專利名稱：用于光刻設(shè)備的吸雜裝置和清潔結(jié)構(gòu)以及清潔表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有用于滯留金屬污染物的吸雜裝置的光刻設(shè)備。本 發(fā)明還涉及一種用于清潔光學(xué)元件除去金屬淀積物的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上
的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情 況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述ic
的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片) 上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、 一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖 案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層 上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)
絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖 案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器， 在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、 同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo) 部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置 將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。
在光刻設(shè)備中，能成像到襯底上的特征尺寸由投影輻射的波長限定。 為了制造具有更高器件密度的集成電路，并因此獲得更高運(yùn)行速度，人們 希望能夠成像更小特征。雖然目前大多數(shù)光刻投影設(shè)備采用由汞燈或受激 準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的紫外光，但是已經(jīng)有人提議應(yīng)用波長更短的輻射，例 如大約13nm。這種輻射被稱為極紫外(EUV)或軟X射線，并且可能的 源包括，例如激光誘導(dǎo)等離子體源、放電等離子體源或來自電子存儲(chǔ)環(huán)的 同步加速器輻射。極紫外輻射源通常是等離子體源，例如激光誘導(dǎo)等離子體或放電等離 子體源。任何等離子體源的共同特征是產(chǎn)生快速離子和原子，這些快速離 子和原子可以在所有方向上從等離子體發(fā)射。這些粒子可能會(huì)破壞通常是 具有易碎表面的多層反射鏡或掠入射反射鏡的收集器和會(huì)聚反射鏡。由于 從等離子體發(fā)射的粒子的撞擊或?yàn)R射，這種表面逐漸劣化，因而反射鏡的 壽命縮短。對(duì)于輻射收集器，濺射效應(yīng)是顯著的問題(由于其相對(duì)靠近極 紫外源)。這種反射鏡的用途在于收集在所有方向上由等離子體源發(fā)射的 輻射并且將它朝向照射系統(tǒng)中的其他反射鏡引導(dǎo)。輻射收集器定位成非常 接近等離子體源并位于等離子體源瞄準(zhǔn)線，因而接收大流量的來自等離子 體的快速粒子。通常，系統(tǒng)中的其他反射鏡受到由等離子體發(fā)射的粒子的 濺射的破壞程度更小，因?yàn)樗鼈冊(cè)谝欢ǔ潭壬媳徽诒瘟恕?br> 不久的將來，極紫外(EUV)源將很可能用錫或其他金屬蒸汽來產(chǎn)生 極紫外輻射。錫可能會(huì)泄露到光刻設(shè)備中，并且將會(huì)淀積在光刻設(shè)備中的 反射鏡上，例如輻射收集器的反射鏡(也稱作收集器)。這種輻射收集器 的反射鏡具有例如釕的極紫外反射的頂層。位于反射的釕層上大于大約
10nm厚的錫淀積物將會(huì)和錫塊一樣反射極紫外輻射。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在基 于錫的極紫外源附近很快就會(huì)淀積一層幾納米的錫。因?yàn)殄a的反射系數(shù)遠(yuǎn) 小于釕的反射系數(shù)，所以收集器的總的傳輸顯著地減小。為了阻止來自源 的碎片或由這些碎片產(chǎn)生的二次粒子淀積在輻射收集器上，可以利用污染 物阻擋裝置。雖然這種污染物阻擋裝置可以去除部分碎片，但是仍然有一 些碎片將會(huì)淀積在輻射收集器或其他光學(xué)元件上，例如掠入射反射鏡、垂 直入射反射鏡，等等。還有，碳也可能會(huì)淀積在類似反射鏡的光學(xué)元件上， 這也會(huì)導(dǎo)致像反射等的光學(xué)性能變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種光刻設(shè)備，其中存在的污染物被減少或其中這種 污染物被去除或變得無害。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，其包括輻射源，所述 光刻設(shè)備還包括具有構(gòu)造成滯留金屬污染物的第一表面的物體，其中所述 第一表面設(shè)置成在光刻處理過程中基本上位于輻射源產(chǎn)生的輻射束穿過
7的區(qū)域的外部。還提供光刻設(shè)備，其包括基于金屬蒸汽的極紫外輻射源。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種在光刻設(shè)備中用于束縛金屬污染 物的方法，所述光刻設(shè)備包括輻射源，所述方法包括在所述光刻設(shè)備中使 用物體，所述物體具有第一表面，所述第一表面構(gòu)造用于滯留金屬污染物， 并且第一表面配置成在光刻處理過程中基本上位于輻射源產(chǎn)生的輻射束 穿過的區(qū)域的外部。還提供這樣的方法，其中所述光刻設(shè)備包括基于金屬 蒸汽的極紫外輻射源。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種用于清潔光刻設(shè)備中的光學(xué)元件 的方法，所述光刻設(shè)備包括輻射源，所述方法包括在光刻設(shè)備中應(yīng)用物體， 所述物體具有第一表面，所述第一表面構(gòu)造成滯留金屬污染物，并且第一 表面構(gòu)造成在光刻處理過程中基本上位于輻射源產(chǎn)生的輻射束穿過的區(qū) 域的外部，所述光學(xué)元件具有第二表面，其中所述第二表面的金屬淀積物 將要被清除，所述方法還包括提供選自含氫的氣體、含氫基團(tuán)的氣體和含 鹵素的氣體的組中的一種或多種氣體到所述光學(xué)元件的所述第二表面。還 提供這樣的方法，其中所述光刻設(shè)備包括基于金屬蒸汽的極紫外輻射源。
在另一實(shí)施例中，所述第一表面在光刻處理過程中不配置在輻射源產(chǎn) 生的輻射束的路徑上。
在另一實(shí)施例中，所述第一表面可以配置成滯留來自基于金屬蒸汽的 極紫外輻射源的金屬污染物。
在另一實(shí)施例中，所述第一表面包括金屬表面，其中所述金屬選自釕
(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑 (Pt)、和金(Au)的組中的一種或多種金屬。


下面參考示意的附圖僅以示例的方式對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在
附圖中對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；
圖2示出根據(jù)圖1的光刻設(shè)備的EUV照射系統(tǒng)和投影光學(xué)系統(tǒng)的側(cè) 視圖3示出具有滯留金屬的表面的物體的光刻設(shè)備的實(shí)施例；圖4a-4d示出本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例；
圖5a-5c示出根據(jù)本發(fā)明的處理的實(shí)施例；和
圖6示出在實(shí)驗(yàn)中使用的裝備(setup)。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備1。所述光刻
設(shè)備1包括配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，紫外(UV)輻射或極紫外
(EUV)輻射)的照射系統(tǒng)(照射器)IL。支撐件(例如掩模臺(tái))MT配 置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參 數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連。襯底臺(tái)(例如晶片 臺(tái))WT配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W,并與配置用 于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連。投影系統(tǒng)(例 如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B 的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、 磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、 成形、或控制輻射。
所述支撐件支撐圖案形成裝置，例如承載圖案形成裝置的重量。支撐 件以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置 是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐件 可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所 述支撐件可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。 所述支撐件可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系 統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位 的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用 于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部 分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特
9征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的 功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括
掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型 相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的 示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿 不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射 鏡矩陣反射的輻射束。
應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光 學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如 使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語 "投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所示的，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。 替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或 更多的掩模臺(tái))的類型。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中，可以并行地使用附加的 臺(tái)，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái) 上執(zhí)行預(yù)備步驟。
光刻設(shè)備也可以是這種類型，其中襯底的至少一部分被具有相對(duì)較高 的折射率的液體覆蓋，例如水，以充滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙。浸沒 液體也可以應(yīng)用到光刻設(shè)備的其他空隙，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間的空 隙。浸沒技術(shù)用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是熟知的。這里用到 的術(shù)語"浸沒"并不意味著結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸入到液體中，而僅意 味著曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參照?qǐng)Dl，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射。該源和所述光 刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況 下，不會(huì)將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定 向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射從所述源SO傳
10到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分
(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果 需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。 通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi) 部徑向范圍(一般分別稱為J-外部和^-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照 射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述照射器 可以用來調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻度和強(qiáng)度分 布。
所述輻射束B入射到保持在支撐件(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案 形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。 已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束 聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器 IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確 地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B 的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可 以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器IF1 (例如，干涉儀器件、 線性編碼器或電容傳感器)用于將掩模MA相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確 地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模 塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。 類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短 行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相 反)，所述掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢?使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、 P2來對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底 W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是他們可以位于目 標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)上。類似地，在將多于一 個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管 芯之間。
可以將所述設(shè)備用于以下模式的至少一種
1.在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部
ii分C上的同時(shí)，將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止(即，單一的 靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不 同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜 態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上 的同時(shí)，對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動(dòng)態(tài)曝 光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng) PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的 最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方 向)，而所述掃描移動(dòng)的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方 向)。
3. 在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保 持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上 的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈 沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連 續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式 可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射 鏡陣列)的無掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，提供一種光刻設(shè)備，其包括構(gòu)造用于調(diào)節(jié) 輻射束的照射系統(tǒng)；構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置的支撐件，所述圖案形成 裝置構(gòu)造用于在輻射束的橫截面上將圖案賦予給輻射束以形成圖案化的 輻射束；構(gòu)造用于保持襯底的襯底臺(tái)；構(gòu)造用于將圖案化的輻射束投影到 襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，以及根據(jù)本發(fā)明的具有第一表面的物體。 在另一實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括構(gòu)造成產(chǎn)生用于EUV光刻的EUV輻射束 的EUV源。通常，EUV源設(shè)置在輻射系統(tǒng)中(見下面)。照射系統(tǒng)構(gòu)造 用于調(diào)節(jié)EUV源的EUV輻射束。
這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是多種類型的光學(xué)部件中的一種或 其組合，包括折射型、反射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)部件。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長X) 和極紫外(EUV或軟X射線)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長，例如 13.5nm)以及粒子束，例如離子束或電子束。通常，具有大約780-3000nm
(或更大)之間波長的輻射被認(rèn)為是紅外(IR)輻射。UV是指具有大約 100-400nm波長的輻射。在光刻技術(shù)中，通常也采用由汞放電燈產(chǎn)生的G-線436nm、 H-線405nm禾口/或I-線365nm的波長。VUV是真空UV (也就 是由空氣吸收的UV)，且波長大約為100-200nm。 DUV是深紫外(UV)， 并且通常用在采用由受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的類似126nm-248nm波長的 光刻中。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，具有波長范圍(例如)5-20nm的輻射涉及具有至 少部分在5-20nm范圍內(nèi)的特定波長頻段的輻射。
術(shù)語"含鹵素的氣體"或"含氫的氣體"分別指的是包括至少鹵素氣 體或氫氣的氣體或氣體混合物。在術(shù)語"含鹵素的氣體"中的術(shù)語"鹵素" 指的是選自F、 Cl、 Br和I中的至少一種或多種，既可以作為原子(基團(tuán)) 也可以作為化合物，例如F2、 Cl2、 Br2、 12、 HF、 HC1、 HBr、 HI，或者鹵 間化合物，例如C1F3，或其他包含選自F、 Cl、 Br和I中的一種或多種元 素的、在溫度大約50-500。之間可以形成氣態(tài)的化合物。在一個(gè)實(shí)施例中， 可以應(yīng)用F2、 Cl2、 Br2、 12中的一種或多種，特別是12。
術(shù)語"氫"和"氫基團(tuán)"也包括它們的同位素，特別是氘。因此，術(shù) 語"含氫的氣體"指的是其中包含氫氣或気或氚及類似物的氣體。在一個(gè) 實(shí)施例中，含氫的氣體包括選自H2、 HD、 D2、 HT、 DT、 丁2組中的一種 或多種。因此，術(shù)語"含氫的氣體"指的是選自包含H2、 D2、 T2、 HD、 HT和DT的氣體組中的氣體。包含鹵素的氣體或含氫的氣體還可以包括 其他類似的緩沖氣體的附加成分，例如氬氣等。"氫基團(tuán)流"指的是氣流， 其中在氣流中也存在氫基團(tuán)。通常，因?yàn)椴皇撬械臍涠紩?huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶊F(tuán)， 并且由于基團(tuán)再結(jié)合，這種氣體也包括氫氣分子(像H2， HD, D2， HT, DT, T2 中的一種或多種)。術(shù)語"含氫基團(tuán)的氣體"指的是其中包含氫基團(tuán)或氘 或氣及類似物的氣體。這種氣體還包括其他類似H2等還沒有從氫基團(tuán)離 解或重新結(jié)合的其它成分。術(shù)語"含氫的氣體源"指的是一個(gè)或多個(gè)氣體 源，其中氣體至少包括分子態(tài)的氫(和/或其類似物，見上面所述)。術(shù)語
"氫基團(tuán)源"指的是將至少部分氫氣(含氫的氣體)轉(zhuǎn)變成氫基團(tuán)以提供
13含氫基團(tuán)的氣體的裝置。這里的短語"將至少部分含氫的氣體轉(zhuǎn)變成含氫 基團(tuán)的氣體"指的是將含氫的氣體(來自含氫的氣體源)的氫分子的總量 的至少一部分轉(zhuǎn)變成氫基團(tuán)，以此形成含氫基團(tuán)的氣體。
術(shù)語"清潔結(jié)構(gòu)"和"用于清潔的方法"指的是用在清潔處理中的一 種結(jié)構(gòu)和一種方法。正如下面提到的，提供氫基團(tuán)可以用來還原氧化物， 例如氧化錫(或其他氧化物)，并且在下面的過程中，通過形成鹵化物， 卣素(像例如12)可以去除金屬，例如錫(或錳、鋅)。因而，本文中的 "清潔"意味著完全或部分地去除不希望的淀積物，而且也意味著清潔處 理的一部分，例如還原(基本上不去除淀積物)。因而，術(shù)語"清潔"也 包括在清潔處理的清潔過程中用氣體處理(處理)。此外，盡管如此在實(shí) 施例中氫基團(tuán)也可用來去除淀積物(通過形成例如錫的氫化物，或錳或鋅 的氫化物)。清潔處理也可以用來至少部分去除碳的淀積物(通過形成揮 發(fā)性碳?xì)浠衔?，例如甲?。短語"將要清潔"也指的是"將要部分清 潔"。
術(shù)語"光學(xué)元件"，"待清潔的表面"也分別涉及多個(gè)"光學(xué)元件"和 "多個(gè)待清潔的表面"。
圖2更詳細(xì)地示出了投影設(shè)備1，其包括輻射系統(tǒng)42、照射光學(xué)單元 44和投影系統(tǒng)PS。輻射系統(tǒng)42包括由放電等離子體形成的輻射源SO。 EUV輻射可由氣體或蒸汽(例如氙氣、鋰蒸汽或錫蒸汽)產(chǎn)生，在所述氣體 或蒸汽中，形成很熱的等離子體以發(fā)射在電磁波頻譜中EUV范圍的輻射。 通過例如放電器引起等離子體的至少部分離子化產(chǎn)生很熱的等離子體。 氙、鋰、錫蒸汽或任何其他合適的氣體或蒸汽需要分壓(例如10Pa)來有 效地產(chǎn)生輻射。由輻射源SO發(fā)射的輻射通過定位在輻射源室47的開口內(nèi) 或輻射源室的開口后面的氣體阻擋裝置或污染物捕獲裝置49從輻射源室 47進(jìn)入收集器室48。污染物捕獲裝置49包括溝道結(jié)構(gòu)。污染物捕獲裝置 49還可包括氣體阻擋裝置或氣體阻擋裝置和溝道結(jié)構(gòu)的結(jié)合。在實(shí)施例 中，錫源作為EUV源應(yīng)用。
收集器室48包括輻射收集器50 (也稱為收集器反射鏡或收集器)， 在一個(gè)實(shí)施例中其可以通過掠入射收集器來形成。輻射收集器50可以鄰 近源SO或源SO的像設(shè)置。通過收集器50的輻射被光柵光譜濾光片51
14反射，以在收集器室48中的孔處的虛源點(diǎn)52處聚焦。從收集器室48入 射，輻射束56在照射光學(xué)單元44內(nèi)通過垂直入射反射器53、 54反射到 定位在掩模版臺(tái)或掩模臺(tái)MT上的掩模版或掩模上。形成圖案化的輻射束 57，所述圖案化的輻射束57在投影系統(tǒng)PS中通過反射元件58、 59成像 到晶片臺(tái)或襯底臺(tái)WT上。 一般在照射光學(xué)單元44和投影系統(tǒng)PS中存在 比示出更多的元件。依賴于光刻設(shè)備的類型，可以視情況采用或不釆用光 柵光譜濾光片51。此外，可以有比圖中示出的更多的反射鏡，例如除反射 元件58、 59外還可以有1-4個(gè)反射元件。輻射收集器50是本領(lǐng)域熟知的。 在實(shí)施例中，輻射收集器50可以是掠入射收集器。輻射收集器50具 有上游輻射收集器側(cè)50a和下游輻射收集器側(cè)50b。收集器50沿光學(xué)軸線 O對(duì)準(zhǔn)。源SO或其圖像位于光學(xué)軸線O上。輻射收集器50可以包括反 射器142、 143、 146 (也是熟知的包括多個(gè)Wolter型反射器的Wolter型 反射器)。有時(shí)它們也稱為殼(shell)。這些反射器142、 143、 146可以是 嵌套的并是關(guān)于光學(xué)軸線O旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的。在圖2中，附圖標(biāo)記142表示內(nèi) 部反射器，附圖標(biāo)記143表示中間反射器，而附圖標(biāo)記146表示外部反射 器。輻射收集器50封閉一定的體積，也就是在外部反射器146內(nèi)的體積。 通常，在外部反射器146內(nèi)的該體積是圓周地閉合的，但是可以存在小的 開口。所有反射器142、 143和146包括至少部分包含反射層或多個(gè)反射 層的表面。因此，反射器142、 143和146 (可以存在更多的反射器并且這 里包括具有多于3個(gè)反射器或殼的輻射收集器50的實(shí)施例(也稱為收集 器反射鏡))，至少部分地設(shè)計(jì)用來反射和收集來自源SO的EUV輻射，并 且至少一部分反射器可以不是設(shè)計(jì)成反射和收集EUV輻射。例如，至少 反射元件的后側(cè)的一部分可以不設(shè)計(jì)成反射和收集EUV輻射。后者部分 也稱為后側(cè)(backside)。在這些反射層的表面上，還可以有額外的設(shè)置在 反射層的表面的至少一部分上的蓋層用于保護(hù)作用或作為光學(xué)濾光片。附 圖標(biāo)記180表示兩個(gè)反射器之間的間隙，例如在反射器142和143之間。 每個(gè)反射器142、 143、 146可以包括至少兩個(gè)相鄰的反射表面，與較靠近 源SO的反射表面相比，較遠(yuǎn)離源SO的反射表面與光學(xué)軸線O成更小的 角度。在這種方式中，掠入射收集器50構(gòu)造成產(chǎn)生沿光學(xué)軸線O傳播的 (E)UV輻射束。至少兩個(gè)反射器可以基本上共軸地放置并且關(guān)于光學(xué)軸線O基本上轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)稱地延伸。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，輻射收集器50在外部反射器146 的外表面上還可以具有其它特征或圍繞外部反射器146具有其它特征，例 如保護(hù)性的保持器，加熱器等。
也可以采用垂直入射收集器代替作為收集器反射鏡50的掠入射反射 鏡。收集器反射鏡50 (如這里在實(shí)施例中詳細(xì)描述的具有收集器142、 143 和146的嵌套的收集器并且在圖2和3中示意地示出)在這里還用作收集 器的示例。因而，在可應(yīng)用的情形中，如掠入射收集器的收集器反射鏡50 也可以認(rèn)為是一般意義的收集器，并且在其他實(shí)施例中也可以是垂直入射 收集器。
此外，也可以應(yīng)用透射式光學(xué)濾光片代替在圖2中示意地示出的光柵 51。透射EUV而少量透射或甚至基本上吸收UV輻射的光學(xué)濾光片在本 領(lǐng)域是公知的。因此，這里"光柵光譜純?yōu)V光片"還表示包括光柵或透射 式濾光片的"光譜純?yōu)V光片"。盡管在圖2中未示出，但EUV透射式光學(xué) 濾光片也可作為可選的光學(xué)元件包括在其中例如配置在收集器反射鏡50 的上游的EUV透射式光學(xué)濾光片或在照射單元44和/或投影系統(tǒng)PS中的 光學(xué)EUV透射式濾光片。
下面，特別描述本發(fā)明關(guān)于錫作為金屬污染物的例子。因此，金屬污 染物還經(jīng)常表示為"錫淀積物"或"錫污染物"。然而，可以用其他金屬 蒸汽源來產(chǎn)生例如用于EUV光刻的EUV輻射，這會(huì)產(chǎn)生其他金屬污染物 并由此產(chǎn)生淀積物。除了產(chǎn)生金屬污染物的作為源SO的金屬源，金屬污 染物也可以來自其他源(非光學(xué)源)，例如焊料、燈絲和支撐件等。因此， 術(shù)語"錫淀積物"或"錫污染物"特別指的是錫淀積物和污染物，但也可 以包括其他金屬淀積物和污染物。術(shù)語"錫污染物"(淀積物也一樣)也 指金屬的錫淀積物。然而，由于氧的存在(微量)，錫污染物也可能被氧 化成氧化錫。氧化錫或氫氧化錫也包括在術(shù)語"錫污染物"和"錫淀積物" 中。術(shù)語"錫污染物"和"錫淀積物"也包括錫的鹵氧化物。同樣，這也 適用其他金屬，例如Mn和Zn。因而，在其他實(shí)施例中，金屬污染物選自 來自錫、錳和鋅的組中的一種或多種元素的金屬、金屬氧化物、金屬氫氧 化物、金屬氫化物、金屬鹵化物和金屬鹵氧化物。由于源SO (當(dāng)基于錫 的時(shí)候)或來自其他源(例如焊料)，錫可能進(jìn)入光刻設(shè)備l。這里，氫化物(在該示例中是SnH4)的形成導(dǎo)致不想要的金屬朝向反射鏡的運(yùn)輸。同 樣，由于光刻工具中的部件的局部加熱，錳(Mn)和鋅(Zn)可能會(huì)進(jìn) 入光刻設(shè)備l中。在清潔操作過程中，第三個(gè)機(jī)制是還原金屬氧化物。在 清潔過程中產(chǎn)生的原子態(tài)氫還原金屬氧化物，并且由于與被氧化的金屬的 蒸汽壓相比金屬蒸汽壓升高，所以反應(yīng)后的得到的金屬用作金屬源。
此外，污染物可能是來自例如鋰源的鋰污染物。金屬錫、錳和鋅的鹵 化物和氫化物明顯淀積在吸雜裝置上。
術(shù)語"淀積物"指的是滯留(束縛)在表面上的污染物。金屬污染物 可能作為氣體或粒子存在于光刻設(shè)備內(nèi)。當(dāng)與表面接觸并束縛到這些表面 上(例如通過離子的、金屬的或范德瓦爾斯束縛)，金屬污染物可能形成 淀積物。這種淀積物可能包括一個(gè)或更多個(gè)層、島或(其他)污染物的局 部堆積物。在淀積前，淀積物具有氣體或粒子以外的特征。例如，錫的氫 化物可能形成金屬化的錫淀積物(包括再淀積)或氧化錫淀積物(包括再 淀積)。
圖2中示出的所有的光學(xué)元件(和在該實(shí)施例的示意性附圖中未示出 的光學(xué)元件)容易受到污染物的淀積物的破壞的。特別地，當(dāng)應(yīng)用金屬蒸 汽源的時(shí)候，由源SO產(chǎn)生的金屬、金屬粒子或金屬化合物(例如錫源的 錫)可能淀積在光學(xué)元件上。對(duì)于輻射收集器50和(如果存在)光譜純 濾光片51，而且對(duì)于垂直入射反射器53、 54和反射元件58、 59或其他光 學(xué)元件，例如額外的反射鏡、光柵、(透明的)光學(xué)濾光片等都是這樣。 不同的光學(xué)元件可能不得不至少部分地清潔例如錫(或其他金屬)和/或碳 淀積物，或通過應(yīng)用吸雜裝置進(jìn)行保護(hù)以防止污染物的淀積。在實(shí)施例中， 光學(xué)元件選自收集器反射鏡50、輻射系統(tǒng)42 (也是熟知的源收集器模塊)、 照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS (也是熟知的投影光學(xué)系統(tǒng)箱POB)的組。在 實(shí)施例中，所述元件也可以是光譜純?yōu)V光片51。在另一實(shí)施例中，所述元 件也可以是掩模，尤其是反射式多層掩模。因而，在實(shí)施例中選自包括在 輻射系統(tǒng)42中的光學(xué)元件的組的光學(xué)元件，類似收集器反射鏡50 (可以 是垂直入射收集器或掠入射收集器)、光譜純?yōu)V光片51 (光柵或透射式濾 光片)、輻射系統(tǒng)(光學(xué)的)傳感器(未示出)、包括在照射系統(tǒng)44中的 光學(xué)元件，像反射鏡53和54 (或其他反射鏡，如果存在的話)和照射系
17統(tǒng)(光學(xué)的)傳感器(未示出)、包括在投影系統(tǒng)PS中的光學(xué)元件，類似
反射鏡58和59 (或其他反射鏡，如果存在的話)和投影系統(tǒng)(光學(xué)的) 傳感器(未示出)。在其他實(shí)施例中，術(shù)語"光學(xué)元件"也包括污染物阻 擋裝置49。因此，術(shù)語"光學(xué)元件"指的是一種或多種元件，所述元件選 自光柵光譜濾光片、透射式光學(xué)濾光片、多層反射鏡、在多層反射鏡上的 涂層濾光片、掠入射反射鏡、垂直入射反射鏡(例如多層收集器)、掠入 射收集器、垂直入射收集器、(光學(xué))傳感器(例如EUV敏感的傳感器)、 污染物阻擋裝置49和掩模的組。
此外，不但光學(xué)元件可能會(huì)被錫等污染，而且壁、保持器、支撐系統(tǒng)、 氣鎖、污染物阻擋裝置49等也會(huì)被污染。該淀積物可能不直接影響光學(xué) 元件的光學(xué)性能，但是由于再淀積，該淀積物可能會(huì)淀積(也就是再淀積) 到光學(xué)元件上，并因此影響光學(xué)性能。因而，甚至不淀積在光學(xué)元件上的 淀積物可能在后來的步驟中由于再淀積而導(dǎo)致光學(xué)元件的表面的污染。這 可能導(dǎo)致像反射、透射、均勻性等光學(xué)性能的降低。
因而，在其他實(shí)施例中，吸雜裝置配置在光刻設(shè)備l內(nèi)。圖3中示意 地示出了非限定的實(shí)施例及其變體。圖3示意地示出了輻射系統(tǒng)42的一 部分。在該模塊內(nèi)，設(shè)置物體301。它們可以設(shè)置在任何位置，但是特別 地，不設(shè)置在光刻過程中由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B的路徑中。物體301 可以是可移動(dòng)的(也見下面)。
物體301包括表面302，用第一表面表示，構(gòu)造成滯留來自例如光刻 設(shè)備1中的基于金屬蒸汽的源SO和/或其他金屬源的金屬(也就是說物體 301是吸雜裝置，特別地是化學(xué)吸雜裝置)。這樣的表面可以基本上是平的， 也可以是彎曲的，還可以在顯微尺度上是粗糙的以便增大有效表面等。物 體301例如可以是板。在實(shí)施例中，可以使用表面302的外部面積為大約 1-1000 cm2，尤其是5-500 cm2的板。
在另一實(shí)施例中，表面301包括增大表面301的表面積的網(wǎng)眼、海綿 體或其他粗糙物，因而改善滯留金屬分子的能力。在又一實(shí)施例中，表面 301包括例如通過如刻蝕處理獲得的納米孔的納米結(jié)構(gòu)，或通過例如沉積 或?yàn)R射處理獲得的納米顆粒。
在另一實(shí)施例中，第一表面302不是光學(xué)元件的表面層。正如上面提到的，在一個(gè)實(shí)施例中第一表面302配置成基本上在光刻過程中由輻射源 SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的區(qū)域的外部。特別地，表面302和輻射束B之 間的最短間距是在大約O.lmm到100cm之間。在其他實(shí)施例中，表面302 和輻射束B之間的最短間距是在大約0.5到10cm之間。
在又一實(shí)施例中，第一表面302包括金屬表面，其中金屬選自來自釕 (Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑 (Pt)、和金(Au)的組中的一種或多種金屬。很明顯，這些表面，也就 是這些金屬的表面能夠清除(滯留)錫。因此，通過設(shè)置物體301，錫可 以被表面302滯留。表面302用作吸雜裝置。在另一實(shí)施例中，所述表面 包括鉑。在另一具體實(shí)施例中，所述表面包括釕。在又一實(shí)施例中，表面 302包括金屬的表面。在另一實(shí)施例中，表面302包括金屬氧化物。因而， 在實(shí)施例中，術(shù)語"金屬表面"還包括金屬氧化物表面。
在這里所述的實(shí)施例中，第一表面302，以及在其他實(shí)施例中整個(gè)物 體301基本上(或完全地)設(shè)置在(光刻過程中)對(duì)形成圖像有貢獻(xiàn)的輻 射路徑的外部。如果吸雜裝置的表面302碰巧接收到一些輻射，例如在反 射表面的邊緣，則假如圖像的形成基本上不受影響的話這也不是嚴(yán)重的問 題。為了給出另一示例，孔可以在阻止輻射穿過系統(tǒng)的其他部分的區(qū)域上 構(gòu)造有收集表面。在這樣的實(shí)施例中，表面302至少部分地處在輻射束中， 但是不在到達(dá)下一個(gè)光學(xué)元件的那部分輻射束中。因此，對(duì)形成圖像有貢 獻(xiàn)的該部分輻射路徑不會(huì)受到表面302干擾。因此，短語"基本上配置在 光刻過程中由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的區(qū)域的外部"指的是表面 302的配置，其中表面302 (特別是整個(gè)物體301)配置在設(shè)備中，同時(shí)并 不干擾在晶片W上形成圖像。但是，在另一實(shí)施例中，第一表面302也 不設(shè)置在光刻過程中輻射源產(chǎn)生的輻射束路徑中，也就是它基本上不會(huì)受 到來自源SO的輻射，甚至不會(huì)受到來自輻射束B側(cè)邊的輻射。
此外，很明顯，氫或氫基團(tuán)(見下面)或兩者促使錫(或其他金屬) 淀積在表面302上，并因此也促進(jìn)其吸雜裝置的功能。因而，在另一實(shí)施 例中，在設(shè)置有物體301 (也就是表面302)的模塊中使用含氫的氣體或 含氫基團(tuán)的氣體。在光刻設(shè)備l中或在設(shè)置有物體301的模塊中，氣體可 以保持在室溫，并且物體的表面302也可以保持在室溫。也可以實(shí)施升溫，例如將表面302加熱到大約250。C。然而，即使是在室溫下，很明顯表面 302具有吸雜功能，并收集錫等。當(dāng)使用除了上面提到的金屬之外的其他 表面時(shí)，通常吸雜功能較弱或甚至沒有。例如，當(dāng)使用硅表面時(shí)，錫的淀 積物將減少一個(gè)量級(jí)以上。
在另一實(shí)施例中，包含物體301的模塊被保持在大約在10—7到500毫 巴之間的壓力下，特別地，被保持在大約1(^到1毫巴之間的壓力下。
在又一實(shí)施例中，在模塊內(nèi)的氫氣(也就是包括上面提到的類似物) 的分壓在大約O.Ol到500毫巴之間，更希望地，在10至U 300毫巴之間。 在實(shí)施例中，總的氣壓等于或低于大約500毫巴，更優(yōu)選地等于或低于大 約300毫巴，更優(yōu)選地等于或低于大約200毫巴(也就是包括氫氣)。
在又一實(shí)施例中，光學(xué)元件包括收集器反射鏡50，并且模塊42內(nèi)的 氫氣分壓在大約0.01到500毫巴之間，更優(yōu)選地是在大約10到300毫巴 之間。在實(shí)施例中，總的氣壓等于或低于大約500毫巴，更優(yōu)選地是等于 或低于大約300毫巴，甚至希望等于或低于大約200毫巴(也就是包括氫 氣)。當(dāng)收集器反射鏡50包括如上面所述的"Wolter收集器"的收集器反 射鏡時(shí)(如圖2和3中示意地示出)，這些條件是特別有用的。
在再一實(shí)施例中，光學(xué)元件201包括包含在照射單元IL或投影系統(tǒng) PS中的光學(xué)元件。在模塊IL或PS中的氫氣的分壓可以是在大約0.01到 IOO毫巴之間，更優(yōu)選地是在大約O.Ol到1毫巴之間。在實(shí)施例中，總的 氣體壓力等于或低于大約IOO毫巴，更優(yōu)選地是等于或低于大約1毫巴(也 就是包括氫氣)。同樣，包括掩模的光刻設(shè)備1的部分可以保持在這樣的 壓力中。
參考圖4a，由于流動(dòng)或由于擴(kuò)散帶來氫基團(tuán)。氫基團(tuán)的存在可能是例 如由于使用氫氣的氣鎖，也可以是特意加入的。氫基團(tuán)可以借助多種裝置 產(chǎn)生(見下面)。含氫基團(tuán)的氣體用附圖標(biāo)記96表示。光學(xué)元件201可能 在表面202上具有不想要的淀積物203。光學(xué)元件201表示可能受到淀積 物(或再淀積)損害的任何表面，例如那些透鏡、反射鏡、傳感器等光學(xué) 元件(也可見上面)。光學(xué)元件201可以指的是收集器反射鏡50和光譜純 濾光片51。物體301可以鄰近表面202設(shè)置。由于氫基團(tuán)96的存在，淀 積物形成揮發(fā)性的氫化物，例如氫化錫、氫化鋅等。由于存在包含氫基團(tuán)的氣體96的流動(dòng)，這種揮發(fā)性氫化物擴(kuò)散掉或被去除掉。很明顯，氫化
物更優(yōu)先淀積(也就是再淀積)在表面302上。因而，以這樣方式，能夠 改善對(duì)表面202的清潔和/或改善物體301的表面302的吸雜效果(也就是 滯留不希望的污染物)。因而，以這種方式，也能減少在表面202上的(再) 淀積物來自其他地方(再)淀積到表面302的污染物。例如，來自源SO (如果是錫基的)的錫可能淀積在表面302，可以是錫顆粒，也可以是錫 的氫化物(由于錫和氫基團(tuán)96的存在形成的錫的氫化物)。當(dāng)氫化物與表 面302接觸時(shí)，錫或錫化合物淀積(束縛)，并且可以形成氫基團(tuán)，氫基 團(tuán)可能再次用來與模塊中的(光學(xué))元件上的污染物或淀積物反應(yīng)。表面 302可以作為一種化學(xué)吸雜裝置起作用。在實(shí)施例中，它也可以用作清潔 裝置。
在圖4b中，示出了另一實(shí)施例，還具有(光學(xué))元件201，但是在 此具有可移動(dòng)的(可選的特征)物體301。物體301是可移動(dòng)，例如通過 任何常規(guī)的機(jī)構(gòu)。在圖4b中，示出實(shí)施例，其中物體301可通過可移動(dòng) 的臂360的方式移動(dòng)。通過應(yīng)用可移動(dòng)的物體301，在光刻處理過程中物 體301可以設(shè)置在輻射束B的路徑外部，但是在清潔處理過程中可以鄰近 (光學(xué))元件201設(shè)置(也可見下面)。在實(shí)施例中，這里的術(shù)語"鄰近" 表示，在第二表面302和第一表面202之間的最短間距是在大約O.lmm和 20cm之間，更希望是在大約0.5到10cm之間。
在圖4b中的結(jié)構(gòu)還包括氫源700。氫源700可以是"附加"的源， 但也可以是"本身的"源，例如氣鎖(例如在輻射模塊42和照射模塊IL 之間的氣鎖)。在實(shí)施例中，源700是含氫氣體100的源，其形成氫基團(tuán) 源103。氣體100可以通過管道104供給，所述管道配置成將來自含氫氣 體的源700的含氫的氣體100供給氫基團(tuán)源103。氫基團(tuán)可以由氫基團(tuán)源 103、從來自含氫的氣體100中的氫氣、通過選自熱絲、等離子體(例如 射頻生成)、輻射(特別是紫外輻射)以及將氫氣轉(zhuǎn)變成氫基團(tuán)的催化劑 的組中的一種或多種基團(tuán)形成途徑而產(chǎn)生。因而，氫基團(tuán)源103包括選自 能夠被加熱的絲(包括配置成控制該絲的溫度的裝置)、等離子體發(fā)生裝 置、輻射源(也就是，并非源SO)和催化劑的組中的一種或多種。氫基 團(tuán)源103的實(shí)施例在美國專利申請(qǐng)公開出版物2006/0072084A1中有記載，
21這里以引用的方式并入本文。在另一實(shí)施例中，氫基團(tuán)源103包括對(duì)氫氣
的離解具有催化活性的催化表面。在其他實(shí)施例中，這種催化活性表面可
以是管道104的至少部分的內(nèi)表面。
在又一實(shí)施例中，氫基團(tuán)源103包括源SO，例如源SO的紫外輻射 可以用來產(chǎn)生氫基團(tuán)。
管道104與源700處于氣體接觸，并且可以設(shè)置成在預(yù)定位置上提供 氣體IOO，例如在表面202的幾厘米距離范圍內(nèi)。在另一實(shí)施例中，出口 106離表面202的至少一部分不足大約10cm。
在實(shí)施例中，管道104可以是可移動(dòng)的，例如放置在收集器反射鏡 50的兩個(gè)殼體之間的預(yù)定位置上(如圖2中用附圖標(biāo)記180所示)。
例如由于設(shè)置成造成管道104內(nèi)的氣體的流動(dòng)的泵，或由于源700中 相對(duì)于其中配置光學(xué)元件201的空間中壓力的過壓，或由于排氣泵400， 含氫的氣體100至少部分在表面202的方向上流動(dòng)?？梢岳脙蓚€(gè)或更多 個(gè)的結(jié)合，例如設(shè)置成提供穿過管道104的流100的泵和設(shè)置成從其中配 置光學(xué)元件201的空間中排出氣體的泵400。在圖4b中示意地示出的結(jié)構(gòu) 中，可以提供流到表面202。所述氣流開始時(shí)包括含氫的氣體流100。而 且，除了上面之外，術(shù)語"流"還可包括氫氣100的擴(kuò)散并且也適用于氫 基團(tuán)96的擴(kuò)散。因此，當(dāng)使用含氫的氣體流100時(shí)，所述流可以是，但 不必需沿著表面202的方向引導(dǎo)。揮發(fā)的反應(yīng)產(chǎn)物由于擴(kuò)散也可能從表面 202上擴(kuò)散掉。
氫基團(tuán)源103從含氫的氣體100產(chǎn)生含氫基團(tuán)的氣體96。這種含氫 基團(tuán)的氣體96可以例如導(dǎo)向/流向元件201的表面202。由于氫基團(tuán)的存 在，表面202上的金屬污染物和金屬淀積物203可能轉(zhuǎn)變成揮發(fā)性氫化物 ((再)淀積去除)。這用附圖標(biāo)記204表示。揮發(fā)性氫化物可以例如通過 使用泵400通過排氣口 550排出。此外，揮發(fā)性污染物可以通過物體302 的第一表面301被吸雜，因而在表面302上形成更少的或不可移動(dòng)的淀積 物。
至少部分污染物203將會(huì)被去除，例如作為揮發(fā)性氫化物(如CH4, SnH4等，或鹵化物，如鹵化錫，例如錫的氯化物或錫的碘化物等)，而且 可能會(huì)形成水(在錫氧化物被轉(zhuǎn)變?yōu)殄a時(shí))(見上面)并且被去除。揮發(fā)
22性污染物可通過排氣口去除。在實(shí)施例中，揮發(fā)性污染物至少部分通過泵
400被排出。泵400包括開口或入口 (排氣開口)或多個(gè)開口 107和排氣 口 550?？蛇x地，開口 107可以設(shè)置成與泵400氣體接觸的管道471。在 實(shí)施例中，管道471可以移動(dòng)到接近將要清潔的表面的預(yù)定位置，使得管 道471可以定位成排出由于氫基團(tuán)(并且可選為鹵素)處理產(chǎn)生的揮發(fā)性 污染物204。
在實(shí)施例中，含氫基團(tuán)的氣體96的流速至少是lm/s。
可選擇地，或附加地，可以存在其他氣體源。這在圖4b中用附圖標(biāo) 記700'表示，它表示含卣素的氣體100'的源。鹵素可以與金屬一起形成(例 如錫)揮發(fā)性的鹵化物。在這種方法中，金屬也可以移動(dòng)并且淀積在物體 301的表面302上，因而在表面302上形成更少的或不可移動(dòng)的淀積物。
氣體可以分別通過管道104和104'和出口 106和106'導(dǎo)入到模塊中。 然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，也可以是存在一個(gè)管道104、 104'，或多個(gè)管道104、 104，，并且也可以是存在一個(gè)出口 106、 106，和多個(gè)106、 106，。
如上面提到的，在實(shí)施例中，表面302可以用作一種化學(xué)吸雜裝置， 例如與氫基團(tuán)和/或鹵素一起結(jié)合使用。因而，表面302被設(shè)置成滯留金屬 污染物并且可以在用于束縛金屬污染物的方法中使用。然而，在另一實(shí)施 例中，吸雜功能在一種用于清潔的方法中使用。如上所述，具有表面302 的物體301也可以用作一種用于清潔(處理)光學(xué)元件的清潔結(jié)構(gòu)(的部 分)。下面，更詳細(xì)地描述表面302的后一種功能。
用氫基團(tuán)和鹵素清潔和處理金屬污染物和金屬淀積物可以結(jié)合起來 使用或交替使用。在實(shí)施例中，淀積物，例如包含錫的淀積物，可以通過 鹵素(氣體)去除，例如F2，Cl2,Br2和12，并且在另一實(shí)施例中，通過氫 基團(tuán)去除，并且在又一實(shí)施例中，通過氫基團(tuán)和一種或多種鹵素的組合去 除，或者同時(shí)地使用，或者依次使用。在存在具有例如錫的淀積物的情形 中，由于存在少量的氧化物，所以通常也一定程度上存在錫氧化物。為了 去除錫氧化物，在去除元素錫之前可以進(jìn)行還原步驟。因而，在實(shí)施例中， 將要清潔的表面的清潔處理可包括提供含氫基團(tuán)的氣體到將要清潔的表 面的過程。在又一實(shí)施例中，清潔處理包括提供含氫基團(tuán)的氣體到將要清 潔的表面的過程，其中含氫基團(tuán)的氣體還包括一種或多種鹵素氣體(例如上面提到的)。在另一實(shí)施例中，將要清潔的表面的清潔處理可包括提供 含氫基團(tuán)的氣體到將要清潔的表面以及隨后提供含氫基團(tuán)的氣體到將要 清潔的表面，其中含氫基團(tuán)的氣體還包括一種或多種鹵素氣體。在又一實(shí) 施例中，將要清潔的表面的清潔處理包括提供含氫基團(tuán)的氣體到將要清潔 的表面以及隨后提供含鹵素的氣體到將要清潔的表面的過程。這些實(shí)施例 的處理可以可選地進(jìn)一步包括后面的過程，其包括提供含氫基團(tuán)的氣體到 將要被清潔的表面上。通過這些處理，可以去除錫(或其他金屬)和/或碳, 并且特別適用于去除錫。
因而，用于還原或用于去除的氫基團(tuán)，不得不提供到收集器50的表
面的至少一部分，或通常提供到光學(xué)元件201的將要被清潔的表面202的 至少一部分。這些表面例如是反射器142、 143和146的被類似錫的污染 物所污染的EUV反射表面。此外，氫基團(tuán)可以通過形成揮發(fā)性碳?xì)浠?物來去除碳淀積物。
在另一實(shí)施例中，包括物體301的模塊在清潔(處理)過程中被保持 在大約10-7到500毫巴之間的壓力中，優(yōu)選地在大約10—2到1毫巴之間 的壓力中。在另一實(shí)施例中，模塊中氫氣(也就是包括上面提到的類似物) 的分壓在大約0.01到500毫巴之間，更優(yōu)選地，在大約10到300毫巴之 間(也見上面)。在實(shí)施例中，總的氣體壓力等于或低于大約500毫巴， 更優(yōu)選地等于或低于大約300毫巴，更優(yōu)選地等于或低于大約200毫巴(也 就是包括氫氣)。上面提到的壓力在清潔/處理過程中也應(yīng)用。同樣地，在 實(shí)施例中，含氫基團(tuán)的氣體96的流速至少為lm/s。
參考圖4b，本發(fā)明也把注意力放在光刻設(shè)備1上，所述光刻設(shè)備1 還包括第一清潔結(jié)構(gòu)250，第一清潔結(jié)構(gòu)250包括含氫的氣體源700和氫 基團(tuán)源103和可選地含鹵素的氣體源700，，光刻設(shè)備1還包括具有第二表 面202的光學(xué)元件201 (或其他元件)，其中第二表面202將被清潔來自源 SO或其他源或源頭(見上面)的金屬淀積物(直接淀積物或再淀積物， 或同時(shí)是淀積物和再淀積物；在實(shí)施例中包括金屬氧化物)，其中清潔結(jié) 構(gòu)250配置成提供含氫基團(tuán)的氣體96，可選地含鹵素的氣體100'，或者提 供含氫基團(tuán)的氣體96和可選地含鹵素的氣體100兩者，到光學(xué)元件201 的第二表面202，且其中具有第一表面302的物體301還構(gòu)造成滯留金屬
24再淀積物(如上面所述)。
在另一實(shí)施例中，清潔結(jié)構(gòu)250配置成在第一表面302和第二表面 202之間提供含氫基團(tuán)的氣體96，例如如圖4a示意地示出的(在圖4c中 也示出)。此外，物體301在第二表面202的方向上是可移動(dòng)的，并且清 潔結(jié)構(gòu)250可以配置成在第一表面302和第二表面202之間提供含氫基團(tuán) 的氣體96。這里表面302被用作吸雜裝置，清除揮發(fā)性氫化物204，例如 錫的氫化物和/或揮發(fā)性錫的鹵化物204和/或(小的)錫顆粒。
第一表面302不僅可以用作吸雜裝置，第一表面302還可以用作催化 劑。特別地，當(dāng)金屬表面302選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、 錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、柏(Pt)、和金(Au)的組中的一種或多種 金屬，含氫的氣體100中的氫氣可以在表面302解離并且形成氫基團(tuán)。即 使在環(huán)境溫度下這也可以發(fā)生。因而，如圖4c所示，第二表面302不僅 配置用于滯留污染物(例如錫)，而且配置用于解離氫氣(并且可選其中 的類似物)，因而被配置作為氫基團(tuán)源103。這里，第一表面302包括催化 表面，也就是氫基團(tuán)發(fā)生裝置103。
因而，在另一實(shí)施例中，清潔結(jié)構(gòu)250配置用于在第一表面302和第 二表面202之間提供含氫的氣體100。再者，物體201在第二表面202的 方向上是可移動(dòng)的(并且因而配置在基本上光刻處理過程中由源SO產(chǎn)生 的輻射束B穿過的區(qū)域的外部)。在另一實(shí)施例中，可以應(yīng)用選自釕(Ru)、 銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)和鉑(Pt)的組中一種或多種金屬。不同的 是，可以選擇釕(Ru)和鉑(Pt)中的至少一種。
在又一實(shí)施例中，參照?qǐng)D4b和4c，光刻設(shè)備1還包括第一清潔結(jié)構(gòu) 250，第一清潔結(jié)構(gòu)250包括含鹵素的氣體源700，，光刻設(shè)備1還包括具 有第二表面202的光學(xué)元件201，其中第二表面202被清潔來自源SO或 其他源和源頭的金屬淀積物203，其中清潔結(jié)構(gòu)250配置成提供含鹵素的 氣體IOO，到光學(xué)元件201的第二表面202，且其中具有第一表面302的物 體還構(gòu)造成滯留金屬再淀積物。由于存在鹵素，依附到表面302的污染物 和金屬淀積物203可能會(huì)形成揮發(fā)性鹵化物(例如錫、鋅或錳的氯化物或 碘化物)，再淀積到表面302 (通常作為金屬或金屬氧化物)。至少部分揮 發(fā)性鹵化物可以被排出(見上面)。清潔結(jié)構(gòu)250可以配置成在第一表面302和第二表面202之間提供含鹵素的氣體100，，并且如上面提到的，物 體301是可移動(dòng)的，使得表面302可以被移動(dòng)到表面202的方向。以這種 方式，表面202的揮發(fā)性淀積物203在表面302上的(再)淀積會(huì)增加， 這導(dǎo)致淀積物203的減少或去除。揮發(fā)性淀積物用附圖標(biāo)記204表示。
在圖4d中示出了另一實(shí)施例。圖4d示意地示出了光學(xué)元件201，特 別地，具有涂層205的反射鏡或光柵。在實(shí)施例中，所述涂層包括來自釕 (Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鈾 (Pt)、和金(Au)的組中一種或多種的金屬。這種涂層可以用作蓋層， 作為光譜純度層等。光學(xué)元件201設(shè)置在光刻設(shè)備1中以由輻射束B部分 地照射。例如，光學(xué)元件201可以是收集器反射鏡50或光譜純?yōu)V光片51 等，其中所述光學(xué)元件覆蓋有涂層205。所述表面的部分由輻射束B照射。 通常也會(huì)是所述部分上發(fā)現(xiàn)一定量的金屬淀積物203，直接來源于源SO (這尤其適用在將收集器反射鏡50作為光學(xué)元件201)。在光學(xué)元件201 的表面202上的淀積物用附圖標(biāo)記203表示。涂層205的一部分沒有被照 射。這部分用陰影線的區(qū)域205'表示。這些區(qū)域的表面沒有或僅有少量的 淀積物203。因而，沒有被輻射束B照射的這些部分，也就是圖4b中用 區(qū)域205'表示的，可以用作表面302。因而，在實(shí)施例中，沒有被輻射束 B照射的表面202的部分205'被用作表面302，因而例如與氫氣100、氫 基團(tuán)96和鹵素氣體100'中的一個(gè)或更多個(gè)結(jié)合來提供吸雜裝置的功能(并 且可選地也可以是基團(tuán)發(fā)生裝置103)。表面202的部分205'也可以是設(shè)置 在輻射束B中的光刻設(shè)備1的元件的陰影內(nèi)的表面202的部分。例如，污 染物捕獲裝置49會(huì)在例如收集器反射鏡50上引入一些陰影。這些陰影區(qū) 域，它們也可以是區(qū)域205'，沒有被輻射束B照射并且也可以用作吸雜裝 置表面302和/或作為催化表面103。
在另一實(shí)施例中，參照?qǐng)D4d，表面203的部分205被輻射束B照射。 這部分用于在晶片(還在設(shè)備中，未在圖中示出)上形成圖像。這部分在 由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的區(qū)域內(nèi)，并且用于形成圖像。而第一 表面302 (這里作為表面202的部分205'示出)基本上在輻射束B穿過的 區(qū)域外部，并且沒有被輻射束B穿過。但是，在輻射束B的側(cè)邊/翼的輻 射可能仍然會(huì)照射表面202的部分205'。因而，在實(shí)施例中，部分205'
26在光刻處理過程中可以基本上設(shè)置在由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的
區(qū)域的外部，但是可以不在輻射束的整個(gè)路徑的外部。然而，當(dāng)部分205' 更遠(yuǎn)(比示意性的圖4d中示出的更遠(yuǎn))時(shí)，它們也可以設(shè)置在輻射束B 的路徑外部。
上面所述的實(shí)施例和有關(guān)附圖4b、 4c和4d，不僅可以用于從光學(xué)元 件201上清潔淀積物203，而且可選地或附加地，也可以用于防止光學(xué)元 件201的表面202上的污染物的淀積(尤其是錫和碳淀積)也就是物體 301是吸雜裝置(如上面所述)。由于氫氣和/或氫基團(tuán)的存在，形成了揮 發(fā)性污染物，它們可以被排出(錫的鹵化物或錫的氫化物，甲垸)或優(yōu)先 地作為其金屬或化合物滯留在物體301的表面302上(錫鹵化物或錫氫化 物)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種用于在光刻設(shè)備1中束縛金屬污 染物的方法，所述光刻設(shè)備包括輻射源SO，在實(shí)施例中是基于金屬蒸汽 的極紫外輻射源SO (例如用于產(chǎn)生極紫外輻射的錫放電源)，所述方法包 括在光刻設(shè)備1中使用具有第一表面302的物體301，其中第一表面302 包括金屬表面，其中在實(shí)施例中，所述金屬選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、 銀(Ag)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉬(Pt)、和金(Au)的組中的 一種或多種，其中第一表面302構(gòu)造成滯留來自基于金屬蒸汽的極紫外輻 射源和/或來自其他源或源頭的金屬，并且其中第一表面302配置成在光刻 處理過程中基本上位于由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的區(qū)域外部。所 述方法還可包括提供選自含氫的氣體100、含氫基團(tuán)的氣體96和含鹵素的 氣體100，的組中的一種或多種氣體。由于一種或多種上述氣體的存在，淀 積物可以被揮發(fā)并且淀積在表面302上(見上面)。
將要由表面302吸取的污染物是選自金屬、金屬氧化物、金屬氫化物、 金屬氫氧化物、金屬鹵化物和金屬鹵氧化物的組中的一種或多種污染物。 這些污染物是揮發(fā)性的或可以被揮發(fā)的，并且可以淀積在表面302上，并 且在那里形成金屬、金屬氧化物、金屬氫化物、金屬氫氧化物、金屬鹵化 物和金屬鹵氧化物淀積物。
在另一實(shí)施例中，所述用于束縛(滯留)金屬污染物的方法用于清潔 (包括處理)光學(xué)元件201的表面202或其他元件的表面。因而，提供一種方法，其中光刻設(shè)備1還包括具有第二表面202的光學(xué)元件201，其中表面202將要被清潔除去金屬淀積物203 (包括來自別的位置的再淀積物)，所述方法還包括提供選自含氫的氣體100、含氫基團(tuán)的氣體96和含鹵素的氣體100'的組中的一種或多種氣體到光學(xué)元件201的第二表面202。特別地，提供一種在光刻設(shè)備1中用于清潔光學(xué)元件201的方法，所述方法包括在光刻設(shè)備1中使用具有第一表面302的物體301，其中第一表面302包括金屬表面，其中在實(shí)施例中，所述金屬選自釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉬(Pt)和金(Au)的組中的一種或多種，其中第一表面302構(gòu)造成滯留來自基于金屬蒸汽的極紫外輻射源和/或來自其他源或源頭的、可以(再)淀積到第一表面302上的金屬污染物，并且其中第一表面302配置成在光刻處理過程中基本上在由輻射源SO產(chǎn)生的輻射束B穿過的區(qū)域外部；具有第二表面202的光學(xué)元件201，其中第二表面202將要被清潔除去金屬淀積物，所述方法還包括提供選自含氫的氣體100、含氫基團(tuán)的氣體96和含鹵素的氣體100'的組中的一種或多種氣體。
第一表面302吸取污染物并且提供由于氫基團(tuán)(或氫氣)和鹵素中的一種或多種的存在而使光學(xué)元件或其他元件上的淀積物被去除并淀積在第一表面302上的效果。因此，第一表面302被污染。當(dāng)例如表面302也設(shè)置成產(chǎn)生氫基團(tuán)，表面302的污染物(也就是氫基團(tuán)源103的污染物)可能是不希望的。因而，在另一實(shí)施例中，光刻設(shè)備1還包括第二清潔結(jié)構(gòu)，其中所述第二清潔結(jié)構(gòu)配置成清潔第一表面302上的金屬淀積物。此外，還提供一種如上述的方法，還包括從第一表面302上清潔金屬淀積物。所述第二清潔結(jié)構(gòu)沒有示出。所述第二清潔結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在光刻設(shè)備1的內(nèi)部或外部。
圖5a-5c示意地示出了可以實(shí)施的多個(gè)步驟。在階段191，物體301用作吸雜裝置并清除污染物。過一段時(shí)間后，物體301的表面302可選地轉(zhuǎn)移(a)到第二清潔結(jié)構(gòu)中，并且在階段192，物體301的表面302被清潔。在基本上去除了物體301的表面302上的淀積物后，該物體可被再次使用并可從所述第二清潔結(jié)構(gòu)中轉(zhuǎn)移回到(b)其實(shí)現(xiàn)其吸雜功能的位置(也就是滯留污染物)。例如，可以通過使用帶表面302的旋轉(zhuǎn)盤或使用帶表面302的平移帶，可移動(dòng)的臂360等來執(zhí)行這種工藝。
圖5b示出了與上面所述相同的方案。但是，物體301不僅用來吸取來自所述源的金屬，也可以用來清潔(也就是去除淀積物)光刻設(shè)備的元件，例如光學(xué)元件201。這個(gè)用附圖標(biāo)記193表示，其表示清潔階段，其中光學(xué)元件201的表面202被清潔(用清潔結(jié)構(gòu)250)。實(shí)施這種清潔歸功于氫基團(tuán)和/或鹵素的存在。這使淀積物和金屬污染物揮發(fā)，隨后淀積在表面301上。過一段時(shí)間后，物體301的表面302可選地轉(zhuǎn)移(a)到第二清潔結(jié)構(gòu)中，并且在階段192中，物體301的表面302被清潔。在物體301的表面302上的淀積物基本上去除后，所述物體可以再次使用并且從第二清潔結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移回到(b)其實(shí)現(xiàn)其吸雜功能和清潔功能所在的位置。
在圖5c，表面302不僅是吸雜裝置，而且具有氫基團(tuán)源103的功能。這些功能用191/194表示，其中該標(biāo)記表示吸雜階段和清潔階段，其中物體301是吸雜裝置(191)，和用于由氫氣形成氫基團(tuán)的催化劑(194)。過一段時(shí)間后，物體301的表面302可選地轉(zhuǎn)移(a)到第二清潔結(jié)構(gòu)中，并且在階段192中，物體301的表面302被清潔。在物體301的表面302上的淀積物基本上去除后，所述物體可以被再次使用并且從第二清潔結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移回到(b)其實(shí)現(xiàn)其吸雜功能191和清潔功能193以及產(chǎn)生氫基團(tuán)的功能194所在的位置。
上面所述的過程可以通過加熱進(jìn)行促進(jìn)。因而，在另一實(shí)施例中，光刻設(shè)備還可以包括配置成加熱選自含氫的氣體、含氫基團(tuán)的氣體、含鹵素的氣體和光學(xué)元件201的組中的一個(gè)或更多個(gè)的加熱結(jié)構(gòu)(未示出)。加熱可以例如在室溫和大約250 。C之間范圍內(nèi)進(jìn)行，特別地，在大約100到250。C之間范圍內(nèi)進(jìn)行。例如，在如上所述地進(jìn)行清潔處理過程中加熱元件可以用來將收集器反射鏡50加熱到大約100到250 °C之間的溫度范圍內(nèi)。
本發(fā)明不僅可以在清潔光學(xué)元件或其它元件上的錫等的過程中應(yīng)用，本發(fā)明還可以在清潔碳淀積物的過程中使用。通過形成氫基團(tuán)96，也可以通過在例如圖4a中示出的單獨(dú)的氫基團(tuán)源103或通過貴金屬表面(或鉑系元素金屬的金屬表面)，還通過形成揮發(fā)性碳?xì)浠衔?例如甲烷)去除碳淀積物。這些碳?xì)浠衔锟梢詥为?dú)通過排氣口 550排出(通過泵400)。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供用于真空環(huán)境的物體20i，其中所述
真空環(huán)境包括處于0.01到500毫巴之間壓力下的氫氣，物體201包括構(gòu)造成在其上滯留金屬原子和化合物的第一表面202。
參見圖6，用在流動(dòng)管90入口處的錫的厚層91和在管90內(nèi)朝向下游并間距分別為dl和d2的清潔樣品92和93進(jìn)行多次實(shí)驗(yàn)。
在所有的傳輸實(shí)驗(yàn)中，使用完全為玻璃的流動(dòng)管。在第一次實(shí)驗(yàn)中，壓力是20毫巴，并且裸露的硅樣品92和93用作驗(yàn)證樣品。在所述管的入口處的樣品91具有大約50-60nm的錫層被淀積到硅襯底上。當(dāng)氫基團(tuán)96流入的到管90中樣品91上， 一些錫將會(huì)從厚樣品91上去除。驗(yàn)證樣品92、 93用來測試錫是否將再淀積到這些樣品92、 93上。在上述第一次實(shí)驗(yàn)中，在暴露到氫基團(tuán)中大約4分鐘后，在驗(yàn)證樣品上沒有發(fā)現(xiàn)錫。
接下來，重復(fù)相同的實(shí)驗(yàn)，但是這次使用釕樣品作為驗(yàn)證樣品92、93。在這次實(shí)驗(yàn)中存在對(duì)于錫傳輸并淀積在驗(yàn)證樣品上的明顯的證據(jù)；在暴露到氫氣中三分鐘后，在兩個(gè)驗(yàn)證樣品92、 93上存在大約O.lnm錫，同時(shí)從厚錫樣品91上去除大約5nm錫。
當(dāng)比較這兩個(gè)實(shí)驗(yàn)時(shí)，很明顯襯底材料92、 93的類型影響到錫是否淀積。在貴金屬(例如金、銀)和鉑系元素金屬(例如釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉬(Pt))上的淀積是好的，而在其他材料上的淀積較差。因?yàn)楸砻?02構(gòu)造成滯留淀積物，特別地，表面302的材料選自這里所述的貴金屬和鉑系元素金屬，更希望為釕和/或鉑。
這里的管指的是充氣管或氣管，也就是用來輸運(yùn)例如氫氣的氣體的管。
應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，氣體流動(dòng)可以是與圖示的不同的方向。本發(fā)明不限于只用極紫外輻射，也可以是用于使用其他輻射的光刻設(shè)備，如上面所述。除錫源外的其他輻射源SO帶來的其他污染物，或來自其他源頭(例如焊料)等的污染物等，也可以通過清潔結(jié)構(gòu)250和本發(fā)明的清潔方法去除。此外，除了上面提到的基于錫、鋅和錳的金屬和金屬化合物，通過第一表面302也可以滯留其他金屬(或金屬化合物)。
本發(fā)明的清潔方法還可以用于清潔除光學(xué)元件的表面外的其他表面，例如壁、支撐結(jié)構(gòu)、氣鎖等。同樣，用于滯留金屬污染物的方法也可以用來吸取那些淀積在除光學(xué)元件的表面外的其他表面(例如壁、支撐結(jié)構(gòu)和氣鎖等)上的金屬污染物。吸雜裝置(也就是第一表面)不但可以阻止或減少光學(xué)元件上的淀積物，而且可以阻止或減少例如壁等元件上的淀積物。在實(shí)施例中，元件201不但可以表示光學(xué)元件，而且在實(shí)施例中可以表示光刻設(shè)備1中的任何元件。在光刻設(shè)備1中的每個(gè)表面都可以因設(shè)置
表面302而受益。
雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理
解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁
疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。
盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。
上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但應(yīng)該理解本發(fā)明可以以除上面所述以外的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的至少一個(gè)可機(jī)讀的指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述的計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。
上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本
31領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離所附的本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對(duì)上述本發(fā)明進(jìn)行更改。
權(quán)利要求
1. 一種光刻設(shè)備，其包括輻射源，所述輻射源構(gòu)造成提供輻射束；和物體，所述物體具有構(gòu)造用于滯留金屬污染物的第一表面，所述第一表面設(shè)置成在光刻處理過程中基本上位于由所述輻射源產(chǎn)生的所述輻射束所穿過的區(qū)域外部。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中-所述第一表面不設(shè)置在光刻處理過程中由所述輻射源產(chǎn)生的所述輻射束的路徑中。
3. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述第一表面設(shè)置成滯留選自從錫、錳和鋅的組中選出的一種或多種元素的金屬、金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬氫化物、金屬鹵化物和/或金屬鹵氧化物的組的金屬污染物。
4. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述輻射源包括基于金屬蒸汽的極紫外輻射源，并且所述第一表面構(gòu)造成滯留來自所述基于金屬蒸汽的極紫外輻射源的金屬。
5. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述輻射源是錫輻射源。
6. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述第一表面包括金屬表面，并且所述金屬選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑、和金的組中的一種或多種金屬。
7. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述第一表面不是光學(xué)元件的表面層。
8. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述物體是可移動(dòng)的。
9. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其還包括第一清潔結(jié)構(gòu)，所述第一清潔結(jié)構(gòu)包括含氫的氣體源；和氫基團(tuán)源；和具有第二表面的光學(xué)元件，其中所述第二表面將要被清潔除去金屬淀積物，所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成提供含氫基團(tuán)的氣體到所述光學(xué)元件的所述第二表面，并且具有所述第一表面的所述物體還構(gòu)造成滯留金屬再淀積物。
10. 如權(quán)利要求9所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)設(shè)置成在所述第一表面和所述第二表面之間提供含氫的氣體和/或含氫基團(tuán)的氣體。
11. 如權(quán)利要求9-10中任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述物體在所述第二表面的方向上是可移動(dòng)的，并且所述第一清潔結(jié)構(gòu)設(shè)置成在所述第一表面和所述第二表面之間提供含氫的氣體和/或含氫基團(tuán)的氣體。
12. 如權(quán)利要求9-11中任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)還包括含鹵素的氣體源。
13. 如權(quán)利要求12所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成提供含氫基團(tuán)的氣體和/或含鹵素的氣體到所述光學(xué)元件的所述第二表面。
14. 如權(quán)利要求12所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在所述第一表面和所述第二表面之間提供含氫的氣體、含氫基團(tuán)的氣體和/或含鹵素的氣體。
15. 如權(quán)利要求ll所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)還包括含鹵素的氣體源。
16. 如權(quán)利要求15所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在所述第一表面^所述第二表面之間提供含氫氣體、含氫基團(tuán)的氣體和/或含鹵素的氣體。
17. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述第一表面包括催化表面。
18. 如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其還包括第二清潔結(jié)構(gòu)，其中所述第二清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成清潔所述第一表面除去金屬淀積物。
19. 如權(quán)利要求l所述的光刻設(shè)備，其還包括第一清潔結(jié)構(gòu)，所述第一清潔結(jié)構(gòu)包括含鹵素的氣體源；具有第二表面的光學(xué)元件，其中所述第二表面將要被清潔除去金屬淀積物，所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成提供含鹵素的氣體到所述光學(xué)元件的所述第二表面，并且具有所述第一表面的所述物體還構(gòu)造成滯留金屬再淀積物。
20. 如權(quán)利要求19所述的光刻設(shè)備，其中所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在所述第一表面和所述第二表面之間提供含鹵素的氣體。
21. 如權(quán)利要求19和20中的任何一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中所述物體在所述第二表面的方向上是可移動(dòng)的，并且所述第一清潔結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在所述第一表面和所述第二表面之間提供所述含鹵素的氣體。
22. —種光刻設(shè)備，其包括輻射源，所述輻射源構(gòu)造成提供輻射束；和物體，所述物體具有構(gòu)造成滯留金屬污染物的第一表面，其中所述第一表面設(shè)置成在光刻處理過程中基本上位于由所述輻射源產(chǎn)生的所述輻射束所穿過的區(qū)域外部，所述第一表面包括金屬表面，其中所述金屬選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金的組中的一種或多種金屬，并且所述第一表面不是光學(xué)元件的表面層。
23. —種用于在光刻設(shè)備中束縛金屬污染物的方法，所述光刻設(shè)備包括構(gòu)造成產(chǎn)生輻射束的輻射源，所述方法包括對(duì)光刻設(shè)備中的物體的污染物進(jìn)行還原，所述物體具有構(gòu)造成滯留金屬污染物的第一表面，所述第一表面設(shè)置成在光刻處理過程中基本上位于由輻射源產(chǎn)生的輻射束所穿過的區(qū)域外部。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第一表面包括金屬表面，其中所述金屬是選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金的組中的一種或多種金屬。
25. 如權(quán)利要求23-24中任何一項(xiàng)所述的方法，其還包括提供選自含氫的氣體、含氫基團(tuán)的氣體和含鹵素的氣體中的一種或多種氣體。
26. 如權(quán)利要求23-25中任何一項(xiàng)所述的方法，其中所述金屬污染物是選自從錫、錳和鋅的組中選出的一種或多種元素的金屬、金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬氫化物、金屬鹵化物和/或金屬卣氧化物的組中的一種或多種金屬污染物。
27. 如權(quán)利要求23-26中任何一項(xiàng)所述的方法，其還包括清潔所述第一表面除去金屬淀積物。
28. —種用于在光刻設(shè)備中清潔光學(xué)元件的方法，所述光刻設(shè)備包括構(gòu)造成產(chǎn)生輻射束的輻射源，所述方法包括對(duì)光刻設(shè)備中的物體的污染物進(jìn)行還原，所述物體具有構(gòu)造成滯留金屬污染物的第一表面，所述第一表面設(shè)置成在光刻處理過程中基本上位于由所述輻射源產(chǎn)生的所述輻射束所穿過的區(qū)域外部，所述光學(xué)元件具有第二表面，其中所述第二表面將要被清潔除去金屬淀積物；和提供選自含氫的氣體、含氫基團(tuán)的氣體和含鹵素的氣體的組中的氣體到所述光學(xué)元件的所述第二表面。
29. 如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一表面包括金屬表面，并且所述金屬是選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金的組中的一種或多種金屬。
30. 如權(quán)利要求28-29中任何一項(xiàng)所述的方法，其中所述金屬污染物是選自從錫、錳和鋅的組中選出的一種或多種元素的金屬、金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬氫化物、金屬鹵化物和/或金屬鹵氧化物的組中的一種或多種金屬污染物。
31. 如權(quán)利要求28-30中任何一項(xiàng)所述的方法，其中所述輻射源是錫輻射源。
32. 如權(quán)利要求28-31中任何一項(xiàng)所述的方法，其中提供一種或多種氣體包括在所述第一表面和所述第二表面之間提供一種或多種氣體。
33. 如權(quán)利要求28-32中任何一項(xiàng)所述的方法，還包括清潔所述第一表面除去金屬淀積物。
全文摘要
一種光刻設(shè)備包括輻射源和具有構(gòu)造成滯留金屬污染物的第一表面(302)的物體(301)。這個(gè)表面具有吸雜裝置的功能。第一表面配置成基本上在光刻處理過程中位于由輻射源產(chǎn)生的輻射束所穿過的區(qū)域的外部。在一種清潔方法中第一表面還用來滯留所生成的揮發(fā)性污染物。
文檔編號(hào)B08B7/00GK101506737SQ200780030613
公開日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月14日
發(fā)明者伍特·安東·索倫, 威迪姆·耶烏根耶維奇·班尼恩, 約翰內(nèi)斯·休伯特斯·約瑟芬妮·摩爾斯, 馬騰·馬瑞內(nèi)斯·約翰內(nèi)斯·威爾赫爾姆斯·范合鵬 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司