晶圓的碎屑的清除方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶圓的碎屑的清除方法，包括如下步驟：步驟一、在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠；步驟二、用可溶解所述光刻膠的溶劑對步驟一得到的晶圓進(jìn)行清洗；步驟三、對步驟二得到的晶圓依次進(jìn)行干法去膠處理和濕法去膠處理。這種晶圓的碎屑的清除方法通過在沾染了碎屑的晶圓表面涂覆一層光刻膠，從而光刻膠會填滿臺階和臺階之間的空隙并將碎屑粘附住，接著采用可溶解上述光刻膠的溶劑對晶圓進(jìn)行清洗，從而使得碎屑會隨著光刻膠一起被可溶解光刻膠的溶劑洗去。相對于傳統(tǒng)的采用高壓噴水和刷子清洗的方法，這種晶圓的碎屑的清除方法可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑。
【專利說明】晶圓的碎屑的清除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種晶圓的碎屑的清除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，IC集成度不斷提高，線寬不斷減小，對硅襯底片的質(zhì)量要求也越來越高，而拋光片表面的顆粒和金屬雜質(zhì)污染會嚴(yán)重影響器件的質(zhì)量和成品率。
[0003]晶圓在不斷被加工成形及拋光處理的過程中，由于與各種有機(jī)物及各種粒子(如研磨、拋光)以及各機(jī)臺的金屬接觸而受到污染，因此將這些污染物去除干凈是晶圓制造過程中尤為重要的一個工藝步驟。
[0004]在晶圓搬送和加工過程中，偶爾會發(fā)生晶圓碎裂，碎屑會沾污其他晶圓。通常的碎片流程中采用高壓噴水和刷子清洗的方法去除晶圓上粘附的碎屑。
[0005]然而，這種方法對于低臺階晶圓效果較好，對于高臺階晶圓則無法達(dá)到去除高臺階晶圓上粘附的晶圓碎屑的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑的晶圓的碎屑的清除方法。
[0007]一種晶圓的碎屑的清除方法，包括如下步驟:
[0008]在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠；
[0009]用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗。
[0010]在一個實(shí)施例中，所述晶圓為高臺階晶圓。
[0011]在一個實(shí)施例中，采用旋涂的方式在所述沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。
[0012]在一個實(shí)施例中，所述光刻膠為光刻膠AR100、光刻膠SPR955或光刻膠MIR701。
[0013]在一個實(shí)施例中，所述可溶解所述光刻膠的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯。
[0014]在一個實(shí)施例中，還包括在用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗后，對清洗后的晶圓依次進(jìn)行干法去膠處理和濕法去膠處理的操作。
[0015]在一個實(shí)施例中，所述干法去膠處理為:采用原子態(tài)氧與所述光刻膠反應(yīng)，接著抽去生成的氣態(tài)成分H2O和CO2。
[0016]在一個實(shí)施例中，所述濕法去膠處理為:采用洗液將晶圓表面殘留的有機(jī)物去除。
[0017]這種晶圓的碎屑的清除方法通過在沾染了碎屑的晶圓表面涂覆一層光刻膠，從而光刻膠會填滿臺階和臺階之間的空隙并將碎屑粘附住，接著采用可溶解上述光刻膠的溶劑對晶圓進(jìn)行清洗時，一方面碎屑和光刻膠之間結(jié)合力較強(qiáng)，另一方面光由于刻膠的表面張力，從而使得碎屑會隨著光刻膠一起被可溶解光刻膠的溶劑洗去。相對于傳統(tǒng)的采用高壓噴水和刷子清洗的方法，這種晶圓的碎屑的清除方法可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑。
【專利附圖】

【附圖說明】[0018]圖1為一實(shí)施方式的晶圓的碎屑的清除方法的流程圖；
[0019]圖2為SlO得到的晶圓的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0021]如圖1所示的一實(shí)施方式的晶圓的碎屑的清除方法，步驟如下。
[0022]S10、在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。
[0023]本實(shí)施方式中，晶圓為高臺階晶圓。
[0024]—般而目，聞臺階晶圓指晶圓表面圖形深寬比大于I的晶圓。
[0025]本實(shí)施方式中采用旋涂的方式在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。旋涂的方式操作簡單容易，自動化程度高，可控性高。
[0026]在其他的實(shí)施方式中，也可以選擇其他的涂覆方式。
[0027]在晶圓的搬送和加工過程中，容易因?yàn)榫A碎裂而產(chǎn)生碎屑。在沾染了碎屑的晶圓表面涂覆一層光刻膠，得到如圖2所示的晶圓10。
[0028]如圖2所示，晶圓10的臺階12上和臺階12之間沾染了碎屑16。在沾染了碎屑16的晶圓10上涂覆一層光刻膠14后，由于光刻膠14具有流動性，光刻膠14會填滿臺階12和臺階12之間的空隙并將碎屑16粘附住。
[0029]在正常情況下，碎屑16與臺階12直接只是單純的附著，兩者間的結(jié)合力較低。而碎屑16和光刻膠14之間會因?yàn)楣饪棠z14的粘附性而具有較強(qiáng)的結(jié)合力。
[0030]本實(shí)施方式中，光刻膠14采用光刻膠AR100。在其他的實(shí)施方式中，光刻膠14還可以采用光刻膠SPR955、光刻膠MIR701等。
[0031]S20、用可溶解上述光刻膠的溶劑對SlO得到的晶圓進(jìn)行清洗。
[0032]采用可溶解上述光刻膠14的溶劑對晶圓10進(jìn)行清洗時，一方面碎屑16和光刻膠14之間結(jié)合力較強(qiáng),另一方面光由于刻膠14的表面張力，從而使得碎屑16會隨著光刻膠14 一起被可溶解光刻膠14的溶劑洗去。
[0033]一般而言，溶劑會隨著光刻膠14的不同而不同，但是需要滿足如下條件:
[0034]第一，對光刻膠14具有較好的溶解性；
[0035]第二，不會對晶圓產(chǎn)生侵蝕；
[0036]第三，在常溫常壓下具有穩(wěn)定性。
[0037]本實(shí)施方式中，可溶解上述光刻膠14的溶劑采用PGMEA。在其他的實(shí)施方式中，可溶解上述光刻膠14的溶劑也可以選擇其他溶劑，只要能夠符合上述要求即可。
[0038]清洗的方式可以采用沖洗，利用流體的沖力，可以更容易將碎屑16隨著光刻膠14
一起清除。
[0039]一般而言，S20得到的晶圓，其之前粘附的碎屑絕大部分都已經(jīng)被清除掉。
[0040]然而，對于某些清潔度要求非常高的場合，此時的碎屑?xì)埩暨€會對后續(xù)的工藝造成影響。在這種情況下，可以再重復(fù)SlO和S20若干次，直至碎屑?xì)埩舴弦鬄橹?。[0041]在一個較優(yōu)的實(shí)施例中，還可以對S20得到的晶圓依次進(jìn)行干法去膠處理和濕法去膠處理，以更進(jìn)一步的去除粘附在晶圓上的光刻膠。
[0042]干法去膠處理為:采用原子態(tài)氧與光刻膠反應(yīng)，接著抽去生成的氣態(tài)成分H2O和CO2。
[0043]濕法去膠處理為:采用洗液將晶圓表面殘留的有機(jī)物去除。
[0044]洗液可以為SPM (H2S04+H202)或者EKC270 (羥胺+2-氨基乙氧基乙醇+鄰苯二酚+水)等等。
[0045]這種晶圓的碎屑的清除方法通過在沾染了碎屑16的晶圓10表面涂覆一層光刻膠14，從而光刻膠14會填滿臺階12和臺階12之間的空隙并將碎屑16粘附住，接著采用可溶解上述光刻膠14的溶劑對晶圓10進(jìn)行清洗時，一方面碎屑16和光刻膠14之間結(jié)合力較強(qiáng)，另一方面光由于刻膠14的表面張力，從而使得碎屑16會隨著光刻膠14 一起被可溶解光刻膠14的溶劑洗去。相對于傳統(tǒng)的采用高壓噴水和刷子清洗的方法，這種晶圓的碎屑的清除方法可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑。
[0046]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，包括如下步驟: 在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠； 用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，所述晶圓為高臺階晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，采用旋涂的方式在所述沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，所述光刻膠為光刻膠ARlOO、光刻膠SPR955或光刻膠MIR701。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，所述可溶解所述光刻膠的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，還包括在用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗后，對清洗后的晶圓依次進(jìn)行干法去膠處理和濕法去膠處理的操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，所述干法去膠處理為:采用原子態(tài)氧與所述光刻膠反應(yīng)，接著抽去生成的氣態(tài)成分H2O和C02。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓的碎屑的清除方法，其特征在于，所述濕法去膠處理為:采用洗液將晶圓表面殘留的有機(jī)物去除。
【文檔編號】B08B7/00GK103962345SQ201310034989
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月29日
【發(fā)明者】李玉華 申請人:無錫華潤上華科技有限公司