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      清潔片及其輸運(yùn)元件、以及襯底處理設(shè)備清潔方法

      文檔序號(hào):1358296閱讀:243來源:國(guó)知局

      專利名稱::清潔片及其輸運(yùn)元件、以及襯底處理設(shè)備清潔方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      :本發(fā)明涉及一種清潔各種裝置的片及其輸運(yùn)元件、以及采用這兩者的襯底處理設(shè)備清潔方法,該片是一種用于襯底處理設(shè)備的清潔片,其對(duì)例如用于半導(dǎo)體器件、平板顯示器、印刷基板等的制造系統(tǒng)、測(cè)試系統(tǒng)等的外界物質(zhì)(foreignmatter)影響敏感。
      背景技術(shù)
      :各種襯底處理設(shè)備在物理接觸襯底的同時(shí)將該襯底運(yùn)送到各輸送系統(tǒng)。此時(shí),如果外界物質(zhì)粘在該襯底和該輸送系統(tǒng)上,后續(xù)的襯底隨后被污染,因而該設(shè)備必須定期停止并進(jìn)行清潔工序。為此,存在導(dǎo)致運(yùn)行速率降低和需要較大工作量的問題。為了克服這些問題,已經(jīng)提出了通過輸送其上粘有粘結(jié)物質(zhì)的襯底來清潔/去除粘附在襯底處理設(shè)備內(nèi)部的外界物質(zhì)的方法(例如,待審的日本專利公告10-154686)、通過輸送板狀元件來去除粘附在襯底背面上的外界物質(zhì)的方法(待審的日本專利公告11-87458)、以及采用通過電暈充電(coronacharge)而荷電的假片的方法(待審的日本專利公告2000-260671)等。通過輸送其上粘附有粘結(jié)物質(zhì)的襯底來清潔/去除粘附在襯底處理設(shè)備內(nèi)部的外界物質(zhì)的方法是克服以上問題的有效方法。然而,存在該粘結(jié)物質(zhì)因粘結(jié)物質(zhì)與設(shè)備接觸部分粘結(jié)過緊以致無(wú)法分開而不能松脫的可能,使得有可能襯底不能可靠地輸送。具體地,如果在平板的卡盤(chucktable)中采用低壓吸附機(jī)理,則這種可能性較大。此外,通過傳輸板狀元件來去除外界物質(zhì)的方法可無(wú)阻礙地進(jìn)行輸運(yùn),但是存在至關(guān)重要的塵埃去除特性差的問題。此外,采用通過電暈充電而荷電的假片的方法是也可去除晶片附近的外界物質(zhì)的有效方法,但是如果要使表面電勢(shì)提高,則電暈的形成電勢(shì)必須設(shè)置得較高。因此,如果將清潔片用作本發(fā)明,則由于孔根據(jù)組成材料而敞開,所以電暈處理?xiàng)l件不被設(shè)置得較強(qiáng),并且表面電勢(shì)不會(huì)增加。因此,表面電勢(shì)通過電暈方法僅可充達(dá)幾十伏特,于是外界物質(zhì)的抽吸仍不充分。
      發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明根據(jù)以上情形而作出,且本發(fā)明的目的是提供一種清潔片,其使得可以在襯底處理設(shè)備中無(wú)故障地輸運(yùn)襯底,并且還可簡(jiǎn)單地減少粘附在設(shè)備上的外界物質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)以上目的,作為早期研究的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)清潔片或輸運(yùn)元件可在襯底處理設(shè)備中無(wú)故障地輸運(yùn),且通過輸運(yùn)該清潔片或具有諸如襯底的該清潔片的輸運(yùn)元件來將外界物質(zhì)從襯底處理設(shè)備內(nèi)部除去,可簡(jiǎn)單并可靠地去除外界物質(zhì),其中,作為清潔層的粘結(jié)劑層具有不低于一特定值的表面電阻率,或者具有不低于一特定值的相對(duì)介電常數(shù)或表面電勢(shì),或者具有不低于一特定值的表面自由能,從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。即,本發(fā)明涉及一種具有一清潔層的清潔片,該清潔層的表面電阻率不低于1×1013Ω/□。清潔片可設(shè)置有一基體材料。所述清潔層可設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,且普通的粘結(jié)劑層可設(shè)置在其另一表面上。該清潔層的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選地大于2.0。清潔層的表面自由能優(yōu)選地不小于30mJ/m2。清潔層的表面電勢(shì)優(yōu)選地超過10kV。該清潔層可通過熱永久極化方法(thermalelectretmethod)形成為駐極體。以上的清潔片還可在其它方面進(jìn)一步得以改變。本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將因以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述而清楚。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的清潔片具有一清潔層(包括以下的清潔層樣式,例如清潔片單體、疊層片、清潔片和基體材料的疊層片等),其表面電阻率不低于1×1013Ω/□,優(yōu)選地不低于1×1014Ω/□。本發(fā)明中,由于通過將該清潔層的表面電阻率構(gòu)造得超過一特定值來將清潔層盡可能形成得接近于絕緣體,所以可實(shí)現(xiàn)以下的優(yōu)點(diǎn),即不僅粘附導(dǎo)致的外界物質(zhì)可被俘獲和吸收,而且靜電導(dǎo)致的也可被俘獲和吸附。因此,在表面電阻率設(shè)置為低于1×1013Ω/□的情形下,由這種靜電導(dǎo)致的外界物質(zhì)的俘獲/吸附效應(yīng)明顯降低。此外,需要以上清潔層由其在以下條件下測(cè)量的相對(duì)介電常數(shù)大于2.0,優(yōu)選地不小于2.1,更優(yōu)選地在2.1至10的材料形成。在本發(fā)明中,由于通過將清潔層的相對(duì)介電常數(shù)構(gòu)造為超過這樣的特定值來盡可能地將清潔層形成得接近高介電材料,所以可以獲得由靜電導(dǎo)致的外界物質(zhì)可被捕捉和吸收的優(yōu)點(diǎn)。其中,相對(duì)介電常數(shù)采用與真空中的介電常數(shù)的一個(gè)比率來表示當(dāng)電場(chǎng)施加在材料上時(shí)所儲(chǔ)存的電能的大小,并基于JISK6911測(cè)量。這種清潔層的材料、構(gòu)造方法等無(wú)特殊限制,只要相對(duì)介電常數(shù)設(shè)置在以上范圍內(nèi)即可。在本發(fā)明中,優(yōu)選的是應(yīng)當(dāng)采用不包含諸如添加劑的具有導(dǎo)電作用的導(dǎo)電材料的有機(jī)材料。作為具體例子,例如,除了通過使分子中具有一個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的化合物包含在壓敏粘結(jié)聚合物中獲得的材料外,優(yōu)選地還可采用橡膠、天然樹脂、合成樹脂等,該合成樹脂例如為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、苯酚樹脂、聚酯樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚碳酸酯、硝酸纖維素、聚(二氟乙烯)、聚丙烯、聚酰亞胺、尼龍6、尼龍66、聚(甲基丙烯酸甲酯)、甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物、氟化乙烯/丙烯共聚物等。此外,需要清潔層的表面自由能不應(yīng)小于30mJ/m2,優(yōu)選地從40到60mJ/m2。本發(fā)明中,清潔層(固態(tài))的表面自由能表示通過以下方法獲得的固態(tài)表面自由能值,該方法為分別測(cè)量水和亞甲基碘化物對(duì)該清潔層表面的接觸角;然后將此測(cè)量值和接觸角測(cè)量液體的表面自由能值(已知)代入由Young方程和廣義Fowkes方程推出的以下方程1;然后將兩個(gè)所得的方程作為聯(lián)立的線性方程求解。&lt;方程1&gt;(1+cos&theta;)&CenterDot;&gamma;L=2(&gamma;Sd&gamma;Ld)+2(&gamma;Sp&gamma;Lp)]]>其中,方程中的每個(gè)符號(hào)分別如下θ接觸角γL接觸角測(cè)量液體的表面自由能γLdγL中的分散力分量γLpγL中的極化力分量γSd固態(tài)表面自由能中的分散力分量γSp固態(tài)表面自由能中的極化力分量。清潔層優(yōu)選地構(gòu)造成使得清潔層的表面相對(duì)于水具有不超過90度的接觸角,更優(yōu)選地從80至50度。在本發(fā)明中,通過將清潔層構(gòu)造成使得其具有以上限定的范圍內(nèi)的相對(duì)于水的表面自由能和接觸角,導(dǎo)致清潔層去除要被清潔位置上粘附的外界物質(zhì)的作用可在清潔片等的輸運(yùn)過程中得以實(shí)施。此外,需要清潔層的拉伸彈性模量(基于JISK7127測(cè)量方法)應(yīng)設(shè)置為不超過2000N/mm2,優(yōu)選地大于1N/mm2。如果拉伸彈性模量構(gòu)造在此范圍內(nèi),則清潔層基本上不具有粘性,且因而外界物質(zhì)可被去除,以不產(chǎn)生輸運(yùn)麻煩。優(yōu)選的是,清潔層的表面電勢(shì)被設(shè)置為超過10kV,通常為約10kV至50kV。如下所述,本發(fā)明中可以認(rèn)為,當(dāng)清潔層具有此特定范圍內(nèi)的表面電勢(shì)時(shí),在清潔層周圍形成電場(chǎng)以具有強(qiáng)的吸附力,于是即使在清潔層基本上不具有粘性的情況下,也可因該吸附力而取得塵埃去除效果。保持這樣的表面電勢(shì)的方法無(wú)特殊限制。例如,可采用的方法為通過熱永久極化法將各種聚合物形成為駐極體的方法等(下文稱為“駐極體形成法”)、通過選擇具有高體積電阻率的材料以降低材料中流動(dòng)的電流來抑制放電的方法等。這樣的聚合物的材料等不受限制,只要該聚合物能形成為駐極體即可。例如可采用諸如聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸亞乙酯、聚(二氟乙烯)、偏二氟乙烯、三氟乙烯、聚四氟乙烯等聚合物;其中的交聯(lián)反應(yīng)和固化由在下文所述的諸如紫外線、熱等的作用能量(activeenergy)源促進(jìn)的固化壓敏粘結(jié)合成物。此外,優(yōu)選的是,本發(fā)明的清潔層應(yīng)當(dāng)基本不具有粘性。其中“基本不具有粘性”表示,如果粘性的主要性能被認(rèn)為是作為滑動(dòng)阻力的摩擦力,則不存在代表粘附作用的壓敏粘性。例如,根據(jù)Dahlquist標(biāo)準(zhǔn),如果粘結(jié)材料的彈性模量在直到1N/mm2的范圍內(nèi),則壓敏粘性出現(xiàn)。因此在本發(fā)明中,當(dāng)拉伸彈性模量構(gòu)造在一特定范圍內(nèi),即在1至3000N/mm2的范圍內(nèi),優(yōu)選地在100至2000N/mm2的范圍內(nèi),使得彈性模量可提高到大于1N/mm2時(shí),外界物質(zhì)可被除去以至于不產(chǎn)生輸運(yùn)麻煩。此情況下,拉伸彈性模量基于JISK7127測(cè)量方法測(cè)量。優(yōu)選的是,應(yīng)當(dāng)將這樣的材料選作該清潔層,該材料的拉伸彈性模量可通過借助諸如紫外線、熱等的作用能量源來促進(jìn)交聯(lián)反應(yīng)和固化而得以提高。此外,優(yōu)選的是,清潔層與設(shè)備中的被清潔部分之間的浸潤(rùn)性應(yīng)當(dāng)較小。如果該浸潤(rùn)性較大,則清潔片在輸運(yùn)過程中可能緊密地粘附在被清潔部分上,導(dǎo)致輸運(yùn)困難。此外,清潔層的厚度無(wú)特殊限制,但通常該厚度設(shè)置為約5至100μm。該清潔層的材料等無(wú)特殊限制,只要表面電阻在以上范圍內(nèi)即可。但優(yōu)選的是不包含具有導(dǎo)電作用的諸如添加劑的導(dǎo)電材料的粘結(jié)層。此外,作為這種粘結(jié)層,優(yōu)選的是可通過諸如紫外線、熱等的作用能量源固化以將分子結(jié)構(gòu)變?yōu)榱Ⅲw網(wǎng)絡(luò)并降低粘附力的材料。例如,硅晶片(鏡面)的180°松脫的粘結(jié)力(releasingadhesiveforce)不超過0.20N/10mm,優(yōu)選地為約0.010至0.10N/10mm。如果此粘結(jié)力超過0.2N/10mm,則該清潔層在輸運(yùn)過程中可能粘附在設(shè)備的被清潔部分上,導(dǎo)致輸運(yùn)困難。該清潔層的材料等無(wú)特殊限制,只要表面自由能低于以上特定值即可。但優(yōu)選的是,可通過諸如紫外線、熱等的作用能量源固化并交聯(lián)以將分子結(jié)構(gòu)變?yōu)榱Ⅲw網(wǎng)絡(luò)并降低或失去粘附力的粘結(jié)層。如果采用這樣的粘結(jié)層,則清潔層在輸運(yùn)過程中不會(huì)牢牢地粘附在被清潔部分上,因此清潔層可無(wú)故障地得以輸運(yùn)。作為這種清潔層的具體例子,可采用通過至少使分子中具有一個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的化合物、以及聚合引發(fā)劑包含在壓敏粘結(jié)聚合物內(nèi)而獲得的材料,以及其粘性因通過施加作用能量來產(chǎn)生聚合和固化反應(yīng)而喪失的材料。作為這樣的壓敏粘結(jié)聚合物,例如,可采用丙烯酸聚合物,該丙烯酸聚合物包括選自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、以及甲基丙烯酸酯的作為主要單體的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯。在合成此丙烯酸聚合物時(shí),如果不飽和雙鍵通過經(jīng)由官能團(tuán)間的反應(yīng)將具有該不飽和雙鍵的化合物化學(xué)連接至合成的丙烯酸聚合物的分子上而引入到丙烯酸聚合物的分子中,則分子中具有兩個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的化合物可用作共聚單體,此外,通過作用能量可使此化合物自身參與共聚和固化反應(yīng)。此處,非揮發(fā)的、且為具有小于10000的加權(quán)平均分子量(weight-averagemolecularweight)的小分子量物質(zhì)的化合物優(yōu)選地作為分子中具有一個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的化合物(下文稱為“聚合的不飽和化合物)。特別優(yōu)選的是,應(yīng)當(dāng)采用分子量小于5000的化合物以在固化中有效地執(zhí)行粘結(jié)層的向三維網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)變。此處,非揮發(fā)的、且為加權(quán)平均分子量不超過10000的小分子量物質(zhì)的化合物優(yōu)選地作為聚合的不飽和化合物。特別優(yōu)選的是,分子量不超過5000的化合物應(yīng)當(dāng)?shù)靡圆捎?,以在固化中有效地進(jìn)行清潔層向三維網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)變。作為這樣的聚合化合物,例如可采用苯氧基聚乙烯乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-羥基己酸內(nèi)酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、一縮二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯等??刹捎闷渲械囊环N或兩種。此外,添加到清潔層中的聚合引發(fā)劑無(wú)特殊限制,可采用公知的引發(fā)劑。例如,如果采用熱作為作用能量源,則可采用諸如過氧化苯酰、偶氮二異丁腈等的熱聚合引發(fā)劑;如果采用光作為作用能量源,則可采用光聚合引發(fā)劑,例如苯甲酰、苯偶姻乙基酯、聯(lián)芐基、異丙基苯偶姻酯、苯甲酮、Michler酮氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、乙酰苯二乙基縮酮、苯甲基二甲基縮酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基二甲基苯基丙烷、2,2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯等。這樣的清潔層設(shè)置到基體材料上時(shí)所用的基體材料無(wú)特殊限制。但是,例如可采用塑料膜,諸如聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、醋酸纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳二酰亞胺等。厚度通常約10至100μm。此外,本發(fā)明提供該清潔片,其中清潔層設(shè)置在基體材料的一側(cè)上,普通粘結(jié)層設(shè)置在其另一側(cè)上。此普通粘結(jié)層的材料等無(wú)特殊限制,只要該粘結(jié)層能滿足粘結(jié)功能即可,且可采用普通的粘結(jié)劑(例如丙烯酸粘結(jié)劑、橡膠粘結(jié)劑等)。根據(jù)此結(jié)構(gòu),該清潔片通過普通粘結(jié)層粘附在諸如各種襯底、其它條帶片(tapesheet)等的輸運(yùn)元件上,然后在設(shè)備中隨著具有清潔功能的輸運(yùn)元件一起輸運(yùn)以接觸進(jìn)行清潔的被清潔部分。此外,如果襯底在清潔后從此粘結(jié)層上剝離以重復(fù)使用諸如以上襯底的輸運(yùn)元件,則這種普通粘結(jié)層的粘結(jié)力無(wú)特殊限制,只要其在可再次剝離的范圍內(nèi)即可。然而,優(yōu)選的是硅晶片(鏡面)的180°松脫的粘結(jié)力應(yīng)當(dāng)小于0.01至0.98N/10mm,更優(yōu)選地為約0.01至0.5N/10mm,因?yàn)榍鍧嵠谳斶\(yùn)過程中不剝離,而在清潔之后可容易地剝離。其上粘附有該清潔片的輸運(yùn)元件無(wú)特殊限制,但是例如可采取用于諸如半導(dǎo)體晶片、LCD、PDP等的平板顯示器的襯底;用于光盤、MR頭的襯底;以及其它的襯底。此外,本發(fā)明提供一種清潔各種導(dǎo)電測(cè)量?jī)x的元件、以及一種采用該元件的導(dǎo)電測(cè)量?jī)x清潔方法,例如用于諸如半導(dǎo)體器件、印刷基板等的導(dǎo)電測(cè)量?jī)x的一種清潔元件和一種清潔方法,該儀器非常容易受到外界物質(zhì)的影響。半導(dǎo)體制造中采用的各種導(dǎo)電測(cè)量?jī)x通過將導(dǎo)電測(cè)量?jī)x側(cè)部上的接觸點(diǎn)(IC插座的接觸針等)與產(chǎn)品側(cè)部上的接線端(半導(dǎo)體接線端等)接觸來測(cè)量電導(dǎo)。此時(shí),當(dāng)IC接線端與接觸針的接觸因反復(fù)進(jìn)行的測(cè)試而重復(fù)時(shí),接觸針刮掉IC接線端側(cè)上的材料(鋁、焊料等),然后外界物質(zhì)傳遞并粘附在接觸針一側(cè)上,然后該粘附的鋁、焊料等被氧化而導(dǎo)致不利的絕緣。在最壞的情形下,測(cè)試中的電導(dǎo)率降低。因此,為了將粘附在這些接觸針上的外界物質(zhì)除去,接觸針上的外界物質(zhì)利用通過將氧化鋁微晶粒涂覆在聚四氟乙烯膜上獲得的元件、或者通過將磨粒攙入橡膠樹脂(諸如硅)獲得的元件(下文稱為接觸針清潔器)來去除。然而,近年來,由于晶片因測(cè)量盤(卡盤)上的外界物質(zhì)而折斷,發(fā)生卡夾錯(cuò)誤等,隨著半導(dǎo)體制造步驟中晶片厚度的減小和長(zhǎng)度的增加,需要一些針對(duì)卡盤上外界物質(zhì)去除的對(duì)策。為此,為了去除卡盤上的外界物質(zhì),需要周期性地停止設(shè)備并清潔該盤。因此,出現(xiàn)了導(dǎo)致運(yùn)行速率降低且需要大工作量的問題。鑒于這樣的情況,本發(fā)明的目的是提供一種能清潔導(dǎo)電測(cè)試儀的接觸針并簡(jiǎn)單地減少粘附在卡盤、輸運(yùn)臂等上的外界物質(zhì)的清潔元件和清潔方法。為了實(shí)現(xiàn)以上目的,作為早期研究的結(jié)果,本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),如果輸運(yùn)該清潔元件,則可同時(shí)進(jìn)行測(cè)試設(shè)備中接觸針的清潔和粘附在卡盤等上的外界物質(zhì)的去除,該清潔元件中用于去除粘附在接觸針清潔器與之接觸的設(shè)備接觸面(卡盤等)上的外界物質(zhì)的清潔層設(shè)置在用于去除粘附在電導(dǎo)測(cè)試儀的電導(dǎo)測(cè)試針上的外界物質(zhì)的元件(以下稱作接觸針清潔器)的一側(cè)上;此外,如果清潔層的摩擦系數(shù)設(shè)置為超過一特定值,則清潔層可在測(cè)量設(shè)備中無(wú)故障地輸運(yùn),且外界物質(zhì)可簡(jiǎn)單地減少,于是完成本發(fā)明。即,本發(fā)明提供一種清潔元件,其是用于電導(dǎo)測(cè)試設(shè)備的清潔元件,且其中用于去除粘附在接觸針清潔器與之接觸的設(shè)備接觸面上的外界物質(zhì)的清潔片設(shè)置在用于去除粘附在設(shè)備的電導(dǎo)測(cè)試接觸針上的外界物質(zhì)的元件(以下稱作接觸針清潔器)的一個(gè)表面上。此外,本發(fā)明提供一種清潔元件,其是用于電導(dǎo)測(cè)試設(shè)備的清潔元件,且其中用于去除粘附在設(shè)備電導(dǎo)測(cè)試接觸針上的外界物質(zhì)的元件(下文稱為接觸針清潔器)設(shè)置在輸運(yùn)元件的一個(gè)表面上,用于去除粘附在接觸針清潔器與之接觸的設(shè)備接觸表面上的外界物質(zhì)的清潔片設(shè)置在另一表面上。本發(fā)明的清潔元件的清潔層無(wú)特殊限制,只要其能安全地在測(cè)試設(shè)備中輸運(yùn)且其能簡(jiǎn)單地減少外界物質(zhì)即可。但是從塵埃去除特性和輸運(yùn)特性的角度考慮,需要摩擦系數(shù)不應(yīng)小于1.0,優(yōu)選地為1.2至1.8。如果摩擦系數(shù)小于1.0,可能該清潔層不能穩(wěn)定地粘附卡盤上的外界物質(zhì);而如果摩擦系數(shù)過大,可能導(dǎo)致發(fā)生輸運(yùn)故障。本發(fā)明中,清潔層的摩擦系數(shù)(μ)通過借助多功能拉伸測(cè)試儀測(cè)量不銹鋼板(50mm×50mm平板)相對(duì)于清潔層表面滑動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的摩擦阻力(F),并將此摩擦阻力和該時(shí)間中施加到該鋼板上的垂直載荷(W)代入以下方程2來計(jì)算。其中,此摩擦系數(shù)表示此處的動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)。&lt;方程2&gt;μ=F/W,其中,方程中的每個(gè)符號(hào)的含義分別表示如下。μ動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù),F(xiàn)摩擦阻力[N],W施加在鋼板上的垂直載荷[N]。此外,需要清潔層的拉伸彈性模量設(shè)置為應(yīng)不超過2000N/mm2,優(yōu)選地超過1N/mm2。如果拉伸彈性模量超過2000N/mm2,則清潔層可能不能穩(wěn)定地粘附卡盤上的外界物質(zhì);然而,如果拉伸彈性模量低于1N/mm2,則可能導(dǎo)致輸運(yùn)故障。本發(fā)明中,如果清潔層的摩擦系數(shù)和拉伸彈性模量設(shè)置在這樣的特定范圍內(nèi),則可獲得以下優(yōu)點(diǎn),即清潔層在清潔片等被輸運(yùn)時(shí)基本不具有粘性,于是該清潔層可無(wú)故障地輸運(yùn)而不會(huì)牢牢地粘在被清潔部分上。本發(fā)明中采用的接觸針清潔器的材料、形狀等無(wú)特殊限制,它們可廣泛地使用。例如,采用諸如聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、醋酸纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳二酰亞胺等的塑料膜,諸如硅的橡膠樹脂,通過將諸如氧化鋁微晶粒、碳化硅、氧化鉻等磨粒(abrasivegrain)涂覆在諸如無(wú)紡布等基體材料(背襯)上獲得的材料,但該材料不限于以上所述。類似地,該形狀可根據(jù)待清潔的IC的插座的形狀(例如硅晶片的形狀、IC芯片形狀等)以及設(shè)備的類型來適當(dāng)?shù)夭捎?。根?jù)這樣的結(jié)構(gòu),清潔片經(jīng)由普通粘結(jié)層粘在用于接觸針的清潔接觸針清潔器的或諸如各種襯底等的輸運(yùn)元件的非清潔側(cè)上,然后隨具有清潔功能的輸運(yùn)元件一起在設(shè)備中輸運(yùn),以接觸卡盤等,籍此進(jìn)行該清潔。其上設(shè)置有清潔層的輸運(yùn)元件無(wú)特定限制。例如,用于諸如半導(dǎo)體晶片、LCD、PDP等平板顯示器的襯底;用于光盤、MR頭的基板;諸如聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、醋酸纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳二酰亞胺等的塑料膜可采用。本發(fā)明提供一種制造用于各種襯底處理設(shè)備的具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,例如一種制造用于諸如半導(dǎo)體器件、平板顯示器、印刷基板等的制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等的襯底處理設(shè)備的、具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,這些設(shè)備對(duì)外界物質(zhì)非常敏感。對(duì)于制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件(下文稱為清潔元件)的方法而言,例如在清潔元件通過將清潔片粘在諸如襯底等的輸運(yùn)元件上而制造的情形下,如果比該元件形狀大的清潔片粘在該元件上,然后該清潔片沿該元件的形狀而切割(此方法在下文稱為直接切割法),則因切割鋸屑在切割該片時(shí)從清潔層等產(chǎn)生,然后粘到該清潔元件和設(shè)備上,所以導(dǎo)致問題。此外,在清潔元件通過將提前加工成元件形狀的條形清潔片(labelcleaningsheet)粘結(jié)到輸運(yùn)元件上來制造的情況下,在加工該條的過程中切割鋸屑的產(chǎn)生可相對(duì)于直接切割法而得到抑制。但是,切割該條形片必須提前進(jìn)行,增加了操作步驟,于是清潔元件的制造變得麻煩,因而降低了工作能力。鑒于此情形,本發(fā)明的目的是提供一種制造清潔元件的方法,該元件能在襯底處理設(shè)備中無(wú)故障地輸運(yùn),且可簡(jiǎn)單且穩(wěn)定地去除粘附的外界物質(zhì),且還不在通過直接切割法切割該片的過程中產(chǎn)生切割鋸屑。為了實(shí)現(xiàn)以上目的,作為早期研究結(jié)果,本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),如果清潔層由粘結(jié)劑形成,且如果清潔層的聚合/固化反應(yīng)在清潔片被切成輸運(yùn)元件的形狀之后進(jìn)行,則能無(wú)故障地簡(jiǎn)單地去除外界物質(zhì)的清潔元件可得以制造,而不產(chǎn)生以上問題,因此完成本發(fā)明,其中該粘結(jié)劑在清潔元件通過直接切割法通過將清潔片粘到諸如襯底等的輸運(yùn)元件上來制造清潔元件而制造時(shí)借助作用能量聚合/固化。即,本發(fā)明還提供一種制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其用于通過普通粘結(jié)層將清潔片粘到輸運(yùn)元件上而具有比輸運(yùn)元件的形狀大的形狀,然后沿輸運(yùn)元件的形狀切割清潔片,該清潔片中由借助作用能量聚合/固化的粘結(jié)劑形成的清潔層設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,普通粘結(jié)層設(shè)置在其另一個(gè)表面上,其中,該清潔層的聚合/固化反應(yīng)在清潔片被切割成輸運(yùn)元件的形狀后進(jìn)行。在本發(fā)明的輸運(yùn)元件的制造方法中,清潔層必須由通過作用能量聚合/固化的粘結(jié)劑形成,且該清潔層的聚合/固化反應(yīng)必須在切割清潔片之后進(jìn)行。這是因?yàn)椋绻鍧崒拥木酆?固化反應(yīng)先于清潔片的切割而進(jìn)行,則該清潔層因交聯(lián)反應(yīng)而具有高的彈性模量,且大量的切割鋸屑在切割中產(chǎn)生并粘附到清潔元件和設(shè)備上。為了不在切割該清潔片時(shí)從清潔層上產(chǎn)生切割鋸屑,需要清潔層的拉伸彈性模量(JISK7127測(cè)量法)不超過1N/mm2,優(yōu)選地不超過0.1N/mm2。切割該清潔片時(shí)由清潔層產(chǎn)生切割鋸屑可通過將拉伸彈性模量設(shè)置為低于該特定值來抑制,于是可通過直接切割法制造其上未粘附切割鋸屑的清潔元件。此外,如果將聚合/固化的粘結(jié)劑用作清潔層,則其粘性通過切割清潔片之后聚合/固化該清潔層而基本從該清潔層上喪失。于是可以獲得的優(yōu)點(diǎn)是可提供一種清潔元件,其在輸運(yùn)清潔元件的過程中從不牢牢地接觸設(shè)備的接觸部分,并能可靠地輸運(yùn)。在本發(fā)明中,由于交聯(lián)反應(yīng)和固化通過以上的作用能量促進(jìn),所以需要該清潔片在該片的切割之后的拉伸彈性模量不低于10N/mm2,優(yōu)選地為10至2000N/mm2。如果此拉伸彈性模量超出2000N/mm2,則去除粘附在輸運(yùn)系統(tǒng)上的外界物質(zhì)的性能下降;但是如果拉伸彈性模量小于10N/mm2,則清潔層可能在輸運(yùn)中粘在設(shè)備的清潔部分上,導(dǎo)致輸運(yùn)困難。在根據(jù)本發(fā)明的清潔元件制造方法中,采用如下的清潔片,其中,由通過作用能量聚合/固化的粘結(jié)劑形成的清潔層設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,而普通粘結(jié)層設(shè)置在其另一表面上。本發(fā)明將基于以下的例子進(jìn)行說明,擔(dān)本發(fā)明不局限于這些例子。以下,術(shù)語(yǔ)“份”是指重量份數(shù)。例1通過均勻地混合50份聚乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯、50份尿烷丙烯酸酯、3份苯甲基二甲基縮酮、以及3份聯(lián)苯甲烷二異氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,普通粘結(jié)層由涂覆粘結(jié)劑溶液到250mm寬25μm厚的聚酯基體材料膜的一個(gè)表面上以在干燥后具有10μm的厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜(releasingfilm)粘在該表面上,其中該粘結(jié)劑溶液以相同的方法獲得,其不同在于從以上粘結(jié)劑中去除了苯甲基二甲基縮酮。粘結(jié)層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液涂覆在基體材料膜的另一側(cè)上以具有40μm的干燥厚度來制成為該清潔層,籍此,類似的釋放膜涂在該表面上。本發(fā)明的清潔片通過輻照中心波長(zhǎng)為365nm的、總光量為1000mJ/cm2的紫外線到此片上而獲得。當(dāng)表面電阻率通過表面電阻率測(cè)量裝置(MitsubishiChemicalIndustriesLtd.公司制造的MCP-UP450型),在23℃的溫度下和60%的濕度下,在此清潔片的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離后,經(jīng)由該清潔層而測(cè)量時(shí),如果該表面電阻率超過9.99×1013Ω/□,則不可能測(cè)量表面電阻率。此外,當(dāng)清潔層側(cè)上的粘結(jié)層涂在硅晶片的鏡面上以具有10mm寬度,且然后硅晶片的180°松脫的粘結(jié)力基于JISZ0237測(cè)量時(shí),得到0.078N/10mm。具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片通過將此清潔片的普通粘結(jié)層側(cè)上的釋放膜剝離,然后將此膜通過手動(dòng)輥粘到8英寸硅晶片的背面(鏡面)上而制造。相比之下,當(dāng)去除襯底處理設(shè)備的兩個(gè)晶片級(jí)(waferstage),然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸不小于0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸的一個(gè)區(qū)域內(nèi)數(shù)出25000個(gè)外界物質(zhì),且在其另一個(gè)區(qū)域中數(shù)出22000個(gè)外界物質(zhì)。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片輸運(yùn)到具有其上粘附有25000個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,當(dāng)去除該晶片級(jí),且然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸超過0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸中數(shù)出了6200個(gè)外界物質(zhì)。于是,清潔前粘附的外界物質(zhì)在數(shù)量上可去除3/4或更多。比較例1當(dāng)清潔片除了在清潔層的粘結(jié)層中加入了5份添加劑(MitsubishiChemicalIndustriesLtd.公司制造,產(chǎn)品名為V-SQ-S6)外,以與例1相同的方法制造,且然后以相同的方法測(cè)量清潔層的表面電阻率時(shí),得到5.5×1011Ω/□,該添加劑在側(cè)鏈上具有帶導(dǎo)電功能的第四類銨鹽。此外,當(dāng)測(cè)量清潔層的粘結(jié)層對(duì)硅晶片的粘結(jié)力時(shí),得到0.33N/10mm。當(dāng)以與例1相同的方法由此清潔片制造的輸運(yùn)清潔晶片輸運(yùn)到具有其上粘附有22000個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備中時(shí),晶片可無(wú)困難地輸運(yùn)。然后,在除去該晶片級(jí)并用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸不小于0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸中數(shù)出了20000個(gè)外界物質(zhì)。于是,清潔前粘附的外界物質(zhì)在數(shù)量上只能被去除約1/11。例2通過均勻地混合150份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorol-hexaacrylate)(NipponSyntheticChemicalIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名為UV1700B)、5份苯甲基二甲基酮環(huán)己醇(benzyldimethylketanol)、以及3份聯(lián)苯甲烷二異氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,粘結(jié)劑溶液以與以上相同的方法得到,除了從以上粘結(jié)劑中去除了苯甲基二甲基酮環(huán)己醇外。普通粘結(jié)層由涂覆以上粘結(jié)劑溶液到250mm寬25μm厚的作為基體材料的聚對(duì)苯二甲酸乙酯的一個(gè)表面上以具有10μm的干燥厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜涂在該表面上。此外,該粘結(jié)層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液涂覆在基體材料膜的另一側(cè)上以具有20μm的干燥厚度來制備成該清潔層,籍此,類似的釋放膜涂在該表面上。本發(fā)明的清潔片A通過輻照中心波長(zhǎng)為365nm的、總光量為2000mJ/cm2的紫外線到此片上而獲得。當(dāng)此清潔片的清潔層的相對(duì)介電常數(shù)通過LCR儀(HewlettPackardCo.,Ltd.公司的4284A型)在1MHz測(cè)量時(shí),獲得2.8。例3本發(fā)明的清潔片B通過將普通粘結(jié)層以與例2相同的方法設(shè)置在其相對(duì)介電常數(shù)為3.2的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜(250mm寬,25μm厚)的一個(gè)表面上,然后將類似的釋放膜涂在該表面上而獲得。具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片A和B通過將所得清潔片A和B的普通粘結(jié)層側(cè)上的釋放膜剝離,然后將此膜通過手動(dòng)輥粘到8英寸硅晶片的背面(鏡面)上而制造。相比之下,當(dāng)用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)三片新的8英寸硅晶片的鏡面上的尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在第一片上數(shù)出了11個(gè)外界物質(zhì),在第二片上數(shù)出了10個(gè)外界物質(zhì),并在第三片上數(shù)出了8個(gè)外界物質(zhì)。當(dāng)這些晶片輸運(yùn)到具有分立靜電吸引機(jī)構(gòu)的襯底處理設(shè)備內(nèi)并將該鏡面朝向下方,然后通過激光外界物質(zhì)測(cè)量設(shè)備測(cè)量鏡面時(shí),分別在8英寸晶片尺寸的區(qū)域內(nèi)數(shù)出32004、25632和27484個(gè)外界物質(zhì)。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片A、B的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片被輸運(yùn)到具有其上分別粘附有32004個(gè)和27484個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,其上粘附有尺寸不小于0.2μm的10個(gè)和13個(gè)外界物質(zhì)的新的8英寸硅晶片得以輸運(yùn),同時(shí)將其鏡面朝向下方,且然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸不小于0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)。此過程進(jìn)行5次,結(jié)果示于表1。比較例3清潔片C以與例3相同的方法獲得,不同之處在于將相對(duì)介電常數(shù)為2.0的聚四氟乙烯用作例3中的薄膜。以與例3相同的方法由清潔片制造的輸運(yùn)清潔晶片C被輸運(yùn)到具有其上粘附有25632個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)。此操作如例3那樣重復(fù)5次,結(jié)果示于表1。表1外界物質(zhì)去除率輸運(yùn)1片輸運(yùn)2片輸運(yùn)3片輸運(yùn)4片輸運(yùn)5片例284%90%96%96%96%晶片A例369%72%73%73%75%晶片B比較例319%20%19%21%21%晶片C例4通過均勻地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Nkester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名U-N-01)、3份聚異氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名ColonateL)、以及作為光聚合引發(fā)劑的3份苯甲基二甲基縮酮(Chiba-SpecialityChemicalsCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Illugacure651)到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,普通粘結(jié)層由涂覆粘結(jié)劑溶液到250mm寬25μm厚的聚酯基體材料膜的一個(gè)表面上以具有10μm的干燥厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜涂在該表面上,其中該粘結(jié)劑溶液以相同的方法獲得,其不同在于從以上粘結(jié)劑溶液A中去除了作為光聚合引發(fā)劑的苯甲基二甲基縮酮。然后,該粘結(jié)層作為清潔層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液A涂覆在基體材料膜的另一側(cè)上以具有10μm的干燥厚度來制備,籍此,類似的釋放膜涂在該表面上。本發(fā)明的清潔片通過輻照中心波長(zhǎng)為365nm的、總光量為1000mJ/cm2的紫外線到此片上而獲得。然后,在此清潔片的清潔層側(cè)上的釋放膜被剝離。清潔層的測(cè)出的表面自由能為40.1mJ/m2,測(cè)出的相對(duì)于水的接觸角為78.2度。具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片通過將此清潔片的普通粘結(jié)層側(cè)上的釋放膜剝離,然后將此膜通過手動(dòng)輥粘到8英寸硅晶片的背面(鏡面)上而制造。相比之下,當(dāng)去除襯底處理設(shè)備的兩個(gè)晶片級(jí),然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸不小于0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸的一個(gè)區(qū)域內(nèi)數(shù)出25000個(gè)外界物質(zhì),且在其另一個(gè)區(qū)域中數(shù)出23000個(gè)外界物質(zhì)。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片被輸運(yùn)到具有其上粘附有25000個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,當(dāng)去除該晶片級(jí),且用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸超過0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸中數(shù)出了4800個(gè)外界物質(zhì)。于是,清潔前粘附的外界物質(zhì)在數(shù)量上可去除4/5或更多。比較例4清潔片以與例4的相同方法形成,不同在于采用了一種紫外線固化粘結(jié)劑溶液B,其通過均勻地混合100份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorolhexaacrylate)(NipponSyntheticChemicalIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名為UV1700B)、3份聚異氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名ColonateL)、以及作為光聚合引發(fā)劑的10份苯甲基二甲基縮酮(Chiba-SpecialityChemicalsCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Illugacure651)到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為2800000)中形成,該丙烯酸聚合物由30份丙烯酸-2-乙烷基已基、70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。清潔層的測(cè)出的表面自由能為24.6mJ/m2,測(cè)出的相對(duì)于水的接觸角為82.3度。然后,通過與例4中相同的方式獲得的輸運(yùn)清潔晶片輸運(yùn)到具有其上粘附有23000個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,當(dāng)去除該晶片級(jí),且用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸超過0.3μm的外界物質(zhì)的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在8英寸硅晶片尺寸中數(shù)出了20000個(gè)外界物質(zhì)。于是,清潔前粘附的外界物質(zhì)在數(shù)量上僅可去除約1/8。例5通過均勻地混合150份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorol-hexaacrylate)(NipponSyntheticChemicalIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名為UV1700B)、5份苯甲基二甲基酮環(huán)己醇、以及3份聯(lián)苯甲烷二異氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,普通粘結(jié)層由涂覆粘結(jié)劑溶液到250mm寬、70μm厚且拉伸強(qiáng)度為250MPa的聚對(duì)苯二甲酸乙酯基體材料膜的一個(gè)表面上以具有10μm的干燥厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜涂在該表面上,該粘結(jié)劑溶液以相同的方法得到,除了從以上粘結(jié)劑中去除了苯甲基二甲基縮酮外。該清潔層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液涂覆在基體材料膜的另一側(cè)上以具有40μm的干燥厚度來制備,籍此,類似的釋放膜涂在該表面上。中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線以2000mJ/cm2的總光量從清潔層側(cè)照射到此片上,然后剝離清潔層側(cè)上的釋放膜,然后在大氣中通過采用熱永久極化法將清潔層插入到電極之間,然后在100℃的溫度下施加20kV的電壓,然后在施加電壓保持不變的同時(shí)將清潔層冷卻到40℃,然后終止施加電壓,以將清潔層形成為駐極體。當(dāng)表面電勢(shì)通過靜電測(cè)量裝置(SimcoJapanCo.Ltd.公司制造的FMX002型)以20mm的電極樣品間距,在25℃和55%RH(相對(duì)濕度)的條件下測(cè)量時(shí),得到15kV。此外,清潔層的表面基本不具有粘性,且清潔層在紫外線固化后的拉伸彈性模量為1980N/mm2。具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片通過將所得清潔片的普通粘結(jié)層側(cè)上的釋放膜剝離,然后將此膜通過手動(dòng)輥粘到8英寸硅晶片的背面(鏡面)上而制造。相比之下,當(dāng)用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)兩片新的8英寸硅晶片的鏡面上的尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在第一片上數(shù)出了11個(gè)外界物質(zhì),在第二片上數(shù)出了10個(gè)外界物質(zhì)。當(dāng)這些晶片輸運(yùn)到具有分立靜電吸引機(jī)構(gòu)的襯底處理設(shè)備內(nèi)并將該鏡面朝向下方,然后通過激光外界物質(zhì)測(cè)量設(shè)備測(cè)量鏡面時(shí),分別在8英寸晶片尺寸的區(qū)域內(nèi)數(shù)出32004、和25632個(gè)外界物質(zhì)。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片輸運(yùn)到具有其上分別粘附有32004個(gè)和27484個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,其上粘附有尺寸大于0.2μm的10個(gè)外界物質(zhì)的新的8英寸硅晶片得以輸運(yùn),同時(shí)將其鏡面朝向下方,且然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)。此過程進(jìn)行5次,結(jié)果示于表2。比較例5其中除了在例5的清潔片內(nèi)的清潔層中加入了20份添加劑(MitsubishiChemicalIndustriesLtd.公司制造,產(chǎn)品名為V-SQ-S6)外,清潔片以與例5相同的方法制造,該添加劑在側(cè)鏈上具有帶導(dǎo)電功能的第四類銨鹽。清潔層的在如例5那樣輻照紫外線后測(cè)量的表面電勢(shì)為0.04kV,且拉伸彈性模量為1720N/mm2。與例5相同,以與例5相同的方法由清潔片制造的輸運(yùn)清潔晶片在具有其上粘附有25632個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)運(yùn)行5次。結(jié)果示于表2。表2外界物質(zhì)去除率輸運(yùn)1片輸運(yùn)2片輸運(yùn)3片輸運(yùn)4片輸運(yùn)5片例584%90%96%96%96%比較例520%23%23%30%31%例6通過均勻地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Nkester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名U-N-01)、3份聚異氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名ColonateL)、以及作為光聚合引發(fā)劑的3份苯甲基二甲基縮酮(Chiba-SpecialityChemicalsCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Illugacure651)到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基己基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,普通粘結(jié)層由涂覆粘結(jié)劑溶液到250mm寬25μm厚的聚酯基體材料膜的一個(gè)表面上以具有10μm的干燥厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜涂在該表面上,其中該粘結(jié)劑溶液以相同的方法獲得,其不同在于從以上粘結(jié)劑溶液A中去除了作為光聚合引發(fā)劑的苯甲基二甲基縮酮。然后,該粘結(jié)層作為清潔層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液A涂覆在基體材料膜的另一側(cè)上以具有10μm的干燥厚度來制備,籍此,類似的釋放膜涂在該表面上。本發(fā)明的清潔片通過輻照中心波長(zhǎng)為365nm的、總光量為1000mJ/cm2的紫外線到此片上而獲得。然后,在此清潔片的清潔層側(cè)上的釋放膜被剝離,清潔層在紫外線固化之后的摩擦系數(shù)為1.7,清潔層在紫外線固化后的拉伸彈性模量為50N/mm2。此處,通過在9.8N的垂直載荷下,在300mm/min的速度下,沿平行于清潔層表面的預(yù)定方向移動(dòng)50mm×50mm的不銹鋼板,然后通過多功能拉伸測(cè)量?jī)x測(cè)量該時(shí)候產(chǎn)生的摩擦阻力,計(jì)算出摩擦系數(shù)。此外,拉伸彈性模量基于JISK7127測(cè)量法測(cè)量。具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片通過將此清潔片的普通粘結(jié)層側(cè)上的釋放膜剝離,然后將此膜通過手動(dòng)輥粘到作為用于8英寸硅晶片形的接觸針清潔元件的接觸針清潔器(PASSCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名為Passchip)的背面(非清潔面)上而制造。然后,當(dāng)通過將清潔元件的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,并在半導(dǎo)體制造中作為導(dǎo)電測(cè)試裝置的晶片探測(cè)器中模擬輸運(yùn)來清潔接觸針和清潔卡盤時(shí),清潔層根本不與接觸部分強(qiáng)烈接觸,于是清潔層可無(wú)困難地輸運(yùn)。此外,當(dāng)隨后用顯微鏡觀察接觸針時(shí),清潔前粘附在接觸針上的諸如氧化物等的外界物質(zhì)被消除了,且其清潔可檢查。此外,清潔前在卡盤上出現(xiàn)的約1mm大小的硅廢物等可完全清除,且其清潔可發(fā)現(xiàn)。然后,當(dāng)輸運(yùn)25片產(chǎn)品晶片以進(jìn)行實(shí)際測(cè)試時(shí),該過程可得以進(jìn)行而不導(dǎo)致問題。例7通過均勻地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名NKester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-NakamuraChemicalCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名U-N-01)、3份聚異氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名ColonateL)、以及作為光聚合引發(fā)劑的3份苯甲基二甲基縮酮(Chiba-SpecialityChemicalsCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Illugacure651)到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為700000)中形成紫外線固化粘結(jié)劑溶液A,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。相反,普通壓敏粘結(jié)劑溶液A以與以上相同的方法獲得,除了將苯甲基二甲基酮環(huán)己醇從以上粘結(jié)劑中除去以外。普通粘結(jié)層由涂覆以上壓敏粘結(jié)劑溶液A到250mm寬25μm厚的聚酯基體材料膜的一個(gè)表面上以具有10μm的干燥厚度而制備,從而38μm厚的聚酯釋放膜涂在該表面上。此外,該粘結(jié)層通過將以上紫外線固化粘結(jié)劑溶液A涂覆在基體材料的另一側(cè)上以具有30μm的干燥厚度來制備成清潔層,籍此類似的釋放膜涂在該表面上。于是清潔片A得以制造。當(dāng)測(cè)量此紫外線固化粘結(jié)劑溶液A的拉伸彈性模量(JISK7127測(cè)量方法)時(shí),如果固化反應(yīng)通過紫外線來進(jìn)行,則得到0.1N/mm2,而在中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線輻照達(dá)1000mJ/cm2的總光量后,得到49N/mm2。通過利用此清潔片A,該片通過直接切割系統(tǒng)條帶粘著劑(NittoSeikiCo.,Ltd.公司制造的NEL-DR8500II)粘在晶片上。此時(shí),片A粘在8英寸硅晶片的背面(鏡面)上,然后通過直接切割切成晶片的形狀。當(dāng)連續(xù)進(jìn)行對(duì)25片的此操作時(shí),切割鋸屑在切割該片時(shí)根本不產(chǎn)生。然后,具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片A通過將中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線照射在5片這些晶片上直到1000mJ/cm2的總光量而得以制成。相比之下,當(dāng)用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)4片新的8英寸硅晶片的鏡面上尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí),在第一片上數(shù)出8個(gè)外界物質(zhì),在第二片上數(shù)出11個(gè)外界物質(zhì),在第三片上數(shù)出9個(gè)外界物質(zhì),且在在第四片上數(shù)出5個(gè)外界物質(zhì)。當(dāng)這些晶片輸運(yùn)到具有分立靜電吸引機(jī)構(gòu)的襯底處理設(shè)備內(nèi)并將該鏡面朝向下方,然后通過激光外界物質(zhì)測(cè)量設(shè)備測(cè)量鏡面時(shí),分別在8英寸晶片尺寸的第一、第二、第三和第四區(qū)域內(nèi)數(shù)出31254、29954、28683和27986個(gè)外界物質(zhì)。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片A的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片輸運(yùn)到具有其上粘附有31254個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,其上粘附有10個(gè)尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)的新的8英寸硅晶片得以輸運(yùn),且將鏡面朝向下方,然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸超過0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)。此操作重復(fù)5次,結(jié)果示于表3。例8清潔片B以與例7相同的方法形成,不同在于紫外線固化粘結(jié)劑溶液B,其通過均勻地混合100份多功能尿烷丙烯酸酯(NipponSyntheticChemicalIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名為UV1700B)、3份聚異氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustry,Co.,Ltd公司制造,產(chǎn)品名ColonateL)、以及作為光聚合引發(fā)劑的10份苯甲基二甲基縮酮(Chiba-SpecialityChemicalsCo.,Ltd.公司制造,產(chǎn)品名Illugacure651)到100份丙烯酸聚合物(加權(quán)平均分子量為2800000)中而形成為紫外線固化粘結(jié)劑,該丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸構(gòu)成的單體混合溶液獲得。當(dāng)測(cè)量此紫外線固化粘結(jié)劑B的拉伸彈性模量時(shí),在固化前則得到0.01N/mm2,而在中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線輻照達(dá)1000mJ/cm2的總光量后,得到1440N/mm2。當(dāng)25片具有該片的晶片通過直接切割系統(tǒng)利用此清潔片B如例7那樣形成時(shí),切割鋸屑在切割該片時(shí)根本不產(chǎn)生。然后,具有清潔功能的輸運(yùn)清潔晶片B通過將中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線照射在5片該些晶片上直到1000mJ/cm2的總光量而得以制成。然后,當(dāng)所得的輸運(yùn)清潔晶片B的清潔層側(cè)上的釋放膜剝離,且然后該晶片輸運(yùn)到具有其上粘附有以上29954個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),該晶片可無(wú)故障地輸運(yùn)。然后,其上粘附有10個(gè)尺寸大于0.2μm的外界物質(zhì)的新的8英寸硅晶片得以輸運(yùn),且將鏡面朝向下方,然后用激光外界物質(zhì)測(cè)量裝置對(duì)尺寸超過0.2μm的外界物質(zhì)進(jìn)行計(jì)數(shù)。此操作重復(fù)5次,結(jié)果示于表3。比較例7當(dāng)具有清潔片的晶片通過直接切割系統(tǒng)類似地制造,不同之處在于清潔片C在例7中晶片粘到清潔片A上之前通過將中心波長(zhǎng)為365nm的紫外線照射達(dá)1000mJ/cm2的總光量而形成時(shí),在切割該清潔片的過程中由清潔層產(chǎn)生大量的切割鋸屑。于是,許多切割鋸屑粘到具有清潔片的晶片的邊緣上、晶片的背面上、以及條帶粘結(jié)裝置上。因此,具有清潔片的晶片C的制造被中斷。比較例8清潔片D按與例7相同的方法制造,不同在于例8所示的壓敏粘結(jié)劑溶液A被用作清潔層的粘結(jié)劑。在此情形下,清潔層的拉伸彈性模量為0.1N/mm2。當(dāng)具有清潔片的晶片通過直接切割系統(tǒng)按與例7相同的方法由清潔片D制造時(shí),在切割清潔片的過程中未產(chǎn)生切割鋸屑,于是可制造25片晶片。當(dāng)這些輸運(yùn)清潔晶片D輸運(yùn)至具有其上粘附有27986個(gè)外界物質(zhì)的晶片級(jí)的襯底處理設(shè)備內(nèi)時(shí),第一晶片粘附在該晶片級(jí)上,于是不能輸運(yùn)。表3外界物質(zhì)去除率輸運(yùn)1片輸運(yùn)2片輸運(yùn)3片輸運(yùn)4片輸運(yùn)5片例785%92%96%96%96%例870%75%83%83%83%比較例7(清潔晶片的制造終止)比較例8輸運(yùn)困難輸運(yùn)終止輸運(yùn)終止輸運(yùn)終止輸運(yùn)終止發(fā)生工業(yè)應(yīng)用如上所述,根據(jù)本發(fā)明的清潔片,襯底可在襯底處理設(shè)備中無(wú)故障地輸運(yùn),還可簡(jiǎn)單地減少粘附在設(shè)備上的外界物質(zhì)。雖然本發(fā)明已經(jīng)較為具體地參照其優(yōu)選方式進(jìn)行了說明,但是應(yīng)當(dāng)理解的是,在不脫離本發(fā)明的如權(quán)利要求所述的精神和范圍的情況下,可在結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)上、在各部分的組合和布置上對(duì)當(dāng)前的優(yōu)選方式的公開進(jìn)行改變。權(quán)利要求1.一種清潔片,包括具有不低于1×1013Ω/□的表面電阻率的清潔層。2.如權(quán)利要求1所述的清潔片,還包括支撐所述清潔層的基體材料。3.如權(quán)利要求1所述的清潔片,還包括一基體材料,其具有其上設(shè)置有所述清潔層的一個(gè)表面;以及一普通粘結(jié)層,其設(shè)置在所述基體材料的另一表面上。4.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,該清潔層的相對(duì)介電常數(shù)大于2.0。5.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,該清潔層的表面自由能不低于30mJ/m2。6.如權(quán)利要求5所述的清潔片,其中,清潔層相對(duì)于水的接觸角不大于90度。7.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,該清潔層的表面電勢(shì)超過10kV。8.如權(quán)利要求7所述的清潔片,其中,該清潔層通過熱永久極化法形成為駐極體。9.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,該清潔層基本不具有粘性。10.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,該清潔層的根據(jù)JISK7127測(cè)量方法的拉伸彈性模量為1至3000N/mm2。11.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,清潔層由通過作用能量固化的粘結(jié)層形成。12.一種具有清潔功能的輸運(yùn)元件,該元件中,如權(quán)利要求3所述的清潔片通過一普通粘結(jié)層設(shè)置到輸運(yùn)元件上。13.一種襯底處理設(shè)備清潔方法,其將如權(quán)利要求1所述的清潔片或如權(quán)利要求12所述的輸運(yùn)元件輸運(yùn)到一襯底處理設(shè)備中。14.一種清潔元件,其是一種用于電導(dǎo)測(cè)量設(shè)備的清潔元件,且其中如權(quán)利要求1所述的用于去除粘附在設(shè)備的、有一個(gè)接觸針清潔器與之接觸的接觸表面上的外界物質(zhì)的清潔片設(shè)置在用于清除粘附在設(shè)備電導(dǎo)測(cè)量接觸針上的外界物質(zhì)的元件的一個(gè)表面上。15.一種清潔元件,其是一種用于電導(dǎo)測(cè)量設(shè)備的清潔元件,且其中用于去除粘附在設(shè)備的電導(dǎo)測(cè)量接觸針上的外界物質(zhì)的接觸針清潔器設(shè)置在一輸運(yùn)元件的一個(gè)表面上,且如權(quán)利要求1所述的用于去除粘附在設(shè)備的、該接觸針清潔器與之接觸的一個(gè)接觸表面上的外界物質(zhì)的清潔片設(shè)置在另一表面上。16.如權(quán)利要求14和15中的任一項(xiàng)所述的清潔元件,其中,在該清潔片中,一普通粘結(jié)層設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,且用于去除粘附在設(shè)備的、該接觸針清潔器與之接觸的接觸表面上的外界物質(zhì)的清潔層設(shè)置在另一表面上。17.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,清潔層的摩擦系數(shù)不小于1.0。18.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,清潔層由通過作用能量固化的粘結(jié)層形成。19.如權(quán)利要求1所述的清潔片,其中,如權(quán)利要求18所述的粘結(jié)層是包括壓敏粘結(jié)聚合物、在分子中具有一個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的聚合不飽和化合物、以及聚合引發(fā)劑的一種固化粘結(jié)劑。20.一種電導(dǎo)測(cè)量?jī)x清潔方法,其將如權(quán)利要求14和15中的任一項(xiàng)所述的清潔元件輸運(yùn)到電導(dǎo)測(cè)量?jī)x中。21.一種制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,用于將清潔片借助一普通粘結(jié)層粘到該輸運(yùn)元件上以具有比該輸運(yùn)元件的形狀大的形狀,然后沿該輸運(yùn)元件的形狀切割該清潔片,在該清潔片中由借助作用能量聚合/固化的粘結(jié)劑形成的清潔層設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,且一普通粘結(jié)層設(shè)置在其另一表面上,其中,該清潔層的聚合/固化反應(yīng)在該清潔片被切割成該輸運(yùn)元件的形狀后進(jìn)行。22.如權(quán)利要求21所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其中,采用其中的清潔層由包括壓敏粘結(jié)聚合物、分子中具有一個(gè)或多個(gè)不飽和雙鍵的聚合不飽和化合物、以及聚合引發(fā)劑的固化粘結(jié)劑形成的清潔片。23.如權(quán)利要求22所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其中,壓敏粘結(jié)聚合物由包括(甲基)丙烯酸烴基酯的作為主要單體的丙烯酸聚合物形成。24.如權(quán)利要求22所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其中,如權(quán)利要求22所述的聚合引發(fā)劑是光聚合引發(fā)劑,且清潔層是光固化粘結(jié)層。25.如權(quán)利要求21所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其中,在切割該清潔片的過程中,該清潔層的根據(jù)JISK7127測(cè)量方法的拉伸彈性模量不超過1N/mm2。26.如權(quán)利要求21所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法,其中,在聚合/固化后,該清潔層的根據(jù)JISK7127測(cè)量方法的拉伸彈性模量不低于10N/mm2。27.一種清潔片,其在如權(quán)利要求21所述的制造具有清潔功能的輸運(yùn)元件的方法中得以采用,其中,由借助作用能量聚合/固化的粘結(jié)劑形成的清潔層設(shè)置在基體材料的一個(gè)表面上,且一普通粘結(jié)層設(shè)置在另一表面上,且該清潔層處于未固化狀態(tài)。全文摘要一種清潔片,包括具有不低于1×10文檔編號(hào)B08B7/00GK1440314SQ01812486公開日2003年9月3日申請(qǐng)日期2001年5月8日優(yōu)先權(quán)日2000年7月14日發(fā)明者并河亮,寺田好夫,豐田英志申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社
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