用于沉浸式光刻光學(xué)系統(tǒng)的清洗方法
【專利摘要】一種用于沉浸式光刻光學(xué)系統(tǒng)的清洗方法，涉及的沉浸式光刻裝置具有用于保持刻線板的刻線板臺，用于保持工件的工件臺，和位于工件對面、由照射源和光學(xué)元件組成的光學(xué)系統(tǒng)，用于通過照射源的輻射投影刻線板的圖像。在光學(xué)元件和工件之間限定一個間隙，并且一個流體供應(yīng)器件用于向該間隙內(nèi)提供沉浸流體，從而在沉浸式光刻處理中使供應(yīng)的沉浸流體與光學(xué)元件和工件均接觸。具有一個清洗器件，其用于在清洗處理期間從光學(xué)元件除去吸附的液體。該清洗器件可以使用與被吸附液體具有親和力的清洗液體、加熱、真空條件、超聲波振蕩或者空化泡來除去吸附的液體。清洗液體可以通過相同的具有切換器件例如閥的流體施加器件加以提供。
【專利說明】用于沉浸式光刻光學(xué)系統(tǒng)的清洗方法
[0001]本分案申請是基于申請?zhí)枮?004800096916，申請日為2004年4月2日，發(fā)明名稱為“用于沉浸式光刻光學(xué)系統(tǒng)的清洗方法”的中國專利申請的分案申請。更具體說，本分案申請是基于申請?zhí)枮?01010113560.X，申請日為2004年4月2日，發(fā)明名稱為“用于沉浸式光刻光學(xué)系統(tǒng)的清洗方法”的分案申請的再次分案申請。
[0002]相關(guān)專利申請參考
[0003]本申請要求獲得如下專利申請的優(yōu)先權(quán)，即美國臨時專利申請N0.60/462, 556，其于2003年4月11日提出申請，和美國臨時專利申請N0.60/482,913，其于2003年6月27日提出申請，本文引用其內(nèi)容作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0004]本發(fā)明涉及一種沉浸式光刻系統(tǒng)，更特別地，除了系統(tǒng)之外，還涉及一種用于清洗在沉浸式光刻處理中接觸并吸附水的光學(xué)元件的方法。
【背景技術(shù)】
[0005]沉浸式光刻系統(tǒng)用于向工件，例如晶片，和光學(xué)系統(tǒng)最后一級光學(xué)兀件之間的空間內(nèi)提供液體，用于將刻線板的圖像投影到工件上面，這種沉浸式光刻系統(tǒng)如W099/49504中公開的，本文引用其內(nèi)容，用于說明該技術(shù)的一般背景以及與之有關(guān)的一些大體考慮。如此提供的液體能夠提聞光學(xué)系統(tǒng)的性能和曝光的品質(zhì)。
[0006]用于波長為193nm的光線的待提供液體可以是水，盡管對于具有其它波長的光線可能需要不同的液體。因?yàn)楣鈱W(xué)系統(tǒng)最后一級光學(xué)元件暴露于液體，所以有可能會吸附一些液體。如果光學(xué)系統(tǒng)的最后一級光學(xué)元件是透鏡，則這種可能性特別高，因?yàn)榉}是用于光刻系統(tǒng)的普通透鏡材料，而它是易吸濕的材料，容易從周圍環(huán)境中吸附水分。
[0007]被吸附的水分會導(dǎo)致多種問題。首先，它會改變透鏡的折射性能或者使透鏡膨脹從而改變透鏡的幾何尺寸，從而惡化由透鏡投射的圖像。其次，它可能由于化學(xué)效應(yīng)導(dǎo)致透鏡發(fā)生長期惡化。
[0008]傳統(tǒng)的空氣沉浸式曝光光刻系統(tǒng)要求光學(xué)元件可以拆卸，以便進(jìn)行維護(hù)工作，例如進(jìn)行清洗。
[0009]然而，除去光學(xué)元件以及在清洗之后重置它或者用新的光學(xué)元件替換該光學(xué)元件是一個繁瑣而耗時的操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種系統(tǒng)和方法，其能夠反復(fù)地清除透鏡上的水從而使被吸附的水量不會達(dá)到臨界值，進(jìn)而防止圖像惡化和透鏡的長期破壞。
[0011]本發(fā)明的另一個目的是提供一種系統(tǒng)和方法，其使得維護(hù)沉浸式光刻裝置的光學(xué)元件更容易，借此提供光學(xué)元件的可用壽命。
[0012]本發(fā)明的沉浸式光刻裝置包括一個用于保持刻線板的刻線板臺，一個用于保持工件的工作臺，一個光學(xué)系統(tǒng)，其包括一個照射源和一個位于工件對面并通過照射源的輻射將刻線板的圖像投影在工件上面的光學(xué)元件，同時在光學(xué)元件和工件之間限定一個間隙，和一個流體提供器件，其在沉浸式光刻處理期間，在光學(xué)元件和工件之間提供沉浸流體并使之相互接觸。該裝置還包括一個用于清洗光學(xué)元件的清洗器件。在本文中，術(shù)語“清洗”既用于表示清除吸附到光學(xué)元件中的液體，也用于表示清除灰塵、碎屑、鹽等。
[0013]在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以使用許多與前述不同類型的清洗器件。例如，它可以包括與待和光學(xué)元件接觸的沉浸流體具有親和力的清洗液體。如果沉浸液體是水，則可以使用乙醇作為清洗液體。作為另一個實(shí)例，清洗器件可以包括用于加熱光學(xué)元件的發(fā)熱器件和/或用于在光學(xué)元件上產(chǎn)生真空條件的真空器件。
[0014]超聲波振蕩可以用于清除被吸附液體?？梢詫⒊暡ㄕ袷幤?，例如壓電換能器，附著在光學(xué)元件的外罩上或者放置在光學(xué)元件的對面，從而通過保持在間隙中的液體向光學(xué)元件發(fā)射振動。
[0015]選擇地,可以使用空化泡(cavitating buble)清除被吸附的液體。一個有翼(fin)的襯墊用于在保持在襯墊和光學(xué)元件之間的間隙內(nèi)的液體中產(chǎn)生空化泡。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的再一個實(shí)施例，通過提供一個流路切換器件(flowroute-switching device),例如切換閥門，可以選擇地使用噴嘴提供清洗液體，通過該噴嘴將沉浸液體供應(yīng)到工件和光學(xué)元件之間的間隙內(nèi)。
[0017]利用本發(fā)明的相同和方法，清洗處理變得相當(dāng)容易而快速，因?yàn)椴辉傩枰鹦洞逑吹墓鈱W(xué)元件，并且該清洗處理提高了光學(xué)元件的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]通過聯(lián)系附圖參考下面的說明，可以最佳地理解本發(fā)明及其進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0019]圖1是可以采用本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的沉浸式光刻裝置的示意性剖面圖；
[0020]圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明使用圖1所示裝置制造半導(dǎo)體器件的示例性處理的處理流程圖；
[0021]圖3是在根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件時，圖2所示晶片處理步驟的流程圖；
[0022]圖4是顯示圖1所示沉浸式光刻裝置一部分的側(cè)視圖；
[0023]圖5是具有超聲換能器作為清洗器件的另一個沉浸式光刻裝置一部分的示意性側(cè)視圖；
[0024]圖6是在光學(xué)系統(tǒng)下面具有壓電清洗器件的另一個沉浸式光刻裝置一部分的示意性側(cè)視圖；
[0025]圖7是壓電器件一個實(shí)例的示意圖；
[0026]圖8是具有兩個相互固定的壓電平面元件作為清洗器件的再一個沉浸式光刻裝置一部分的示意性側(cè)視圖；
[0027]圖9是具有發(fā)泡襯墊作為清洗器件的再一個沉浸式光刻裝置一部分的示意性側(cè)視圖；和
[0028]圖10是在流體供應(yīng)器件內(nèi)具有切換器件的另一個沉浸式光刻裝置一部分的示意性側(cè)視圖。[0029]在全部附圖中，類似的或等價的部件在不同的附圖中用相同的符號或數(shù)字表示，并且出于簡化說明的目的，可以不再重復(fù)解釋。
【具體實(shí)施方式】
[0030]圖1顯示了沉浸式光刻裝置100，在其上面可以應(yīng)用本發(fā)明的方法和系統(tǒng)。
[0031]如圖1所示，沉浸式光刻裝置100包括一個照射光學(xué)單元1，其包括一個光源例如受激準(zhǔn)分子激光器單元，一個光學(xué)積分器(或者均化器)和一個透鏡，該照射光學(xué)單元用于發(fā)射波長為248nm的紫外光IL，從而入射刻線板R上的圖形?？叹€板R上的圖形通過遠(yuǎn)心光投影單元(telecentric light projection unit) PL以指定的放大率(例如1/4或1/5)投影到涂覆有光刻膠的晶片W上。脈沖光線IL可以選擇的是波長為193nm的ArF受激準(zhǔn)分子激光器激光，波長為157nm的F2受激準(zhǔn)分子激光器激光,或者波長為365nm的萊燈i線。隨后，在說明光刻裝置100的結(jié)構(gòu)和功能時，用圖1所示的X-，Y-和Z-軸坐標(biāo)系表示方向。為了便于公開和說明，在圖1中，光投影單元PL僅圖解了位于晶片W對面的最后一級光學(xué)元件(例如透鏡)4和包含其余部件的圓柱形外罩3。
[0032]刻線板R支持在刻線板臺RST上，該刻線板臺包括一個用于沿著X方向和Y方向移動刻線板R并圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)。亥_板R在刻線板臺RST上的二維位置和取向由激光干涉計(未顯示)實(shí)時地檢測，并且刻線板R的定位由主控制單元14根據(jù)該檢測加以影響。
[0033]晶片W通過晶片固定器(未顯示)固定在Z臺9上，用于控制晶片W的聚焦位置(沿著Z軸)和傾角。Z臺9固定在XY臺上，該XY臺適合于在基本上平行于光投影單元PL的成像表面的XY平面上移動。XY臺10設(shè)定在基座11上。這樣，Z臺9通過自動聚焦和自動對準(zhǔn)(leveling)方法調(diào)節(jié)晶片W的聚焦位置(沿著Z軸)和傾角，用于使晶片表面與光投影單元PL的圖像表面相匹配，并且XY臺10用于沿著X方向和Y方向調(diào)節(jié)晶片W的位置。
[0034]Z臺9 (因此也稱作晶片W)的二維位置和取向通過另一個激光干涉儀13并參考固定于Z臺9上的可動反射鏡實(shí)時地加以監(jiān)視?；谠摫O(jiān)視的控制數(shù)據(jù)從主控制單元14發(fā)送到臺驅(qū)動單元15，該臺驅(qū)動單元適合于根據(jù)所接收的控制數(shù)據(jù)控制Z臺9和XY臺10的運(yùn)動。在曝光時，投影光線根據(jù)刻線板R上的圖形以步進(jìn)-重復(fù)(step-and-repeat)的程序或者以步進(jìn)-掃描的(step-and-scan)程序順序地從晶片W上的一個曝光位置移動到另一個曝光位置。
[0035]參考圖1說明的光刻裝置100是一個沉浸式光刻裝置，因此至少在將刻線板R上的圖形投影到晶片W上時，其適合于用特殊種類的液體(或者“沉浸液體”)7，例如水，充滿晶片W的表面與光投影單元PL最后一級光學(xué)元件4的下表面之間的空間(“間隙”)。
[0036]光投影單元PL的最后一級光學(xué)元件4可以可拆卸地固定在圓柱形外罩3上，并被設(shè)計成使液體7只接觸最后一級光學(xué)元件4而不接觸圓柱形外罩3，因?yàn)橥庹?典型地用金屬材料制成，并且容易腐蝕。
[0037]液體7在控溫的條件下從液體供應(yīng)單元5提供到晶片W上方的空間并通過液體回收單元6加以收集，該液體供應(yīng)單元可以包括一個儲罐、一個壓力泵和一個溫度調(diào)節(jié)器(未單獨(dú)顯示)。液體7的溫度被調(diào)節(jié)成與放置光刻裝置100的室內(nèi)的溫度近似相同。數(shù)字21表示供應(yīng)噴嘴，液體7通過它從供應(yīng)單元5加以提供。數(shù)字23表示回收噴嘴，液體7通過它被收集到回收單元6內(nèi)。然而應(yīng)當(dāng)記住，上述參考圖1的結(jié)構(gòu)并不對可以應(yīng)用本發(fā)明的清洗方法和器件的沉浸式光刻裝置的范圍構(gòu)成限制。換言之，不必問，本發(fā)明的清洗方法和器件能夠應(yīng)用于許多不同類型的沉浸式光刻裝置。特別地，應(yīng)當(dāng)記住，圍繞光投影單元PL的供應(yīng)和回收噴嘴21和23的數(shù)目和布置可以按照不同的方式加以設(shè)計，以便建立沉浸液體7的平滑流動和快速回收。
[0038]下面參考圖1和4解釋實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的清洗方法，該方法可以除去被由易吸濕材料制成的最后一級光學(xué)元件4吸附的部分液體7，例如水，以及灰塵、碎屑等。如圖1所示，在液體7存在的情況下，通過光投影單元PL用照射光學(xué)單元I的光線曝光晶片W之后，將液體7從光投影單元PL的下方除去，并使清洗器件30與最后一級光學(xué)元件4相互接觸，如圖4所示。在便攜式類型的實(shí)力中，如圖4所示，清洗器件30可以布置在Z臺9或者前述的晶片固定器上，如圖4所示，替換晶片W。
[0039]出于本發(fā)明的目的，可以使用不同型號和種類的清洗器件30。作為第一個實(shí)例，清洗器件30可以是一個盛有與被光學(xué)元件4吸附的沉浸液體7具有強(qiáng)親和力的液體(“清洗液”)的容器。如果沉浸液體7是水，那么清洗器件30可以容納乙醇，因?yàn)橐掖寂c水具有強(qiáng)親和力。任何清洗液體都可以使用，只要它與待清除的液體具有強(qiáng)親和力且不會破壞光學(xué)元件4及其涂層即可。光學(xué)元件4的兩個表面都浸沒在清洗液中一段時間，直到足以除去被吸附液體的水平。之后除去清洗器件30，光學(xué)元件4準(zhǔn)備好再一次暴露于液體7。
[0040]作為另一個實(shí)例，清洗器件30可以包含一個發(fā)熱器件和/或真空器件(未分離顯示)。熱和真空在光學(xué)元件4表面上的組合使得被吸附液體發(fā)生相變成為氣體，或者從表面上蒸發(fā)。光學(xué)元件4表面上液體密度的降低使更深層吸附在元件4內(nèi)的液體7到達(dá)表面。
[0041]圖5顯示了第三個實(shí)例，其中使用了附著在光投影單元PL的外罩3上的超聲換能器(或者超聲波振蕩器)32。隨著超聲換能器32 (例如壓電換能器)被激活，產(chǎn)生并傳播壓力波，用于清洗光學(xué)元件4的表面。
[0042]在圖5的清洗操作期間，鄰近光學(xué)元件4的間隙內(nèi)充滿沉浸液體7。在這種情況下，供應(yīng)和回收噴嘴能夠連續(xù)地提供和收集沉浸液體7，或者供應(yīng)和回收噴嘴能夠停止供應(yīng)和收集沉浸液體7。同樣在清洗操作期間，光學(xué)元件4能夠面對晶片W的表面，Z臺9的表面或者另一個組件的表面。
[0043]圖6是在待清洗的光學(xué)元件下面使用振蕩工具34的第四個實(shí)例。工具34的形狀可以和晶片W相似，厚度大致等于晶片W的厚度，或者大約未0.5-1_，并且可以完全用壓電材料制成，從而其厚度在被激活時會波動。因?yàn)楣ぞ?4位于光學(xué)元件4的下面，類似于圖1所示的晶片W，并且光學(xué)元件4和工具34之間的間隙內(nèi)充滿液體7，所以在沉浸液體7內(nèi)產(chǎn)生壓力波從而清洗光學(xué)元件。
[0044]在圖6的清洗操作期間，鄰近光學(xué)元件4的間隙內(nèi)充滿沉浸液體7。這種情況下，供應(yīng)和回收噴嘴能夠連續(xù)地提供和收集沉浸液體，或者供應(yīng)和回收噴嘴能夠停止供應(yīng)和收集沉浸液體7。在其它實(shí)例中，振蕩器34可以是一個位于Z臺9或者其它組件上的附著在晶片固定器上的超聲換能器。
[0045]圖7顯示了另一個具有不同結(jié)構(gòu)的工具36，其具有多個用平面支持元件39支持的壓電換能器38。[0046]圖8顯示了清洗器件另外的一個實(shí)例，其具有兩個以面對面的方式附著在一起的并適合于彼此平行振蕩并且相差為180°的壓電材料平面元件40。結(jié)果，這些元件40彼此附著在一起沿著橫向振蕩，圖8以夸大的方式加以顯示。該振蕩以恒定的間隔在沒有防止元件40的位置具有節(jié)點(diǎn)。元件40在這些節(jié)點(diǎn)處被支持在支持元件41上。當(dāng)向這些元件40施加電壓使之以上述方式產(chǎn)生振蕩時，通過液體7產(chǎn)生并傳播超聲壓力波，從而按照期望清洗光學(xué)元件4。
[0047]圖9顯示了液體清除系統(tǒng)的再一個實(shí)例，其特點(diǎn)是通過產(chǎn)生空化泡清洗光學(xué)元件
4。由超聲波俘獲和賦能的空化泡是高溫高壓的微反應(yīng)器，由氣泡的內(nèi)爆壓縮(implosivecompression)釋放的強(qiáng)大能量被認(rèn)為能夠?qū)⒎肿訐荛_。圖9所示實(shí)例的特點(diǎn)是包括一個襯墊43，其具有向上突出的翼，并且如光學(xué)元件4下面的箭頭所示地水平快速移動，同時用發(fā)泡液體7填充其間的間隙9 (用于移動襯墊43的裝置，未顯示)。隨著如此移動襯墊43，翼用于攪動液體17并產(chǎn)生用于清洗光學(xué)元件的空化泡。
[0048]圖10顯示了一種解決清洗最后一級光學(xué)元件4的問題的不同方法，其是通過使用與提供沉浸液體7同源的噴嘴21在其底表面上施加清洗液。出于這個目的，在供應(yīng)噴嘴21和液體單元5之間插入切換閥門25，從而能夠使沉浸液體7和清洗液選擇地通過供應(yīng)噴嘴21。
[0049]要再次記住，根據(jù)本發(fā)明的清洗方法和系統(tǒng)能夠應(yīng)用于不同類型和種類，也就是，具有不同數(shù)目源噴嘴，的沉浸式光刻裝置。上述的切換閥門不需要提供給每個源噴嘴，而是可以提供給一組源噴嘴。
[0050]當(dāng)如此通過供應(yīng)噴嘴21提供清洗液時，也許適合于放置在光學(xué)元件4下方的晶片W本身或者襯墊18能夠在其間提供合適的間隙。本發(fā)明的這一實(shí)施例是有利的，因?yàn)槟軌蚴褂靡延械挠糜谔峁┏两后w的相同噴嘴進(jìn)行清洗處理。
[0051]盡管上面分別說明各種方法，當(dāng)時無需說明也應(yīng)理解，它們也可以組合使用，盡管附圖中并沒有分別顯示。例如，圖9所示具有翼的襯墊43可以代替圖10所示的襯墊18。換言之，上述的實(shí)例并不限制本發(fā)明的范圍，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以有許多的修飾和改變。例如，可以使用類似于在化學(xué)機(jī)械拋光處理中使用的拋光襯墊實(shí)現(xiàn)本目的。圖4-10顯示的清洗程序可以用紫外光執(zhí)行。光線可以輻照光學(xué)元件4。該光線可以是來自照射光學(xué)元件4的正常曝光光線，或者其它具有適合于清洗的波長的光線。在其它實(shí)例中，可以使用用于清洗的紫外光，而不用圖4-10所示的清洗程序，并且可以在如下的條件下使用，即鄰近光學(xué)元件4的間隙內(nèi)充滿來自液體供應(yīng)單元5的沉浸液體7。所有這些修改和變化對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言都是顯而易見的，并且都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0052]再一次，應(yīng)當(dāng)注意，任何上述的清洗方法既可以用于清除被最后一級光學(xué)元件吸附的沉浸液體，也可以用于清除有可能積累的鹽、沉積物、灰塵和碎屑。因此術(shù)語清洗在這里包括這兩種現(xiàn)象。
[0053]下面參考圖2說明使用實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的包括液體噴射和回收系統(tǒng)的沉浸式光刻裝置制造半導(dǎo)體器件的處理。在步驟301，設(shè)計器件的功能和性能特征。接著在步驟302，根據(jù)先前的設(shè)計步驟設(shè)計具有圖形的掩模(刻線板)，在平行的步驟303中，用硅材料制造晶片。在步驟304，通過平板照相系統(tǒng)，例如上述的系統(tǒng)，將在步驟302中設(shè)計的掩模圖形曝光到在步驟303中制造的晶片上。在步驟305，組裝半導(dǎo)體器件(包括切片處理，鍵合處理和封裝處理)，然后在步驟306檢查最終的器件。
[0054]圖3圖解了在制造半導(dǎo)體器件時上述步驟304的詳細(xì)流程實(shí)例。在步驟311 (氧化步驟)，晶片表面被氧化。在步驟312 (CVD步驟)，在晶片表面上形成絕緣膜。在步驟313 (電極形成步驟)，通過氣相沉積在晶片上形成電極。在步驟314 (離子植入步驟)，在晶片內(nèi)植入離子。前述的步驟311-314形成了晶片處理期間的預(yù)處理步驟，并且在每一步都可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。
[0055]在晶片處理的每個階段，當(dāng)上述預(yù)處理步驟完成時，執(zhí)行如下的后處理步驟。在后處理期間，在步驟315 (光刻膠形成步驟)，將光刻膠施加到晶片上。接著在步驟316 (曝光步驟)，使用上述的曝光器件將掩模(刻線板)上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶片上。然后在步驟317 (顯影步驟)，對曝光晶片進(jìn)行顯影，并且在步驟318 (腐蝕步驟)，通過腐蝕除去除殘余光刻膠之外的部分(曝光材料表面)。在步驟319 (光刻膠清除步驟)，除去在腐蝕之后剩余的不必要光刻膠。通過重復(fù)這些處理和后處理步驟可以形成多個電路圖。
[0056]盡管本發(fā)明的光刻系統(tǒng)是通過多個優(yōu)選實(shí)施例加以說明，但是可選擇的、可置換的和各種可替代的等價物也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。還應(yīng)當(dāng)注意，存在許多可選擇的方法用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置。因此，如下的權(quán)利要求包括所有這些處于本發(fā)明精神和范圍之內(nèi)的可選擇的、可置換的和各種可替代的等價物。
【權(quán)利要求】
1.一種用于沉浸式光刻裝置的清洗方法，其中在沉浸式光刻處理期間，用于光刻的工件位于臺上，具有光學(xué)元件的投影光學(xué)系統(tǒng)在所述工件的上方并與之相對，在所述光學(xué)元件與所述工件之間提供間隙，所述方法包括如下步驟: 在清洗處理期間將清洗器件置于所述臺上；以及 在所述清洗處理期間在所述光學(xué)元件與于所述臺上的所述清洗器件之間供應(yīng)液體，所述光學(xué)元件在所述清洗處理期間與所供應(yīng)的液體接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的清洗方法，其中所述清洗處理在所述沉浸式光刻處理之后進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的清洗方法，其中在所述清洗處理期間所供應(yīng)的所述液體是水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的清洗方法，其中所述液體的供應(yīng)與所供應(yīng)的液體的收集在所述清洗處理期間繼續(xù)進(jìn)行。
5.—種沉浸式光刻裝置,其中,在沉浸式光刻處理期間，在光學(xué)兀件與用于光刻的工件之間提供間隙，所述沉浸式光刻裝置包括: 臺，用于光刻的所述工件在所述沉浸式光刻處理期間保持于其上，并且清洗器件在清洗處理期間置于其上； 具有所述光學(xué)元件的投影光學(xué)系統(tǒng)，其在所述沉浸式光刻處理期間是在所述工件的上方并與之相對；以及 噴嘴，被設(shè)置為在所述沉浸式光刻處理期間向在所述光學(xué)元件與于所述臺上的所述工件之間的所述間隙供應(yīng)沉浸液體，并且被設(shè)置為在所述清洗處理期間向所述光學(xué)元件與于所述臺上的所述清洗器件之間的間隙供應(yīng)液體，所述光學(xué)組件在所述清洗處理期間與所供應(yīng)的液體接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述清洗處理在所述沉浸式光刻處理之后進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中在所述清洗處理期間所供應(yīng)的所述液體是水。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，其中所述液體的供應(yīng)與所供應(yīng)的液體的收集在所述清洗處理期間繼續(xù)進(jìn)行。
9.一種器件制造方法，包括: 通過權(quán)利要求5-8中任一項(xiàng)的裝置曝光晶片；以及 顯影所曝光的晶片。
10.一種用于沉浸式光刻裝置的清洗方法，所述方法包括: 在清洗處理期間將投影光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)元件浸沒在一種液體中；以及 在所述清洗處理期間將光執(zhí)行施加于所述光學(xué)元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的清洗方法，其中所述光是紫外光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的清洗方法，其中所述光是曝光光線。
【文檔編號】B08B3/04GK103558736SQ201310419409
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2004年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2003年4月11日
【發(fā)明者】安德魯·J·黑茲爾頓, 川井秀實(shí), 道格拉斯·C·沃特森, 托馬斯·W·諾萬克 申請人:株式會社尼康