號的處理。此時(shí)，DAS116B、檢測元件31，32，41，42、導(dǎo)線57,58,59的位置關(guān)系與DAS116A、檢測元件11，12，21，22、導(dǎo)線51，52，53的位置關(guān)系相同。
[0033]另外，DAS116C負(fù)責(zé)通過檢測元件13，14，23，24檢測到的信號的處理。此時(shí)，DAS116C、檢測元件13，14，23，24、導(dǎo)線54，55，56的位置關(guān)系與DAS116A、檢測元件11，12，21，22、導(dǎo)線51，52，53的位置關(guān)系相同。
[0034]另外，DAS116D負(fù)責(zé)通過檢測元件33，34，43，44檢測到的信號的處理。此時(shí)，DAS116D、檢測元件33，34，43，44、導(dǎo)線60,61,62的位置關(guān)系與DAS116A、檢測元件11，12，21，22、導(dǎo)線51，52，53的位置關(guān)系相同。
[0035]這樣，各DAS116A?116D負(fù)責(zé)通過各檢測元件11?44檢測到的信號的處理。另夕卜，各DAS116A?116D能夠并行執(zhí)行處理。
[0036]另外，數(shù)據(jù)收集電路116具備捆綁控制部200。針對捆綁控制部200中的處理后述。
[0037]返回到圖1的說明。高電壓發(fā)生裝置120是對掃描架110的X射線管111供給管電壓以及管電流產(chǎn)生X射線的裝置。前處理裝置130通過對從非接觸數(shù)據(jù)傳送裝置117發(fā)送的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行靈敏度校正等校正處理，生成成為圖像重建的基礎(chǔ)的投影數(shù)據(jù)。
[0038]重建裝置140通過對由前處理裝置130生成的投影數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的重建處理，來重建被檢體的圖像數(shù)據(jù)。圖像處理裝置150使用由重建裝置140重建的圖像數(shù)據(jù)生成三維圖像、曲面 MPR(Multi Planar Reconstruct1n)圖像、剖面(cross cut)圖像等。
[0039]存儲(chǔ)裝置160存儲(chǔ)由前處理裝置130生成的投影數(shù)據(jù)、由重建裝置140重建的圖像數(shù)據(jù)、以及由圖像處理裝置150生成的各種圖像等。例如，存儲(chǔ)裝置160是HDD (Hard DiskDrive)或 DVD (Digital Versatile Disc)驅(qū)動(dòng)器(drive)等。
[0040]輸入裝置170接受操作者對X射線CT裝置100進(jìn)行的各種操作。例如，輸入裝置170是鍵盤(keyboard)或鼠標(biāo)(mouse)等。顯示裝置180輸出通過重建裝置140或者圖像處理裝置150生成的各種圖像、用于接受操作者進(jìn)行的各種操作的⑶I (Graphical UserInterface)等。例如，顯示裝置180是液晶面板或CRT (Cathode Ray Tube)顯示器等。
[0041]系統(tǒng)控制器190根據(jù)通過輸入裝置170接受的各種操作，控制X射線CT裝置100整體的動(dòng)作。
[0042]另外，系統(tǒng)控制器190通過根據(jù)掃描(scan)條件，控制后述的捆綁控制部200，從而以規(guī)定的單位對由各檢測元件檢測到的X射線透過信號進(jìn)行捆綁。將這樣的處理稱為“信號捆綁處理”，細(xì)節(jié)后述。
[0043]在這樣的結(jié)構(gòu)下，第I實(shí)施方式所涉及X射線CT裝置100能夠通過進(jìn)行以下的處理，來進(jìn)行通道方向以及切片方向的雙方向的信號捆綁處理。以下，說明為了實(shí)現(xiàn)該功能，在X射線CT裝置100的捆綁控制部200中進(jìn)行的處理。
[0044]捆綁控制部200在系統(tǒng)控制器190的控制下，進(jìn)行信號捆綁處理。在此，所謂信號捆綁處理是指在通道方向以及切片方向中的至少一方向以規(guī)定的單位合成分別由多個(gè)檢測元件檢測到的模擬(analog)信號的處理。通過變更該合成單位(合成模式(mode))，從而，能夠調(diào)整移送到DAS的X射線透過信號的分辨率。例如，在圖3所示的例子中，捆綁控制部200能夠變更的合成模式是將4個(gè)檢測元件作為I個(gè)單位來合成的情況(4個(gè)合成模式)、將2個(gè)檢測元件作為I個(gè)單位來合成的情況(2個(gè)合成模式)、以及沒有合成的情況(非合成模式)下的3個(gè)模式。
[0045]使用圖4A至圖4C，針對能夠通過信號捆綁處理進(jìn)行變更的合成模式進(jìn)行說明。在圖4A至圖4C中，示出對圖3的DASl 16A分配的4個(gè)檢測元件11，12，21，22。圖4A是用于說明4個(gè)合成模式的圖。圖4B是用于說明2個(gè)合成模式的圖。圖4C是用于說明非合成模式的圖。另外，在圖4A至圖4C所示的例子中，各檢測元件11，12，21，22以0.5mm的間隔來配置。
[0046](4個(gè)合成模式)
[0047]使用圖4A，針對4個(gè)合成模式進(jìn)行說明。此時(shí)，捆綁控制部200例如通過單獨(dú)地控制DASl 16A和4個(gè)檢測元件11，12，21，22各自的開關(guān)(switch)，來合成通過各檢測元件11，12，21，22檢測到的信號(電荷)。
[0048]具體而言，捆綁控制部200首先導(dǎo)通(on)DAS116A與檢測元件11的連接。由此，在檢測元件11中蓄積的電荷被移動(dòng)到DASl 16A內(nèi)的電容器中。接著,捆綁控制部200導(dǎo)通DASl 16A與檢測元件21的連接。由此，在檢測元件21中蓄積的電荷被移動(dòng)到DASl 16A內(nèi)的電容器中，與蓄積完成的電荷相加。接著，捆綁控制部200導(dǎo)通DASl 16A與檢測元件12的連接。由此，在檢測元件12中蓄積的電荷被移動(dòng)到DAS116A內(nèi)的電容器中，進(jìn)一步與蓄積完成的電荷相加。并且，捆綁控制部200導(dǎo)通DAS116A與檢測元件22的連接。由此，在檢測元件22中蓄積的電荷被移動(dòng)到DAS116A內(nèi)的電容器中，進(jìn)一步與蓄積完成的電荷相加。即，分別在4個(gè)檢測元件11，12，21，22中蓄積的電荷在DAS116A中相加(合成)。
[0049]之后，捆綁控制部200使DAS116A執(zhí)行信號處理。S卩，DAS116A將合成的信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字(digital)信號的數(shù)據(jù)(原始數(shù)據(jù))。并且，捆綁控制部200使在DASl 16A內(nèi)的電容器中蓄積的電荷復(fù)位(reset)。
[0050]這樣，捆綁控制部200合成通過4個(gè)檢測元件11，12，21，22檢測到的信號。并且，捆綁控制部200使合成的信號轉(zhuǎn)換成原始數(shù)據(jù)，并輸出。另外，在0.5mm寬度的檢測元件的4個(gè)合成模式中，重建具有與1_寬度的檢測元件相同的空間分辨率的圖像數(shù)據(jù)。
[0051](2個(gè)合成模式)
[0052]使用圖4B針對2個(gè)合成模式進(jìn)行說明。此時(shí)，捆綁控制部200例如通過獨(dú)立地控制DASl 16A和4個(gè)檢測元件11，12，21，22各自的開關(guān)，來對2個(gè)的檢測元件的各組合成信號。另外，在此，如圖4B的虛線所示，說明了在檢測元件11，21的組和檢測元件12，22的組中，分別合成信號的情況。
[0053]具體而言，捆綁控制部200首先導(dǎo)通DAS116A和檢測元件11的連接。由此，在檢測元件11中蓄積的電荷被移動(dòng)到DAS116A內(nèi)的電容器(capacitor)中。接著，捆綁控制部200導(dǎo)通DAS116A與檢測元件21的連接。由此，在檢測元件21中蓄積的電荷被移動(dòng)到DASl 16A內(nèi)的電容器中，與蓄積完成的電荷相加。并且，捆綁控制部200使DAS116A執(zhí)行信號處理。即，DAS116A合成通過2個(gè)檢測元件11，21檢測到的信號，將合成的信號轉(zhuǎn)換成原始數(shù)據(jù)。并且，捆綁控制部200使在DAS116A內(nèi)的電容器中蓄積的電荷復(fù)位。
[0054]接著，捆綁控制部200導(dǎo)通DAS116A與檢測元件12的連接。由此，在檢測元件12中蓄積的電荷被移動(dòng)到DASl 16A內(nèi)的電容器中。并且，捆綁控制部200導(dǎo)通DAS116A與檢測元件22的連接。由此，在檢測元件22中蓄積的電荷被移動(dòng)到DAS116A內(nèi)的電容器中，與蓄積完成的電荷相加。并且，捆綁控制部200使DAS116A執(zhí)行信號處理。S卩，DAS116A合成通過2個(gè)檢測元件12，22檢測到的信號，將合成的信號轉(zhuǎn)換成原始數(shù)據(jù)。并且，捆綁控制部200使在DASl 16A內(nèi)的電容器中蓄積的電荷復(fù)位。
[0055]這樣，捆綁控制部200通過對2個(gè)的檢測元件各組合成信號，來依次輸出來自2個(gè)檢測元件11，21的原始數(shù)據(jù)和來自2個(gè)檢測元件12，22的原始數(shù)據(jù)。另外，在0.5mm寬度的檢測元件的2個(gè)合成模式中，與1_寬度的檢測元件相比較，重建通道方向的空間分辨率為2倍的圖像數(shù)據(jù)。
[0056]另外，在圖4B的例子中，說明了在檢測元件11，21的組和檢測元件12，22的組中，分別合成信號的情況，但實(shí)施方式并不限定于此。例如，能夠通過適當(dāng)?shù)刈兏鼘?dǎo)通與DAS116A的連接(開關(guān))的檢測元件的順序，從而將任意的檢測元件彼此作為組，合成信號。
[0057](非合成模式)
[0058]使用圖4C，針對非合成模式進(jìn)行說明。此時(shí)，捆綁控制部200例如通過獨(dú)立地控制DASl 16A和4個(gè)檢測元件11，12，21，22各自的開關(guān)，從而不合成各檢測元件的信號而輸出。
[0059]具體而言，捆綁控制部200首先導(dǎo)通DAS116A與檢測元件11的連接。由此，在檢測元件11中蓄積的電荷被移動(dòng)到DASl 16A內(nèi)的電容器中。并且，捆綁控制部200使DAS116A執(zhí)行信號處理。即，DAS116A將通過檢測元件11檢測到的信號轉(zhuǎn)換成原始數(shù)據(jù)。并且，捆綁控制部200使在DAS116A內(nèi)的電容器中蓄積的電荷復(fù)位。
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