一種腦損傷治療儀的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于醫(yī)療器械領(lǐng)域，更具體地，涉及一種腦損傷治療儀。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的腦損傷治療儀，一般采用電場或電磁場刺激，通過調(diào)節(jié)突觸傳遞效率、抑制非正常神經(jīng)元活動達到緩解腦損傷癥狀的效果，并可引導(dǎo)干細胞向腦損害部位迀移，即增加損害部位的干細胞數(shù)量以達到腦保護作用或取代損害部位丟失的神經(jīng)細胞，從而起到治療或修復(fù)腦損傷的作用。
[0003]但是，目前的腦損傷治療儀多采用均勻電場或電磁場，治療效果不理想。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進需求，本發(fā)明提供了一種腦損傷治療儀，其目的在于通過不對稱的接觸式或非接觸式電極，形成非均勻電場，從而提高治療效果，由此解決現(xiàn)有的腦損傷治療儀采用均勻電場或磁場導(dǎo)致治療效果有限的技術(shù)問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個方面，提供了一種腦損傷治療儀，包括至少一對不對稱電極和頭盔；所述頭盔用于固定電極并確定電極與頭的相對位置；所述不對稱電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極面積，所述負極面積在25mm2至2500mm2之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間，負極比正極面積小于或等于100倍；所述不對稱電極與頭盔可活動連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)且正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。
[0006]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其不對稱電極為非接觸式電極，所述正極和負極電位差在I伏至250伏之間。
[0007]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其不對稱電極為接觸式電極，所述正極和負極之間電流在I μΑ至250 μA之間。
[0008]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其不對稱電極為點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈。
[0009]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其不對稱電極為非接觸點陣電極。
[0010]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其還包括電源，與所述不對稱電極相連，用于提供直流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換成直流電。
[0011]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其還包括控制器，所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極電位以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場。
[0012]優(yōu)選地，所述腦損傷治療儀，其還包括實時腦掃描成像系統(tǒng)，所述實時腦掃描成像系統(tǒng)與頭盔固定鏈接，用于實時定位腦損傷區(qū)域，控制器根據(jù)定位結(jié)果實時調(diào)整所述不對稱。
[0013]總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果:
[0014](I)本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，通過不對稱電極形成非均勻電場，使非均勻電場的負極靠近腦損傷區(qū)域并通過室管膜下區(qū)，主要可能通過引導(dǎo)干細胞向損傷區(qū)域集中迀移，從而取得較均勻電場更佳的治療效果，進一步的，通過調(diào)節(jié)電極的電位差、距離、電流等參數(shù)，尤其是正負極面積、面積比，從而取得更加的治療效果。
[0015](2)本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，還包括實時腦掃描成像系統(tǒng)，可實時提供腦損傷區(qū)域位置信息，從而更好的調(diào)整電極位置及大小，形成非均勻電場，在固定時間內(nèi)取得更佳療效。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明提供的腦損傷治療儀結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是實施例1的小鼠實驗結(jié)果圖；
[0018]圖3是實施例2的小鼠實驗結(jié)果圖。
[0019]在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:1為頭盔，2為不對稱電極，3為電源。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0021]本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，如圖1所示，包括至少一對不對稱電極和頭盔。所述頭盔用于固定電極；所述不對稱電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極面積，所述負極面積在25mm2至2500mm 2之間，所述正極面積優(yōu)選在25mm2至1000mm2之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間，負極比正極面積小于或等于100倍，所述正極和負極電位差在I伏至250伏之間；所述不對稱電極與頭盔可活動連接，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)、正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。
[0022]在電位差相同情況下，相對于勻場電場，所述錐形電場負電極的一側(cè)電場其電力線密集分布，由此可以促進腦內(nèi)室管膜下區(qū)產(chǎn)生的干細胞和其它分子更多的分布于腦損傷區(qū)域，從而取得更好的治療效果。
[0023]優(yōu)選地，本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，還包括控制器和電源；所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極電位以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場；所述電源用于提供直流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換成直流電。
[0024]所述不對稱電極可為點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈，可為接觸式或非接觸式電極，優(yōu)選非接觸式電極。所述控制器可根據(jù)腦損傷情況，通過控制點陣電極、面陣電極或電磁感應(yīng)圈各單元的通斷控制不對稱電極的負極與其正極的面積比，同時還可控制不對稱電極的電位，形成相應(yīng)強度和大小的錐形電場。所述電極優(yōu)選點陣電極，其可通過選擇性導(dǎo)通，實現(xiàn)對電極面積、電極方向和正負極性的實時調(diào)整；針對腦損傷面積、部位等具體情況，形成最佳治療電場。
[0025]優(yōu)選地，本發(fā)明提供的腦損傷治療儀，還包括實時腦掃描成像系統(tǒng)，所述實時腦掃描成像系統(tǒng)與頭盔固定鏈接，用于實時定位腦損傷區(qū)域，通過頭盔實時調(diào)整電極最佳位置，同時根據(jù)這些信息調(diào)整電極大小，形成較為適合的錐形電場，達到更佳的治療效果。
[0026]以下為實施例:
[0027]實施例1
[0028]一種腦損傷治療儀，包括一對不對稱電極、頭盔、控制器和電源。
[0029]所述頭盔，用于固定電極，使電極直接接觸顱外皮膚。所述不對稱電極為接觸式電極，用于形成錐形電場，其負極面積小于正極面陣電極，正負極面積可調(diào)，其負極面積在25mm2至2500mm 2之間，正極面積在25mm2至1000mm2之間，調(diào)節(jié)范圍正極面積為負極面積的100倍以下的范圍，所述正極和負極電位差可調(diào)，在I μΑ至250 μA范圍之間，電極之間的距離在150mm至300mm之間。
[0030]所述不對稱電極與頭盔，通過搭扣粘附，使得所述不對稱電極相對于頭盔位置可調(diào)，用于調(diào)節(jié)所述不對稱電極，使得其負極靠近腦損傷區(qū)顱外側(cè)、正極放置于對側(cè)顱外且所述錐形電場經(jīng)過室管膜下區(qū)。所述控制器設(shè)置在所述電源與所述不對稱電極之間，用于控制不對稱電極電位以及所述不對稱電極負極和正極的面積之比，從而形成錐形電場；所述電源為直流電源。所述控制器可根據(jù)腦損傷情況，通過控制面陣電極的通斷控制不對稱電極的負極與其正極的面積比，同時還可控制不對稱電極的電位，形成相應(yīng)強度和大小的錐形電場。
[0031]采用Sprague Dawley大鼠腦缺血模型，驗證本實施