專利名稱：減少背部顆粒的技術的制作方法
技術領域：
0002本公開主要涉及半導體制造設備，并且，更具體地涉及減少 背部顆粒的技術。
背景技術：
0003微電子產(chǎn)品的制造，諸如微處理器、集成電路(IC)和其它
微型器件，需要低水平的污染物(諸如，灰塵、浮質(zhì)顆?；蚧瘜W蒸汽)
的潔凈環(huán)境。通常通過把半導體制造設備安置在絕對無塵室內(nèi)并控制
設備內(nèi)部的污物來提供這樣的清潔環(huán)境。隨著現(xiàn)代微電子學特征尺寸
的日益縮小，過去數(shù)量可以忽略的污物顆?，F(xiàn)在會對生產(chǎn)產(chǎn)量以及器
件性能造成不良影響。0004為了使污染最小化，半導體制造設備內(nèi)的工藝空間經(jīng)常保持
在高或超高真空水平。盡管如此，即使在相對高的真空水平，仍然會
存在不想要的污染物，并且會污染在其內(nèi)所處理的半導體晶片。例如，
在裝備有靜電夾具(ESC)的自動化系統(tǒng)中，污物顆粒會因為正常的磨
損而由ESC本身產(chǎn)生。此外，污物顆粒還可從其它來源傳遞給ESC，通
常是自動晶片處理系統(tǒng)的其它部分，諸如，拾取臂襯墊、定位器襯墊、
通道盒(pass-through cassette)以及緩沖機器人末端操作器。這些
污物顆粒可被傳遞給半導體晶片，通常傳遞到背部上。因此，這些污
物顆粒經(jīng)常稱為背部顆粒(BSP)。
0005廣泛公知的是通過使用諸如TexWipe 609的預濕半導體抹 布擦拭晶片平臺表面來清潔ESC晶片平臺。盡管如此，這樣的清潔方 法經(jīng)常提高而非降低BSP水平。在一個實驗中，發(fā)現(xiàn)200 mm的ESC在清潔之前所具有的BSP水平是17, 870個顆粒。在用TexWipe 609擦 拭布清潔之后，BSP水平上升到70,000個顆粒。BSP水平的提高可歸 因于擦拭布表面織構和ESC晶片平臺表面微觀結構之間的相互作用。 在相似的實驗中，對TexWipe丁M Alpha 10和MimWipe 等其它半導 體擦拭布進行了評估，并發(fā)現(xiàn)了相似的結果。
0006此外，手動擦拭組件的方法經(jīng)常要求每次清潔時打開真空室， 并且此后真空必須重建真空。這一過程不僅耗時，而且顯著增加了操 作成本。
0007用去離子(DI)水和半導體擦拭布手工清潔真空工藝室也是 廣泛公知的。例如，可以使用以DI水沾濕的半導體擦拭布手工徹底擦 拭工藝室。替代性地，可以向工藝室內(nèi)手工噴灑DI水，接著是手動擦 拭步驟，以清除顆粒。盡管如此，人們還沒有嘗試使用DI水手工噴灑 ESC晶片平臺表面，原因是害怕在靜電夾持過程中損壞接觸半導體晶片 的ESC表面涂層。
0007A有鑒于此，提供克服上述不足和缺點的污物顆粒清除方法是 眾望所歸的。

發(fā)明內(nèi)容
0008本發(fā)明公開了一種減少背部顆粒的技術。在一個具體的示例 性實施例中，這一技術可以作為減少背部顆粒的裝置來實現(xiàn)。該裝置 可包含輸送機構，配置該輸送機構以向晶片平臺提供清潔物質(zhì)，其中 晶片平臺安置在工藝室內(nèi)。該裝置也可包含控制單元，配置該控制單 元以使得工藝室達到第一壓力水平，使得向晶片平臺表面提供清潔物 質(zhì)，并且使得工藝室達到第二壓力水平，從而把污物顆粒連同清潔物 質(zhì)從晶片平臺表面清除掉。
0009根據(jù)這一具體的示例性實施例的其它方面，在工藝室內(nèi)建立 第二壓力水平至少會使一部分清潔物質(zhì)升華，從而把污物顆粒從晶片 平臺表面上清除掉。
0010根據(jù)這一具體的示例性實施例的另外方面，晶片平臺可以是 具有復合表面涂層的靜電夾具。0011根據(jù)這一具體的示例性實施例的額外方面，裝置可包含把潔 凈的晶片傳遞到晶片平臺上、然后從晶片平臺上傳遞潔凈的晶片的晶 片傳遞機構，從而把污染物顆粒從晶片平臺表面上清除掉。
0012根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，輸送機構可包含 噴嘴和驅(qū)動部件?？梢耘渲抿?qū)動組件以把噴嘴定位在緊鄰晶片平臺表 面的位置。而且可以配置控制單元以使噴嘴用清潔物質(zhì)噴灑晶片平臺 的表面。此外，噴嘴可以是鉸接噴嘴。噴嘴可以定位在晶片平臺表面 上方大約六英寸的位置。進一步地，控制單元能夠使驅(qū)動部件將噴嘴 掃拂過晶片平臺表面，從而把清潔物質(zhì)的基本均勻的涂層涂覆在表面 上。替代性地，控制單元能夠使驅(qū)動部件以相對于噴嘴的掃拂運動來 移動晶片平臺，而把清潔物質(zhì)的基本均勻的涂層涂覆到表面上。
0013根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，輸送機構可包含
定位在晶片平臺表面上方一小段距離處的平整構件，該距離很小，從 而平整元件和晶片平臺表面之間的空間使清潔物質(zhì)鋪展在表面上。
0014還是根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，清潔物質(zhì)包
含從由以下物質(zhì)組成的列表中選擇的一種或多種物質(zhì)DI水、酒精、
二氧化碳、離子化干燥空氣和離子化干燥氮氣。
0015在另一具體的示例性實施例中，這一技術可以作為減少背部 顆粒的方法來實現(xiàn)。該方法可包含將晶片平臺定位在工藝室內(nèi)的步驟。 該方法還可包含把工藝室排放至第一壓力水平的步驟。該方法可進一 步包含向晶片平臺表面提供清潔物質(zhì)的步驟。該方法可額外包含用泵 把工藝室抽吸到第二壓力水平，從而把污物顆粒連同清潔物質(zhì)從晶片 平臺表面上清除掉。
0016根據(jù)這一具體的示例性實施例的其它方面，用泵抽吸工藝室 至少可使一部分清潔物質(zhì)升華，從而把污物顆粒從晶片平臺表面上清 除掉。
0017根據(jù)這一具體的示例性實施例的另外方面，晶片平臺可以是 具有復合表面涂層的靜電夾具。
0018根據(jù)這一具體的示例性實施例的額外方面，該方法可進一步包含以掃拂圖樣把清潔物質(zhì)噴灑到晶片平臺表面上的步驟，從而把清 潔物質(zhì)的基本均勻的涂層涂敷到表面上。
0019根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，清潔物質(zhì)可包含 去離子水，并且去離子水霧可被噴灑到晶片平臺表面上，以使用去離 子水滴覆蓋表面。
0020根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，清潔物質(zhì)可包含 二氧化碳，并且可以用二氧化碳雪噴灑晶片平臺的的表面，二氧化碳 雪包含固體二氧化碳顆粒。
0021還是根據(jù)這一具體的示例性實施例的另一方面，清潔物質(zhì)可 包含離子化氣體，并且可以用離子化氣體噴灑晶片平臺表面。
0022下文將參考附圖中所示的本公開的示例性實施例對本公開進 行更為詳細的描述。盡管下文是參考示例性實施例對本公開進行描述 的，但是應該理解本公開并不局限于此。接受此處訓導的本領域內(nèi)的 普通技術人員會認識到本說明書中所描述的本公開的范圍之內(nèi)并且本 公開對其非常實用的額外實施、變更和實施例以及其它使用領域。


0023為了有助于更完整地理解本公開，現(xiàn)參考附圖，在附圖中， 同樣的編號指代同樣的元件。這些附圖不應理解為限制本公開，而僅 意在是示例性的。
0024圖1所示框圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于減少背部顆粒 的示例性系統(tǒng)。
0025圖2所示框圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于減少背部顆粒 的另一示例性系統(tǒng)。
0026圖3所示流程圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于從靜電夾具 上減少背部顆粒的示例性方法。
0027圖4所示框圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于減少背部顆粒 的示例性系統(tǒng)。
0028圖5所示框圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于減少背部顆粒 的另一示例性系統(tǒng)。
具體實施例方式
0029為了解決與用于半導體制造設備的現(xiàn)有清潔方法有關的上述 問題，本公開的實施例介紹了原位清潔技術，其有效地減少傳遞給半 導體晶片的背部顆粒?？蓪⒁环N或多種清潔物質(zhì)提供給位于工藝室內(nèi) 的晶片平臺(或其它組件)的表面。當工藝室被抽空時，可以把清潔 物質(zhì)連同晶片平臺表面上的污染物顆粒從晶片平臺(或組件)表面上 清除掉。以下描述將集中于對晶片平臺的清潔。盡管如此，應該意識
到本說明說中所描述的示例性實施例可以輕易地適于清潔半導體制
造設備中的其它組件。
0030參考圖1，所示框圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于減少背部 顆粒的示例性系統(tǒng)IOO。系統(tǒng)100可包含工藝室102，例如，其可耦合 至渦輪泵120和機械泵122。真空泵(120和122)可單獨或共同地使 工藝室102達到期望的真空水平。工藝室102可以是半導體制造設備 的一部分，并可以起到一個或多個半導體處理功能，諸如，化學氣相 沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子注入或等離子體刻蝕。
0031能夠容納一個或多個晶片的晶片平臺104可以安置在工藝室 102內(nèi)。晶片平臺104可以是自動晶片處理部件的一部分，自動晶片處 理部件能夠向臨近的室(未示出)傳遞晶片，或從臨近的室傳遞晶片。 為了自動晶片處理的目的，雖然晶片平臺104可包含通常具有復合表 面涂層的靜電夾具，但是應該理解也可使用具有或不具有復合表面涂 層的非靜電夾具。
0032系統(tǒng)100也可包含控制單元106，控制單元106可有助于控制 系統(tǒng)100的許多其它組件。系統(tǒng)100可進一步包含由控制單元106控 制并耦合至噴灑臂110的驅(qū)動部件108。在噴灑臂110的末端可以有噴 嘴112。清潔物質(zhì)源114可以通過管道116耦合至噴灑臂110，并且清 潔物質(zhì)可通過噴灑臂110輸送至噴嘴112，噴嘴112可以是鉸接的。
0033清潔物質(zhì)源114可包含一種或多種通常為液態(tài)或氣態(tài)的清潔 物質(zhì)。優(yōu)選的清潔物質(zhì)應該為容易獲得并且容易在絕對無塵室內(nèi)儲存或處理的氣體或液體。也可輸送少量優(yōu)選的清潔物質(zhì)，并且可以輕易 地把其殘余蒸氣從真空室中清除掉。典型的清潔物質(zhì)可包括但不限于: DI水、酒精、二氧化碳(例如，具有固體C02顆粒的二氧化碳雪)、離 子化干燥空氣或離子化干燥氮氣等。離子化干燥空氣或氮氣在清除由 靜電力保持在晶片平臺表面上的顆粒方面可以非常有效。例如，這些
離子化氣體可以由能夠從Ion Systems公司獲得的AirForce 離子化 風槍產(chǎn)生。根據(jù)一些實施例，利用兩種或更多種清潔物質(zhì)的組合來實 現(xiàn)所期望的結果是有利的。例如，可通過噴灑臂IIO將DI水和酒精的 混合物輸送給噴嘴112。該兩種或更多種清潔物質(zhì)的組合也可被稱為一 種清潔物質(zhì)(即，以單一形式)。
0034噴灑臂110可以是圖1中所示的伸縮式，或者其可以是能夠 由驅(qū)動部件108驅(qū)動并由控制單元106控制的其它任何類型的部件。 通過噴灑臂110的移動，可將噴嘴112定位在相對于晶片平臺104的 表面的期望的位置，噴嘴112可以是鉸接的。通常，噴嘴112定位在 緊鄰晶片平臺104并且位于晶片平臺104上方的位置。根據(jù)一個實施 例，噴嘴112可以位于晶片平臺104的上方大約六英寸的位置。
0035噴嘴112能夠噴灑出受控氣流或氣霧、液體或固體顆粒。也 就是說，通過噴嘴112的清潔物質(zhì)的流速以及噴灑密度是可以控制的， 例如，由控制單元106控制。也可調(diào)整噴灑臂110和噴嘴112，以在晶 片平臺104的表面上提供期望的入射角。在噴灑時，噴嘴112可保持 靜止。替代性地，噴灑臂110能以預定的圖樣、 一維或多維地跨晶片 平臺104的表面移動噴嘴112。通過噴嘴112受控移動以及受調(diào)節(jié)的流 速和噴灑密度，晶片平臺104的表面可以用所選擇的清潔物質(zhì)噴涂。
0036當期望清潔晶片平臺104時，工藝室102可以排放到近似大 氣壓力(或粗略真空狀態(tài)的壓力水平，其取決于清潔物質(zhì)的熱力性質(zhì) 以及諸如真空抽吸流速、抽空時間和溫度等的條件)，并且晶片平臺104 可以放置在安全位置。控制單元106可自動地或由操作人員操作時使 噴嘴112定位在晶片平臺104的上方并且將所選擇的清潔物質(zhì)噴灑到 晶片平臺表面上。此后，可以把工藝室102抽空到期望的真空水平(例如，粗略真空，或10—7-10—6托的高真空)。隨著清潔物質(zhì)升華(即以 蒸氣離開晶片平臺104的表面)，晶片平臺表面上的污物顆?？杀磺宄?br> 出工藝室102或清除到工藝室底面上。接下來，晶片平臺104 (和/或 工藝室102)可以可選地用具有低顆粒數(shù)的清潔晶片進行除氣。清潔晶 片可以暫時傳遞至晶片平臺104，然后返回盒子，可以重復這一過程以 進一步從晶片平臺表面減少污物顆粒。
0037驅(qū)動部件108、噴灑臂IIO、噴嘴112、清潔物質(zhì)源114和管 道116可以總稱為"輸送機構"。至于輸送機構相對于"工藝室"102 安裝在什么位置，可以有很大的靈活性。如圖1中所示，輸送機構(包 括噴灑臂110)的很大一部分和控制單元106可以安裝在外部?？膳渲?噴灑臂110以使其經(jīng)過足以供噴灑臂110移動的密封通道或切口進入 工藝室102。替代性地，輸送機構的至少一部分可以安裝在工藝室內(nèi)， 圖2示出了其中的一個例子。
0038圖2所示的框圖示出了根據(jù)本公開的用于減少背部顆粒的示 例性系統(tǒng)200。
0039與系統(tǒng)100相比，系統(tǒng)200相似地包含耦合至渦輪泵220和 機械泵222的工藝室202。晶片平臺204可以安置在工藝室202的內(nèi)部。 系統(tǒng)200也可包含控制單元206和通過噴灑臂210耦合至噴嘴212驅(qū) 動部件208，噴嘴212可以是鉸接的。與圖1所示的系統(tǒng)100不同，系 統(tǒng)200的驅(qū)動部件208安裝在工藝室202的內(nèi)部，位于工藝室202的 角落或另外的不顯眼的位置。清潔物質(zhì)源214可以通過工藝室202壁 內(nèi)的穿通孔或切口 216耦合至噴灑臂210。由于控制單元206安裝在外 部，所以穿通孔或切口 216也可容納從控制單元206去往驅(qū)動部件208 的電氣控制線。
0040圖3所示流程圖示出了根據(jù)本公開實施例的用于從靜電夾具 上減少背部顆粒的示例性方法。ESC晶片平臺可以在工藝室或相似的真 空室的內(nèi)部。這一示例性方法步驟可以于半導體處理工作在工藝室內(nèi) 開始之前執(zhí)行，可以在半導體處理工作結束后執(zhí)行，可以在不同的半 導體處理工作之間執(zhí)行，或可以如所需地在其它任何時間執(zhí)行。此外，可以重復這些方法步驟以取得期望的清潔結果。
0041在步驟302中，ESC晶片平臺上面沒有晶片，例如，可以緊固 在"安全"位置。本領域的技術人員應該理解晶片平臺還可以緊固在 其它位置。
0042在步驟304中，工藝室可以排放到近似大氣壓。0043在步驟306中，噴灑噴嘴可以定位于ESC晶片平臺的上方。 可以調(diào)整噴灑噴嘴以提供細霧。對噴灑噴嘴流速和噴灑密度的調(diào)整通 常取決于擬噴灑的清潔物質(zhì)的性質(zhì)、以及所期望的ESC晶片平臺表面 和清潔物質(zhì)之間的相互作用。
0044在步驟308中，噴嘴可以把DI水霧噴灑到ESC晶片平臺的表 面上。在噴灑時，噴嘴能夠以掃拂運動跨ESC晶片平臺的表面移動， 以使DI水滴均勻覆蓋表面。替代性地，噴灑噴嘴可以是鉸接的也可以 不是鉸接的，其能夠位于固定的位置，并且晶片平臺能夠以掃拂運動 在噴嘴下方移動?？梢試姙I水與酒精或其它溶劑的混合物，而不是 噴灑DI水。替代性地，可以使用離子化干燥空氣或離子化干燥氮氣來 噴灑晶片平臺表面。通常，噴嘴能夠以慢速向ESC表面提供清潔物質(zhì) 以給表面涂上涂層，或者也能夠以相對有力的速度向ESC表面提供清 潔物質(zhì)以通過動量轉移來清除顆粒。此外，噴灑清潔物質(zhì)不必完全覆 蓋ESC晶片平臺表面。當期望或必要時，可通過噴灑噴嘴(和/或晶片 平臺)的精確移動和/或定向來噴灑和清潔指定的表面部分。
0045根據(jù)本公開的一個實施例，二氧化碳雪(C02)也可用作清潔 物質(zhì)。二氧化碳雪可包含固體C02顆粒，其可有效地把污物顆粒從ESC 晶片平臺表面清除掉或通過其它表面相互作用把顆粒清除掉。可以通 過把液體C02轉換成固體C02和C02氣體來制作C02雪。液體C02可以通 過高純凈度管道輸送至噴灑噴嘴。在噴灑噴嘴內(nèi)，C02液體可以經(jīng)過孔 口膨脹，并轉換成固體C02顆粒和C02氣體的混合物。此后，為了潔凈 目的，可以把這一混合物對準ESC晶片平臺平面。
0046在步驟310中，可將工藝室抽空到期望的真空水平。從工藝 室內(nèi)抽出氣體有助于除去清潔物質(zhì)殘余物，以將污物顆粒從ESC晶片平臺表面帶走。
0047在步驟314中，ESC晶片平臺可以可選地用潔凈晶片除氣，以 進一步減少其顆粒數(shù)。
0048根據(jù)本公開的實施例，上述清潔方法可以顯著地從ESC晶片 平臺上減少污物顆粒。在一個實施例中，具有復合表面涂層的200 mm ESC在清潔之前所具有的顆粒數(shù)大約為24， 933。在如上所述地使用DI 水霧噴灑對該200mmESC進行清潔之后，顆粒數(shù)量減少到大約11， 374， 減少了50%以上。在另一實驗中，發(fā)現(xiàn)300 mmESC在利用半導體擦拭 布手工潔凈之后所具有的顆粒數(shù)量大約為10， 597。盡管如此，在利用 DI水霧噴灑對同一 300 mm ESC進行清潔之后，只剩下大約2， 816個 顆粒，與常規(guī)清潔工藝相比，其實現(xiàn)了顆粒減少約70%。
0049清潔物質(zhì)還可以通過晶片平臺本身提供給晶片平臺表面，而 不是從上方噴灑晶片平臺。圖4所示框圖示出了利用這一替代性方法 減少背部顆粒的示例性系統(tǒng)400。
0050系統(tǒng)400可包含耦合至渦輪泵420和機械泵422的工藝室404。 晶片平臺404可以安置在工藝室402內(nèi)。晶片平臺404可具有至少一 條與匹配管道410耦合的穿通孔通道412。穿通孔通道412和管道410 可以是現(xiàn)有冷卻劑輸送系統(tǒng)(未示出)的一部分，該系統(tǒng)用于冷卻晶 片平臺404和其上的任何晶片。在晶片平臺404的頂部表面內(nèi)，也可 有一條或多條氣體通道以容納冷卻氣。
0051控制單元406可控制來自于清潔物質(zhì)源414、經(jīng)過管道416 和410、并通過穿通孔通道412去往晶片平臺404表面的清潔物質(zhì)供應。
0052
一旦通過穿通孔通道412供應，就希望控制清潔物質(zhì)在晶片 平臺404表面上的流動和分布。相應地，在清潔物質(zhì)流動之前，可把 平整構件408定位在緊鄰晶片平臺404表面上方的位置。平整構件408 可具有基本平整或以其它方式與晶片平臺404的表面相當?shù)牡撞勘砻妗?根據(jù)一個實施例，平整元件408可以是半導體晶片或相似形狀的物體。 平整構件408可以定位在距離晶片平臺404的一小距離處(例如， 0.02-0.5 mm)，從而可以在平整構件408的底部表面和晶片平臺404的表面之間形成狹小空隙411。狹小空隙411可有助于把清潔物質(zhì)鋪展
在晶片平臺404的表面上，從而改善表面相互作用。晶片平臺表面內(nèi)
的氣體通道會有助于清潔物質(zhì)的均勻分布。
0053在清潔物質(zhì)供應到晶片平臺表面的同時或之后，可將工藝室 402抽空到需要的真空水平，以有助于將清潔物質(zhì)連同污物顆粒從晶片 平臺404上清除掉。
0054如上所述，清潔物質(zhì)輸送機構可利用現(xiàn)有的冷卻劑輸送系統(tǒng)。 圖5所示框圖示出了用于減少背部顆粒的示例性系統(tǒng)500，其中附加子 系統(tǒng)50可以與現(xiàn)有氣體冷卻和壓載系統(tǒng)合并。
0055在系統(tǒng)500中，晶片平臺502可以安裝在傾斜/旋轉部件506 上。氣體冷卻和壓載系統(tǒng)可包含壓載箱520、氣體系統(tǒng)522、壓載閥門 516、空氣軸承512、管道510、氣體冷卻閥門508和穿通孔通道504， 它們共同用來冷卻半導體晶片。
0056附加子系統(tǒng)50可包含一個或多個清潔物質(zhì)源(例如，清潔物 質(zhì)1、清潔物質(zhì)2和清潔物質(zhì)3)。這些清潔物質(zhì)源可通過開/關閥門518 和管道517耦合至雙向閥門514。憑借雙向閥門514，附加子系統(tǒng)50 可以利用現(xiàn)有的氣體冷卻裝備。附加子系統(tǒng)50可進一步包含可耦合至 用于氣體冷卻系統(tǒng)的控制模塊(未示出)的控制單元515?？刂茊卧?515可以調(diào)節(jié)子系統(tǒng)50中的閥門514和閥門518，以及閥門508和516， 從而控制清潔物質(zhì)或冷卻氣體向晶片平臺502的流動。
0057本公開的范圍不限于本說明書所描述的特定實施例。毫無疑 問，除了本說明書所描述的之外，通過以上描述和附圖，本公開的其 它各種實施例和對本公開的變更對本領域的技術人員來說會顯而易 見。因而，這些其它實施例和變更意在落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。此外， 雖然是為了具體的目的、在具體的環(huán)境中、在具體實施的背景下在本 說明書中對本公開進行描述，但是本領域普通技術人員會認識到本 公開的有用性并不局限于此，并且可以在許多環(huán)境中，為了許多目的 有益地執(zhí)行本公開。相應地，應該根據(jù)如本說明書所描述的本公開的 完整范圍和精神理解所提出的權利要求。
權利要求
1. 一種減少背部顆粒的裝置，所述裝置包含輸送機構，其被配置以向晶片平臺提供清潔物質(zhì)，其中所述晶片平臺安置在工藝室內(nèi)；和控制單元，其被配置以使所述工藝室達到第一壓力水平，使所述清潔物質(zhì)被提供給所述晶片平臺表面，以及使所述工藝室達到第二壓力水平，從而把污物顆粒連同所述清潔物質(zhì)從所述晶片平臺的所述表面清除掉。
2. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中在所述工藝室內(nèi)建立所述第 二壓力水平至少使一部分清潔物質(zhì)升華，從而將所述污物顆粒從所述 晶片平臺的所述表面清除掉。
3. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述晶片平臺為具有復合表面涂層的靜電夾具。
4. 根據(jù)權利要求l所述的裝置，其進一步包含 將清潔晶片傳遞到所述晶片平臺上，然后又從所述晶片平臺上傳遞清潔晶片的晶片處理機構，從而將污物顆粒從所述晶片平臺的所 述表面清除掉。
5. 根據(jù)權利要求l所述的裝置，其中 所述輸送機構包含噴嘴和驅(qū)動部件；所述驅(qū)動部件被配置以將所述噴嘴定位在緊鄰所述晶片平臺的所述表面的位置；并且所述控制單元被配置，以使所述噴嘴用所述清潔物質(zhì)噴灑所述晶片平臺的所述表面。
6. 根據(jù)權利要求5所述的裝置，其中所述噴嘴為鉸接噴嘴。
7. 根據(jù)權利要求5所述的裝置，其中所述噴嘴定位于所述晶片平臺的所述表面上方大約六英寸的位置。
8. 根據(jù)權利要求5所述的裝置，其中所述控制單元能夠使所述驅(qū) 動部件用所述噴嘴掃拂所述晶片平臺的所述表面，從而將所述清潔物 質(zhì)基本均勻的涂層涂敷在所述表面上。
9. 根據(jù)權利要求5所述的裝置，其中所述控制單元能夠使驅(qū)動部 件以相對于所述噴嘴的掃拂運動移動所述晶片平臺，從而將所述清潔 物質(zhì)基本均勻的涂層涂敷在所述表面上。
10. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述清潔物質(zhì)包含去離子水；并且所述去離子水霧噴灑到所述晶片平臺的所述表面上，以使用 所述用去離子水滴覆蓋所述表面。
11. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中 所述清潔物質(zhì)包含二氧化碳；并且所述晶片平臺的所述表面噴灑有所述二氧化碳雪，所述雪包 含固體二氧化碳顆粒。
12. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中 所述清潔物質(zhì)包含離子化氣體；并且所述離子化氣體被提供給所述晶片平臺的所述表面，以中和 帶電顆粒。
13. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中 所述輸送機構包含平整元件，所述平整元件定位于所述晶片平臺的所述表面上方一小距離，該小距離使得所述平整元件和所述晶 片平臺的所述表面之間的空間使所述清潔物質(zhì)鋪展在所述表面上。
14. 根據(jù)權利要求10所述的裝置，其中所述平整元件定位于所述晶片平臺的所述表面上方大約0. 02-0. 5 mm的位置。
15. 根據(jù)權利要求10所述的裝置，其中所述平整元件的形狀與半 導體晶片相似。
16. 根據(jù)權利要求10所述的裝置，其中所述平整元件為半導體晶 片，并且所述半導體晶片的背部與所述晶片平臺的所述表面一起被清 潔。
17. 根據(jù)權利要求10所述的裝置，其中所述輸送機構的至少一部 分也能夠為所述晶片平臺提供冷卻劑。
18. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述清潔物質(zhì)包含從由以 下物質(zhì)組成的列表中選擇的一種或多種物質(zhì)DI水，酒精， 二氧化碳，離子化干燥空氣，和 離子化干燥氮氣。
19. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第二壓力水平顯著低 于所述第一壓力水平。
20. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述裝置的至少一部分安 裝在所述工藝室內(nèi)部。
21. 根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述裝置的至少一部分安 裝在所述工藝室外部。
22. —種減少背部顆粒的方法，所述方法包含以下步驟將晶片平臺定位在工藝室內(nèi)部； 將所述工藝室排放到第一壓力水平； 向所述晶片平臺表面提供清潔物質(zhì)；和將所述工藝室抽吸到第二壓力水平，從而將污物顆粒連同所述 清潔物質(zhì)從所述晶片平臺的所述表面清除掉。
23. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中對所述工藝室的所述抽吸 使至少一部分所述清潔物質(zhì)升華，從而將所述污物顆粒從所述晶片平 臺的所述表面清除掉。
24. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中所述晶片平臺為具有復合 表面涂層的靜電夾具。
25. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其進一步包含將清潔晶片傳遞到所述晶片平臺上，然后再從所述晶片平臺 上傳遞所述清潔晶片，從而將污物顆粒從所述晶片平臺的所述表面清 除掉。
26. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其進一步包含 以掃拂圖樣將所述清潔物質(zhì)噴灑到所述晶片平臺的所述表面上，從而將所述清潔物質(zhì)基本均勻的涂層涂敷在所述表面上。
27. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中 所述清潔物質(zhì)包含去離子水；并且所述去離子水霧噴灑到所述晶片平臺的所述表面上，以使用 所述用去離子水滴覆蓋所述表面。
28. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中 所述清潔物質(zhì)包含二氧化碳；并且所述晶片平臺的所述表面噴灑有所述二氧化碳雪，所述雪包 含固體二氧化碳顆粒。
29. 根據(jù)權利要求19所述的方法，其中 所述清潔物質(zhì)包含離子化氣體；并且所述晶片平臺的所述表面噴有所述離子化氣體。
30. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其進一步包含 將所述平整元件定位在所述晶片平臺的所述表面上方一小距離處，該小距離使得所述平整元件和所述晶片平臺的所述表面之間的 空間使所述清潔物質(zhì)鋪展在所述表面上。
31. 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述平整元件定位于所述 晶片平臺的所述表面上方大約0. 02-0. 5腿的位置。
32. 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述平整元件的形狀與半 導體晶片相似。
33. 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述平整元件為半導體晶 片，并且所述半導體晶片的背部與所述晶片平臺的所述表面一起被清 潔。
34. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中所述清潔物質(zhì)包含從由以 下物質(zhì)組成的列表中選擇的一種或多種物質(zhì)DI水，酒精， 二氧化碳，離子化干燥空氣，和 離子化干燥氮氣。
35. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中所述第二壓力水平顯著低 于所述第一壓力水平。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種減少背部顆粒的技術。在一個具體的示例性實施例中，該技術可以作為減少背部顆粒的裝置實現(xiàn)。該裝置可包含輸送機構，配置該輸送機構以向晶片平臺(platen)提供清潔物質(zhì)，其中晶片平臺安置在工藝室內(nèi)。該裝置也可包含控制單元，配置該控制單元以使得工藝室達到第一壓力水平，使得向晶片平臺表面提供清潔物質(zhì)，并且使得工藝室達到第二壓力水平，從而把污物顆粒連同清潔物質(zhì)從晶片平臺表面清除掉。
文檔編號B08B3/02GK101437628SQ200580042619
公開日2009年5月20日 申請日期2005年12月13日 優(yōu)先權日2004年12月13日
發(fā)明者A·P·里亞夫, D·E·蘇羅寧, K·L·斯塔克斯, K·M·丹尼爾斯, L·菲卡拉, P·J·墨菲, P·S·布科斯 申請人:瓦利安半導體設備公司