專(zhuān)利名稱(chēng)：一種多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種零件表面的清洗方法，尤其涉及微電子工藝過(guò)程中的一種多晶硅刻蝕 腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體芯片技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)節(jié)點(diǎn)己從250nm發(fā)展到65nm,甚至45nm以下，硅 片的大小也從200mm增加到300mm，在這樣的情況下，每片硅片的成本變得越來(lái)越高。 對(duì)加工硅片的工藝要求越來(lái)越嚴(yán)格。半導(dǎo)體的加工需要經(jīng)過(guò)多道工序，包括沉積、光刻、 刻蝕等，刻蝕工藝是其中較為復(fù)雜的工序，等離子體刻蝕過(guò)程中等離子體的狀態(tài)、各項(xiàng)工 藝過(guò)程參數(shù)等與刻蝕結(jié)果直接相關(guān)。半導(dǎo)體多晶硅刻蝕工藝過(guò)程中，隨著反應(yīng)地進(jìn)行，往往會(huì)產(chǎn)生很多副產(chǎn)物。副產(chǎn)物在 反應(yīng)室的工藝環(huán)境中，會(huì)發(fā)生一系列的分裂聚合反應(yīng)，重新組合為成分結(jié)構(gòu)復(fù)雜的聚合 物。雖然在每次工藝后進(jìn)行干法清洗，即采用SF6等等離子氣體對(duì)腔室中的副產(chǎn)物或污染 物進(jìn)行清除，大部分這類(lèi)副產(chǎn)物可與含SF6等離子體反應(yīng)而被分子泵和干泵排出反應(yīng)室， 但還有小部分的副產(chǎn)物附著在反應(yīng)室內(nèi)壁上。這種附著于內(nèi)壁上的副產(chǎn)物聚合物膜會(huì)隨著 工藝的繼續(xù)進(jìn)行而不斷累積，而且這層薄膜穩(wěn)定性不強(qiáng)，隨時(shí)會(huì)從內(nèi)壁上脫落下來(lái)污染到 硅片，而且會(huì)影響到腔室得工藝狀態(tài)，使得刻蝕速率漂移、刻蝕速率均勻性降低。其次還 會(huì)造成硅片污染、關(guān)鍵尺寸損失及刻蝕缺陷產(chǎn)生。所以需要對(duì)反應(yīng)室內(nèi)部裸露于工藝環(huán)境 的零件進(jìn)行定期清洗。多晶刻蝕腔室中與工藝氣體接觸的零件表面有的是鋁表面經(jīng)陽(yáng)極氧化得到一層氧化 鋁，如刻蝕腔室的本體。氧化鋁表面其厚度均非常小， 一般只是在零件的表面形成很薄的 氧化鋁層。通常的清洗手段是采用HN03 + HF浸泡、再利用金剛砂紙擦洗的方法進(jìn)行清 洗。清洗過(guò)程中，由于零件表面本身的特性與其他金屬零件不同，這種方法在清除聚合物 的同時(shí)，不僅清除過(guò)程耗時(shí)耗力，而且容易損傷零件表面，而且對(duì)于聚合物清洗效果不甚 理想，殘留深灰色斑跡。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的進(jìn)行濕法清洗，對(duì)零件表面損傷小，且完全滿(mǎn)足 使用要求。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法包括以下過(guò)程A、 用有機(jī)溶劑清洗零件表面；B、 用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面；C、 將零件放入超聲槽中，清洗設(shè)定的超聲波清洗時(shí)間，進(jìn)行超聲波清洗。 所述過(guò)程B在清洗過(guò)程中包括下述過(guò)程至少一次用質(zhì)量含量比為2y。 20Q/。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表 面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液清洗時(shí)間；和/或，用質(zhì)量含量比為2W 2(P/。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的混合溶液擦 拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液與有機(jī)溶劑混合溶液清洗時(shí)間，所 述的2y。 2()Q/。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的質(zhì)量含量比為1: 1 1: 5。所述的方法在每次更換溶液進(jìn)行下一步清洗或用同一溶液進(jìn)行下一次清洗過(guò)程之前和 /或之后還包括下述過(guò)程用超純水沖洗或噴淋零件表面；用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干 零件的表面。所述的方法在每次用堿性溶液或酸性溶液清洗后還包括-用有機(jī)溶劑噴淋零件設(shè)定的清洗時(shí)間，并可重復(fù)多次，且每次的清洗時(shí)間與所用有機(jī) 溶劑的可相同或不同；用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干 零件的表面。所述的過(guò)程C后包括，將零件在8(TC 120'C環(huán)境下烘烤零件進(jìn)行烘干處理。 所述的過(guò)程A包括用有機(jī)溶劑擦拭、浸泡或噴淋零件，再用潔凈的擦拭物擦拭零件。 所述的過(guò)程B包括以下過(guò)程B1、用堿性溶液擦拭、浸泡或噴淋零件，并可重復(fù)多次；B2、用酸性溶液擦拭零件，不超過(guò)設(shè)定的酸性溶液擦拭時(shí)間，并可重復(fù)多次。所述的有機(jī)溶劑包括純異丙醇，100%，符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41 —1101A的傲標(biāo)準(zhǔn)；或者，純乙醇，滿(mǎn)足電子純級(jí)別要求；或者， 純丙酮，滿(mǎn)足電子純級(jí)別要求。所述的堿性溶液包括氫氧化氨NH40H、雙氧水H202與水H20，其質(zhì)量含量比為 NH4OH: H202: HsO為1: 1: 1 20。所述的酸性溶液包括硝酸HN03、氫氟酸HF、過(guò)硫酸銨(NH4) 2S20a與水H20，其質(zhì)量含量比為HN03: HF: (NH4) 2S208: 1~120為1: 1: 0 2: 10 50。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零 件表面的清洗方法，在清洗過(guò)程中采用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液和超純水對(duì)零部件 進(jìn)行清洗，可以有效的去除附著于多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的聚合物薄膜，且 步驟簡(jiǎn)單方便，清洗效果理想，而且不會(huì)對(duì)多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件造成損傷。應(yīng) 用此方法對(duì)半導(dǎo)體工藝一段時(shí)間后的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件清洗后，多晶硅刻蝕 腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的污染物完全被除去，且多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面沒(méi) 有遭到損傷，清洗后的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件完全滿(mǎn)足正常工藝的要求，達(dá)到清 洗效果。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所述的一種多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其核心是是先用有機(jī)溶劑清洗零件表面；再用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面；最后，將 零件放入超聲槽中，清洗設(shè)定的超聲波清洗時(shí)間，進(jìn)行超聲波清洗零件。達(dá)到去除零件表 面的沉積物的目的。在采用此方法清洗之前，我們采用掃描電子顯微鏡(SEM)、能譜儀(EDS)對(duì)待清洗的零件表面進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)在使用過(guò)一段時(shí)間的多晶刻蝕腔室中的零部件的表面的沉積物(污染物)主要包括有機(jī)雜質(zhì)，金屬雜質(zhì)、電極雜質(zhì)、硅類(lèi)雜質(zhì)、氟化物雜質(zhì)、表面顆粒。詳細(xì)來(lái)說(shuō)的話(huà)，例如在污染中的氟化物雜質(zhì)有AIF、 TiF等；金屬雜質(zhì)包括Fe、 Cr、 Ni、 Mo、 V、 Cu等；電極雜質(zhì)包括W、 P等；硅類(lèi)顆粒包括Si、 Si02等。所述的清洗方法具體包括-一、用有機(jī)溶劑清洗零件表面的過(guò)程可包含以下的方法或其組合1、 用有機(jī)溶劑擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；通常采用無(wú)塵布蘸有機(jī)溶劑對(duì)零 件進(jìn)行擦拭，直至無(wú)塵布上無(wú)顏色為止。2、 用有機(jī)溶劑噴淋零件設(shè)定的有機(jī)溶劑清洗時(shí)間(在此指的是噴淋時(shí)間，需要設(shè)定 時(shí)間的目的是為了有機(jī)溶劑充分溶解零件表面的有機(jī)雜質(zhì))，并可重復(fù)多次，且每次的噴 淋時(shí)間與所用有機(jī)溶劑的可相同或不同；通常采用有機(jī)溶劑直接噴淋零件的表面，不少于 設(shè)定的噴淋時(shí)間，然后用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面或用潔凈的無(wú)塵布對(duì)零件進(jìn)行擦 拭直至無(wú)塵布上無(wú)顏色為止。3、 用有機(jī)溶劑浸泡零件設(shè)定的有機(jī)溶劑清洗時(shí)間(在此指的是浸泡時(shí)間，需要設(shè)定 時(shí)間的目的是為了有機(jī)溶劑充分溶解零件表面的有機(jī)雜質(zhì))，并可重復(fù)多次，且每次的浸 泡時(shí)間與所用有機(jī)溶劑的可相同或不同。通常采用有機(jī)溶劑直接浸泡零件，不少于設(shè)定的 浸泡時(shí)間，然后，用潔凈的無(wú)塵布對(duì)零件進(jìn)行擦拭直至無(wú)塵布上無(wú)顏色為止或用潔凈的高 壓氣體吹干零件。無(wú)塵布即為前文所述的擦拭物，其需滿(mǎn)足超凈室的使用標(biāo)準(zhǔn)。符合CL4 (100級(jí)無(wú)塵 室)要求，也可采用擦拭墊作為擦拭物，其需滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。符合CL4 (100級(jí)無(wú)塵 室)要求。這里的有機(jī)溶劑為純異丙醇，100%,符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41一1101A的I級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；當(dāng)然也可采用其它的有機(jī)溶劑。如采用純乙醇，符合電子純級(jí)別要求； 或者采用-純丙酮，符合電子純級(jí)別要求。電子純是國(guó)標(biāo)中化學(xué)試劑的一種級(jí)別，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS級(jí)，它的電性雜質(zhì)含量極低。另外，需要說(shuō)明的是在首次用有機(jī)溶劑清洗零件前， 一般要用超純水沖洗或噴淋零件表面設(shè)定的超純水清洗時(shí)間；然后用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/ 或，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。當(dāng)然在每次用有機(jī)溶劑清洗零件前與清洗后也可用超純水沖洗或噴淋零件表面設(shè)定的 超純水清洗時(shí)間；然后用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈 的高壓氣體吹干零件的表面。這里的超純水UPW的參數(shù)要求為25。C下電阻resistivit^18Q/cm。二、用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面這里需要明確的是，可以先用堿性溶液清洗后用酸性溶液清洗，也可以先用酸性溶液 清洗后用堿性溶液清洗。1、 酸性溶液的清洗方法為用無(wú)塵布(也可用擦拭墊)蘸酸性溶液擦拭零件不得超過(guò) 酸性溶液擦拭時(shí)間；防止時(shí)間過(guò)長(zhǎng)損傷零件表面。這一過(guò)程結(jié)束后為了進(jìn)入下一過(guò)程通常需要有機(jī)溶劑直接噴淋零件的氧化層表面，不 少于設(shè)定的噴淋時(shí)間，然后用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。2、 用堿性溶液浸泡或噴淋零件設(shè)定的堿性溶液清洗時(shí)間；通常采用堿性溶液直接浸 泡零件，不少于設(shè)定的堿性溶液清洗時(shí)間，然后，用潔凈的無(wú)塵布對(duì)零件進(jìn)行擦拭直至無(wú) 塵布上無(wú)顏色為止。這一過(guò)程結(jié)束后為了進(jìn)入下一過(guò)程通常需要有機(jī)溶劑直接噴淋零件的氧化層表面，不 少于設(shè)定的噴淋時(shí)間，然后用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。 這里的酸性溶液的配方有兩種 第一種所述的酸性溶液包括硝酸HN03、氫氟酸HF與水H20，其質(zhì)量含量比為 HN03: HF: H2。為1: 1: 10 50;較佳的含量比為HN03: HF: H20為1: 1: 2C) 40;其優(yōu)選含量比為HN03: HF:H20為1: 1: 30。第二種所述的酸性溶液包括硝酸HN03、氫氟酸HF、過(guò)硫酸銨(NH4) 2S20s與水H20，其質(zhì)量含量比為HN03: HF: (NH4) 2S208: &0為1- 1: 0 2: 10 50。較佳的含量比為HN03: HF: (NH4) 2S208: H2。為1: 1: 0.5 1.5: 20 40。其優(yōu)選含量比為HN03: HF: (NH4) 2S208: 1~120為1: 1: 1: 30。這里的堿性溶液的配方包括氫氧化氨NH40H、雙氧水H202與水H2(D，其質(zhì)量含量比為NH4OH: H202: H20為1: 1: 1 20。較佳的含量比為較佳的含量比為NH4OH: H202: H20為1: 1: 5 15。 其優(yōu)選含量比為NH4OH: H202: hMD為1: 1: 10。在此清洗過(guò)程中還包括下述過(guò)程至少一次-用質(zhì)量含量比為2c/o 20c/o氫氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表 面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液清洗時(shí)間；防止時(shí)間過(guò)長(zhǎng)損傷零件表面。還可以用質(zhì)量含量比為2c/o 20c/o氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的混合溶 液擦拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液與有機(jī)溶劑混合溶液清洗時(shí) 間，防止時(shí)間過(guò)長(zhǎng)損傷零件表面。所述的2n/。 20c/。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的質(zhì)量含量比為1: 1 1: 5。這一過(guò)程結(jié)束后為了進(jìn)入下一過(guò)程通常需要有機(jī)溶劑直接噴淋零件的氧化層表面，不 少于設(shè)定的噴淋時(shí)間，然后用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。三、用超聲波清洗零件將零件放入含有純水UPW的超聲槽中，清洗設(shè)定的時(shí)間。超聲清洗不但能去除零件 表面的顆粒，而且能夠去除零件內(nèi)部的顆粒。超聲清洗后零件上的顆粒的密度少于 0.17Particle/cm2是我們所希望的。此外，為了保護(hù)零件的非氧化面，在進(jìn)行清洗前需對(duì)零件表面沒(méi)有進(jìn)行陽(yáng)極氧化的表 面設(shè)置保護(hù)層，也就是粘抗化學(xué)文腐蝕的膠帶；清洗結(jié)束后，需去除零件表面沒(méi)有進(jìn)行陽(yáng) 極氧化的表面設(shè)置保護(hù)層，也就是揭下抗化學(xué)文腐蝕的膠帶。另外，在進(jìn)行超聲波清洗零件后，通常需要將零件在80'C 12(TC環(huán)境下進(jìn)行烘干處理。采用此方法清洗零件表面有多種方案，以下舉一例，但此方法并不局限于此例實(shí)施例清洗陽(yáng)極氧化零件步驟11、在室溫下使用超純水(電阻^18Q/cm)噴淋陽(yáng)極氧化層表面至少5分鐘，可 去除表面一些吸附性較低的顆粒污染物，然后用帶有過(guò)濾器(0.05-0.1ym)的N2槍吹干表 面。步驟12、使用電子級(jí)異丙醇來(lái)去除腔室陽(yáng)極氧化表面的有機(jī)雜質(zhì)，其他的有機(jī)溶劑如 果符合要求也可以使用如乙醇、丙酮等，但前提是不能造成陽(yáng)極氧化件的再次污染；再用超純水沖洗，并用N2槍吹干。步驟13、使用帶有氧化性弱堿性溶液NH40H: H202: H20(1: 1: 1-1: 1: 20)浸泡腔室的陽(yáng)極氧化表面，至少30分鐘，可根據(jù)實(shí)際情況延長(zhǎng)時(shí)間，并用無(wú)塵布擦拭再用超純 水沖洗，并用N2槍吹干。1^02是一種強(qiáng)氧化劑，既可以把有機(jī)物氧化成可溶性物質(zhì)或氣體，也可以把金屬雜質(zhì)氧化成高價(jià)的金屬離子，而金屬離子可以和氨水形成較穩(wěn)定的絡(luò)合 離子，從而被除去。此種堿性溶液可以去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬雜質(zhì)和氟化物。步驟14、如果鋁陽(yáng)極氧化部件的表面還有可見(jiàn)的污染物，將鋁陽(yáng)極氧化部件浸泡于 TMAH 2wt。/。-20wt。/。溶液中，可添加5%-20%的乙醇等有機(jī)溶劑，在60'C下浸泡30mins左 右，其中TMAH具有較強(qiáng)的去除AIF3能力，而AIFs、 AIF2—、 AIF等是刻蝕機(jī)中鋁陽(yáng)極氧化 部件與含有鹵素元素特別是F等等離子體反應(yīng)的副產(chǎn)物之一?？涛g機(jī)中的陽(yáng)極氧化部件表 面經(jīng)常具有較高的粗糙度如40uinch左右，是為了提高吸附刻蝕工藝時(shí)產(chǎn)生的顆粒，添加乙 醇等有機(jī)溶劑，有利于改善此溶液的表面張力，使之能與微觀的表面充分接觸，去除里面 的副產(chǎn)物。步驟15、使用酸性溶液HN03: HF: H20(1: 1: 10-1: 1: 50),并含有適量的過(guò)硫酸銨如1wtc/。-3wtc/。來(lái)清洗腔室陽(yáng)極氧化表面，避免酸性溶液對(duì)陽(yáng)極氧化表面的腐蝕，采用沾 有此酸性液的無(wú)塵布進(jìn)行擦拭，并馬上用超純水沖洗，清洗后再用超純水沖洗，并用N2槍 吹干。此酸性溶液中的HN03能夠去除金屬顆粒和電極雜質(zhì)，例如HN03 + Cu =Cu(N03)2 + H2， HF能夠去除硅顆粒及含Si的雜質(zhì)，其中過(guò)硫酸銨的作用是防止HF與硅顆 粒及含Si的雜質(zhì)反應(yīng)生成的氟硅酸(H2SiF6)粘結(jié)在陽(yáng)極氧化表面，例如HF和Si02反應(yīng) 如下4HF + Si02 = SiF4 + 2H20 6HF +Si02 = H2SiF6 + 2H20步驟16、將零件放入超聲槽中以較低頻率(10-26KHz)進(jìn)行大顆粒的去除，超聲20-40分鐘，超純水水溫為40-70'C ，超聲能量密度小于30瓦/加侖，零件與托板之間墊有無(wú)塵 布以防止水印。時(shí)間不要過(guò)長(zhǎng)，以免損害表面。步驟17、將零件放入超聲槽中以較高頻率(30"45KHz)進(jìn)行精洗，超聲20-30分 鐘，18兆去離子水水溫為40-70。C，超聲能量密度小于30瓦/加侖，零件與托板之間墊有無(wú) 塵布以防止水印。時(shí)間不要過(guò)長(zhǎng)，以免損害表面。步驟18、用超純水噴淋陽(yáng)極氧化零部件表面，并用帶有過(guò)濾器的N2槍吹干零部件表 面，無(wú)塵布擦拭。步驟19、烘干，將零件放在80-12(TC環(huán)境中烘烤1.5 2.5小時(shí)，之后冷卻。綜上所述，本發(fā)明技術(shù)方案所述的清洗方法是一種無(wú)破壞性的、簡(jiǎn)易的清洗陽(yáng)極氧化 零件表面的有效方法，它主要包括使用有機(jī)溶劑、堿性溶液、稀釋的酸性溶液和超聲清洗 的方法去除零件的污染物，該方法不會(huì)使陽(yáng)極氧化層剝落，如果有損傷也是極為微量的， 不會(huì)導(dǎo)致零部件需要重新進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。此方法不但能滿(mǎn)足低制程的工藝腔室中陽(yáng)極氧化件的清洗要求，同時(shí)也可以滿(mǎn)足高制程(0.25Mm)工藝腔室的陽(yáng)極氧化件的要求。傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)零部件本身的損傷較大，而這種清洗方法對(duì)零部件本身?yè)p傷幾乎為 零，延長(zhǎng)了零部件的使用壽命，節(jié)約了設(shè)備擁有者的零部件耗材成本。這種濕法清洗方法比傳統(tǒng)的多晶刻蝕陽(yáng)極氧化件的清洗方法節(jié)約了近1個(gè)小時(shí)，節(jié)約 了清洗者的人力成本。這種濕法清洗方法比傳統(tǒng)的多晶刻蝕陽(yáng)極氧化件的清洗方法節(jié)約了近30%的藥液，節(jié) 約了清洗者的化學(xué)藥液的成本。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下過(guò)程A、用有機(jī)溶劑清洗零件表面；B、用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面；C、將零件放入超聲槽中，清洗設(shè)定的超聲波清洗時(shí)間，進(jìn)行超聲波清洗。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在 于，所述過(guò)程B在清洗過(guò)程中包括下述過(guò)程至少一次用質(zhì)量含量比為2e/o 20Q/o氫氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表 面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液清洗時(shí)間；和/或，用質(zhì)量含量比為2yo 20y。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的混合溶液擦 拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過(guò)設(shè)定的TMAH水溶液與有機(jī)溶劑混合溶液清洗時(shí)間，所 述的2W 2(P/。氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的質(zhì)量含量比為1: 1 1: 5。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特 征在于，所述的方法在每次更換溶液進(jìn)行下一步清洗或用同一溶液進(jìn)行下一次清洗過(guò)程之 前和/或之后還包括下述過(guò)程用超純水沖洗或噴淋零件表面；用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的方法在每次用堿性溶液或酸性溶液清洗后還包括用有機(jī)溶劑噴淋零件設(shè)定的清洗時(shí)間，并可重復(fù)多次，且每次的清洗時(shí)間與所用有機(jī)溶劑的可相同或不同；用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無(wú)帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干 零件的表面。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特 征在于所述的過(guò)程C后包括，將零件在8(TC 12(TC環(huán)境下烘烤零件進(jìn)行烘干處理。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特 征在于所述的過(guò)程A包括用有機(jī)溶劑擦拭、浸泡或噴淋零件，再用潔凈的擦拭物擦拭零件。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的過(guò)程B包括以下過(guò)程B1、用堿性溶液擦拭、浸泡或噴淋零件，并可重復(fù)多次；B2、用酸性溶液擦拭零件，不超過(guò)設(shè)定的酸性溶液擦拭時(shí)間，并可重復(fù)多次。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑包括純異丙醇，100%，符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41一1101A的I級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；或者，純乙醇，滿(mǎn)足電子純級(jí)別要求；或者， 純丙酮，滿(mǎn)足電子純級(jí)別要求。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于-所述的堿性溶液包括氫氧化氨NH40H、雙氧水H202與水H20，其質(zhì)量含量比為 NH4OH: H202: 1"120為1: 1: 1 20。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，其 特征在于，所述的酸性溶液包括硝酸HN03、氫氟酸HF、過(guò)硫酸銨(NH4) 25208與水H20,其質(zhì)量含量比為HN03: HF: (NH4) 2S208: 1"120為1: 1: 0 2: 10 50。
全文摘要
本發(fā)明所述的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的清洗方法，在清洗過(guò)程中采用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液和超純水對(duì)零部件進(jìn)行清洗，可以有效的去除附著于多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的聚合物薄膜，且步驟簡(jiǎn)單方便，清洗效果理想，而且不會(huì)對(duì)多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件造成損傷。應(yīng)用此方法對(duì)半導(dǎo)體工藝一段時(shí)間后的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件清洗后，多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面的污染物完全被除去，且多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件表面沒(méi)有遭到損傷，清洗后的多晶硅刻蝕腔室中陽(yáng)極氧化零件完全滿(mǎn)足正常工藝的要求，達(dá)到清洗效果。
文檔編號(hào)B08B3/08GK101214485SQ20071006323
公開(kāi)日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2007年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月4日
發(fā)明者朱哲淵 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司