專利名稱：用于治療氣道阻塞的方法和裝置的制作方法
相關(guān)申請的相關(guān)參照本申請是標(biāo)題為“Method for Treatment of Airway Obstructions”、申請日為1996年2月23日的美國專利申請08/606,195的部分續(xù)展申請。該美國專利申請08/606,195參照的是標(biāo)題為“Ablation Apparatus and System for Removal of SoftPalate Tissue”、申請日為1995年8月18日的美國專利申請08/516,781，該專利申請08/516,781的發(fā)明人是Stuart D.Edwards、Edwards J.Gough和DavidL.Douglass，它又是標(biāo)題為“Method for Reducing Snoring by RF Ablation of theUvula”、申請日為1994年5月9日的美國專利申請08/239,658的部分續(xù)展申請。該專利申請還涉及與該專利申請同時申請的一個專利申請，其律師文件號為SOAN1009CIP2，標(biāo)題為“Method and Apparatus for Treatment of Air WayObstructions”，在此引述供參考。
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及使患者保持上氣道開放的方法，尤其涉及一種采用電磁能量縮小舌和/或舌扁桃體選擇部分而不損傷舌下神經(jīng)的方法。
相關(guān)領(lǐng)域的描述睡眠呼吸暫停綜合癥的主要癥狀是日間嗜睡(hypersomnomulence)、早晨手臂疼痛、智力減退、心率不齊、睡眠時打鼾和翻來復(fù)去。它是由于患者在睡眠時經(jīng)常發(fā)作呼吸暫停引起的。傳統(tǒng)上將這種綜合癥分為兩種類型。一種類型稱為“中央睡眠呼吸暫停綜合癥(central sleep apnea syndrome)”，其主要特征是屢次喪失興奮呼吸的功能。第二種類型稱為阻塞性睡眠呼吸暫停綜合癥，其主要特征是睡眠時反復(fù)發(fā)作呼吸暫停，這是由于患者的上氣道阻塞或患者喉前但不包括喉的呼吸道部分的阻塞引起的。
因此，至今為止的治療包括各種內(nèi)科、外科和物理治療。內(nèi)科治療包括采用除中樞神經(jīng)系統(tǒng)抑制劑(如鎮(zhèn)靜劑或酒精)以外的藥物，如普羅替林、安宮黃體酮、乙酰唑胺、茶堿、尼古丁等藥物。上述藥物有時是有用的，但卻很少完全見效。另外，藥物經(jīng)常具有所不希望的副作用。
外科手術(shù)包括懸雍垂腭咽成形術(shù)(uvulopalatopharyngoplasty)、扁桃體摘除術(shù)、對嚴(yán)重的縮頜施行外科校正和氣管造口術(shù)。在一種手術(shù)過程中，使頜(jaw)移開(dislodged)，并向前拉，以便能夠進入舌底。這些手術(shù)可能有效，但對患者來說具有很高的手術(shù)風(fēng)險，并且這些手術(shù)對患者來說是經(jīng)常是不能接受的。
物理治療包括減輕體重、鼻咽氣道、鼻CPAP(氣道恒定加壓)和各種夜間使用的舌保持裝置。這些治療方法可能有一些效果，但較麻煩，并且患者感覺不舒服，患者通常不愿意在較長時間內(nèi)持續(xù)使用。減輕體重可能有一些用，但患者很少能做到。
在患有中央睡眠呼吸暫停綜合癥的患者中，一直采用膈神經(jīng)定速(phrenicnerve pacing)或膈定速(diaphragmatic pacing)。膈神經(jīng)定速或膈定速包括采用電刺激來調(diào)整和控制患者受膈神經(jīng)雙側(cè)支配的膈，以幫助或支持換氣。這種定速(pacing)見J.Mugica等人的Direct Diaphragm Stimulation,J.Mugica等人的PACEvol.10 Jan-Feb.1987,Part Ⅱ,Preliminary Test of a Muscular Diaphragm PacingSystem on Human Patients(自Neurostimulation:An Overview1985,pp263-279，以及1993年6月Nochomovitez在IEEE Eng.醫(yī)學(xué)和生物卷中的ElectricalActivation of Respiration。
然而，人們發(fā)現(xiàn)，許多患者仍然具有某種程度的阻塞性睡眠呼吸暫停，并且當(dāng)吸氣力由定速器增大時加劇。由膈的活動所引起的換氣還使得上氣道在吸氣時塌陷，并沿咽喉向下拉患者的舌，而使患者噎塞。于是，這些患者需要用氣管造口術(shù)作為恰當(dāng)?shù)闹委煛?br> Trans Am Soc ArtifIntern Organ中由F.Kaeko等人在physiological LaryngealPacemaker描述的生理喉起搏器測量肺的換氣量，并刺激恰當(dāng)?shù)纳窠?jīng)打開聲門，以治療呼吸困難。對于治療睡眠呼吸暫停來說，這種裝置是無效的。該裝置產(chǎn)生的信號與肺的換氣量成比例，因而信號產(chǎn)生得太遲，而無法用作睡眠呼吸暫停治療的指示。由于阻塞，睡眠呼吸暫停中通常是沒有換氣量的。
阻塞性睡眠呼吸暫停中一種有效的治療措施是氣管造口術(shù)。然而，這種外科手術(shù)會造成明顯的病態(tài)，并且從美容的角度上說是許多患者所不能接受的。其他的外科手術(shù)包括盡可能地拉伸舌，并且切除和去除部分舌以及可能使上氣道閉合的結(jié)構(gòu)。
因此，人們需要一種治療氣道阻塞疾病的方法和裝置。人們還需要一種將足夠的電磁能傳送到一個人體結(jié)構(gòu)內(nèi)(包括舌但并非僅限于舌)的方法和裝置，用以治療氣道阻塞疾病，同時減小人體結(jié)構(gòu)的外表面的腫脹。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明的目的是提供一種摘除舌內(nèi)部區(qū)域的裝置。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種摘除舌的內(nèi)部區(qū)域而不損傷舌下神經(jīng)的裝置。
本發(fā)明的上述目的以及其他的目的是通過減小舌的選擇部分的體積(volumn)來實現(xiàn)的。該裝置包括一個導(dǎo)管裝置。一電極裝置至少有一部分位于導(dǎo)管裝置的內(nèi)部。電極裝置用來送入足夠的電磁能，從而切除舌的內(nèi)部，而不損傷舌下神經(jīng)。電極伸入和退出裝置與該電極裝置耦合，從而使至少一部分電極裝置能夠伸入或退出所選擇的舌面。電纜裝置與電極裝置耦合。
導(dǎo)管裝置包括可以冷卻到10到30攝氏度的導(dǎo)管組織接觸面。電極可以是空心的，并且與一輸注介質(zhì)源耦合。絕緣套可以與至少一部分電極外面成環(huán)繞關(guān)系?？梢酝ㄟ^導(dǎo)管引入一個或多個電極。另外，一個或多個傳感器可以位于切除裝置的不同處，包括電極的末端、電極的外表面、絕緣套的末端或?qū)Ч芙M織接觸面。各種不同的電磁能源可以與包括(但并非僅限于)射頻(RF)源和微波源的電極耦合。
在各種實施例中，電極是通過舌腹面、舌背面或舌背引入的。切除術(shù)不會損傷舌下神經(jīng)。
附圖簡述

圖1(a)是采用本發(fā)明的摘除裝置的截面圖。
圖1(b)是本發(fā)明描述導(dǎo)管組織接觸面的摘除裝置的透射圖。
圖2是圖1(a)中所示摘除裝置的導(dǎo)管和連接器的截面圖。
圖3是圖1(a)所示連接器的透射圖。
圖4是與圖1(a)所示摘除裝置相關(guān)的針形電極的透射圖。
圖5是采用本發(fā)明的方法的柔軟針形電極的透射圖。
圖6是圖1(a)所示摘除裝置生成的摘除區(qū)。
圖7是嘴閉上時舌的截面圖。
圖8是嘴張開時舌的截面圖。
圖9是舌的截面圖。
圖10是舌背的透射圖。
圖11是舌的截面圖。
圖12是描述舌下神經(jīng)的位置和摘除區(qū)的產(chǎn)生的截面圖。
圖13是描述多個摘除區(qū)的舌的截面圖。
圖14是舌腹面的透射圖。
圖15是舌的截面圖。
圖16是采用本發(fā)明的方法的反饋控制系統(tǒng)的方框圖。
圖17是采用圖16所示反饋控制系統(tǒng)的模擬放大器、模擬多路復(fù)用器和微處理器的方框圖。
圖18是可以用來通過圖1所示的導(dǎo)管控制冷卻介質(zhì)流速的溫度/阻抗反饋系統(tǒng)的方框圖。
詳細(xì)描述參照圖1(a)、圖1(b)和圖2，圖中描繪的是切除舌、舌扁桃體和/或腺樣體的摘除裝置10。摘除裝置10的位置使得一個或多個電極12可以通過舌面引入到舌的內(nèi)部。摘除裝置10可以包括具有可視功能或不具有可視功能的無創(chuàng)傷插管，通入氧氣或麻醉劑，并且能夠抽吸血液或其他的分泌物。應(yīng)當(dāng)理解，摘除裝置10用來治療人體內(nèi)氣體通道受到限制的各種不同的阻塞疾病。一種實施例是用電極12來治療睡眠呼吸暫停，從而用RF、微波等摘除選擇部分的舌、舌扁桃體和/或腺樣體。因此，摘除裝置10可以用來摘除需要摘除的物質(zhì)，包括(但并非局限于)舌、扁桃體、鼻甲、軟腭組織、硬組織和粘膜組織。在一種實施例中，摘除裝置10用來摘除舌的內(nèi)部區(qū)域，縮小體積，從而加大氣道的截面積。
在縮小舌體積之前，可以進行術(shù)前評估，包括體檢、光纖咽鏡檢查、頭部測量分析和多種波動描記監(jiān)視。體檢強調(diào)頭和頸的評估。還包括對鼻腔的嚴(yán)密檢查，查明鼻中隔和鼻甲的變形；因長的、過大軟腭或肥大扁桃體而引起的咽阻塞；因突出的舌底(base of tongue)而引起的下咽部阻塞。
摘除裝置10包括導(dǎo)管、手柄16、從沿導(dǎo)管的縱向表面形成的不同的端口18或從電極12的末端延伸的一個或多個電極12。還配置有電極進入和退出裝置20。電纜與電極12耦合。
電極12至少有一部分位于導(dǎo)管14的內(nèi)部。每一電極通過導(dǎo)管14的外表面上形成的端口18伸入和退出。電極伸入和退出裝置使從導(dǎo)管14伸出的電極12伸入人體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，或者退回到導(dǎo)管14內(nèi)。盡管人體結(jié)構(gòu)可以有許多不同的結(jié)構(gòu)，但這里以舌為例。電極12刺破舌的外表面，而進入舌的內(nèi)部區(qū)域。電極12將足夠的電磁能送入舌內(nèi)，使舌充分摘除并縮小。電極12可以是中空的，從而接收各種不同的輸液，包括(但非局限于)生理鹽水。電極12可以限制在于進入舌后的一定距離內(nèi)。這可以用絕緣套來實現(xiàn)，絕緣套可以位于電極12上以限制它們的進入，也可以是一種與導(dǎo)管耦合而限制電極12的進入的結(jié)構(gòu)，如限位器(stop)等。
電極12可以包括一個中央腔以接收各種可以引入到舌內(nèi)部的液體，以及多個輸液口。一種合適的液體是電解溶液。冷卻電解液是不與組織和電極12直接接觸而傳送熱能的，冷卻電解液用來將熱能傳送到組織。電解液可以冷卻到約30到55攝氏度的范圍內(nèi)。
導(dǎo)管14包括通過導(dǎo)管14的內(nèi)部延伸的導(dǎo)管組織接觸面22、冷卻介質(zhì)輸入管24和冷卻介質(zhì)輸出管26。端口18開在導(dǎo)管14的外部，并且最好開在導(dǎo)管組織接觸面22上。端口18與流入輸入管24和輸出管26的冷卻介質(zhì)是隔開的，冷卻介質(zhì)輸入管24和輸出管26用來提供至少有1到2cm2的導(dǎo)管組織接觸面22的冷卻部分。導(dǎo)管組織接觸面22的冷卻部分至少等于切除的下面區(qū)域的截面直徑。
導(dǎo)管組織接觸面22的冷卻部分的尺寸隨每一患者的不同而不同。該尺寸足以使傳送電磁能以后舌的腫脹最小。腫脹的減小量可以是50％或以上、75％或以上以及90或以上。所提供的冷卻量足以使患者在進行縮小手術(shù)以后的短時間內(nèi)回家，而沒有因舌而噎咽的風(fēng)險。我們發(fā)現(xiàn)，通過在相當(dāng)大的區(qū)域內(nèi)提供充分的冷卻，可以提高舌內(nèi)部區(qū)域的摘除量。通過提供充分大的導(dǎo)管組織接觸面2的冷卻面，可以使腺瘤響應(yīng)為最小。
通過加入可調(diào)節(jié)的或不可調(diào)節(jié)的絕緣套32(圖3、4和5)，可以調(diào)節(jié)電極12的電磁能傳送面30。絕緣套32可以沿電極12的外表面進入和退出，從而增加或減小電磁能傳送面的長度。絕緣套32可以用各種材料制成，包括(但非局限于)尼龍、聚酰亞胺以及其他的熱塑料之類的材料。電磁能傳送面30的尺寸可以通過其他的方法來改變，包括(但非局限于)形成具有多個能夠多路啟動或單獨啟動的電極的分段電極。
手柄16最好用絕緣材料制成。電極12是用不銹鋼之類的導(dǎo)電材料制成的。另外，電極可以用成形記憶金屬(shaped memory metal)制成，如加州Menlo ParkdRaychem Corporation出售的鎳鈦材料。在一種實施例中，只有電極12的末端是用成形記憶金屬制成的，以便實現(xiàn)所要求的偏移。當(dāng)引入到口腔內(nèi)時，可以深入導(dǎo)管14，直至病人產(chǎn)生作嘔反應(yīng)。隨后退出導(dǎo)管14，以防止病人作嘔。電極12的末端可以是半曲線形的。末端可以成一幾何形狀，而使之與舌的外表一致。
導(dǎo)管14是可延展的，以便在選擇所要切除的切除點時與舌的表面一致。一種封裝的軟金屬，如銅或經(jīng)退火的金屬/塑料材料可以用來形成可延展的導(dǎo)管14。所有的或一部分導(dǎo)管14都是可延展的，或用成形的記憶金屬制成。
對于許多應(yīng)用來說，要求導(dǎo)管14的末端14’是可以彎曲的。這可以在機械上或用記憶金屬來實現(xiàn)?？梢詫⒉倏v索(steering wire)或其他的機械結(jié)構(gòu)裝在末端14’的外部或內(nèi)部。在一種實施例中，位于手柄16上的偏轉(zhuǎn)紐(deflection knob)由醫(yī)生啟動，使操縱索緊固。這就使得由于末端14’的收縮而使其偏轉(zhuǎn)。應(yīng)當(dāng)理解，可以用其他的機械裝置來替代該操縱索?？梢圆捎闷D(zhuǎn)而進入較難進入的組織結(jié)構(gòu)。
手柄6可以包含與退出和進入裝置20耦合的連接器。連接器34使電極12與電源、反饋控制、溫度和/或成象系統(tǒng)耦合。可以包括有RF/溫度控制塊36。
在一種實施例中，醫(yī)生沿朝向連接器34的末端的方向移動退出和進入裝置20。電極12可以是用彈簧安裝的。當(dāng)退出和進入裝置20后退時，彈簧使得選擇的電極12伸出導(dǎo)管14。
一個或多個電纜38使電極12與電磁能源40耦合。本發(fā)明可以采用各種能源40，將電磁能送入一個人體結(jié)構(gòu)內(nèi)，包括(但非局限于)RF、微波、超聲波、相干光和熱傳導(dǎo)。能源40最好是一個RF發(fā)生器。當(dāng)采用RF能源時，醫(yī)生可以用與RF能源40耦合的腳蹋開關(guān)(未示出)來接通RF能源40。
一個或多個傳感器42可以位于電極12的內(nèi)表面或外表面上，或單獨插入人體結(jié)構(gòu)內(nèi)。傳感器42可以對組織的溫度進行精確測量，以便確定(ⅰ)摘除范圍，(ⅱ)切除量，(ⅲ)是否需要作進一步的摘除，以及(ⅳ)摘除部分的幾何邊界或周邊。另外，傳感器42可以防止損傷或摘除不需要摘除的組織。
傳感器42是一種傳統(tǒng)設(shè)計的傳感器，包括(但非局限于)熱敏電阻、熱電偶、電阻線等。合適的傳感器42包括具有康銅(copper constantene)的T型熱電偶、J型、E型、K型、光纖、電阻絲、熱電偶IR檢測器等。應(yīng)當(dāng)理解，傳感器42不必是熱傳感器。
傳感器42測量溫度和/或阻抗，進行摘除監(jiān)視。這就減少了對摘除物質(zhì)周圍的組織的破壞。通過監(jiān)視人體結(jié)構(gòu)內(nèi)各個點處的溫度，可以確定切除的周邊部位，并且可以判斷何時完成了摘除。無論何時如果傳感器42判斷超過了要求的摘除溫度，則在能源40處接收到一個合適的反饋信號，并調(diào)節(jié)所傳送的能量。
摘除裝置10可以包括目測功能，包括(但非局限于)觀測鏡、目鏡、光纖、視頻成象等。
另外，可以采用超聲波成象來確定電極12的位置和/或確定摘除量?？梢栽陔姌O12、導(dǎo)管14或分開的裝置上放置一個或多個超聲波傳感器44。在選擇的組織部位外部或內(nèi)部還可以采用一個成象探測器。一種合適的成象探測器型號為21362，是由Hewlett Packard Company制造和銷售的。每一超聲波傳感器44與超聲波源(未圖示)耦合。
現(xiàn)在參照圖6，圖中，導(dǎo)管14被引入口腔內(nèi)，并且多個電極12進入產(chǎn)生不同的摘除區(qū)46的舌內(nèi)?？梢砸噪p極或單極方式操作摘除裝置10。圖6中，電極12是以雙極方式工作的，產(chǎn)生足夠的摘除區(qū)46以縮小舌，而不會影響舌下神經(jīng)，并造成較大的氣道。由于該縮小操作，使得舌背朝著遠(yuǎn)離氣道的方向移動。結(jié)果是氣道截面直徑增大。
摘除裝置10還可以工作在單電極方式下。底座(groundpad)可以位于一個方便的位置處，如位于下巴下。單個電極12位于舌內(nèi)，以產(chǎn)生第一摘除區(qū)46。接著電極12可以從舌內(nèi)退出，移動導(dǎo)管14，并且電極12隨后從導(dǎo)管14進入舌的另一內(nèi)部。產(chǎn)生第二摘除區(qū)46。這一過程可以進行多次，在舌內(nèi)形成不同的摘除區(qū)?？梢詫⒁粋€以上的電極引入舌內(nèi)，并工作在雙極方式下。隨后可以使電極12重新位于舌內(nèi)多次，產(chǎn)生多個連接或非連接的摘除區(qū)。
現(xiàn)在參照圖7到圖15，圖中繪出了舌和其他組織的各種解剖圖。不同的解剖結(jié)構(gòu)如下頦舌肌或舌體標(biāo)記為48；頦舌骨肌標(biāo)記為50；下頜舌骨肌標(biāo)記為52；舌骨標(biāo)記為54；舌尖標(biāo)記為56；舌的腹面(ventral surface)標(biāo)記為58；舌背標(biāo)記為60；舌的下背(inferior dorsal)標(biāo)記為62；會厭谷的反射部位標(biāo)記為64；舌濾泡標(biāo)記為66；懸雍垂為68；腺樣體區(qū)為70；舌的側(cè)面邊緣為72；輪廓狀乳頭為74；腭扁桃體為76；咽為78；多于咽組織是80；盲管(foramen cecum)是82；舌下神經(jīng)是84；舌系帶為86。
舌背60分為前背2/3和舌下背62。輪廓是由輪廓狀乳頭74和盲管(foramencecum)82決定的。舌下背(inferior dorsal)62是輪廓狀乳頭74下面的舌面和會厭谷64的上反射部位。會厭谷64的反射面是與會厭連接的舌面。舌濾泡66包含舌扁桃體。
導(dǎo)管14可以通過鼻或口腔引入。電極可以通過舌背面60、舌下背面62、舌腹面58、舌尖56或頦舌骨肌肉50插到舌的內(nèi)部。另外，電極可以被引入舌濾泡66的內(nèi)部和腺樣體區(qū)70內(nèi)。一旦電極12定位以后，可以調(diào)節(jié)絕緣套32，而提供每一電極12所要求的電磁能傳送面30。
產(chǎn)生摘除區(qū)46，而不損傷舌下神經(jīng)84。這就產(chǎn)生了一個更大的氣道，并提供睡眠呼吸綜合癥的治療。
不管在什么情況下，電極12的定位以及摘除區(qū)46的產(chǎn)生使得舌下神經(jīng)84不會被摘除或損傷。不會使吞咽和說話受到影響。
現(xiàn)在參照圖16和圖17，一個開放或閉合的反饋系統(tǒng)將傳感器42與能源40耦合。監(jiān)視組織或電極12的溫度，并相應(yīng)調(diào)節(jié)能源40的輸出功率。如果需要，醫(yī)生可以取消(override)閉合或開放環(huán)路系統(tǒng)(loop system)。可以包括有微處理器，并裝在閉合或開放的環(huán)路系統(tǒng)中來切斷或打開電源，以及調(diào)整功率。閉合環(huán)路系統(tǒng)采用微處理器88用作控制器、監(jiān)視溫度、調(diào)節(jié)RF功率、觀看結(jié)果、重新饋送結(jié)果并接著調(diào)整功率。
采用傳感器42和反饋控制系統(tǒng)，可以在選擇的時間內(nèi)將靠近RF電極12的組織保持在所要求的溫度下，而不會對外產(chǎn)生影響(impeding out)。每一RF電極12與產(chǎn)生用于每一RF電極12的獨立輸出的源相連。在選擇的時間長度內(nèi)，輸出在RF電極12處保持所選擇的能量。
由電流傳感器90測量通過電極12傳送的電流。電壓由電壓傳感器92測量。隨后在功率和阻抗計算裝置94處計算阻抗和功率。計算值可以接著顯示在用戶接口和顯示器96處。代表功率和阻抗值的信號由控制器98接收。
控制信號由控制器98產(chǎn)生，該控制信號正比于實際測量值和所要求的值的差?？刂菩盘栍呻娫措娐?00用來以合適的量調(diào)節(jié)功率輸出，從而保持在各個RF電極12處傳送的所要求的功率。
以類似的方式，傳感器42處檢測的溫度提供反饋以保持選擇的功率。在溫度測量裝置102處測量實際溫度，并且將溫度顯示在用戶接口和顯示器96上。控制信號是由控制器98產(chǎn)生的，正比于實際測得的溫度和所要求的溫度之差。控制信號由電源電路100用來以合適的量調(diào)節(jié)功率輸出，從而保持在各個傳感器處傳送的所要求的溫度。可以包括有多路復(fù)用器用以在眾多的傳感器42處測量電流、電壓和溫度，并且可以以單極或雙極方式將能量傳送到RF電極12。
控制器98可以是數(shù)字的或模擬的控制器，或是一種帶有軟件的計算機。當(dāng)控制器98是計算機時，它可以包括一個通過系統(tǒng)總線耦合的CPU。因此，系統(tǒng)可以是一個本領(lǐng)域中所熟知的鍵盤、盤驅(qū)動器或其他非易失存儲器系統(tǒng)、顯示器和其他的外部設(shè)備。與總線耦合的還有程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
用戶接口和顯示器96包括操作員控制器和顯示器?？刂破?8可以與成象系統(tǒng)耦合，包括(但非局限于)超聲波、CT掃描機、X射線、MRI、乳房X射線等。另外，也可以采用直接觀看和觸摸成象。
電流傳感器90和電壓傳感器92的輸出由控制器98用來保持RF電極12處選擇的功率。所傳送的RF能量控制功率值。所傳送的功率外形(profile)可以組合在控制器98內(nèi)，還可以勾畫(profile)要傳送的能量的預(yù)置量。
電路、軟件和控制器98的反饋產(chǎn)生過程控制和獨立于電壓和電流變化的選擇功率的保持，并用來改變(Ⅰ)選擇功率，(ⅱ)占空比(功率的通-斷)，(ⅲ)雙極或單極能量傳送，以及(ⅳ)輸注介質(zhì)傳送，包括流速和壓力?？刂坪透淖冞@些過程變量，同時根據(jù)傳感器42處監(jiān)視的溫度，獨立于電壓和電流變化地保持要傳送的功率。
電流傳感器90和電壓傳感器92與模擬放大器104的輸入端相連。模擬放大器104可以是與傳感器42一起使用的傳統(tǒng)的差分放大器。模擬放大器104的輸出順序由模擬多路復(fù)用器106連接到A/D轉(zhuǎn)換器108的輸入端。模擬放大器104的輸出是代表各個感測溫度的電壓。數(shù)字化放大器輸出電壓由A/D轉(zhuǎn)換器108提供到微處理器88。微處理器88可以是來自Motorola的68HCⅡ型。但是，應(yīng)當(dāng)理解，任何合適的微處理器和通用數(shù)字計算機或模擬計算機都可以用來計算阻抗或溫度。
微處理器88順序接收并存儲阻抗和溫度的數(shù)字表述。微處理器88接收的每一數(shù)字值對應(yīng)于不同的溫度和阻抗。
計算的功率值和阻抗值可以顯示在用戶接口和顯示器96上。也可以是或者除了功率和阻抗的數(shù)字表示以外，計算的阻抗值和功率值可以由微處理器88與功率和阻抗極限比較。當(dāng)這些值超過預(yù)定的功率或阻抗值時，可以在用戶接口和顯示器96上給出警告，并且另外，可以減小、修改或中斷RF能量的傳送。來自微處理器88的控制信號可以修改能源40提供的功率電平。
圖18描繪的是可以用來控制通過導(dǎo)管14的冷卻介質(zhì)流速的溫度/阻抗反饋系統(tǒng)的方框圖。電磁能由能源44傳送到電極12，并作用于組織。監(jiān)視器110根據(jù)傳送到組織的能量確定組織的阻抗，并測得的阻抗值與設(shè)定值比較。如果測得的阻抗值超過設(shè)定值，則向能源40發(fā)送一個中斷信號(disabling signal)，停止進一步向電極12傳送能量。如果測得的阻抗值在可接受的范圍內(nèi)，則繼續(xù)使能量作用于該組織部位。在向組織施加能量時，傳感器42測量組織和/或電極12的溫度。比較器114接收代表測得的溫度的信號，并將該值與代表所要求的溫度的預(yù)置信號比較。如果組織溫度太高，則比較器114向需要更高冷卻介質(zhì)流速的流速調(diào)節(jié)器116發(fā)送一個信號，而當(dāng)溫度沒有超過所要求的溫度時，保持該流速。
為了描述本發(fā)明，前文中對本發(fā)明的實施例進行的描述。但本發(fā)明并非局限于上述這些形式。很明顯，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，還可以有各種變異和修改形式。本發(fā)明的保護范圍由后文中的權(quán)利要求或其等效形式所限定。
權(quán)利要求
1．一種減小選擇部分的舌體積的裝置，其特征在于，它包含導(dǎo)管裝置；至少有一部分位于導(dǎo)管裝置的內(nèi)部的電極裝置，所述電極裝置用來傳送足夠的電磁能，用來摘除舌的內(nèi)部，而不損傷舌的舌下神經(jīng)；電極進入和退出裝置，它與所述電極裝置耦合，用來從選擇的舌表面中推進或退出至少一部分電極；以及與所述電極裝置耦合的電纜裝置。
2．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含與所述電極裝置和所述電纜裝置耦合的電磁能源裝置。
3．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含至少一部分位于所述導(dǎo)管內(nèi)部并用來冷卻所述舌表面的冷卻裝置。
4．如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，它還包含控制通過所述冷卻裝置的冷卻介質(zhì)流速的裝置。
5．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含至少有一部分位于所述電極裝置外圍的絕緣套裝置。
6．如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，它還包含位于所述絕緣套裝置末端的傳感器裝置。
7．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含位于所述電極裝置的末端的傳感器裝置。
8．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含位于所述導(dǎo)管裝置的外部的傳感器裝置。
9．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含位于所述電極裝置的末端的第一傳感器裝置，和至少一部分位于所述電極裝置的外圍上的絕緣套裝置的末端的第二傳感器裝置。
10．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電極裝置是一個與RF發(fā)生器耦合的RF電極。
11．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電極裝置是一個與微波源耦合的微波天線。
12．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含與所述電極裝置和電磁能源耦合的反饋控制裝置。
13．如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，它還包含與所述反饋控制裝置耦合的超聲波裝置。
14．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電極裝置包括與RF能源耦合的兩個或多個RF電極。
15．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，它還包含與所述電極裝置耦合的輸注介質(zhì)源裝置。
全文摘要
一種減小選擇部分的舌體積的裝置。它包括一個導(dǎo)管裝置。電極裝置至少一部分位于導(dǎo)管裝置的內(nèi)部。電極裝置用來傳送足夠的電磁能,用以摘除舌的內(nèi)部,而不損傷舌下神經(jīng)。電極進入和退出裝置與電極裝置耦合,從而在選擇的舌表面推進、退出至少一部分電極裝置。電纜裝置與電極裝置耦合。
文檔編號A61N1/40GK1216911SQ97194323
公開日1999年5月19日 申請日期1997年4月15日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月3日
發(fā)明者斯圖爾特·D·愛德華茲 申請人:索姆納斯醫(yī)療技術(shù)股份有限公司