向點(diǎn)556作為杠桿550的一支點(diǎn)564。因此，在上面的定義中，第一縱向點(diǎn)552、第二縱向點(diǎn)554和第三縱向點(diǎn)556分別地對(duì)應(yīng)于所述第一點(diǎn)、第二點(diǎn)和第三點(diǎn)。

力是通過(guò)前環(huán)復(fù)合體525被施加到第二縱向點(diǎn)554，且，結(jié)果是，第一縱向點(diǎn)552(以及前浮式晶體元件518)相較于第二縱向點(diǎn)554(以及前環(huán)復(fù)合體525)移動(dòng)的一前-后距離來(lái)說(shuō)移動(dòng)得更多，通常是第二縱向點(diǎn)554(以及前環(huán)復(fù)合體525)移動(dòng)的前-后距離的1.5至4倍之間。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)554、556之間的距離為0.6毫米，第一縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)552、556之間的距離為1.8毫米，提供了3倍的增益。典型地，第二縱向點(diǎn)554被各自地設(shè)置在第三縱向點(diǎn)556的徑向向內(nèi)的位置。典型地，第一縱向點(diǎn)552被各自地設(shè)置在第二縱向點(diǎn)554及第三縱向點(diǎn)556的徑向向內(nèi)的位置。所述多個(gè)杠桿(包含所述支點(diǎn)的位置)通常地被配置來(lái)提供至少1.4倍的增益，如上文參照?qǐng)D26A-B和27A-B所描述的。

在一些應(yīng)用上，晶體植入物510的組裝的靜止?fàn)顟B(tài)(亦即，在植入至一眼睛之前(除了組裝之后以外)，沒有約束的制造狀態(tài))是晶體植入物510的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)。

或者，在一些應(yīng)用上，晶體植入物510的組裝的靜止?fàn)顟B(tài)超出了晶體植入物510的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)，亦即，是一過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)。換句話說(shuō)，當(dāng)處于所述組裝的靜止?fàn)顟B(tài)下，相較于天然囊袋12的最大前-后寬度(當(dāng)眼睛是完全地被調(diào)節(jié)時(shí))，晶體植入物510在所述前-后方向上更寬(例如，至少25％，如至少50％更寬)。結(jié)果是，即使當(dāng)所述晶體植入物被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，所述晶體植入物抵壓著所述晶體囊開口，從而當(dāng)眼睛被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，保持小帶的張力以及預(yù)拉緊所述小帶。這種預(yù)拉緊通常會(huì)導(dǎo)致晶體植入物510保持在徑向中心位置中，即使沒有觸動(dòng)部。

在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的(包括通過(guò)所述天然囊袋所沒受約束的)過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體525的一最大可能前-后行程距離是大于(例如，大于至少25％，如大于至少50％)所述天然囊袋的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的一前-后寬度的最大變化。例如，在典型的成年人眼中，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的前-后寬度的最大變化通常約為0.7毫米。因此，在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體525的最大前-后行程距離是大于0.7毫米，例如，至少0.875毫米，如至少1.05毫米。

隨著所述天然囊袋的前-后寬度變化，前環(huán)復(fù)合體525相對(duì)于后晶體元件522移動(dòng)，從而改變了前環(huán)復(fù)合體525與后晶體元件522之間的距離。

相較于前環(huán)連接元件544，杠桿550更為剛性(即使杠桿550和前環(huán)連接元件544的全部包含了相同的材料，如上所述)。如本申請(qǐng)中所使用的，包含權(quán)利要求，“徑向”意味著一朝向或遠(yuǎn)離前晶體520的中央視軸590的方向。

典型地，當(dāng)晶體植入物510在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，當(dāng)所述晶體植入物處于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第二縱向點(diǎn)554的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體525的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第二縱向點(diǎn)554和其相應(yīng)的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)582之間的距離的50％。

非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，在晶體植入物510的調(diào)節(jié)中的后晶體元件522與前環(huán)527之間的距離變化期間，多個(gè)第二縱向點(diǎn)554的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體525的改變是少于后晶體元件522與前環(huán)527之間的距離變化的50％。

晶體植入物510一般地被配置成當(dāng)晶體植入物510在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)及完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，杠桿550徑向地朝前晶體520的中央視軸590不移動(dòng)(或僅輕微移動(dòng))或者遠(yuǎn)離。例如，晶體植入物510能夠被配置成當(dāng)晶體植入物510在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

多個(gè)杠桿550的每一個(gè)的任一部位與中央視軸590之間的最大距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體520的直徑的10％，比如小于5％；

多個(gè)第二縱向點(diǎn)554的每一個(gè)與中央視軸590之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體520的直徑的10％，比如小于5％；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)556的每一個(gè)與中央視軸590之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體520的直徑的10％，比如小于5％。

晶體植入物510的設(shè)計(jì)可提供所述前組件與后組件的橫截面之間更平均的分配，在插入期間使角膜只需使用更小的切口。此設(shè)計(jì)同時(shí)幫助所述前晶體更容易地更換，因所述前晶體并不與天然囊袋接觸也不會(huì)形成任何纖維狀的連接。此外，此設(shè)計(jì)提供了一種所述前組件與后組件之間更簡(jiǎn)易執(zhí)行捕捉，因使所述捕捉在更小的半徑中被執(zhí)行(相較于以上所述的構(gòu)造中)。因所述半徑與撕囊(capsulorhexis)大約相同故此半徑很重要，所以當(dāng)有需要的時(shí)候所述捕捉是可見的且能夠被容易地操縱和/或被校正。此外，所述捕捉的過(guò)程并不需要任何精密的操作。

請(qǐng)參照?qǐng)D30A至30B，其提供了本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物510的后組件521在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)且未組合時(shí)的幾個(gè)示意圖。典型地，后組件521為凹面(例如，碗狀)且具有一內(nèi)表面570。在一些應(yīng)用上，晶體植入物510被成形使內(nèi)表面570限制前浮式晶體元件518的往后運(yùn)動(dòng)。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿550和后晶體元件522的內(nèi)表面570被成形使內(nèi)表面570通過(guò)內(nèi)表面570接觸多個(gè)杠桿550來(lái)限制前浮式晶體元件518的往后運(yùn)動(dòng)，如圖29A所示?？蛇x擇地，后組件521被成形來(lái)界定多個(gè)開口571，可能為制造工序的結(jié)果?？蛇x擇地，在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)的一些水平上，所述多個(gè)杠桿能夠部分地通過(guò)所述開口。

請(qǐng)參照?qǐng)D31A至31B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物510的前浮式晶體元件518在一未組合狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖31A是一等距示意圖，圖31B是一側(cè)視圖，圖31C是一剖面?zhèn)纫晥D。

請(qǐng)參照?qǐng)D32A至32B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物510在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖32A是一等距視圖，通常從前方向，圖32B顯示了從前方向的晶體植入物510。請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D21B和22B，其顯示晶體植入物210，如上文參照?qǐng)D16A-25所描述的。關(guān)于晶體植入物510，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿550，(a)杠桿550的第二縱向點(diǎn)554及第三縱向點(diǎn)556所界定的一第一直線(相似于第一直線300)(若投射在由晶體植入物510的徑向外周邊504界定的一平面(相似于平面302)(造成一第一直線，相似于第一直線300'))與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于杠桿550的第三縱向點(diǎn)556的周邊504的圓周點(diǎn)(相似于圓周點(diǎn)308)上的晶體植入物510的徑向外周邊504的一直線(相似于直線306)兩者形成了一介于75至105度之間的角度(相似于角度(α))，如介于85度至95度之間，比如90度。在一些應(yīng)用上，如圖所示，晶體植入物510的徑向外周邊504是通過(guò)后晶體元件522來(lái)界定的。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿550，(a)所述第一直線(若投射在一垂直于中央視軸590的一平面)與(b)切向至徑向外周邊504的直線(若投射在垂直于中央視軸590的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(α)，如介于85度至95度之間，比如90度。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿550的每一個(gè)若被投射在由晶體植入物510的徑向外周邊504所界定的所述平面上將不會(huì)被彎曲。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于多個(gè)杠桿550的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，若投射在由晶體植入物510的徑向外周邊504界定的所述平面，第一縱向點(diǎn)552、第二縱向點(diǎn)554和第三縱向點(diǎn)556會(huì)沿著單一直線傾斜。

請(qǐng)參照?qǐng)D21B和22C，其顯示晶體植入物210，如上文參照?qǐng)D16A-25所描述的。關(guān)于晶體植入物510，對(duì)于如前兩段所描述的構(gòu)造，非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿550，(a)杠桿550的第一縱向點(diǎn)552及第三縱向點(diǎn)556所界定的一直線(相似于直線310)(若投射在由晶體植入物510的徑向外周邊504界定的平面(造成一直線，相似于直線310'))與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于杠桿550的第三縱向點(diǎn)556的周邊504的圓周點(diǎn)(相似于圓周點(diǎn)308)上的晶體植入物510的徑向外周邊504的直線(相似于直線306)兩者形成了一介于75至105度之間的角度(相似于角度(β))，如介于85度至95度之間，比如90度。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿550，(a)杠桿550的第一縱向點(diǎn)552及第三縱向點(diǎn)556所界定的直線(相似于直線310)(若投射在一垂直于中央視軸590的一平面)與(b)切向至徑向外周邊504的直線(相似于直線306)(若投射在垂直于中央視軸590的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(β)，如介于85度至95度之間，比如90度。

請(qǐng)參照?qǐng)D21C，其顯示晶體植入物210，如上文參照?qǐng)D16A-25所描述的。關(guān)于晶體植入物510，在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿550的第二縱向點(diǎn)554與沿著杠桿550的第三縱向點(diǎn)556(其作為支點(diǎn)564)之間的所述第一直線(相似于第一直線300)在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，所述第一直線(相似于第一直線300)是平行于一垂直于中央視軸590的平面?；蛘?，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，所述第一直線(相似于第一直線300)在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸590的所述平面)。在一些應(yīng)用上，所述第一直線(相似于第一直線300)旋轉(zhuǎn)至少10度、不超過(guò)35度和/或介于10至35度之間，如至少18度、不超過(guò)28度和/或介于18至28度之間(當(dāng)晶體植入物510在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換)，例如24度(亦即，在所述杠桿的全行程期間)。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第一直線(相似于第一直線300)的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物510在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，所述第一直線(相似于第一直線300)界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸590的所述平面，例如是平行于所述平面。

可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿550的第二縱向點(diǎn)554與沿著杠桿550的第一縱向點(diǎn)552之間的一第二直線線段(相似于第二直線線段301)在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第二線段(相似于第二線段301)是平行于一垂直于中央視軸590的平面?；蛘?，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，所述第二線段(相似于第二線段301)在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸590的所述平面)。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，在所述第二線段(相似于第二線段301)的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物510在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，所述第二線段(相似于第二線段301)界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸590的所述平面，例如是平行于所述平面。

典型地，第一線段(相似于第一線段300)和第二線段(相似于第二線段301)之間的一角度是大于120度，如大于150度，比如是180度(亦即，所述線段是彼此共線)。換句話說(shuō)，杠桿550的功能部份通常是筆直的。

典型地，第二縱向點(diǎn)554相對(duì)于第一縱向點(diǎn)552來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)556。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)554與第三縱向點(diǎn)556之間的第一距離是少于第一縱向點(diǎn)552與第二縱向點(diǎn)554之間的第二距離的70％，如此沿著杠桿550的前環(huán)連桿530的一位置通常提供了至少1.4倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離較所述第二距離少30％，其通常提供了至少3.3倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離為至少500微米。典型地，所述第一距離是所述第二距離的至少10％，通常是至少33％。典型地，第一縱向點(diǎn)552是接近于杠桿550的一第一端，如在杠桿550的總長(zhǎng)度(沿著所述杠桿的中央縱向軸來(lái)測(cè)量的)的10％內(nèi)(從所述第一端)。典型地，第三縱向點(diǎn)556是在杠桿550的第二端(所述第一和第二距離分別是如上所述的第一直線線段和第二直線線段的長(zhǎng)度)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，所述第一直線線段和第二直線線段不是晶體植入物510的物理組件，而是使用于描述所述植入物的某些性質(zhì)的幾何構(gòu)造。

根據(jù)本發(fā)明的一應(yīng)用，前浮式晶體元件518和后組件521被預(yù)裝載于一單一導(dǎo)引管中，且從所述單一導(dǎo)引管被分別地引入到所述囊袋中。前浮式晶體元件518和后組件521被可拆卸地設(shè)置于所述導(dǎo)引管中，且前浮式晶體元件518的一最末端部分是鄰近于后組件521的一最近端部分。

根據(jù)本發(fā)明的一應(yīng)用，一雙導(dǎo)引管輸送系統(tǒng)被提供，所述雙導(dǎo)引管輸送系統(tǒng)包含：

一第一導(dǎo)引管，在其中后組件521被可拆卸地設(shè)置；以及

一第二導(dǎo)引管，在其中前浮式晶體元件518被可拆卸地設(shè)置。

所述第一導(dǎo)引管與所述第二導(dǎo)引管并不相同且彼此分離。

根據(jù)本發(fā)明的一應(yīng)用，

如上所述的用于運(yùn)載晶體植入物210的雙導(dǎo)引管輸送系統(tǒng)被使用來(lái)運(yùn)載晶體植入物510，細(xì)節(jié)上作必要的修改。

請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D24，其顯示晶體植入物210的前組件217，如上文參照?qǐng)D16A-25所描述的。當(dāng)后組件521折迭或卷起一直線時(shí)，用于可拆卸地設(shè)置一導(dǎo)引管中的晶體植入物210的前組件217的技術(shù)(如上文參照?qǐng)D24所描述的)能夠被使用來(lái)可拆卸地設(shè)置所述導(dǎo)引管中的晶體植入物510的后組件521，細(xì)節(jié)上作必要的修改。

請(qǐng)參照?qǐng)D26A至32B。在一些應(yīng)用上，如圖所示，晶體植入物510不包含任何觸動(dòng)部。

請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D25，其顯示晶體植入物210的后晶體元件522，如上文參照?qǐng)D16A-25所描述的。在一些應(yīng)用上，晶體植入物510(例如，后組件521)包含觸動(dòng)部320，如圖25所示，其不被配置來(lái)傳遞動(dòng)作給多個(gè)杠桿550。對(duì)于這些后者應(yīng)用的一些，多個(gè)杠桿550通過(guò)一或多個(gè)晶體植入物510的其他元件被間接地連接至所述觸動(dòng)部。盡管晶體植入物510的兩部分設(shè)計(jì)已被描述為用于一調(diào)節(jié)式人工晶體，但所述兩部分設(shè)計(jì)還能夠被使用在非調(diào)節(jié)及單一晶體中。

請(qǐng)參照?qǐng)D33A-B和34A-B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中一單件調(diào)節(jié)式人工晶體植入物610的示意圖。圖33A-B是所述晶體植入物的等距視圖。圖34A-B為所述晶體植入物被植入于眼睛的天然囊袋12中的剖面?zhèn)纫晥D。圖33A和34A顯示處于一完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下的晶體植入物610，圖33B和34B則顯示處于一完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下的所述晶體植入物。盡管只有這兩個(gè)狀態(tài)被顯示于這些中或是被顯示于其他圖中，晶體植入物610被配置來(lái)假設(shè)一所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的調(diào)節(jié)的連續(xù)范圍。所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)提供近視力，所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)提供遠(yuǎn)視力，在其之間的部分調(diào)節(jié)狀態(tài)提供中間視力。所述晶體植入物對(duì)應(yīng)于眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而被配置來(lái)達(dá)到所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)(無(wú)需外部電源)。

晶體植入物610包含(a)一前浮式晶體元件618，所述前浮式晶體元件618包含一前晶體620，以及(b)一后晶體元件622，所述后晶體元件622包含一后晶體624。在所述晶體植入物的調(diào)節(jié)期間，相對(duì)于眼睛的天然囊袋12的后面部分，后晶體元件622通常保持不動(dòng)。所述晶體植入物被配置成前浮式晶體元件618對(duì)應(yīng)眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制而相對(duì)于后晶體元件622移動(dòng)，所述眼睛的自然調(diào)節(jié)機(jī)制改變了天然囊袋12的形狀，如圖34A至34B所示。在顯示于圖34A的所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌被放松，因此使得懸韌帶被拉緊，導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)窄的寬度(在一前-后方向上)及相對(duì)大的直徑。如此被成形，所述囊袋在前-后方向上擠壓了所述晶體植入物。相反的，在顯示于圖34B的所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)中，睫狀肌收縮，從而釋放了所述囊袋上的懸韌帶的張力，故導(dǎo)致所述囊袋呈現(xiàn)一相對(duì)大的寬度及相對(duì)小的直徑。所述囊袋的這種形狀允許了所述晶體植入物在所述前-后方向中的展開(如本文中所使用的，當(dāng)從它的后部來(lái)觀察時(shí)，所述囊袋的直徑意味著所述囊袋的最大直徑)。

晶體植入物610還包含一前環(huán)復(fù)合體625，所述前環(huán)復(fù)合體625被設(shè)置以致前浮式晶體元件618以所述前-后的方向朝所述前環(huán)復(fù)合體625移動(dòng)或遠(yuǎn)離。前環(huán)復(fù)合體625包含一前環(huán)627(可選擇地，只有前環(huán)627)。隨著所述囊袋的寬度(在前-后方向上)變化，前環(huán)復(fù)合體625相對(duì)于后晶體元件622移動(dòng)，從而改變了前環(huán)復(fù)合體625與后晶體元件622之間的距離。

如下面參照?qǐng)D35A-B所詳細(xì)描述的，晶體植入物610還包含多個(gè)杠桿650，其連接至后晶體元件622和前環(huán)復(fù)合體625(例如，杠桿650能夠(a)通過(guò)各自的多個(gè)前晶體連接元件632被連接至前浮式晶體元件618，及(b)通過(guò)各自的前環(huán)連接元件644被連接至前環(huán)復(fù)合體625，圖35A至35B中更清楚地示出)。杠桿650還與前浮式晶體元件618連結(jié)。典型地，晶體植入物610包含至少三個(gè)杠桿(例如，恰好三個(gè)杠桿，如圖所示)，如超過(guò)三個(gè)杠桿，例如至少四個(gè)杠桿、至少六個(gè)杠桿或至少八個(gè)杠桿(例如，恰好八個(gè)杠桿、恰好十個(gè)杠桿或恰好十二個(gè)杠桿)，且通常為前環(huán)連接元件644的每一個(gè)的相應(yīng)數(shù)量，如下面參照?qǐng)D35A-B所描述的。在一些應(yīng)用上，如圖所示，多個(gè)杠桿650被均勻周向地分布在晶體植入物610的周圍。

多個(gè)杠桿650被配置來(lái)放大前環(huán)復(fù)合體625與后晶體元件622之間的距離中的相對(duì)微小變化，以至于使前浮式晶體元件618移動(dòng)離后晶體元件622時(shí)更遠(yuǎn)。換句話說(shuō)，晶體植入物610被配置成當(dāng)前環(huán)復(fù)合體625相對(duì)后晶體元件622移動(dòng)一第二前-后距離時(shí)，杠桿650相對(duì)于后晶體元件622以一第一前-后距離來(lái)移動(dòng)前浮式晶體元件618，其中第一距離是大于所述第二距離。因?yàn)榇司嚯x的放大，所以所述晶體植入物提供了仿照自然眼球的高度調(diào)節(jié)性。典型地，所述第一距離至少為所述第二距離的1.4倍，亦即，杠桿650提供至少1.4倍的增益。例如，所述第一距離能夠至少為所述第二距離的1.5倍(例如，至少為1.8倍，如介于1.8至4倍之間，如3倍)。

前浮式晶體元件618的前與后的移動(dòng)改變了所述前晶體元件和后晶體元件之間的距離，從而調(diào)整所述晶體植入物的焦距。在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了近視力，晶體植入物610是相對(duì)寬的(在所述前-后方向中)，具有所述前晶體元件和后晶體元件之間的一大間隔，在所述復(fù)合體之間創(chuàng)造了大的自由空間。在完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)下，其提供了遠(yuǎn)視力，所述植入物是相對(duì)狹窄的，具有于前復(fù)合體和后復(fù)合體之間一小間隔。前浮式晶體元件618通常會(huì)在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間移動(dòng)至少1毫米。相對(duì)于所述后晶體的所述前晶體的典型運(yùn)動(dòng)是介于0.5至2.0毫米之間，如介于1至1.5毫米之間(當(dāng)所述晶體植入物在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí))。如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換應(yīng)理解為意味著進(jìn)行一從完全調(diào)節(jié)狀態(tài)開始并且一直延續(xù)到完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)(反之亦然)的轉(zhuǎn)換。

前浮式晶體元件618在晶體植入物610的內(nèi)部空間中移動(dòng)，所述晶體植入物610通常是對(duì)眼睛內(nèi)的天然流體開放。在移動(dòng)期間，所述浮動(dòng)晶體元件被配置來(lái)創(chuàng)造最小阻力，同時(shí)保持組合的晶體結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。例如，所述浮動(dòng)晶體元件能夠具有一平滑的形狀，和/或能夠涂覆有一疏水性涂層(如硅樹脂)。典型地，所述前晶體元件和后晶體元件被配置來(lái)一起創(chuàng)造一具有總倍率的光學(xué)結(jié)構(gòu)，所述總倍率在+15D與+25D之間變化，如通過(guò)醫(yī)師植入所述晶體植入物來(lái)選擇。

如上所述，前浮式晶體元件618包含前晶體620，且后晶體元件622包含后晶體624。晶體元件618、622的每一個(gè)能夠包含一或多個(gè)附加的光學(xué)元件，如附加的晶體(例如，凸晶體、凹晶體、雙凸晶體、雙凹晶體、球面晶體、非球面晶體和/或散光晶體)、固定倍率光學(xué)器件、可變形光學(xué)器件、無(wú)象差光學(xué)器件、雙合透鏡、三合透鏡、過(guò)濾的光學(xué)器件或這些晶體的組合，如在光學(xué)領(lǐng)域中已知的。在一些應(yīng)用上，前晶體620是前浮式晶體元件618的唯一的光學(xué)元件，和/或后晶體624是后晶體元件622的唯一的光學(xué)元件。在一些應(yīng)用上，在制造期間，一或多個(gè)的晶體元件618、622被附設(shè)到所述植入物。可選地或另外地，在植入工序之前或在植入工序期間，一或多個(gè)的所述晶體元件能夠通過(guò)醫(yī)護(hù)人員來(lái)被附加，以便提供最合適的晶體元件給特定的患者。在晶體植入物610插入天然囊袋12之后，前環(huán)復(fù)合體625的前環(huán)627響應(yīng)于天然囊袋12前部的自然運(yùn)動(dòng)而移動(dòng)。典型地，前環(huán)627被配置來(lái)與所述天然囊袋接觸。因?yàn)閮删w之間具有間隔，所以所述晶體在調(diào)節(jié)期間不會(huì)黏到另一個(gè)。請(qǐng)參照?qǐng)D35A至35B，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物610分別在所述完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)與所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的剖面示意圖。在一些應(yīng)用上，后組件621包含以下組件，它的每一個(gè)被詳細(xì)描述在下文(大概能夠在圖35A中更清楚地看到)：

后晶體元件622，其包含后晶體624；

前環(huán)復(fù)合體625，其包含前環(huán)627；以及

杠桿650。

在一些應(yīng)用上，晶體植入物610被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。或者，在制造期間，晶體植入物610的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，后晶體624和后組件621的其他組件包含相同的材料(后晶體624因?yàn)槠湫螤?，起了一晶體的作用)。或者，在制造期間，后組件621的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。同樣地，在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件618被制造成單件(如通過(guò)注射成型)，且通常包含一單一材料，如硅樹脂、丙烯酸類或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?；蛘?，在制造期間，前浮式晶體元件618的一或多個(gè)組件被單獨(dú)地形成且被耦合在一起。在一些應(yīng)用上，前晶體620和前浮式晶體元件618的其他組件包含相同的材料(前晶體620因?yàn)槠湫螤睿鹆艘痪w的作用)。

在一些應(yīng)用上，前浮式晶體元件618的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度，后組件621的材料具有一介于20至60之間的邵爾A型硬度。因此，晶體植入物610的所有組件通常是柔性的。

多個(gè)杠桿650：

在沿著多個(gè)杠桿650的各自的第一縱向點(diǎn)652上與前浮式晶體元件618連結(jié)；在沿著多個(gè)杠桿650的各自的第二縱向點(diǎn)654上與前環(huán)復(fù)合體625(通常與前環(huán)復(fù)合體625的前環(huán)627)連結(jié)；以及

在沿著多個(gè)杠桿650的各自的第三縱向點(diǎn)656上與后晶體元件622連結(jié)。

短語(yǔ)“沿著”杠桿650應(yīng)理解為包括所述杠桿的末端；例如，如圖所示，第一縱向點(diǎn)652能夠在所述杠桿的一端(如徑向內(nèi)側(cè)端)，第三縱向點(diǎn)656能夠在所述杠桿的另一端(如徑向外側(cè)端)。

典型地，多個(gè)杠桿650，在其各自的第三縱向點(diǎn)656上，被固定在后晶體元件622的相應(yīng)接點(diǎn)657上，所述相應(yīng)接點(diǎn)657通常是被設(shè)置在所述后晶體元件的一徑向外周邊604上，如圖所示。多個(gè)杠桿650能夠繞接點(diǎn)657樞轉(zhuǎn)。

多個(gè)杠桿650被安排來(lái)使前浮式晶體元件618以一前-后的方向朝前環(huán)復(fù)合體625移動(dòng)或遠(yuǎn)離。

如上面參考圖33A-B和34A-B所描述的，在一些應(yīng)用上，晶體植入物610包含多個(gè)連接元件632、644。更特別地，在一些應(yīng)用上，晶體植入物610包含：多個(gè)前晶體連接元件632；以及

多個(gè)前環(huán)連接元件644。前環(huán)連接元件644在前環(huán)復(fù)合體625的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)682上被連接到前環(huán)復(fù)合體625。在一些應(yīng)用上，杠桿650在沿著多個(gè)杠桿650的所述各自的第二縱向點(diǎn)654上通過(guò)相應(yīng)的前環(huán)連接元件644而與前環(huán)復(fù)合體625(通常與前環(huán)復(fù)合體625的前環(huán)627)連結(jié)。

連接元件644連結(jié)晶體植入物610的各對(duì)的元件，以允許所述多個(gè)連接元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(特別是旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng))。典型地，前環(huán)連接元件644被配置來(lái)縮小對(duì)于其他設(shè)計(jì)限制所可能給出的程度的多個(gè)杠桿650的多個(gè)第二縱向點(diǎn)654與它們的各自的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)682之間的非旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(如徑向運(yùn)動(dòng))。

在一些應(yīng)用上，每一第一縱向點(diǎn)652是位于所述各自的杠桿650的最末端，如一徑向最內(nèi)側(cè)端。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿650的每一個(gè)在所述杠桿650的最末端上與前浮式晶體元件618連結(jié)，如一徑向最內(nèi)側(cè)端。在一些應(yīng)用上，每一第三縱向點(diǎn)656是位于所述各自的杠桿650的最末端，如一徑向最外側(cè)端。在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿650的每一個(gè)在所述杠桿650的最末端上與后晶體元件622連結(jié)，如一徑向最外側(cè)端。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含在權(quán)利要求中，一"杠桿"是一橫梁，其是被使用于通過(guò)第二點(diǎn)上所施加的力來(lái)移動(dòng)第一點(diǎn)上的一對(duì)象，且其繞著第三點(diǎn)上的一支點(diǎn)樞轉(zhuǎn)。對(duì)于多個(gè)杠桿650的每一個(gè)而言，第二縱向點(diǎn)654是沿著杠桿650縱向地位于第一縱向點(diǎn)652與第三縱向點(diǎn)656之間，使得第三縱向點(diǎn)656作為杠桿650的一支點(diǎn)。因此，在上面的定義中，第一縱向點(diǎn)652、第二縱向點(diǎn)654和第三縱向點(diǎn)656分別地對(duì)應(yīng)于所述第一點(diǎn)、第二點(diǎn)和第三點(diǎn)。

力是通過(guò)前環(huán)復(fù)合體625被施加到第二縱向點(diǎn)654，且，結(jié)果是，第一縱向點(diǎn)652(以及前浮式晶體元件618)相較于第二縱向點(diǎn)654(以及前環(huán)復(fù)合體625)移動(dòng)的一前-后距離來(lái)說(shuō)移動(dòng)得更多，通常是第二縱向點(diǎn)654(以及前環(huán)復(fù)合體625)移動(dòng)的前-后距離的1.5至4倍之間。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)654、656之間的距離為0.6毫米，第一縱向點(diǎn)和第三縱向點(diǎn)652、656之間的距離為1.8毫米，提供了3倍的增益。典型地，第二縱向點(diǎn)654被各自地設(shè)置在第三縱向點(diǎn)656的徑向向內(nèi)的位置。典型地，第一縱向點(diǎn)652被各自地設(shè)置在第二縱向點(diǎn)654及第三縱向點(diǎn)656的徑向向內(nèi)的位置。所述多個(gè)杠桿(包含所述支點(diǎn)的位置)通常地被配置來(lái)提供至少1.4倍的增益，如上文參照?qǐng)D33A-B和34A-B所描述的。

在一些應(yīng)用上，晶體植入物610的靜止?fàn)顟B(tài)(亦即，在植入至一眼睛之前，沒有約束的制造狀態(tài))是晶體植入物610的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)。

或者，在一些應(yīng)用上，晶體植入物610的組裝的靜止?fàn)顟B(tài)超出了晶體植入物610的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)，亦即，是一過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)。換句話說(shuō)，當(dāng)處于所述組裝的靜止?fàn)顟B(tài)下，相較于天然囊袋12的最大前-后寬度(當(dāng)眼睛是完全地被調(diào)節(jié)時(shí))，晶體植入物610在所述前-后方向上更寬(例如，至少25％，如至少50％更寬)。結(jié)果是，即使當(dāng)所述晶體植入物被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，所述晶體植入物抵壓著所述晶體囊開口，從而當(dāng)眼睛被完全地調(diào)節(jié)時(shí)，保持小帶的張力以及預(yù)拉緊所述小帶。這種預(yù)拉緊通常會(huì)導(dǎo)致晶體植入物610保持在徑向中心位置中，即使沒有觸動(dòng)部。

在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的(包括通過(guò)所述天然囊袋所沒受約束的)過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體625的一最大可能前-后行程距離是大于(例如，大于至少25％，如大于至少50％)所述天然囊袋的完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的一前-后寬度的最大變化。例如，在典型的成年人眼中，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的所述天然囊袋的前-后寬度的最大變化通常約為0.7毫米。因此，在一些應(yīng)用上，靜止的、沒受約束的過(guò)調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間的前環(huán)復(fù)合體625的最大前-后行程距離是大于0.7毫米，例如，至少0.875毫米，如至少1.05毫米。

隨著所述天然囊袋的前-后寬度變化，前環(huán)復(fù)合體625相對(duì)于后晶體元件622移動(dòng)，從而改變了前環(huán)復(fù)合體625與后晶體元件622之間的距離。

相較于多個(gè)前晶體連接元件632和前環(huán)連接元件644，杠桿650更為剛性(即使杠桿650、多個(gè)前晶體連接元件632、前環(huán)連接元件644和接點(diǎn)657的全部包含了相同的材料，如上所述)。

如本申請(qǐng)中所使用的，包含權(quán)利要求，“徑向”意味著一朝向或遠(yuǎn)離前晶體620的中央視軸690的方向。

典型地，當(dāng)晶體植入物610在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，當(dāng)所述晶體植入物于所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，多個(gè)第二縱向點(diǎn)654的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體625的改變是少于500微米，比如少于200微米，和/或少于第二縱向點(diǎn)654和其相應(yīng)的前環(huán)復(fù)合體連接點(diǎn)682之間的距離的50％。

非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，在晶體植入物610的調(diào)節(jié)中的后晶體元件622與前環(huán)627之間的距離變化期間，多個(gè)第二縱向點(diǎn)654的每一個(gè)的一位置相對(duì)于前環(huán)復(fù)合體625的改變是少于后晶體元件622與前環(huán)627之間的距離變化的50％。

晶體植入物610一般地被配置成當(dāng)晶體植入物610在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)及完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，杠桿650徑向地朝前晶體620的中央視軸690不移動(dòng)(或僅輕微移動(dòng))或者遠(yuǎn)離。例如，晶體植入物610能夠被配置成當(dāng)晶體植入物610在完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)：

多個(gè)杠桿650的每一個(gè)的任一部位與中央視軸690之間的最大距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體620的直徑的10％，比如小于5％；

多個(gè)第二縱向點(diǎn)654的每一個(gè)與中央視軸690之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體620的直徑的10％，比如小于5％；和/或

多個(gè)第三縱向點(diǎn)656的每一個(gè)與中央視軸690之間的距離變化是小于500微米，比如小于250微米和/或小于前晶體620的直徑的10％，比如小于5％。

請(qǐng)參照?qǐng)D36A至36C，其為本發(fā)明的一應(yīng)用中晶體植入物610在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)的示意圖。圖36A是由所述前方向視角所看到的，圖36B至36C是剖面示圖。

在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿650，(a)杠桿650的第二縱向點(diǎn)654及第三縱向點(diǎn)656所界定的一直線700(若投射在由晶體植入物610的徑向外周邊704界定的一平面702(造成一直線700'))與(b)切向至一周向地對(duì)應(yīng)于杠桿650的第三縱向點(diǎn)656的周邊704的圓周點(diǎn)708上的晶體植入物610的徑向外周邊704的一直線706兩者形成了一介于75至105度之間的角度(α)，如介于85度至95度之間，比如90度?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿650，(a)直線700(若投射在一垂直于中央視軸690的一平面)與(b)直線706(若投射在垂直于中央視軸690的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(α)，如介于85度至95度之間，比如90度。

在一些應(yīng)用上，多個(gè)杠桿650的每一個(gè)若被投射在由晶體植入物610的徑向外周邊704所界定的平面702上將不會(huì)被彎曲?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于多個(gè)杠桿650的每一個(gè)來(lái)說(shuō)，若投射在由晶體植入物610的徑向外周邊704界定的所述平面，第一縱向點(diǎn)652、第二縱向點(diǎn)654和第三縱向點(diǎn)656會(huì)沿著單一直線傾斜。

請(qǐng)參照?qǐng)D36A和36C。對(duì)于如前兩段所描述的構(gòu)造，非此即彼或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿650，(a)杠桿650的第一縱向點(diǎn)652及第三縱向點(diǎn)656所界定的一直線710(若投射在由晶體植入物610的徑向外周邊704界定的平面702(造成一直線710'))與(b)切向至周向地對(duì)應(yīng)于杠桿650的第三縱向點(diǎn)656的周邊704的圓周點(diǎn)708上的晶體植入物610的徑向外周邊704的直線706兩者形成了一介于75至105度之間的角度(β)，如介于85度至95度之間，比如90度。可選地或另外地，在一些應(yīng)用上，對(duì)于每一杠桿650，(a)直線710(若投射在一垂直于中央視軸690的一平面)與(b)直線706(若投射在垂直于中央視軸690的所述平面)兩者形成了介于75至105度之間的角度(β)，如介于85度至95度之間，比如90度。請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D36C。在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿650的第二縱向點(diǎn)654與沿著杠桿650的第三縱向點(diǎn)656(其作為支點(diǎn))之間的第一直線700在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第一直線700是平行于一垂直于中央視軸690的平面。或者，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第一直線700在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸690的所述平面)。在一些應(yīng)用上，第一直線700旋轉(zhuǎn)至少10度、不超過(guò)35度和/或介于10至35度之間，如至少18度、不超過(guò)28度和/或介于18至28度之間(當(dāng)晶體植入物610在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換)，例如24度(亦即，在所述杠桿的全行程期間)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第一直線700的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物610在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第一直線700界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸590的所述平面，例如是平行于所述平面?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換期間(包含轉(zhuǎn)換的端點(diǎn)，亦即，所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)和完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)本身)，介于沿著杠桿650的第二縱向點(diǎn)654與沿著杠桿650的第一縱向點(diǎn)652之間的一第二直線線段701在某點(diǎn)是水平的。換句話說(shuō)，在轉(zhuǎn)換期間，第二線段701是平行于一垂直于中央視軸690的平面。或者，在轉(zhuǎn)換期間(包含所述轉(zhuǎn)換的端點(diǎn))，第二線段701在某點(diǎn)幾乎是水平的，例如，界定一小于15度的角度，如小于5度(相對(duì)于垂直于中央視軸690的所述平面)?？蛇x地或另外地，在一些應(yīng)用上，在第二線段701的旋轉(zhuǎn)的中點(diǎn)上，當(dāng)晶體植入物610在所述完全調(diào)節(jié)狀態(tài)與完全未調(diào)節(jié)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)(亦即，在所述杠桿的全行程期間)，第二線段701界定了一小于15度的角度，如小于5度，垂直于中央視軸590的所述平面，例如是平行于所述平面。

典型地，第一線段700和第二線段701之間的一角度是大于120度，如大于150度，比如是180度(亦即，所述線段是彼此共線)。換句話說(shuō)，杠桿650的功能部份通常是筆直的。典型地，第二縱向點(diǎn)654相對(duì)于第一縱向點(diǎn)652來(lái)說(shuō)較靠近第三縱向點(diǎn)656。在一些應(yīng)用上，第二縱向點(diǎn)654與第三縱向點(diǎn)656之間的第一距離是少于第一縱向點(diǎn)652與第二縱向點(diǎn)654之間的第二距離的70％，如此沿著杠桿650的前環(huán)連接元件644的一位置通常提供了至少1.4倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離較所述第二距離少30％，其通常提供了至少3.3倍的增益。在一些應(yīng)用上，所述第一距離為至少500微米。典型地，所述第一距離是所述第二距離的至少10％，通常是至少33％。典型地，第一縱向點(diǎn)652是接近于杠桿650的一第一端，如在杠桿650的總長(zhǎng)度(沿著所述杠桿的中央縱向軸來(lái)測(cè)量的)的10％內(nèi)(從所述第一端)。典型地，第三縱向點(diǎn)656是在杠桿650的第二端(所述第二距離是第二直線線段701的距離)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，所述第一直線線段和第二直線線段不是晶體植入物610的物理組件，而是使用于描述所述植入物的某些性質(zhì)的幾何構(gòu)造。

請(qǐng)參照?qǐng)D33A至36C。在一些應(yīng)用上，如圖所示，晶體植入物610不包含任何觸動(dòng)部。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是本發(fā)明不限制于上文具體所示和所述的情況。相反，本發(fā)明的范圍包括上文所述的特征的組合和次組合，以及本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀上述說(shuō)明書時(shí)想到的并且不是現(xiàn)有技術(shù)中的改進(jìn)和變化。